JPH06276352A - 画像入出力装置 - Google Patents
画像入出力装置Info
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- JPH06276352A JPH06276352A JP5083836A JP8383693A JPH06276352A JP H06276352 A JPH06276352 A JP H06276352A JP 5083836 A JP5083836 A JP 5083836A JP 8383693 A JP8383693 A JP 8383693A JP H06276352 A JPH06276352 A JP H06276352A
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- JP
- Japan
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- thin film
- image
- output device
- image input
- film transistor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型、軽量の携帯可能な画像入出力装置を構
提供する。 【構成】 液晶素子５とフォトダイオ−ド８とは同一基
板上でマトリクス状に設けられ、フォトダイオ−ド８に
直列接続された受光素子用薄膜トランジスタ９は、液晶
素子５と画素薄膜トランジスタ６との接続点に接続され
ており、画素薄膜トランジスタ６を介して液晶素子５に
画像デ−タが印加される一方、フォトダイオ−ド８から
出力される画像信号は受光素子用薄膜トランジスタ９及
び画素薄膜トランジスタ６を介して読み出されるように
なっている。
提供する。 【構成】 液晶素子５とフォトダイオ−ド８とは同一基
板上でマトリクス状に設けられ、フォトダイオ−ド８に
直列接続された受光素子用薄膜トランジスタ９は、液晶
素子５と画素薄膜トランジスタ６との接続点に接続され
ており、画素薄膜トランジスタ６を介して液晶素子５に
画像デ−タが印加される一方、フォトダイオ−ド８から
出力される画像信号は受光素子用薄膜トランジスタ９及
び画素薄膜トランジスタ６を介して読み出されるように
なっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、画像入出力装置に係
り、特に、２次元センサを用いてなる画像読取部を有す
る画像入出力装置に関する。
り、特に、２次元センサを用いてなる画像読取部を有す
る画像入出力装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、画像情報を表示する携帯可能な画
像表示装置としては、薄型で軽量な液晶ディスプレイが
多く用いられている。そして、近年、画像表示機能だけ
ではなく同時に画像読取機能をも併せ持つ携帯可能な画
像入出力装置が望まれている。ところで、画像読取を行
うものとしては、例えば、いわゆる一次元センサや２次
元センサがあり、これらを画像入力装置の画像入力部と
して用いることが考えられる。
像表示装置としては、薄型で軽量な液晶ディスプレイが
多く用いられている。そして、近年、画像表示機能だけ
ではなく同時に画像読取機能をも併せ持つ携帯可能な画
像入出力装置が望まれている。ところで、画像読取を行
うものとしては、例えば、いわゆる一次元センサや２次
元センサがあり、これらを画像入力装置の画像入力部と
して用いることが考えられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一次元
センサによる画像入力部は、手動又は機械的方法によっ
て、一次元センサ又は読み取ろうとしている原稿を一次
元センサの長手軸方向と直交する方向へ移動させるよう
な機構が必要である。特に、機械的に一次元センサを移
動させるような構造では、一次元センサを移動させるた
めの機構部が必要となるので、先の液晶ディスプレイと
一体化して小型の画像入出力装置とするには不向きであ
る。また、一次元センサを原稿に対して手動により移動
させるような構造としてこれを画像入出力装置の画像入
力部とすると、画像入力部の小型化は図れるが、移動速
度と移動方向を正確に保ちつつ操作をしなければならな
いという問題があった。
センサによる画像入力部は、手動又は機械的方法によっ
て、一次元センサ又は読み取ろうとしている原稿を一次
元センサの長手軸方向と直交する方向へ移動させるよう
な機構が必要である。特に、機械的に一次元センサを移
動させるような構造では、一次元センサを移動させるた
めの機構部が必要となるので、先の液晶ディスプレイと
一体化して小型の画像入出力装置とするには不向きであ
る。また、一次元センサを原稿に対して手動により移動
させるような構造としてこれを画像入出力装置の画像入
力部とすると、画像入力部の小型化は図れるが、移動速
度と移動方向を正確に保ちつつ操作をしなければならな
いという問題があった。
【０００４】また、いわゆる２次元センサを画像入力部
として用いるものとして、簡単には例えば、液晶ディス
プレイ基板と２次元センサを配した基板とを貼り合わせ
た構造とすることが考えられるが、これでは装置全体と
しての重量が大となり小型、軽量で携帯可能な画像入出
力装置が得られないという問題があった。
として用いるものとして、簡単には例えば、液晶ディス
プレイ基板と２次元センサを配した基板とを貼り合わせ
た構造とすることが考えられるが、これでは装置全体と
しての重量が大となり小型、軽量で携帯可能な画像入出
力装置が得られないという問題があった。
【０００５】本発明は、上記実情に鑑みてなされたもの
で、小型、軽量で且つ簡易な構造を有する画像入出力装
置を提供するものである。
で、小型、軽量で且つ簡易な構造を有する画像入出力装
置を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る画像入出力
装置は、複数の表示素子と複数の光電変換素子とをマト
リクス状に配してなる画像入出力装置において、前記表
示素子には該表示素子の動作を制御するスイッチング手
段を接続し、該スイッチング手段を介して画像信号を前
記表示素子に印加可能とすると共に、前記光電変換素子
からの画像信号の読み出しの際には前記スイッチング手
段を介して画像信号を読み出し可能としてなるものであ
る。特に、表示素子及び光電変換素子の双方に共通に接
続されるコンデンサを設け、前記表示素子の不足容量を
補う補助用のコンデンサとすると共に、前記光電変換素
子から読み出された画像信号を一次的に蓄積する一次蓄
積用のコンデンサとしたものが好適である。
装置は、複数の表示素子と複数の光電変換素子とをマト
リクス状に配してなる画像入出力装置において、前記表
示素子には該表示素子の動作を制御するスイッチング手
段を接続し、該スイッチング手段を介して画像信号を前
記表示素子に印加可能とすると共に、前記光電変換素子
からの画像信号の読み出しの際には前記スイッチング手
段を介して画像信号を読み出し可能としてなるものであ
る。特に、表示素子及び光電変換素子の双方に共通に接
続されるコンデンサを設け、前記表示素子の不足容量を
補う補助用のコンデンサとすると共に、前記光電変換素
子から読み出された画像信号を一次的に蓄積する一次蓄
積用のコンデンサとしたものが好適である。
【０００７】
【作用】表示素子へ接続されたスイッチング手段は、表
示素子へ印加される画像信号を伝達するだけでなく、光
電変換素子の出力信号を読み出す際にはこの出力信号の
伝達経路となり、表示素子を中心に形成される画像出力
部と光電変換素子を中心に形成される画像出力部とが電
気的に共通の回路部分を有して構成されこととなり、そ
のため、同一基板に形成することが可能となるものであ
る。
示素子へ印加される画像信号を伝達するだけでなく、光
電変換素子の出力信号を読み出す際にはこの出力信号の
伝達経路となり、表示素子を中心に形成される画像出力
部と光電変換素子を中心に形成される画像出力部とが電
気的に共通の回路部分を有して構成されこととなり、そ
のため、同一基板に形成することが可能となるものであ
る。
【０００８】
【実施例】以下、図１及び図２を参照しつつ本発明に係
る画像入出力装置について説明する。ここで、図１は本
発明に係る画像入出力装置の一実施例を示す回路図、図
２は本発明に係る画像入出力装置の構造を模式的に示し
た縦断面模式図である。先ず、この画像入出力装置は、
画像入出力アレイ１と、スキャンニングライン駆動回路
２と、デ−タ駆動回路３と、デ−タ読出回路４と、を主
たる構成要素としてなるものである。
る画像入出力装置について説明する。ここで、図１は本
発明に係る画像入出力装置の一実施例を示す回路図、図
２は本発明に係る画像入出力装置の構造を模式的に示し
た縦断面模式図である。先ず、この画像入出力装置は、
画像入出力アレイ１と、スキャンニングライン駆動回路
２と、デ−タ駆動回路３と、デ−タ読出回路４と、を主
たる構成要素としてなるものである。
【０００９】本実施例の画像入出力アレイ１は、表示素
子としての液晶素子５及びこれに直列接続されたスイッ
チング手段としての画素薄膜トランジスタ６並びに補助
容量７が、一組の出力画素を構成し、これが走査方向
（図１において紙面左右方向）及び副走査方向（図１に
おいて紙面上下方向）に複数配置されると共に、光電変
換素子としてのフォトダイオ−ド８とこれに直列接続さ
れた受光素子用薄膜トランジスタ９が一組の入力画素を
構成し、先の出力画素と同様に走査方向並びに副走査方
向に出力画素と同数設けられてなるものである。
子としての液晶素子５及びこれに直列接続されたスイッ
チング手段としての画素薄膜トランジスタ６並びに補助
容量７が、一組の出力画素を構成し、これが走査方向
（図１において紙面左右方向）及び副走査方向（図１に
おいて紙面上下方向）に複数配置されると共に、光電変
換素子としてのフォトダイオ−ド８とこれに直列接続さ
れた受光素子用薄膜トランジスタ９が一組の入力画素を
構成し、先の出力画素と同様に走査方向並びに副走査方
向に出力画素と同数設けられてなるものである。
【００１０】入力画素を構成する受光素子用薄膜トラン
ジスタ９は、ソ−ス側がフォトダイオ−ド８のカソ−ド
に、ドレイン側が画素薄膜トランジスタ６のソ−ス側に
それぞれ接続されている。尚、フォトダイオ−ド８は、
いわゆるサンドイッチ型、プレ−ナ型のいずれでもよい
ものである。この画像入出力アレイ１において、同一の
主走査方向にある画素薄膜トランジタ６のゲ−ト電極は
ゲ−ト配線１４で共通に接続されて、共にスキャンニン
グライン駆動回路２に接続されている。また、同一の副
走査方向にある画素薄膜トランジスタ６のドレインは共
通のデ−タ配線２０に接続され、その配線２０の一端
は、デ−タ駆動回路３の切換用薄膜トランジスタ１０
に、他端は画像入出力アレイ１内に設けられたデ−タ読
出回路選択用薄膜トランジスタ１１のドレインに、それ
ぞれ接続されている。
ジスタ９は、ソ−ス側がフォトダイオ−ド８のカソ−ド
に、ドレイン側が画素薄膜トランジスタ６のソ−ス側に
それぞれ接続されている。尚、フォトダイオ−ド８は、
いわゆるサンドイッチ型、プレ−ナ型のいずれでもよい
ものである。この画像入出力アレイ１において、同一の
主走査方向にある画素薄膜トランジタ６のゲ−ト電極は
ゲ−ト配線１４で共通に接続されて、共にスキャンニン
グライン駆動回路２に接続されている。また、同一の副
走査方向にある画素薄膜トランジスタ６のドレインは共
通のデ−タ配線２０に接続され、その配線２０の一端
は、デ−タ駆動回路３の切換用薄膜トランジスタ１０
に、他端は画像入出力アレイ１内に設けられたデ−タ読
出回路選択用薄膜トランジスタ１１のドレインに、それ
ぞれ接続されている。
【００１１】このデ−タ読出回路選択用薄膜トランジス
タ１１のソ−ス側は、一端が接地された蓄積容量ＣL に
接続されると共にデ−タ読出回路４に接続されている。
また、画像入出力アレイ１において、全てのフォトダイ
オ−ド８のアノ−ド及び補助容量７は、共通のバイアス
線１２に接続されており、このバイアス線１２には一定
の電圧が常時印加されるようになっている。さらに、同
一の走査方向にある受光素子用薄膜トランジスタ９のゲ
−ト電極は、共通の入出力選択線１３に接続されてお
り、この入出力選択線１３には外部から受光素子用薄膜
トランジスタ９を動作状態とする際に、ゲ−ト信号が印
加されるようになっている。
タ１１のソ−ス側は、一端が接地された蓄積容量ＣL に
接続されると共にデ−タ読出回路４に接続されている。
また、画像入出力アレイ１において、全てのフォトダイ
オ−ド８のアノ−ド及び補助容量７は、共通のバイアス
線１２に接続されており、このバイアス線１２には一定
の電圧が常時印加されるようになっている。さらに、同
一の走査方向にある受光素子用薄膜トランジスタ９のゲ
−ト電極は、共通の入出力選択線１３に接続されてお
り、この入出力選択線１３には外部から受光素子用薄膜
トランジスタ９を動作状態とする際に、ゲ−ト信号が印
加されるようになっている。
【００１２】スキャンニングライン駆動回路２は、ゲ−
ト配線１４を副走査方向に順に選択し、画素薄膜トラン
ジスタ６を動作状態とするゲ−ト信号を出力するもの
で、本実施例においては、シフトレジスタ１５と複数の
バッファ１６とを具備してなるものである。デ−タ駆動
回路３は、液晶素子５への画素デ−タを出力するもの
で、本実施例においては、シフトレジスタ１７と、マル
チプレクサ１８と、複数のバッファ１９と、複数の切替
用薄膜トランジスタ１０と、からなるものである。この
デ−タ駆動回路３において、複数の切替用薄膜トランジ
スタ１０は、ゲ−ト電極が共通の配線により共に接続さ
れて、外部から切替パルスが入力されるようになってい
る。そして、この切替パルスが入力されることにより、
複数の切替用薄膜トランジスタ１０が同時に導通状態と
なるようになっている。
ト配線１４を副走査方向に順に選択し、画素薄膜トラン
ジスタ６を動作状態とするゲ−ト信号を出力するもの
で、本実施例においては、シフトレジスタ１５と複数の
バッファ１６とを具備してなるものである。デ−タ駆動
回路３は、液晶素子５への画素デ−タを出力するもの
で、本実施例においては、シフトレジスタ１７と、マル
チプレクサ１８と、複数のバッファ１９と、複数の切替
用薄膜トランジスタ１０と、からなるものである。この
デ−タ駆動回路３において、複数の切替用薄膜トランジ
スタ１０は、ゲ−ト電極が共通の配線により共に接続さ
れて、外部から切替パルスが入力されるようになってい
る。そして、この切替パルスが入力されることにより、
複数の切替用薄膜トランジスタ１０が同時に導通状態と
なるようになっている。
【００１３】デ−タ読出回路４は、画像入出力アレイ１
の蓄積容量ＣL の電位を画像デ−タとして外部に読み出
すもので、演算増幅器からなる電圧フォロワ回路２２
が、画像入出力アレイ１の副走査方向における画素数と
同数だけ設けられてなるものである。電圧フォロワ回路
２２の入力端子は画像入出力アレイ１の蓄積容量ＣL に
接続されると共に、読出スイッチＳＷｉ（ｉ＝１〜Ｎ）
の一端に接続されている。そして、この読出スイッチＳ
Ｗｉ（ｉ＝１〜Ｎ）の他端は接地状態となっており、読
出スイッチＳＷｉ（ｉ＝１〜Ｎ）が開成状態となった際
に、電圧フォロワ回路２２が蓄積容量ＣL に蓄積された
電位を出力することとなる。尚、この読出スイッチＳＷ
ｉ（ｉ＝１〜Ｎ）は、図示されない制御回路により一つ
づつ閉成状態から一定時間開成状態とされるようになっ
ているものである。
の蓄積容量ＣL の電位を画像デ−タとして外部に読み出
すもので、演算増幅器からなる電圧フォロワ回路２２
が、画像入出力アレイ１の副走査方向における画素数と
同数だけ設けられてなるものである。電圧フォロワ回路
２２の入力端子は画像入出力アレイ１の蓄積容量ＣL に
接続されると共に、読出スイッチＳＷｉ（ｉ＝１〜Ｎ）
の一端に接続されている。そして、この読出スイッチＳ
Ｗｉ（ｉ＝１〜Ｎ）の他端は接地状態となっており、読
出スイッチＳＷｉ（ｉ＝１〜Ｎ）が開成状態となった際
に、電圧フォロワ回路２２が蓄積容量ＣL に蓄積された
電位を出力することとなる。尚、この読出スイッチＳＷ
ｉ（ｉ＝１〜Ｎ）は、図示されない制御回路により一つ
づつ閉成状態から一定時間開成状態とされるようになっ
ているものである。
【００１４】この画像入出力装置の一構造例を図２に示
す。この画像入出力装置においては、下部透明基板２３
上にｐｏｌｙ−Ｓｉ層２４、ゲ−ト絶縁膜２５、ゲ−ト
電極２７及び層間絶縁膜２８を配して受光素子用薄膜ト
ランジスタ９が形成され、また、ゲ−ト絶縁膜２５上に
透明金属２６、ａ−Ｓｉ層２９、金属配線３０を配して
フォトダイオ−ド８が形成されている。さらに、これら
受光素子用薄膜トランジスタ９及びフォトダイオ−ド８
を覆うように層間絶縁膜３１が設けられると共に、この
層間絶縁膜３１の上部（図２において紙面上方向）には
画素反射電極３２が設けられている。一方、上部基板３
３には、先の画素反射電極３２と対向する面側に上部透
明電極３４が設けられており、この上部透明電極３４と
画素反射電極３２の間に液晶部材（図示せず）が封入さ
れて液晶素子５が形成されている。
す。この画像入出力装置においては、下部透明基板２３
上にｐｏｌｙ−Ｓｉ層２４、ゲ−ト絶縁膜２５、ゲ−ト
電極２７及び層間絶縁膜２８を配して受光素子用薄膜ト
ランジスタ９が形成され、また、ゲ−ト絶縁膜２５上に
透明金属２６、ａ−Ｓｉ層２９、金属配線３０を配して
フォトダイオ−ド８が形成されている。さらに、これら
受光素子用薄膜トランジスタ９及びフォトダイオ−ド８
を覆うように層間絶縁膜３１が設けられると共に、この
層間絶縁膜３１の上部（図２において紙面上方向）には
画素反射電極３２が設けられている。一方、上部基板３
３には、先の画素反射電極３２と対向する面側に上部透
明電極３４が設けられており、この上部透明電極３４と
画素反射電極３２の間に液晶部材（図示せず）が封入さ
れて液晶素子５が形成されている。
【００１５】かかる構成において、原稿（図示せず）か
らの反射光は、下部透明基板２３の下面側から入射し
（図２において白抜き矢印参照）、フォトダイオ−ド８
に受光されることとなる。この際、上部（図２において
紙面上方向）からフォトダイオ−ド８へ向かって入射す
る漏れ光は、画素反射電極３２により遮光されるので、
下部透明基板２３の下面側からフォトダイオ−ド８に入
射する光に影響を及ぼすことはない。尚、受光素子用薄
膜トランジスタ９の形成には多結晶シリコンを用いた
が、これに限定される必要はなく、アモルファスシリコ
ンや単結晶シリコンを用いてもよいことは勿論である。
らの反射光は、下部透明基板２３の下面側から入射し
（図２において白抜き矢印参照）、フォトダイオ−ド８
に受光されることとなる。この際、上部（図２において
紙面上方向）からフォトダイオ−ド８へ向かって入射す
る漏れ光は、画素反射電極３２により遮光されるので、
下部透明基板２３の下面側からフォトダイオ−ド８に入
射する光に影響を及ぼすことはない。尚、受光素子用薄
膜トランジスタ９の形成には多結晶シリコンを用いた
が、これに限定される必要はなく、アモルファスシリコ
ンや単結晶シリコンを用いてもよいことは勿論である。
【００１６】次に、上記構成における本装置の動作につ
いて説明する。先ず、本装置が液晶ディスプレイとして
動作する場合について述べる。最初に、前提条件とし
て、デ−タ駆動回路３には、表示しようとする画像デ−
タが外部の回路からマルチプレクサ１８に予め入力され
ていることとする。この前提の下で、切替パルスが図示
しない外部回路から入力されることにより、複数の切替
用薄膜トランジスタ１０が同時に導通状態となり、第１
ラインＬ1 分の画像デ−タがデ−タ配線２０に出力され
る。続いて、スキャンニングライン駆動回路２から第１
ラインＬ1 の位置にあるゲ−ト配線１４に接続されてい
るバッファ１６を介して接続されている画素薄膜トラン
ジスタ６のゲ−ト電極にゲ−ト電圧が印加される。そし
て、このゲ−ト電圧の印加によって画素薄膜トランジス
タ６が導通状態とされ、先にデ−タ配線２０に印加され
た画像信号がこの画素薄膜トランジスタ６介して液晶素
子５及び補助容量７に蓄積されることとなる。
いて説明する。先ず、本装置が液晶ディスプレイとして
動作する場合について述べる。最初に、前提条件とし
て、デ−タ駆動回路３には、表示しようとする画像デ−
タが外部の回路からマルチプレクサ１８に予め入力され
ていることとする。この前提の下で、切替パルスが図示
しない外部回路から入力されることにより、複数の切替
用薄膜トランジスタ１０が同時に導通状態となり、第１
ラインＬ1 分の画像デ−タがデ−タ配線２０に出力され
る。続いて、スキャンニングライン駆動回路２から第１
ラインＬ1 の位置にあるゲ−ト配線１４に接続されてい
るバッファ１６を介して接続されている画素薄膜トラン
ジスタ６のゲ−ト電極にゲ−ト電圧が印加される。そし
て、このゲ−ト電圧の印加によって画素薄膜トランジス
タ６が導通状態とされ、先にデ−タ配線２０に印加され
た画像信号がこの画素薄膜トランジスタ６介して液晶素
子５及び補助容量７に蓄積されることとなる。
【００１７】次に、デ−タ駆動回路３のシフトレジスタ
１７に、第２ラインＬ2 分の画像デ−タが入力された
後、マルチプレクサ１８を介してデ−タ配線２０に画像
デ−タが出力される。そして、スキャンニングライン駆
動回路２のバッファ１６の内、第２ラインＬ2 の位置に
あるバッファ１６のみを介して接続されている画素薄膜
トランジスタ６のゲ−ト電極にゲ−ト電圧が印加され、
同薄膜トランジスタ６が導通状態とされることによって
先にデ−タ配線２０に印加された画像デ−タがこの画素
薄膜トランジスタ６を介して液晶素子５及び補助容量７
に蓄積されることとなる。以下、スキャンニングライン
駆動回路２により各バッファ１６から順にゲ−ト電圧が
出力されることにより、第３ラインＬ3 以降の液晶素子
５に画像デ−タが順に印加されることとなる。
１７に、第２ラインＬ2 分の画像デ−タが入力された
後、マルチプレクサ１８を介してデ−タ配線２０に画像
デ−タが出力される。そして、スキャンニングライン駆
動回路２のバッファ１６の内、第２ラインＬ2 の位置に
あるバッファ１６のみを介して接続されている画素薄膜
トランジスタ６のゲ−ト電極にゲ−ト電圧が印加され、
同薄膜トランジスタ６が導通状態とされることによって
先にデ−タ配線２０に印加された画像デ−タがこの画素
薄膜トランジスタ６を介して液晶素子５及び補助容量７
に蓄積されることとなる。以下、スキャンニングライン
駆動回路２により各バッファ１６から順にゲ−ト電圧が
出力されることにより、第３ラインＬ3 以降の液晶素子
５に画像デ−タが順に印加されることとなる。
【００１８】次に、本装置を画像読取装置として動作さ
せる場合について説明する。先ず、外部回路（図示せ
ず）により切替用薄膜トランジスタ１０をオフ状態とし
て、デ−タ駆動回路３を切り離す。そして、各受光素子
用薄膜トンジスタ９のゲ−ト電極に入出力選択線線１３
を介し、本装置を画像読取装置として動作させようとす
る間、一定電圧を印加することにより、各受光素子用薄
膜トランジスタ９を常時導通状態としてデ−タ読出回路
４を接続する。かかる状態において、各フォトダイオ−
ド８に原稿（図示せず）からの反射光が入力されること
により、フォトダイオ−ド８には、入射光量に対応した
電流が流れ、補助容量７に電荷が蓄積されることとな
る。
せる場合について説明する。先ず、外部回路（図示せ
ず）により切替用薄膜トランジスタ１０をオフ状態とし
て、デ−タ駆動回路３を切り離す。そして、各受光素子
用薄膜トンジスタ９のゲ−ト電極に入出力選択線線１３
を介し、本装置を画像読取装置として動作させようとす
る間、一定電圧を印加することにより、各受光素子用薄
膜トランジスタ９を常時導通状態としてデ−タ読出回路
４を接続する。かかる状態において、各フォトダイオ−
ド８に原稿（図示せず）からの反射光が入力されること
により、フォトダイオ−ド８には、入射光量に対応した
電流が流れ、補助容量７に電荷が蓄積されることとな
る。
【００１９】次に、本装置を液晶ディスプレイとして動
作させる場合に説明したと同様にスキャンニングライン
駆動回路２の各バッファ１６を順に動作させることによ
って、各画素薄膜トランジスタ６は第１ラインＬ1 にあ
るものから順に導通状態とされる。そして、画素薄膜ト
ランジスタ６が導通状態となることにより、各デ−タ配
線２０は、補助容量７に蓄積された電荷に対応した電位
となる。さらに、デ−タ読出回路選択用薄膜トランジス
タ１１のゲ−ト電極にゲ−ト電圧を印加することによっ
て、デ−タ読出回路選択用薄膜トランジスタ１１を介し
てデ−タ配線２０に各蓄積容量ＣL が同時に接続される
こととなる。そして、デ−タ読出回路４の各読出スイッ
チＳＷi(i=１〜Ｎ) を順に一定時間開成状態とすること
により、蓄積容量ＣL に蓄積された電位が画像信号とし
てのデ−タ読出回路４から出力されることとなる。以
下、同様にしてスキャンニングライン駆動回路２により
第２ラインＬ2 以降のフォトダイオ−ド８からデ−タ読
出回路４を介して画像信号を読み出すようにすればよ
い。
作させる場合に説明したと同様にスキャンニングライン
駆動回路２の各バッファ１６を順に動作させることによ
って、各画素薄膜トランジスタ６は第１ラインＬ1 にあ
るものから順に導通状態とされる。そして、画素薄膜ト
ランジスタ６が導通状態となることにより、各デ−タ配
線２０は、補助容量７に蓄積された電荷に対応した電位
となる。さらに、デ−タ読出回路選択用薄膜トランジス
タ１１のゲ−ト電極にゲ−ト電圧を印加することによっ
て、デ−タ読出回路選択用薄膜トランジスタ１１を介し
てデ−タ配線２０に各蓄積容量ＣL が同時に接続される
こととなる。そして、デ−タ読出回路４の各読出スイッ
チＳＷi(i=１〜Ｎ) を順に一定時間開成状態とすること
により、蓄積容量ＣL に蓄積された電位が画像信号とし
てのデ−タ読出回路４から出力されることとなる。以
下、同様にしてスキャンニングライン駆動回路２により
第２ラインＬ2 以降のフォトダイオ−ド８からデ−タ読
出回路４を介して画像信号を読み出すようにすればよ
い。
【００２０】本実施例においては、画像信号を読み取る
素子としてフォトダイオ−ド８を用い、これに受光素子
用薄膜トランジスタ９を直列に接続するようにしたが、
この部分を例えばフォトトランジスタに代えても勿論よ
いものである。また、本実施例におけるトランジスタ
は、薄膜トランジタを用いたがこれに限定される必要の
ないことは勿論である。
素子としてフォトダイオ−ド８を用い、これに受光素子
用薄膜トランジスタ９を直列に接続するようにしたが、
この部分を例えばフォトトランジスタに代えても勿論よ
いものである。また、本実施例におけるトランジスタ
は、薄膜トランジタを用いたがこれに限定される必要の
ないことは勿論である。
【００２１】
【発明の効果】以上、述べたように、本発明によれば、
表示素子と光電変換素子とが電気回路の一部を共用でき
るように構成することにより、これら２つの素子からな
る画像入出力部分を同一の基板上に設けることができる
ので、小型且つ軽量な画像入出力装置を提供することが
できるという効果を奏するものである。
表示素子と光電変換素子とが電気回路の一部を共用でき
るように構成することにより、これら２つの素子からな
る画像入出力部分を同一の基板上に設けることができる
ので、小型且つ軽量な画像入出力装置を提供することが
できるという効果を奏するものである。
【図１】 本発明に係る画像入出力装置の一実施例を示
す回路図である。
す回路図である。
【図２】 本発明に係る画像入出力装置の構造を模式的
に示した縦断面模式図である。
に示した縦断面模式図である。
１…画像入出力アレイ、 ２…スキャンニングライン駆
動回路、 ３…デ−タ駆動回路、 ４…デ−タ読出回
路、 ６…画素薄膜トランジスタ、 ９…受光素子用薄
膜トランジスタ、 １０…切換用薄膜トランジスタ、
１１…デ−タ読出回路選択用薄膜トランジスタ、 １２
…バイアス線、 １３…入出力選択線、１４…ゲ−ト配
線、 ２０…デ−タ配線、 ２３…下部透明基板、 ２
４…ｐｏｌｙ−Ｓｉ層
動回路、 ３…デ−タ駆動回路、 ４…デ−タ読出回
路、 ６…画素薄膜トランジスタ、 ９…受光素子用薄
膜トランジスタ、 １０…切換用薄膜トランジスタ、
１１…デ−タ読出回路選択用薄膜トランジスタ、 １２
…バイアス線、 １３…入出力選択線、１４…ゲ−ト配
線、 ２０…デ−タ配線、 ２３…下部透明基板、 ２
４…ｐｏｌｙ−Ｓｉ層
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の表示素子と複数の光電変換素子と
をマトリクス状に配してなる画像入出力装置において、
前記表示素子には該表示素子の動作を制御するスイッチ
ング手段を接続し、該スイッチング手段を介して画像信
号を前記表示素子に印加可能とすると共に、前記光電変
換素子からの画像信号の読み出しの際には前記スイッチ
ング手段を介して画像信号を読み出し可能としたことを
特徴とする画像入出力装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の画像入出力装置におい
て、表示素子及び光電変換素子の双方に共通に接続され
るコンデンサを設け、前記表示素子の不足容量を補う補
助用のコンデンサとすると共に、前記光電変換素子から
読み出された画像信号を一次的に蓄積する一次蓄積用の
コンデンサとしたことを特徴とする画像入出力装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP5083836A JP3064737B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 画像入出力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5083836A JP3064737B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 画像入出力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06276352A true JPH06276352A (ja) | 1994-09-30 |
| JP3064737B2 JP3064737B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=13813794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5083836A Expired - Fee Related JP3064737B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 画像入出力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3064737B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999012339A1 (fr) * | 1997-09-01 | 1999-03-11 | Seiko Epson Corporation | Capteur d'images du type afficheur |
| JP2004151155A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-27 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
| JP2005530217A (ja) * | 2002-06-21 | 2005-10-06 | ノキア コーポレイション | 光センサを備えた表示回路 |
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| JP2008165184A (ja) * | 2006-12-29 | 2008-07-17 | Lg Display Co Ltd | 液晶表示装置及びその駆動方法 |
| WO2010026977A1 (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 画像入出力装置 |
| WO2010058630A1 (ja) * | 2008-11-21 | 2010-05-27 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置、電子機器 |
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| JP2014063171A (ja) * | 2013-10-21 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
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| US7760317B2 (en) | 2003-10-14 | 2010-07-20 | Lg Display Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof, liquid crystal display using the same and fabricating method thereof, and method of inspecting liquid crystal display |
-
1993
- 1993-03-19 JP JP5083836A patent/JP3064737B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO1999012339A1 (fr) * | 1997-09-01 | 1999-03-11 | Seiko Epson Corporation | Capteur d'images du type afficheur |
| JPH1175115A (ja) * | 1997-09-01 | 1999-03-16 | Seiko Epson Corp | 表示装置兼用型イメージセンサ装置 |
| US6559433B1 (en) | 1997-09-01 | 2003-05-06 | Seiko Epson Corporation | Display type image sensor |
| US6852965B2 (en) | 1997-09-01 | 2005-02-08 | Seiko Epson Corporation | Image sensor apparatus having additional display device function |
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| US8519943B2 (en) | 2006-12-29 | 2013-08-27 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device including image sensor and method of driving the same |
| KR101335424B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2013-12-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 이미지 센서 내장형 액정표시장치의 구동방법 |
| US7812906B2 (en) | 2007-05-29 | 2010-10-12 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device and electronic apparatus |
| WO2010026977A1 (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 画像入出力装置 |
| WO2010058630A1 (ja) * | 2008-11-21 | 2010-05-27 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置、電子機器 |
| US8098345B2 (en) | 2008-11-21 | 2012-01-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and electronics device |
| JP2014063171A (ja) * | 2013-10-21 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3064737B2 (ja) | 2000-07-12 |
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