JPH06275562A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH06275562A JPH06275562A JP6560993A JP6560993A JPH06275562A JP H06275562 A JPH06275562 A JP H06275562A JP 6560993 A JP6560993 A JP 6560993A JP 6560993 A JP6560993 A JP 6560993A JP H06275562 A JPH06275562 A JP H06275562A
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- Japan
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- chamber
- plasma
- gas
- plasma processing
- mass
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アッシングやその他のプラズマ処理におい
て、その処理をリアルタイムに監視し、常に最適なプラ
ズマ処理条件が得られるプラズマ処理装置の提供を目的
とする。 【構成】 内部にプラズマ発生装置１１を有するととも
に、プラズマ化するガスを内部に供給するためのガス供
給バルブ３及び内部のガスを排気する排気バルブ４とを
備えたプラズマ処理チャンバー１２を有する。このチャ
ンバー１２の内部と連通し、差動排気機構５，６を有す
る質量分析器２０がチャンバー１２に接続されている。
比較処理回路７により、質量分析器２０で分析された数
値を時間的な比較によって演算して、チャンバー内のプ
ラズマ処理パラメータであるガス流量，チャンバー内の
圧力等を制御する。
て、その処理をリアルタイムに監視し、常に最適なプラ
ズマ処理条件が得られるプラズマ処理装置の提供を目的
とする。 【構成】 内部にプラズマ発生装置１１を有するととも
に、プラズマ化するガスを内部に供給するためのガス供
給バルブ３及び内部のガスを排気する排気バルブ４とを
備えたプラズマ処理チャンバー１２を有する。このチャ
ンバー１２の内部と連通し、差動排気機構５，６を有す
る質量分析器２０がチャンバー１２に接続されている。
比較処理回路７により、質量分析器２０で分析された数
値を時間的な比較によって演算して、チャンバー内のプ
ラズマ処理パラメータであるガス流量，チャンバー内の
圧力等を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】ウエハー上などに残っているフォ
トレジストのアッシング（灰化）処理や、真空成膜のた
めの基板の前処理あるいは表面改質などを行うためのプ
ラズマ処理装置に関する。
トレジストのアッシング（灰化）処理や、真空成膜のた
めの基板の前処理あるいは表面改質などを行うためのプ
ラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばウエハー等の基板上に残っ
ているフォトレジストの除去処理をおこなうには、酸，
アルカリ等の溶剤で溶かすウエット処理や酸素プラズマ
等でアッシング（灰化）するドライ処理等が用いられて
いるが、近年は環境問題等を考慮してドライ処理が主流
になってきている。
ているフォトレジストの除去処理をおこなうには、酸，
アルカリ等の溶剤で溶かすウエット処理や酸素プラズマ
等でアッシング（灰化）するドライ処理等が用いられて
いるが、近年は環境問題等を考慮してドライ処理が主流
になってきている。
【０００３】ところで、上記フォトレジストをアッシン
グする処理は、一般に図４に示すようなプラズマ処理装
置が用いられている。この装置は、図に示すように、内
部にプラズマ発生装置１１を有するプロセスチャンバー
１２が主たる構成となっており、該チャンバー１２には
内部に酸素等のガスを導入するためのガス供給バルブ１
３及び内部のガスを排気する排気バルブ１４とが備えら
れている。これらバルブ１３，１４には、それぞれガス
ボンベと真空ポンプ１５とが取付けられるようになって
おり、バルブ１３，１４を手動調節することで、チャン
バー１２内への導入ガスの量を定めるとともに、真空ポ
ンプ１５の吸引による排気量をコントロールしてチャン
バー１２内のガス圧力を調整している。
グする処理は、一般に図４に示すようなプラズマ処理装
置が用いられている。この装置は、図に示すように、内
部にプラズマ発生装置１１を有するプロセスチャンバー
１２が主たる構成となっており、該チャンバー１２には
内部に酸素等のガスを導入するためのガス供給バルブ１
３及び内部のガスを排気する排気バルブ１４とが備えら
れている。これらバルブ１３，１４には、それぞれガス
ボンベと真空ポンプ１５とが取付けられるようになって
おり、バルブ１３，１４を手動調節することで、チャン
バー１２内への導入ガスの量を定めるとともに、真空ポ
ンプ１５の吸引による排気量をコントロールしてチャン
バー１２内のガス圧力を調整している。
【０００４】このチャンバー１２に電源１６を接続し
て、内部にアッシング処理をする基板１を配置し、真空
ポンプ１５でチャンバー１２内の空気を抜くとともにＯ
2 ガスを供給して、所定時間電源をオンすると、チャン
バー１２内部にＯ2 プラズマが発生する。基板１面に形
成されている有機物からなるレジストは、Ｏ2 プラズマ
によってＣＯ2 やＨ2 Ｏに灰化させることができ、これ
らのガスを排気口１４から排気するようにしている。ま
た、アッシング処理時間は、通常、フォトレジストの厚
さや供給ガスの濃度等から経験的にタイマー設定してい
るが、フォトレジストがまだ基板に残存しているかどう
かについて知る方法は、ガスモノクロ・メータを排気口
に設置して、レジストが存在することでプラズマ中で生
成するＣＯ2 ガスの特定波長の吸収量を測定して、アッ
シングのエンド・ポイント（終了点）を見い出すように
している。
て、内部にアッシング処理をする基板１を配置し、真空
ポンプ１５でチャンバー１２内の空気を抜くとともにＯ
2 ガスを供給して、所定時間電源をオンすると、チャン
バー１２内部にＯ2 プラズマが発生する。基板１面に形
成されている有機物からなるレジストは、Ｏ2 プラズマ
によってＣＯ2 やＨ2 Ｏに灰化させることができ、これ
らのガスを排気口１４から排気するようにしている。ま
た、アッシング処理時間は、通常、フォトレジストの厚
さや供給ガスの濃度等から経験的にタイマー設定してい
るが、フォトレジストがまだ基板に残存しているかどう
かについて知る方法は、ガスモノクロ・メータを排気口
に設置して、レジストが存在することでプラズマ中で生
成するＣＯ2 ガスの特定波長の吸収量を測定して、アッ
シングのエンド・ポイント（終了点）を見い出すように
している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法ではウエハー等の基板に対する前処理やアッシングが
常に最適条件であるか否かを把握することが出来ず、場
合によっては、プラズマの作用により基板に対して微細
な凹凸の形成や酸化等の物理・化学的なダメージを与え
る結果となる場合があった。
法ではウエハー等の基板に対する前処理やアッシングが
常に最適条件であるか否かを把握することが出来ず、場
合によっては、プラズマの作用により基板に対して微細
な凹凸の形成や酸化等の物理・化学的なダメージを与え
る結果となる場合があった。
【０００６】本発明は、アッシングやその他のプラズマ
処理において、その処理をリアルタイムに監視し、常に
最適なプラズマ処理条件が得られるプラズマ処理装置の
提供を目的としている。
処理において、その処理をリアルタイムに監視し、常に
最適なプラズマ処理条件が得られるプラズマ処理装置の
提供を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るプラズマ処
理装置は、内部にプラズマ発生装置を有するとともに、
プラズマ化するガスを内部に供給するためのガス供給バ
ルブ及び内部のガスを排気する排気バルブとを備えたプ
ラズマ処理チャンバーと、差動排気機構を有し前記プラ
ズマ処理チャンバーの内部と連通した質量分析器と、該
質量分析器で分析された数値を時間的な比較によって演
算して、チャンバー内のプラズマ処理パラメータである
ガス流量，チャンバー内の圧力等を制御するため、前記
ガス供給バルブ，排気バルブ及び電源を制御する比較処
理回路とを備えたことを特徴としている。
理装置は、内部にプラズマ発生装置を有するとともに、
プラズマ化するガスを内部に供給するためのガス供給バ
ルブ及び内部のガスを排気する排気バルブとを備えたプ
ラズマ処理チャンバーと、差動排気機構を有し前記プラ
ズマ処理チャンバーの内部と連通した質量分析器と、該
質量分析器で分析された数値を時間的な比較によって演
算して、チャンバー内のプラズマ処理パラメータである
ガス流量，チャンバー内の圧力等を制御するため、前記
ガス供給バルブ，排気バルブ及び電源を制御する比較処
理回路とを備えたことを特徴としている。
【０００８】
【作用】上述のように構成されているので、処理チャン
バーよりも低い圧力に排気した、所謂、差動排気を有し
た質量分析器（Ｑマス）によって処理チャンバー内で生
成している物質を、その基板やレジスト等の材料に応じ
て選択し、リアルタイムな監視をおこない、その変動を
時間的な比較によって演算処理し、プラズマ処理のパラ
メータであるガスの流量、処理チャンバーの圧力、印加
する電力、及び時間を制御して安定したプラズマ処理を
再現良く提供する。
バーよりも低い圧力に排気した、所謂、差動排気を有し
た質量分析器（Ｑマス）によって処理チャンバー内で生
成している物質を、その基板やレジスト等の材料に応じ
て選択し、リアルタイムな監視をおこない、その変動を
時間的な比較によって演算処理し、プラズマ処理のパラ
メータであるガスの流量、処理チャンバーの圧力、印加
する電力、及び時間を制御して安定したプラズマ処理を
再現良く提供する。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１には、本発明のプラズマ処理装置の一例がブロック図
で示されている。なお、従来の技術の項で説明したもの
と同一または相当する部分には同一符号を付す。図に示
すように、本実施例によるプラズマ処理装置が従来のも
のと異なる部分は、先ず第１に、プラズマ処理チャンバ
ー１２の室内と連通する構成でＱマス（質量分析器）２
０を設けた点にある。
１には、本発明のプラズマ処理装置の一例がブロック図
で示されている。なお、従来の技術の項で説明したもの
と同一または相当する部分には同一符号を付す。図に示
すように、本実施例によるプラズマ処理装置が従来のも
のと異なる部分は、先ず第１に、プラズマ処理チャンバ
ー１２の室内と連通する構成でＱマス（質量分析器）２
０を設けた点にある。
【００１０】Ｑマス２０は、図２に示すようなセンサ２
１を有しており、該センサ２１はイオンソース，四重極
フィルタ，イオンコレクタ等で構成されている。イオン
ソースは２本のフィラメント２２，電子リペラー２３，
イオン化室２４及びその他の電極２５からなり、フィラ
メント２２から放出された電子はフィラメント・イオン
化室間電圧で加速され、数回往復運動をくり返して、や
がてはイオン化室２４に入射しエミッション電流とな
る。電子が運動している間に、イオンソース内に導入さ
れたガス分子と衝突すると、その分子のイオンが生成さ
れ、このイオン分子は電極によりイオン化室２４から引
き出されて集束されて四重極フィルタに入射する。
１を有しており、該センサ２１はイオンソース，四重極
フィルタ，イオンコレクタ等で構成されている。イオン
ソースは２本のフィラメント２２，電子リペラー２３，
イオン化室２４及びその他の電極２５からなり、フィラ
メント２２から放出された電子はフィラメント・イオン
化室間電圧で加速され、数回往復運動をくり返して、や
がてはイオン化室２４に入射しエミッション電流とな
る。電子が運動している間に、イオンソース内に導入さ
れたガス分子と衝突すると、その分子のイオンが生成さ
れ、このイオン分子は電極によりイオン化室２４から引
き出されて集束されて四重極フィルタに入射する。
【００１１】四重極フィルタは、平行に組み立てられた
４本のロッド２６で構成されており、これら４本のロッ
ド２６の相対する２本の電極は結線されていて、一方の
組には正のＤＣ電圧とそれに重畳するＲＦ電圧を、他の
組には丁度反対の負のＤＣ電圧と先程のＲＦ電圧と位相
が１８０°ずれたＲＦ電圧が印加される。このＲＦとＤ
Ｃ電圧の比を調整することで、四重極フィルタを通過す
ることのできるイオンの質量数を決めることができ、ま
た通過する質量数は電圧に比例するので、電圧を直線的
に掃引すれば、質量数が等間隔に並ぶマススペクトルが
得られることになる。
４本のロッド２６で構成されており、これら４本のロッ
ド２６の相対する２本の電極は結線されていて、一方の
組には正のＤＣ電圧とそれに重畳するＲＦ電圧を、他の
組には丁度反対の負のＤＣ電圧と先程のＲＦ電圧と位相
が１８０°ずれたＲＦ電圧が印加される。このＲＦとＤ
Ｃ電圧の比を調整することで、四重極フィルタを通過す
ることのできるイオンの質量数を決めることができ、ま
た通過する質量数は電圧に比例するので、電圧を直線的
に掃引すれば、質量数が等間隔に並ぶマススペクトルが
得られることになる。
【００１２】イオンコレクタにはファラディカップ２７
が用いられており、四重極フィルタを通過したイオンは
ファラディカップ２７に入射し、これによるイオン電流
は増幅されて質量スペクトルの形で出てくる。
が用いられており、四重極フィルタを通過したイオンは
ファラディカップ２７に入射し、これによるイオン電流
は増幅されて質量スペクトルの形で出てくる。
【００１３】なお、Ｑマス２０には、センサ２１の他に
ヘッドユニットやコントロールユニットが備えられてい
て、イオンソースへの電圧供給や四重極フィルタへの印
加電圧の直線的な掃引、およびイオンコレクタで検出し
たイオンの量等を記録表示することができる。
ヘッドユニットやコントロールユニットが備えられてい
て、イオンソースへの電圧供給や四重極フィルタへの印
加電圧の直線的な掃引、およびイオンコレクタで検出し
たイオンの量等を記録表示することができる。
【００１４】また、本装置のＱマス２０には、図１に示
すように、真空ポンプ５が取付けられているとともに、
Ｑマス２０とプラズマ処理チャンバー１２の室内と連通
路にはバルブ６が配置されていて、このバルブ６と真空
ポンプ５の操作により、Ｑマス２０内をプラズマ処理チ
ャンバー１２内より減圧して、チャンバー１２内のガス
をＱマス２０内の導き入れるように差動排気機構となっ
ている。
すように、真空ポンプ５が取付けられているとともに、
Ｑマス２０とプラズマ処理チャンバー１２の室内と連通
路にはバルブ６が配置されていて、このバルブ６と真空
ポンプ５の操作により、Ｑマス２０内をプラズマ処理チ
ャンバー１２内より減圧して、チャンバー１２内のガス
をＱマス２０内の導き入れるように差動排気機構となっ
ている。
【００１５】また、Ｑマス２０には比較処理回路７が電
気的に接続されており、該比較処理回路７はＣＰＵを有
していて、Ｑマス２０により分析されたイオンの状態を
リアルタイムな監視をおこない、その変動を時間的な比
較によって演算処理する。
気的に接続されており、該比較処理回路７はＣＰＵを有
していて、Ｑマス２０により分析されたイオンの状態を
リアルタイムな監視をおこない、その変動を時間的な比
較によって演算処理する。
【００１６】また、本実施例では従来例で説明したガス
供給バルブや排気バルブの代わりに電磁弁を備えたガス
供給バルブ３と排気バルブ４とを用いており、前記比較
処理回路７によって演算されたデータによって、これら
バルブ３，４を制御してプラズマ処理のパラメータであ
るガスの流量、処理チャンバーの圧力をコントロールす
るとともに、印加する電力、及び時間を制御して安定し
たプラズマ処理をおこなう。
供給バルブや排気バルブの代わりに電磁弁を備えたガス
供給バルブ３と排気バルブ４とを用いており、前記比較
処理回路７によって演算されたデータによって、これら
バルブ３，４を制御してプラズマ処理のパラメータであ
るガスの流量、処理チャンバーの圧力をコントロールす
るとともに、印加する電力、及び時間を制御して安定し
たプラズマ処理をおこなう。
【００１７】次に、実際のプラズマ処理を行う。ガラス
基板にフォトレジスト（シュプレー社製ＭＰ−１４００
Ｓ）を膜厚１４００Å塗布したもののアッシング処理
を、プラズマ処理チェンバー１２としてオーク製作所の
「ｄｉｓｋ ｌａｍｐ」（放電電極と電源）により処理
し、Ｑマスによって得たデータを以下の表１に示す。
（但し、Ｈｅ：１７０sccm、Ｏ2 ：６８０sccm、圧力４
０Ｐａ、１ｋＶ，１.3Ａで処理する。）
基板にフォトレジスト（シュプレー社製ＭＰ−１４００
Ｓ）を膜厚１４００Å塗布したもののアッシング処理
を、プラズマ処理チェンバー１２としてオーク製作所の
「ｄｉｓｋ ｌａｍｐ」（放電電極と電源）により処理
し、Ｑマスによって得たデータを以下の表１に示す。
（但し、Ｈｅ：１７０sccm、Ｏ2 ：６８０sccm、圧力４
０Ｐａ、１ｋＶ，１.3Ａで処理する。）
【００１８】
【表１】
【００１９】この例では、処理の前後でマスのピークの
変化の殆どないＭ／ｅ：３３や３４を基準として２８の
ピークを観察することでエンド・ポイントが察知できる
ことを示している。なお、Ｍ／ｅは質量Ｍと電荷ｅの比
である。Ｍ／ｅ：２８について、１sec 毎に前後の量を
相対的に比較してグラフに描くと、概ね図３に示すよう
なカーブとなる。このカーブの下降する位置における変
曲点は処理開始後９０sec 〜１２０sec に存在する。表
１からも明らかなように１２０sec 〜１５０sec では変
化がないので、処理開始後９０sec 〜１２０secがエン
ド・ポイントとなり、処理が終了したことになる。比較
処理回路７は、このグラフのカーブを観察して、Ａ領域
のようにレジストとＯ2 ガスとが活発に反応している時
には、ガスの供給バルブ３を制御してガス供給量を増や
し処理効果を高め、Ｍ／ｅの強度が小さくなってきた時
にはガス供給量を減少させてるとともに、電源１６を制
御してプラズマ発生装置１１に対する印加電力を下げ
て、過度の処理による基板のダメージがおこらないよう
にしている。
変化の殆どないＭ／ｅ：３３や３４を基準として２８の
ピークを観察することでエンド・ポイントが察知できる
ことを示している。なお、Ｍ／ｅは質量Ｍと電荷ｅの比
である。Ｍ／ｅ：２８について、１sec 毎に前後の量を
相対的に比較してグラフに描くと、概ね図３に示すよう
なカーブとなる。このカーブの下降する位置における変
曲点は処理開始後９０sec 〜１２０sec に存在する。表
１からも明らかなように１２０sec 〜１５０sec では変
化がないので、処理開始後９０sec 〜１２０secがエン
ド・ポイントとなり、処理が終了したことになる。比較
処理回路７は、このグラフのカーブを観察して、Ａ領域
のようにレジストとＯ2 ガスとが活発に反応している時
には、ガスの供給バルブ３を制御してガス供給量を増や
し処理効果を高め、Ｍ／ｅの強度が小さくなってきた時
にはガス供給量を減少させてるとともに、電源１６を制
御してプラズマ発生装置１１に対する印加電力を下げ
て、過度の処理による基板のダメージがおこらないよう
にしている。
【００２０】そして、上記エンド・ポイントになると、
電源１６をＯＦＦさせるとともに、ガス供給バルブ３を
閉止し、更に排気バルブ４を制御してチャンバー１２内
のガスを抜きとり、かつ内部を大気に戻す。なお、各処
理時間のうち、一部の該当する基板（ガラス）を取り出
し、水との接触角を測定すると、表１に示すようにな
る。９０sec 付近で一番接触角が小さくなって、ガラス
面の濡れが最も向上することが分かり、処理のエンド・
ポイントと一致することが分かる。
電源１６をＯＦＦさせるとともに、ガス供給バルブ３を
閉止し、更に排気バルブ４を制御してチャンバー１２内
のガスを抜きとり、かつ内部を大気に戻す。なお、各処
理時間のうち、一部の該当する基板（ガラス）を取り出
し、水との接触角を測定すると、表１に示すようにな
る。９０sec 付近で一番接触角が小さくなって、ガラス
面の濡れが最も向上することが分かり、処理のエンド・
ポイントと一致することが分かる。
【００２１】次に、ＰＭＭＡ基板（クラレ製Ｈ１０００
Ｂ）を同様の機器で処理した結果を以下の表２に示す。
なお、これはＰＭＭＡ基板にＡｌを密着よくスパッタす
るためのＡｒによる前処理である。（Ｈｅ：３０００sc
cm、圧力１００Ｐａ、１.6ｋＶ，250mＡで処理する。）
Ｂ）を同様の機器で処理した結果を以下の表２に示す。
なお、これはＰＭＭＡ基板にＡｌを密着よくスパッタす
るためのＡｒによる前処理である。（Ｈｅ：３０００sc
cm、圧力１００Ｐａ、１.6ｋＶ，250mＡで処理する。）
【００２２】
【表２】
【００２３】この例も、処理の前後でマスのピークの変
化の殆どないＭ／ｅ：２０や２６を基準にしてＭ／ｅ：
１４，１５，１６，２８を観察することで、エンド．ポ
イントが３０sec 〜６０sec にあることがわかり、ＰＭ
ＭＡ基板の超過処理を未然に防ぐことができる。この場
合にも、比較処理回路７により最適な処理がおこなわれ
るように制御されている。なお、表の各Ｍ／ｅの時間に
対する数値はマス（分析）チャートの相対的ピーク値を
示す。また、Ｍ／ｅのイオンは、 Ｍ／ｅ：１４・・・・ＣＨ2 、ＣＯ2+ Ｍ／ｅ：１５・・・・ＣＨ3 Ｍ／ｅ：１６・・・・ＣＨ4 、Ｏ+ Ｍ／ｅ：２０・・・・Ａｒ2+ Ｍ／ｅ：２８・・・・ＣＯ+ であり、Ｍ／ｅ：１４，１５，１６はＰＭＭＡの分解物
で、Ｍ／ｅ：２８はレジストの灰化物である。
化の殆どないＭ／ｅ：２０や２６を基準にしてＭ／ｅ：
１４，１５，１６，２８を観察することで、エンド．ポ
イントが３０sec 〜６０sec にあることがわかり、ＰＭ
ＭＡ基板の超過処理を未然に防ぐことができる。この場
合にも、比較処理回路７により最適な処理がおこなわれ
るように制御されている。なお、表の各Ｍ／ｅの時間に
対する数値はマス（分析）チャートの相対的ピーク値を
示す。また、Ｍ／ｅのイオンは、 Ｍ／ｅ：１４・・・・ＣＨ2 、ＣＯ2+ Ｍ／ｅ：１５・・・・ＣＨ3 Ｍ／ｅ：１６・・・・ＣＨ4 、Ｏ+ Ｍ／ｅ：２０・・・・Ａｒ2+ Ｍ／ｅ：２８・・・・ＣＯ+ であり、Ｍ／ｅ：１４，１５，１６はＰＭＭＡの分解物
で、Ｍ／ｅ：２８はレジストの灰化物である。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アッシングやその他のプラズマ処理において、その処理
をリアルタイムに監視し、常に最適なプラズマ処理条件
が得られるように制御しているので、接触角に示すよう
に最小値で処理を再現良く終了することができ、処理効
果を常に一定にすることができる。
アッシングやその他のプラズマ処理において、その処理
をリアルタイムに監視し、常に最適なプラズマ処理条件
が得られるように制御しているので、接触角に示すよう
に最小値で処理を再現良く終了することができ、処理効
果を常に一定にすることができる。
【図１】本発明の実施例のブロック図である。
【図２】Ｑマスのセンサ部分を説明する図である。
【図３】Ｍ／ｅ：２８について、１sec 毎に前後の量を
相対的に比較して描いたグラフである。
相対的に比較して描いたグラフである。
【図４】従来のプラズマ処理装置のブロック図である。
【符号の説明】 １ 基板 ３ ガス供給バルブ ４ 排気バルブ ５ 真空ポンプ ６ バルブ ７ 比較処理回路 １１ プラズマ発生装置 １２ プラズマ処理チャンバー １５ 真空ポンプ １６ 電源 ２０ Ｑマス
Claims (1)
- 【請求項１】 内部にプラズマ発生装置を有するととも
に、プラズマ化するガスを内部に供給するためのガス供
給バルブ及び内部のガスを排気する排気バルブとを備え
たプラズマ処理チャンバーと、 差動排気機構を有し前記プラズマ処理チャンバーの内部
と連通した質量分析器と、 該質量分析器で分析された数値を時間的な比較によって
演算して、チャンバー内のプラズマ処理パラメータであ
るガス流量，チャンバー内の圧力等を制御するため、前
記ガス供給バルブ，排気バルブ及び電源を制御する比較
処理回路とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6560993A JPH06275562A (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6560993A JPH06275562A (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275562A true JPH06275562A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13291931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6560993A Pending JPH06275562A (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06275562A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0955185A (ja) * | 1995-08-11 | 1997-02-25 | Furontetsuku:Kk | 校正ガス系統を備えたマスフィルター型ガス分析計及びその操作方法 |
| GB2406706A (en) * | 2003-09-30 | 2005-04-06 | Agere Systems Inc | Real-time gate etch critical dimension control by oxygen monitoring |
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