JPH06275495A - 位置合わせ方法 - Google Patents

位置合わせ方法

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JPH06275495A
JPH06275495A JP5059763A JP5976393A JPH06275495A JP H06275495 A JPH06275495 A JP H06275495A JP 5059763 A JP5059763 A JP 5059763A JP 5976393 A JP5976393 A JP 5976393A JP H06275495 A JPH06275495 A JP H06275495A
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shot
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亮一 金子
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 複数のショット領域が配列されたウエハの全
面でアライメント精度を向上させる。 【構成】 ウエハW上の全てのショット領域の各々の直
交座標系XY上での座標位置を計測して複数のショット
領域の配列誤差の特徴を算出するとともに、この算出し
た配列誤差の特徴に基づいてウエハWを複数の部分領域
に分割する。次に、複数の部分領域の各々においてその
配列誤差の特徴に応じたアライメントモードを選択す
る。さらに、複数の部分領域の各々において、先に選択
されたアライメントモードに従ってブロック内の全ての
ショット領域の座標位置を決定し、この決定された座標
位置に応じてウエハW上の全てのショット領域を基準位
置に位置合わせする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に配列された複
数の処理領域(ショット領域、チップパターン)の各々
を所定の基準位置に対して位置合わせする方法に関し、
特に半導体素子や液晶表示素子製造のリソグラフィ工程
で使用される露光装置に好適な位置合わせ方法に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】近年、ステップアンドリピート方式、ス
テップアンドスキャン方式等の露光装置、ウエハプロー
バ、あるいはレーザリペア装置等においては、基板上に
マトリックス状に配列された複数のチップパターン領域
(ショット領域)の各々を、基板の移動位置を規定する
静止座標系(すなわち2組のレーザ干渉計によって規定
される直交座標系)内の所定の基準点(例えば各種装置
の加工処理点)に対して極めて精密に位置合わせ(アラ
イメント)する必要がある。特に露光装置では、マスク
またはレチクル(以下、レチクルと称す)に形成された
パターンの露光位置に対して基板をアライメントするに
際して、製造段階のチップでの不良品の発生による歩留
りの低下を防止するように、その位置合わせ(アライメ
ント)精度を常に高精度かつ安定に維持しておくことが
望まれている。
【0003】通常、リソグラフィ工程ではウエハ上に1
0層以上の回路パターン(レチクルパターン)を重ね合
わせ露光するが、各層間でのアライメント(重ね合わ
せ)精度が悪いと、回路上の特性に不都合が生じ得る。
すなわちチップが所期の特性を満足せず、最悪の場合に
はそのチップが不良品となり、歩留りを低下させ得る。
そこで露光工程では、ウエハ上の複数のショット領域の
各々に予めアライメント用マークを付設しておき、重ね
合わせ露光すべきレチクルパターンを基準としてそのマ
ーク位置(座標値)を検出する。しかる後、このマーク
位置情報に基づいてウエハ上の1つのショット領域をレ
チクルパターンに対して位置合わせ(位置決め)するウ
エハアライメントが行われる。
【0004】ウエハアライメントには大別して2つの方
式があり、1つはウエハ上のショット領域毎にそのアラ
イメントマークを検出して位置合わせを行うダイ・バイ
・ダイ(D/D)アライメント方式である。もう1つ
は、ウエハ上のいくつかのショット領域のみのアライメ
ントマークを検出してショット配列の規則性を求めるこ
とで、各ショット領域を位置合わせするグローバル・ア
ライメント方式である。現在のところ、デバイス製造ラ
インではスループットとの兼ね合いから、主にグローバ
ル・アライメント方式が使用されている。特に現在で
は、例えば特開昭61─44429号公報、特開昭62
─84516号公報、特開昭62─291133号公報
等に開示されているように、ウエハ上のショット配列の
規則性を統計的手法によって精密に特定するエンハンス
ド・グローバル・アライメント(EGA)方式が主流と
なっている。
【0005】EGA方式とは、1枚のウエハにおいて予
め特定ショット領域として選択された複数個(3個以上
必要であり、通常10〜15個程度)のショット領域の
みの座標位置を計測し、これらの計測値から統計演算処
理(最小二乗法等)を用いてウエハ上の全てのショット
領域の座標位置(ショット配列)を算出した後、この算
出したショット配列に従って一義的にウエハステージを
ステッピングさせていくものである。このEGA方式は
計測時間が短くて済み、ランダムな計測誤差に対して平
均化効果が期待できるという長所がある。
【0006】ここで、EGA方式で行われている統計処
理方法について簡単に述べる。さて、ウエハ上のm(m
≧3なる整数)個の特定ショット領域(サンプルショッ
ト)の設計上の配列座標を(Xn、Yn)(n=1、
2、・・・・、m)とし、線形誤差量を考慮した位置決めす
べき配列座標(Xn’、Yn’)を以下のように仮定す
る。
【0007】
【数1】
【0008】さらに、m個のサンプルショットの各々の
実際の配列座標(計測値)を(xn、yn )としたと
き、このモデルを当てはめたときの残差の二乗和Eは次
式で表される。
【0009】
【数2】
【0010】そこで、この式を最小にするような演算パ
ラメータa、b、c、d、e、fを求めれば良い。EG
A方式では、上記の如く算出されたパラメータa〜fと
設計上の配列座標とに基づいて、ウエハ上の全てのショ
ット領域の配列座標が算出されることになる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、EGA
方式ではウエハ上のショット配列誤差が線形であるもの
として扱っている、換言すればEGA演算は線形近似
(1次近似)であるため、EGA方式ではウエハ上の局
所的な配列誤差変動、すなわち非線形な要因には対応し
きれない。このため、全面、もしくは部分的に非線形な
歪みを持つウエハでは、全てのショット領域を露光位置
に精度良くアライメントすることができないという問題
があった。
【0012】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
であり、非線形な歪みを持つ基板であっても、基板上の
全ての処理領域を基準位置に対して高精度、高速にアラ
イメント可能な位置合わせ方法を提供することを目的と
している。
【0013】
【課題を解決するための手段】かかる問題点を解決する
ため本発明においては、基板(W)上のほぼ全ての処理
領域の各々の静止座標系(直交座標系XY)上での座標
位置を計測して、基板上の複数の処理領域の配列誤差の
特徴(例えば非線形歪みの有無や程度等)を算出すると
ともに、この算出した配列誤差の特徴に基づいて複数の
処理領域を複数のブロックに分割する。さらに、この分
割された1つのブロックに着目したとき、基板上の複数
の処理領域の配列誤差に対処するための複数の位置合わ
せモードの中から、着目したブロック内での配列誤差の
特徴に応じた位置合わせモードを選択するようにし、複
数のブロックの各々で選択した位置合わせモードを用い
て基板上の全ての処理領域の各々を基準位置に位置合わ
せすることとした。
【0014】
【作用】本発明では、基板上に配列された複数の処理領
域を、その配列誤差の特徴に応じてグルーピングする、
すなわち複数のブロックに分割するとともに、複数の位
置合わせモードの中から、ブロック毎にその配列誤差の
特徴に応じた位置合わせモードを選択することとした。
従って、基板上のブロック毎にその配列誤差(局所的な
基板の歪み)に最適な位置合わせモードを選択して使用
できるので、部分的に非線形な歪みを持つ基板であって
も、スループットの低下を最小限に抑えつつ、基板上の
全ての処理領域を精度良く基準位置に位置合わせするこ
とが可能となる。
【0015】
【実施例】図4、図5を参照して本発明の実施例で使用
するアライメント方式について説明するが、本方式は規
則的な非線形歪みを持つウエハに対して有効なものであ
る。さて、第1の方式(W1-EGA方式)は前述のEG
A方式を基本とし、図4に示すようにウエハW上のi番
目のショット領域ESiの座標位置を決定する際、当該
領域ESiとm個(図4ではm=9)のサンプルショッ
トSA1 〜SA9 の各々との間の距離LK1〜LK9に応じ
て、9個のサンプルショットのアライメントデータ(座
標位置)の各々に重み付けWinを与えることを特徴とし
ている。そこで、W1-EGA方式ではサンプルショット
毎にその2組のアライメントマーク(Mx1、My1)を検
出した後、上記数式2と同様に、残差の二乗和Eiを次
式(数式3)で評価し、次式が最小となるように演算パ
ラメータa〜fを決定することになる。尚、W1-EGA
方式ではショット領域毎に使用するサンプルショット
(アライメントデータ)は同一であるが、当然ながらシ
ョット領域毎に各サンプルショットまでの距離は異なる
ので、そのアライメントデータ(サンプルショットの座
標位置)に与える重み付けWinはショット領域毎に変化
する。従って、W1-EGA方式ではショット領域毎にパ
ラメータa〜fを決定してその座標位置を算出すること
になる。
【0016】
【数3】
【0017】ここで、W1-EGA方式ではウエハ上のシ
ョット領域毎に、各サンプルショットのアライメントデ
ータに対する重み付けWinを変化させる。このため、次
式のように重み付けWinを、i番目のショット領域ES
iとn番目のサンプルショットSAn との距離Lknの関
数として表す。但し、Sは重み付けの度合いを変更する
ためのパラメータである。
【0018】
【数4】
【0019】尚、数式4から明らかなように、i番目の
ショット領域ESiまでの距離Lknが短いサンプルショ
ットほど、そのアライメントデータ(座標位置)に与え
る重み付けWinが大きくなるようになっている。ここ
で、数式4においてパラメータSの値が十分大きい場
合、統計演算処理の結果はEGA方式で得られる結果と
ほぼ等しくなる。一方、ウエハ上の露光すべきショット
領域を全てサンプルショットとし、パラメータSの値を
十分に零に近づけると、D/D方式で得られる結果とほ
ぼ等しくなる。すなわち、W1-EGA方式ではパラメー
タSを適当な値に設定することにより、EGA方式とD
/D方式の中間の効果を得ることができる。
【0020】例えば、非線形成分が大きなウエハに対し
ては、パラメータSの値を小さく設定することで、D/
D方式とほぼ同等の効果(アライメント精度)を得るこ
とができる。すなわち、非線形成分によるアライメント
誤差を良好に除去することが可能となる。また、アライ
メントセンサーの計測再現性が悪い場合には、パラメー
タSの値を大きく設定することで、EGA方式とほぼ同
等の効果を得ることができ、平均化効果によりアライメ
ント誤差を低減することが可能となる。
【0021】また、重み付け関数(数式4)はX方向用
アライメントマーク(Mx1)とY方向用アライメントマ
ーク(My1)との各々に用意されており、X方向とY方
向とで重み付けWinを独立に設定することが可能となっ
ている。このため、ウエハの非線形歪みの程度(大小)
や規則性、あるいはステップピッチ、すなわち隣接した
2つのショット領域の中心間距離(ウエハ上でのストリ
ートラインの幅にも依るが、ほぼショットサイズに対応
した値)がX方向とY方向とで異なっていても、パラメ
ータSの値を独立に設定することで、ウエハ上のショッ
ト配列誤差を精度良く補正することが可能となってい
る。ここで、パラメータSの値は上記の如くX方向とY
方向とで異ならせるようにしても良く、さらにX、Y方
向のパラメータSの値が同一、又は異なる場合のいずれ
であっても、パラメータSの値は非線形歪みの大小や規
則性、ステップピッチ、あるいはアライメントセンサー
の計測再現性等に応じて適宜変更すれば良い。
【0022】以上のことから、W1-EGA方式ではパラ
メータSの値を適宜変更することで、EGA方式からD
/D方式までその効果を変えることができる。従って、
各種レイア、さらには各成分(X方向とY方向)に対
し、例えば非線形成分の特徴(例えば大小、規則性
等)、ステップピッチ、アライメントセンサーの計測再
現性の良否等に応じてアライメントを柔軟に変更させ、
各レイア、各成分に対して最適な条件でアライメントを
行うことが可能となる。尚、W1-EGA方式ではウエハ
全面にまんべんなくサンプルショットを配置しておくと
良い。また、ウエハ上で位置ずれ量(非線形歪みの量)
の変化が大きな部分領域内のショット領域をサンプルシ
ョットとして選択すると良く、さらに当該部分領域内に
設定するサンプルショットの数を他の領域に比べて多く
設定しておくと良い。
【0023】次に、図5を参照して第2の方式(W2-E
GA方式)を説明するが、W2-EGA方式は規則的、特
に点対称な非線形歪みを持つウエハに対して有効なもの
である。さて、W2-EGA方式も前述のEGA方式を基
本とし、図5に示すようにウエハW上のi番目のショッ
ト領域ESiの座標位置を決定する際、ウエハ上の変形
中心点(非線形歪みの点対称中心)、例えばウエハセン
タWcとショット領域ESiとの距離(半径)LEi、及
びウエハセンタWcとm個(図5ではm=9)のサンプ
ルショットSA1 〜SA9 の各々との距離(半径)LW1
〜LW9に応じて、9個のサンプルショットのアライメン
トデータの各々に重み付けWin’を与えることを特徴と
している。そこで、W2-EGA方式ではサンプルショッ
ト毎にその2組のアライメントマーク(Mx1、My1)を
検出した後、上記数式3と同様に、残差の二乗和Ei’
を次式(数式5)で評価し、次式が最小となるように演
算パラメータa〜fを決定する。尚、W2-EGA方式で
もアライメントデータに与える重み付けWin’はショッ
ト領域毎に変化するため、ショット領域毎にパラメータ
a〜fを決定してその座標位置を決定することになる。
【0024】
【数5】
【0025】ここで、W2-EGA方式ではウエハ上のシ
ョット領域毎に、各サンプルショットに対する重み付け
in’を変化させるため、次式のように重み付けWin
を、ウエハW上のi番目のショット領域ESiとウエハ
センタWcとの距離(半径)LEiの関数として表す。但
し、Sは重み付けの度合いを変更するためのパラメータ
である。
【0026】
【数6】
【0027】尚、数式6から明らかなように、ウエハセ
ンタWcに対する距離(半径)LWnが、ウエハセンタW
cとウエハW上のi番目のショット領域ESiとの間の
距離(半径)LEiに近いサンプルショットほど、そのア
ライメントデータに与える重み付けWin’が大きくなる
ようになっている。換言すれば、ウエハセンタWcを中
心とした半径LEiの円上に位置するサンプルショットの
アライメントデータに対して最も大きな重み付けWin
を与えることとし、当該円から半径方向に離れるに従っ
てアライメントデータに対する重み付けWin’を小さく
するようになっている。
【0028】また、数式6におけるパラメータSの値
は、W1-EGA方式と同様にアライメント精度、非線形
歪みの特徴(例えば大小、規則性等)、ステップピッ
チ、アライメントセンサーの計測再現性の良否等に応じ
て適宜定めれば良い。すなわち非線形成分が比較的大き
いときには、パラメータSの値をより小さく設定するこ
とで、ウエハセンタWcからの距離LWnが大きく異なる
サンプルショットの影響を小さくすることができる。一
方、非線形成分が比較的小さいときには、パラメータS
の値をより大きく設定することで、計測再現性が悪いア
ライメントセンサー(又はレイア)におけるアライメン
ト精度の低下を防止することができる。尚、W2-EGA
方式では非線形歪みの点対称中心に関して対称的にサン
プルショットを配置することが望ましい。例えば点対称
中心を基準としたX字型、又は十字型にサンプルショッ
トを配置すると良い。また、ウエハ全面にまんべんなく
サンプルショットを配置しても良い。
【0029】ここで、W2-EGA方式でもショット領域
毎にサンプルショットのアライメントデータに対する重
み付け、及び統計演算(すなわちパラメータa〜fの算
出)を行うものとした。しかしながら、ウエハ上の着目
点(点対称中心)からほぼ等距離にある複数のショット
領域、すなわち上記着目点を中心とした同一の円上に位
置する複数のショット領域の各々では、当然ながらサン
プルショットのアライメントデータに与える重み付けW
in’が同一となる。このため、上記着目点を中心とした
同一の円上に複数のショット領域が位置している場合、
いずれか1つのショット領域のみにおいて上記の如き重
み付け、及び統計演算を行ってパラメータa〜fを算出
すれば、残りのショット領域においては先に算出したパ
ラメータa〜fをそのまま用いてその座標位置を決定す
ることができる。従って、同一円上に複数のショット領
域が存在している場合には、同一のパラメータa〜fを
用いて同一円上の全てのショット領域の座標位置を決定
するようにしても良い。この場合、座標位置決定のため
の計算量が減るといった利点が得られる。
【0030】さて、W1-EGA方式、及びW2-EGA方
式(以下、特に区別する必要がないときはW−EGA方
式と呼ぶ)では、サンプルショットの配置に応じて重み
付けWin、Win’(数式4、6)を決定するが、サンプ
ルショット毎のアライメントデータに対する重み付けの
度合いはパラメータSにより変更可能となっている。以
下、パラメータSの決定方法について簡単に述べる。
尚、投影露光装置には次式(数式7)が格納されてお
り、例えばオペレータが重みパラメータDを所定値に設
定すると、自動的にパラメータS、すなわち重み付けW
in、Win’が決定されることになる。
【0031】
【数7】
【0032】ここで、重みパラメータDの物理的意味
は、ウエハ上の各ショット領域の座標位置を計算するの
に有効なサンプルショットの範囲(以下、単にゾーンと
呼ぶ)である。従って、ゾーンが大きい場合は有効なサ
ンプルショットの数が多くなるので、従来のEGA方式
で得られる結果に近くなる。逆にゾーンが小さい場合
は、有効なサンプルショットの数が少なくなるので、D
/D方式で得られる結果に近くなる。但し、ここで言う
範囲(ゾーン)はあくまでも重み付けする上での目安の
値であり、仮に全てのサンプルショットがゾーン外に存
在することになっても、上記実施例と全く同様に、座標
位置を決定すべきショット領域に最も近いサンプルショ
ットのアライメントデータに対する重みを最大にして統
計演算を行うことになる。
【0033】図6は、重みパラメータDが30、60、
90、120[mm]のときのゾーンの大きさを視覚的に示
したものである。但し、重みパラメータ、すなわちゾー
ンの直径Dは、図7に示すように「ウエハ上の座標位置
を決定すべき1つのショット領域の重みを1としたとき
に、重みの値が0.1となる領域(サンプリングゾー
ン)の直径(単位はmm)のこと」と定義する。尚、最適
な直径Dの値は、一般的に30〜150[mm]の間に存在
することが確認されている。
【0034】従って、W−EGA方式ではオペレータの
経験に基づき、もしくは実験、又はシミュレーションに
より決定した最適なゾーンの直径Dを、オペレータが入
力装置(キーボード等)を介して露光装置本体に入力す
るだけで、数式7からアライメントデータに対する重み
付けの度合い、すなわち数式4、6の重み付けWin、W
in’が決定されることになる。このため、各種レイアに
対し、例えば非線形成分の大小、アライメントセンサー
の計測再現性の良否等に応じてアライメントを柔軟に変
更でき、各レイアに対して最適な条件でアライメントを
行うことが可能となる。
【0035】さて、以上の説明ではオペレータが最適な
ゾーンの直径Dの値を露光装置本体に入力することとし
たが、例えばウエハ、又は複数枚のウエハを収納するケ
ース(ウエハカセット)に、重みパラメータD、又は非
線形成分の有無や大きさに関する情報を識別コード(バ
ーコード等)の形で記しておき、当該コードを読み取り
装置(バーコードリーダ等)にて読み込むことで、露光
装置本体が数式7から自動的にパラメータS、すなわち
重み付けWin、Win’を決定するようにしても良い。ま
た、露光装置自身がアライメントセンサーを用いて非線
形成分の有無や大きさを求めることで重み付けWin、W
in’を決定するようにしても良い。さらに、露光装置と
専用の検査装置とをインライン化しておき、検査装置で
求めたウエハの非線形成分の有無や大きさに関する情報
を露光装置が入力することで重み付けWin、Win’を決
定しても構わない。
【0036】ところで、露光装置本体に格納するパラメ
ータSの決定式は数式7に限られるものではなく、以下
の数式8を用いるようにしても良い。但し、Aはウエハ
の面積(単位はmm2)、mはサンプルショットの数、Cは
補正係数(正の実数)である。
【0037】
【数8】
【0038】さて、数式8はウエハサイズ(面積)やサ
ンプルショット数の変化をパラメータSの決定に反映さ
せることで、当該決定に際して使用すべき補正係数Cの
最適値があまり変動しないようにしたものである。ここ
で、補正係数Cが小さい場合はパラメータSの値が大き
くなるので、数式7の場合と全く同様にEGA方式で得
られる結果に近くなる。逆に補正係数Cが大きい場合は
パラメータSの値が小さくなるので、数式7の場合と同
様にD/D方式で得られる結果に近くなる。従って、予
め実験、又はシミュレーション等によって決定した補正
係数Cを、オペレータ、又は識別コードの読み取り装置
を介して露光装置本体に入力するだけで、数式8からア
ライメントデータに対する重み付けの度合い、すなわち
数式4、6の重み付けWin、Win’が自動的に決定され
ることになる。このため、各種レイア、さらには各成分
(X方向とY方向)に対し、例えば非線形成分の特徴
(例えば大小、規則性等)、ステップピッチ、アライメ
ントセンサーの計測再現性の良否等に応じてアライメン
トを柔軟に変更させ、各レイア、各成分に対して最適な
条件でアライメントを行うことが可能となる。特に数式
8を用いる場合、ウエハサイズ、ステップピッチ(ショ
ットサイズ)、サンプルショット数等が変化しても、こ
の変化に依らずウエハ上の全てのショット領域の座標位
置を正確に決定でき、常に安定した精度で位置合わせを
行うことが可能となるといった利点もある。
【0039】次に、図2を参照して本発明の位置合わせ
方法を適用するのに好適な投影露光装置について説明す
る。図2において、露光用照明系(不図示)からの照明
光IL(i線、KrFエキシマレーザ等)は、コンデン
サーレンズCL、及びダイクロイックミラーDMを介し
てレチクルRのパターン領域PAをほぼ均一な照度で照
明する。パターン領域PAを通過した照明光ILは、両
側テレセントリックな投影光学系PLに入射し、投影光
学系PLはパターン領域PAに形成された回路パターン
の像を、表面にレジスト層が形成されたウエハW上に結
像投影する。ウエハWはウエハホルダ(不図示)を介し
てZステージLS上に載置されており、ZステージLS
はモータ13によって投影光学系PLの光軸AX方向
(Z方向)に微動するとともに、任意方向に傾斜可能に
構成されている。ZステージLSは、モータ12により
ステップアンドリピート方式でX、Y方向に2次元移動
可能なウエハステージWS上に載置されている。ウエハ
ステージWSのX、Y方向の位置はレーザ干渉計15に
よって、例えば0.01μm程度の分解能で常時検出さ
れる。ZステージLSの端部には干渉計15からのレー
ザビームを反射する移動鏡14が固定されている。
【0040】さて、図2には3種類のアライメントセン
サー、すなわちTTR(Through TheReticle)方式のL
IA(Laser Interferometric Alignment)系30A〜3
0D、TTL(Through The Lens)方式のLSA(Laser S
tep Alignment)系17、及びオフアクシス方式のFIA
(Field Image Alignment)系20が設けられている。4
組のLIA系30A〜30Dは、例えば特開平4−78
14号公報、特開平4−45512号公報に開示されて
いるように、レチクルR上のアライメントマークとウエ
ハW上のアライメントマークとを同時に検出してその相
対的な位置ずれ量を検出するもので、本実施例ではパタ
ーン領域PAの4辺の各々に対応して配置されている。
上記公報に開示されたLIA系はヘテロダイン方式を採
用し、レチクル上のアライメントマーク(1次元の回折
格子マーク)に対しては2本の平行ビームを分離して照
射するとともに、ここで発生した2本の1次回折光をウ
エハとほぼ共役な面内に配置されたモニター用回折格子
板に照射し、当該格子板からほぼ同一方向に発生する回
折光同士の干渉光を光電検出する。一方、ウエハ上のア
ライメントマーク(1次元の回折格子マーク)に対して
は、レチクル上のアライメントマークに隣接した透明
窓、及び投影光学系を通過した2本の平行ビームを所定
の交差角で照射して1次元の干渉縞を作り、当該マーク
からほぼ同一方向に発生する回折光同士の干渉光を光電
検出するものである。4組のLIA系30A〜30Dの
各々からの光電信号は信号処理回路16(図3のLIA
演算ユニット43)に入力され、ここでレチクルRとウ
エハW(ショット領域)との相対的な位置ずれ量が検出
される。
【0041】TTL方式のLSA系17は、X方向に延
びた細長い帯状スポット光を投影光学系PLを介してウ
エハ上に形成するとともに、スポット光と各ショット領
域に付設されたアライメントマーク(回折格子マーク)
とをY方向に相対走査したときに当該マークから発生す
る回折光(又は散乱光)を光電検出するものである。
尚、LSA系17の具体的な構成については、例えば特
開昭60−130742号公報に開示されているので、
ここでは説明を省略する。また、図2ではアライメント
マークのY方向の位置を検出するLSA系17(Y−L
SA系)のみを示したが、実際にはX方向の位置を検出
するもう1組のLSA系(X−LSA系)も配置されて
いる。2組のLSA系からの各光電信号は、干渉計15
からの位置信号とともに信号処理回路16(図3のLS
A演算ユニット41)に入力され、ここでアライメント
マークの位置が検出される。
【0042】さらにFIA系20は、例えば特開平2−
54103号公報に開示されているように、所定の波長
幅を有する照明光(例えば白色光)をウエハに照射し、
ウエハ上のアライメントマークの像と、対物レンズ等に
よってウエハと共役な面内に配置された指標板上の指標
マークの像とを、撮像素子(CCD等)の受光面上に結
像するものである。FIA系20からの画像信号も信号
処理回路16(図3のFIA演算ユニット42)に入力
し、ここでアライメントマークの位置が検出される。
【0043】また、図2中には斜入射光方式の表面位置
検出系18、19も示されている。表面位置検出系1
8、19は、ウエハ表面の高さ位置(Z方向の位置)や
その傾斜角を検出するものであって、その構成等につい
ては、例えば特開昭58−113706号公報に開示さ
れているので、ここでは説明を省略する。主制御系10
は、信号処理回路16からの位置情報に基づいて、ウエ
ハW上の全てのショット領域の座標位置やショット領域
の配列誤差の特徴等を算出する他、装置全体を統括制御
する。ステージコントローラ11は主制御系10からの
駆動指令に従い、干渉計15や表面位置検出系18、1
9等からの各種情報に基づき、モータ12、13を介し
てウエハステージWSやZステージLSを駆動制御す
る。
【0044】次に、図3を参照して上記構成の装置の制
御系の具体的な構成について説明する。図3は図2に示
した投影露光装置の制御系のブロック図であり、信号デ
ータ記憶部40から符号順にLIA演算ユニット43ま
でが図2中の信号処理回路16を構成し、アライメント
データ記憶部501から符号順にシーケンスコントロー
ラ508までが主制御系10を構成している。
【0045】図3において、LSA演算ユニット41は
LSA系17からの光電信号と干渉計15からの位置信
号とを入力し、ウエハステージWSの単位移動量毎に発
生するアップダウンパルスに同期して光電信号をサンプ
リングする。さらに、各サンプリング値をデジタル値に
変換してメモリに番地順に記憶させた後、所定の演算処
理によってウエハマークのY方向の位置を算出し、この
情報をアライメントデータ記憶部501に出力する。
【0046】また、FIA演算ユニット42はFIA系
20からの画像信号の波形に基づき、所定の演算処理に
より指標マークに対するウエハマークの像の位置ずれ量
を算出する。さらに干渉計15からの位置信号も入力し
て、ウエハマークの像が指標マークの中心に正確に位置
した(位置ずれ量が零となる)ときのウエハステージW
Sの座標位置を求め、この情報をアライメントデータ記
憶部501に出力する。尚、上記構成のFIA系は2組
の撮像素子を有しており、FIA演算ユニット42は各
撮像素子からの画像信号を入力してX及びY方向のマー
ク位置を同時に検出することが可能となっている。
【0047】さらにLIA演算ユニット43は、ウエハ
上のアライメントマークから発生する±1次回折光の干
渉光の光電信号と2本の送光ビームから別途作成された
参照用干渉光の光電信号との波形上の位相差、及びモニ
ター用回折格子板から発生する±1次回折光の干渉光の
光電信号と参照用干渉光の光電信号との波形上の位相差
からレチクルRとウエハWとの相対的な位置ずれ量を算
出する。また、干渉計15からの位置信号を用いて、上
記ずれ量が零となるときのウエハステージWSの座標位
置を求め、これらの情報をアライメントデータ記憶部5
01に出力する。ところで、信号データ記憶部40はL
SA系17からの光電信号、例えばLSA演算ユニット
41にてデジタル値に変換された波形データを記憶す
る。また、FIA系20からの画像信号、及び4組のL
IA系30A〜30Dの各々からの光電信号も記憶する
ことが可能となっている。
【0048】さて、アライメントデータ記憶部501は
3つの演算ユニット41〜43の各々からのマーク位置
情報を入力可能となっている。EGA演算ユニット50
2は、演算部505にて決定されるアライメントモード
に従い、3つの演算ユニット41〜43からの位置情報
を用いて統計演算(数式2、3、5)を行うものであ
り、その演算結果は演算部505、記憶部506、及び
シーケンスコントローラ508に送られる。例えばEG
Aモードが選択された場合には、記憶部501に記憶さ
れた複数個(3個以上で、通常10〜15個程度)のシ
ョット領域(サンプルショット)の各々のマーク位置情
報に基づいて、統計演算(数式2)によりウエハW上の
ショット領域の配列座標値を算出する。また、W−EG
Aモードが選択された場合には、複数個のサンプルショ
ットの各位置情報、及び重み発生部507で決定される
重み付けに基づき、統計演算(数式3、5)によりウエ
ハW上のショット領域の配列座標値を算出する。尚、E
GA演算ユニット502では上記の如き配列座標値の算
出に先立って演算パラメータa〜fが算出されるので、
この情報も記憶部506に格納しておく。
【0049】また、重み発生部507は重み付け関数
(数式4、6)、及びパラメータSの決定式(数式7、
又は8)を格納している。従って、重み発生部507は
演算部505で決定される重みパラメータD、又は補正
係数C、露光ショット位置データ部503に格納された
ショット領域の設計上の座標位置、及びサンプルショッ
ト指定部504に格納されたサンプルショットの配置に
基づいて、サンプルショットのアライメントデータに与
える重み付けを決定する。
【0050】ところで、演算部505は記憶部501に
記憶された位置情報に基づいて、ウエハ上でのショット
領域の配列誤差の特徴(非線形歪みの有無、大きさ、規
則性等)を算出するとともに、この算出した配列誤差の
特徴に応じて複数のアライメントモードの中からウエハ
に最適なモードを選択(決定)し、当該モードをEGA
演算ユニット502、及びシーケンスコントローラ50
8に設定する。また、ここで決定したモードがW1-EG
A、又はW2-EGAモードである場合には、重みパラメ
ータD、又は補正係数C、さらに必要ならば非線形歪み
の点対称中心点までも決定し、この情報を重み発生部5
07に出力する。
【0051】また、露光ショット位置データ部503は
ウエハ上の全てのショット領域の設計上の配列座標値
(配列モデル)を格納し、この座標値はEGA演算ユニ
ット502、重み発生部507、及びサンプルショット
指定部504に出力される。サンプルショット指定部5
04は、データ部503からのショット位置情報に基づ
いてEGA演算に使用するサンプルショットの配置(個
数、位置)を決定し、この情報はEGA演算ユニット5
02、重み発生部507、及びシーケンスコントローラ
508に送られる。また、シーケンスコントローラ50
8は上記各種データに基づいてアライメント時やステッ
プアンドリピート方式の露光時のウエハステージWSの
移動を制御するための一連の手順を決定するとともに、
装置全体を統括制御するものである。
【0052】さらに図3中には、複数枚(25枚程度)
のウエハを収納するカセット(ロット)、又はウエハに
付された識別コード(バーコード等)を読み取る装置6
0、オペレータが各種条件を主制御系10(演算部50
5)に入力するための入力装置(キーボード等)61、
及び演算部505での演算結果、例えばショット領域の
配列誤差の特徴や現在装置で使用しているアライメント
モード等をオペレータに知らせるための表示装置(ブラ
ウン管等)62が設けられている。主制御系10は、識
別コードに記された情報に基づいてウエハ上のアライメ
ントマークを検出するのに最適なアライメントセンサー
を選択し、この選択したアライメントセンサーを用いて
マーク検出を行う。識別コードには、ロット内に収納さ
れたウエハの形成条件、すなわち基板、下地、レジスト
の種類や膜厚、及びアライメントマークの形状、段差に
関する情報等を記入しておけば良い。尚、識別コードに
アライメントセンサー名を記入しておくだけでも構わな
い。また、識別コードを用いずとも、オペレータが入力
装置61を介して主制御系10にアライメントセンサー
を設定するようにしても良い。次に、図1を参照して本
発明の第1実施例による位置合わせ方法について説明す
る。図1は図2に示した投影露光装置における露光シー
ケンスの一例を示すフローチャート図である。ここで、
本実施例では同一ロット内に収納された複数枚、例えば
25枚のウエハを一括処理することを前提としている。
また、ロット内の全てのウエハは同一条件、工程で各種
処理が施されているものとする。
【0053】さて、図2に示した投影露光装置におい
て、シーケンスコントローラ508はロット内の先頭
(1枚目)のウエハWをウエハステージWS上にローデ
ィングする(ステップ100)。このとき、演算部50
5は読み取り装置60を介してロット、又はウエハの識
別コードに記された情報(例えばウエハ、下地、レジス
トの種類や膜厚、アライメントマークの形状、段差等)
を入力し、この情報に基づいてウエハW上のアライメン
トマークの検出に最適なアライメントセンサーを選択す
る。本実施例ではLSA系を選択するものとし、このL
SA系を用いてウエハWのプリアライメントを実行する
(ステップ101)。尚、複数のアライメントセンサー
の各々において、1枚目のウエハ上の任意の1つのアラ
イメントマークを複数回検出してその標準偏差(σ、又
は3σ)を求め、各アライメントセンサーの標準偏差、
すなわち計測再現性に基づいて最適なアライメントセン
サーを選択するようにしても良い。
【0054】ステップ101ではLSA系を用いて、例
えばウエハ中心に関してほぼ対称に周辺部に位置する少
なくとも2つのアライメントマークを検出する。しかる
後、2つのマークの座標位置からウエハWの残留回転誤
差を算出し、この回転誤差がほぼ零となるようにウエハ
ホルダ(不図示)を微小回転させる。これによりウエハ
Wのプリアライメントが終了し、次のステップ102に
進む。ステップ102では、ウエハステージWS上のウ
エハWがロット内の何枚目のウエハであるのかを求め
る、すなわち本実施例では1〜3枚目のウエハであれば
ステップ103に進み、4枚目以降のウエハであればス
テップ106に進むようにする。ここでは1枚目のウエ
ハであるので、直ちにステップ103に進む。
【0055】さて、ステップ103においてシーケンス
コントローラ508は、LSA系を用いてウエハW上の
全てのショット領域のアライメントマークを検出し、L
SA系は各マークで得られた光電信号をLSA演算ユニ
ット41に出力する。LSA演算ユニット41はLSA
系からの光電信号をデジタル値に変換するとともに、予
め演算部505、又はオペレータにより定められた信号
処理条件のもとで波形処理を行い、各マークの座標位置
を求める。ここで求めたマーク位置、すなわちショット
領域の座標位置はアライメントデータ記憶部501に記
憶される。
【0056】次に、演算部505はステップ103で記
憶部501に格納された座標位置を用いてウエハW上の
全てのショット領域の配列誤差の特徴を求める(ステッ
プ104)。そこで、演算部505は記憶部501から
読み出したショット領域の座標位置と設計上の座標位置
との差(ずれ量)を算出する。図8(A)は、ウエハ上
の5つのショット領域の配列誤差をベクトル表示したも
のである。しかる後、演算部505はウエハ全面で、隣
り合うショット領域の配列誤差の単位長さ当たりの変化
量を算出する。図8(B)は図8(A)の5つのショッ
ト領域における隣接ショット間の変化量をベクトル表示
したものである。さらに演算部505は、図8(B)の
隣り合う変化量の変化量(図8(C))を算出した後、ウ
エハ全面での当該変化量(図8(C))の標準偏差を求め
る。以上の演算処理により、演算部505はウエハW上
のショット領域の配列誤差の特徴を認識することにな
る。ここで求めた特徴(配列誤差)等は記憶部506に
格納される。
【0057】尚、上記の如き配列誤差を求めるにあたっ
ては、ステップ103で求めたショット領域の配列座標
系の原点と設計上のショット領域の配列座標系の原点と
を一致させておくと良い。また、図8(B)では紙面内
左右方向に配列されたショット領域の配列誤差の各変化
量を、隣接する2つのショット領域の間で常に左側のシ
ョット領域の配列誤差を基準として求めている。すなわ
ち、所定方向に配列されたショット領域の配列誤差の各
変化量を求める際には、隣接する2つのショット領域の
間で常に同じ側に位置するショット領域の配列誤差を基
準とする必要がある。
【0058】次に、ステップ105において演算部50
5は、ステップ104で求めたショット領域の配列誤差
の特徴からウエハW上のショット配列に最適なアライメ
ントモードを決定する。すなわち演算部505は、まず
図8(B)の如き配列誤差の変化量に着目し、ウエハ全
面での各変化量(図8(B)のベクトル)の向き、及び
大きさがほぼ等しいか否かを判断する。ここで各変化量
の向き、及び大きさがほぼ等しければ、ウエハWは線形
歪みを持つと考えられるため、演算部505は最適なア
ライメントモードとしてEGAモードを選択する。ま
た、ウエハ全面で変化量の向きと大きさとの少なくとも
一方がばらついている場合には標準偏差に着目し、この
標準偏差が所定値を越えているか否かを判断する。標準
偏差が所定値以下である場合、ウエハWは規則的な非線
形歪みを持つと考えられるため、演算部505は最適な
アライメントモードとしてW−EGAモードを選択す
る。一方、標準偏差が所定値を越えている場合には、ウ
エハWはランダムな誤差(不規則な非線形歪み)を持つ
と考えられるため、演算部505は最適なアライメント
モードとしてD/Dモードを選択する。
【0059】ところで、以上の説明ではウエハWがその
全面で同じ歪みを持つものとしたが、本実施例ではウエ
ハWに2種類以上の歪みが生じていたら、各歪みに最適
な複数のアライメントモードを選択する。例えば、ウエ
ハWがその全面で線形歪みを持たず、部分的に線形歪み
を持つ、すなわちウエハW上の所定の部分領域内でのみ
前述の変化量の向き、及び大きさがほぼ等しくなってい
れば、演算部505はその部分領域内に存在するショッ
ト領域に対してEGAモードを適用するものとして記憶
部506に記憶する。また、ウエハW上で線形歪みを持
つ部分領域以外では非線形歪みが生じているものと見做
し、演算部505は非線形歪みを持つ領域内に存在する
ショット領域に対してW−EGAモードを適用するもの
として記憶部506に記憶する。すなわち、演算部50
5は同一ウエハに対してEGAモードとW−EGAモー
ドとを選択し、EGA演算ユニット502は2つのモー
ドを併用してウエハ上の全てのショット領域の座標位置
を算出することになる。
【0060】ここではEGAモードとW−EGAモード
とを選択する場合について述べたが、さらに非線形歪み
を持つ領域内に存在するショット領域のうち、前述の配
列誤差が所定の許容値を越えるショット領域については
ランダム誤差が大きいと判断してD/Dモードを選択す
るようにしても良い。この場合、同一ウエハに対して3
つのアライメントモードが選択されることになる。ま
た、ウエハ全面に非線形歪み(又は線形歪み)が生じ、
特に少なくとも1つのショット領域がランダム誤差を持
つ場合、演算部505はW−EGAモード(又はEGA
モード)とD/Dモードとを選択することになる。尚、
ウエハWが歪みを全く持たない、もしくは精度上その歪
み量が無視できる程度であるとき、演算部505はEG
Aモードを選択することになる。
【0061】さて、本実施例ではウエハWが部分的に非
線形歪みを持つ、すなわち図9中の斜線領域には非線形
歪みが生じており、特に二重斜線で示す2つのショット
領域は不規則な非線形歪みを持つものとする。そこで、
ステップ105において演算部505は、図9中の斜線
領域以外のショット領域に対してEGAモードを選択す
るとともに、斜線領域内のショット領域に対してW−E
GAモードを選択し、さらに二重斜線で示す2つのショ
ット領域(以下、飛びショットと称す)に対してD/D
モードを選択することになる。さらに演算部505は、
前述の如きウエハの歪み情報、すなわち図9の如く分割
された複数の領域(ブロック)に関する情報(ブロック
内に存在するショット領域の位置や数)、及びブロック
毎に選択したアライメントモードをEGA演算ユニット
502、サンプルショット指定部504、及びシーケン
スコントローラ508に出力する。このとき、演算部5
05はウエハ上のショット領域毎にその使用するアライ
メントモードを対応付けて出力するようにしても良い。
尚、W−EGAモードを選択した際には非線形歪みが点
対称となっているか否かまでも求めるようにし、点対称
となっていればW2-EGAモードを選択し、点対称でな
ければW1-EGAモードを選択する。特にW 2-EGAモ
ードを選択したとき、ステップ105において演算部5
05は非線形歪みの点対称中心の座標位置も求め、その
座標位置をEGA演算ユニット502に出力する。
【0062】ここで、ステップ104では説明を簡単に
するため、ウエハ上のショット領域の配列誤差の特徴と
して、図8の如く紙面内左右方向(例えばX方向)のみ
に関するショット領域の配列誤差の変化量、さらには標
準偏差を求めることとした。しかしながら、上記方向と
直交する方向(例えばY方向)にもショット領域が配列
されており、Y方向に関するショット領域の配列誤差の
変化量、標準偏差までも求めることで、より精度良くウ
エハ全面でのショット領域の配列誤差の特徴を認識する
ことができる。上記の如くY方向(紙面内上下方向)に
関するショット領域の配列誤差の各変化量を求める際に
も、隣接する2つのショット領域の間で常に下側、又は
上側のショット領域の配列誤差を基準とする必要があ
る。従って、本実施例ではX、Y方向の各々に関する配
列誤差の変化量や標準偏差を求めた上で、ウエハ上のシ
ョット配列に最適なアライメントモードを決定している
ものとする。この場合、ウエハ全面でのX方向のみに関
する配列誤差の各変化量がほぼ等しく、かつY方向のみ
に関する配列誤差の各変化量がほぼ等しくなっていれ
ば、ウエハは線形歪みを持つと考えられる。このとき、
X方向とY方向とで配列誤差の変化量が異なっていて
も、ウエハは線形歪みを持つと判断して良い。
【0063】次に、サンプルショット指定部504は演
算部505から入力した情報に基づいて、図9の如きウ
エハWに最適なサンプルショット配置(図10)を決定
する(ステップ106)。すなわち、図10に示すよう
に指定部504は、まずEGAモードが選択されている
ことから、ウエハ周辺部に位置する複数個(本実施例で
は○印を付けた8個)のショット領域をサンプルショッ
トとして選択する。さらに指定部504は、W−EGA
モードが選択され、かつ図9中の斜線領域が非線形歪み
を持つことから、前述の斜線領域内にサンプルショット
がまんべんなく配置されるように、複数個(本実施例で
は△印を付けた8個)のショット領域をサンプルショッ
トとして選択する。以上のように指定部504は、図9
のウエハWに対して図10のように配置された計16個
のショット領域をサンプルショットとして選択、決定す
る。
【0064】ここで、本実施例ではウエハWが2つの飛
びショット(二重斜線)を有し、かつ飛びショットに対
してはD/Dモードを適用するものとした。このため、
指定部504は2つの飛びショット(図10中の□印を
付けたショット領域)も、見掛け上サンプルショットと
して指定しておくものとする。これにより、飛びショッ
トは16個のサンプルショットと共にその座標位置が計
測されることになる。但し、飛びショットはサンプルシ
ョットと同時にその座標位置を計測するため、見掛け上
サンプルショットとして指定しているに過ぎず、後述の
EGA演算ではショット配列の算出精度を考慮して飛び
ショットのアライメントデータ(座標位置)は使用しな
い。また、演算部505は前述の如く決定したサンプル
ショット配置を表示装置62上に表示してオペレータに
知らせるようにしても良い。このとき、例えばアライメ
ントモード毎のサンプルショットを区別して表示すると
良い。
【0065】次に、ステップ107においてウエハW上
の全て(18個)のサンプルショットの座標位置を求め
る、すなわちサンプルアライメントを実行する。本実施
例では既にウエハW上の全てのショット領域の座標位置
を計測していることから、EGA演算ユニット502は
指定部504で決定されたサンプルショット配置を入力
した後、ステップ103で記憶部501に格納された座
標位置の中から、図10中の18個のサンプルショット
(○、△、□印)の各々の座標位置を読み出す。このと
き、EGA演算ユニット502はこの読み出した座標位
置のうち、2個の飛びショット(□印)の座標位置をシ
ーケンスコントローラ508に出力する。ここではサン
プルショットの座標位置を記憶部501から読み出すよ
うにしたが、LSA系を用いてサンプルショットの座標
位置を再度計測するようにしても良い。本実施例では、
特に4枚目以降のウエハについてはステップ103〜1
06を実行しないので、ステップ107ではLSA系を
用いてサンプルショットの座標位置を計測することにな
る。
【0066】さて、ステップ108においてEGA演算
ユニット502は、図10中で○印、及び△印を付した
16個のサンプルショットの座標位置を用いて、図9の
ウエハW上の全てのショット領域(但し、2個の飛びシ
ョットは除く)の座標位置を決定する。まず、EGA演
算ユニット502はEGAモードを使用し、16個(又
は図10中で○印を付けた8個)のサンプルショットの
座標位置を用いてEGA演算を実行する。つまり、最小
二乗法を適用して数式2より演算パラメータa〜fを決
定した後、このパラメータa〜fを用いてウエハW上の
ショット領域、すなわち本実施例では図9中で斜線、及
び二重斜線を付したショット領域を除く残り(図9では
27個)のショット領域の各々の座標位置を算出する。
EGAモードでは1組のパラメータa〜fのみを用いて
27個のショット領域の座標位置を算出することにな
り、ここで算出した座標位置は記憶部506、及びシー
ケンスコントローラ508に出力される。
【0067】さらに、EGA演算ユニット502はW−
EGAモードを使用し、16個(又は図9中の斜線領域
内に存在する10個、もしくは斜線領域内、及びその近
傍に存在する14個)のサンプルショットの座標位置の
各々に重み付けを与えた上でW−EGA演算を実行す
る。つまり、図9中の斜線領域内に存在する複数(図9
では23個)のショット領域の各々において、最小二乗
法を適用して数式3、又は数式5より演算パラメータa
〜fを決定した後、このパラメータa〜fを用いてその
座標位置を算出する。W−EGAモードではショット領
域毎にパラメータa〜fを決定してその座標位置を算出
することになり、ここで算出した座標位置も記憶部50
6、及びシーケンスコントローラ508に出力される。
以上により、図9のウエハW上の全て(52個)の座標
位置が決定されることになる。
【0068】次に、ステップ109においてシーケンス
コントローラ508は、EGA演算部502から入力し
た全てのショット領域の座標位置に従ってウエハステー
ジWSを順次位置決めしながら、1枚目のウエハW上の
各ショット領域に対するレチクルパターンの重ね合わせ
露光を実行する。しかる後、シーケンスコントローラ5
08はロット内の全てのウエハへの重ね合わせ露光が終
了したか否かを判断する(ステップ110)。ここでは
1枚目のウエハへの重ね合わせ露光が終了しただけなの
で、直ちにステップ100に戻り、ウエハ交換を実行し
てロット内の2枚目のウエハをウエハステージWS上に
ローディングする。ここで、1枚目のウエハと2枚目以
降のウエハとでその形成条件(下地、レジストの種類、
アライメントマークの形状等)は同一であるので、2枚
目以降のウエハでも1枚目のウエハで使用したアライメ
ントセンサー、すなわち本実施例ではLSA系をそのま
ま使用することになる。
【0069】さて、2枚目のウエハに対しても前述した
ステップ101〜109を繰り返し実行して、各ショッ
ト領域に対するレチクルパターンの重ね合わせ露光を行
う。さらにステップ110においてウエハ交換を行うと
判断し、ロット内の3枚目のウエハをウエハステージW
S上にローディングする(ステップ100)。以下、前
述のステップ101〜109を繰り返し実行して、3枚
目のウエハ上の各ショット領域に対するレチクルパター
ンの重ね合わせ露光を行う。ここで、本実施例ではステ
ップ102で1〜3枚目までのウエハはステップ103
に進むようにしたので、2、3枚目のウエハでもステッ
プ103〜106を実行してウエハの歪み状態を求め
る、すなわち図9の如くウエハ上のショット領域を歪み
(アライメントモード)毎に分類することになる。これ
は、1枚目のウエハだけではショット領域の分類が正確
に行われるとは限らないためである。ここでは1〜3枚
目までのウエハのいずれでも、図9のようにショット領
域が分類されたものとする。従って、EGAモード、W
−EGAモード、及びD/Dモードの各々を適用するシ
ョット領域の位置や数、及びステップ106で決定され
るサンプルショット配置は、1〜3枚目までのウエハの
各々で全く同一となる。尚、ステップ105において
2、又は3枚目のウエハでのショット領域の分類が1枚
目のウエハと同じになったら、ステップ106では新た
にサンプルショット配置を決定する必要はなく、1枚目
のウエハで決定したサンプルショット配置をそのまま使
用すれば良い。また、1〜3枚目までのウエハではステ
ップ108で決定したショット領域の座標位置を用いず
とも、ステップ103で計測した座標位置を用いて重ね
合わせ露光を行うようにしても良い。
【0070】次に、4枚目以降のウエハの露光動作につ
いて説明する。ここで、1〜3枚目までのウエハはいず
れもほぼ同一の歪みを持つことから、本実施例では4枚
目以降のウエハでも1〜3枚目のウエハと同じ歪みを持
つと見做して図9の如くショット領域の分類を行う、す
なわちEGAモード、W−EGAモード、及びD/Dモ
ードを併用して重ね合わせ露光を行うものとする。ステ
ップ100において、ロット内の4枚目のウエハをウエ
ハステージWS上にローディングした後、シーケンスコ
ントローラ508はLSA系を用いてプリアライメント
を実行する(ステップ101)。しかる後、ステップ1
02では4枚目のウエハと判断して直ちにステップ10
7に進み、シーケンスコントローラ508は1枚目のウ
エハで決定されたサンプルショット配置(図10)に従
ってサンプルアライメントを実行する。すなわち、シー
ケンスコントローラ508は指定部504から入力した
サンプルショット配置に従い、LSA系を用いて18個
のサンプルショットの各々に付随した2組のアライメン
トマークを検出し、LSA演算ユニット41は各マーク
の座標位置を記憶部501に出力する。
【0071】さらに、EGA演算ユニット502は1枚
目のウエハ(ステップ105)で決定されたアライメン
トモード、及びショット領域の分類を記憶部506から
入力した後、18個のサンプルショットの座標位置を用
いてウエハ上の全てのショット領域の座標位置を決定す
る(ステップ108)。すなわちEGA演算ユニット5
02は、2個の飛びショット(図10中の□印)の座標
位置を記憶部501から読み出してシーケンスコントロ
ーラ508に出力するとともに、前述と全く同様にEG
AモードとW−EGAモードとを併用して残り(50
個)のショット領域の座標位置を算出し、ここで算出し
た座標位置をシーケンスコントローラ508に出力す
る。このとき、2個の飛びショットを除く16個(図1
0中の○印、△印)のサンプルショットの座標位置を用
い、図9中の斜線領域内のショット領域はW−EGAモ
ードでその座標位置を算出し、それ以外のショット領域
はEGAモードでその座標位置を算出する。シーケンス
コントローラ508は、EGA演算ユニット502から
入力した全てのショット領域の座標位置に従ってウエハ
ステージWSを順次位置決めし、ショット領域毎にレチ
クルパターンを重ね合わせ露光する(ステップ10
9)。
【0072】次に、シーケンスコントローラ508はロ
ット内の全てのウエハに対する重ね合わせ露光が終了し
たか否かを判断する(ステップ110)。ここでは4枚
目のウエハまでしか露光が終了していないので、直ちに
ステップ100に戻って5枚目のウエハをウエハステー
ジWS上にローディングした後、前述したステップ10
1、102、107〜109を実行して5枚目のウエハ
に対する重ね合わせ露光を行う。以下、ロット内の全て
のウエハに対する重ね合わせ露光が終了するまで、ウエ
ハ毎にEGAモード、W−EGAモード、及びD/Dモ
ードを併用して重ね合わせ露光を実行する。以上の露光
シーケンスにより、スループットの低下を最小限に抑え
つつ、ロット内の全てのウエハに対してショット領域毎
に精度良くレチクルパターンを重ね合わせ露光すること
ができる。
【0073】ところで、第1実施例ではステップ104
で求めた配列誤差の特徴からアライメントモードを決定
するようにしたが、例えばEGAモードを使用してアラ
イメントモードを決定することもできる。以下、この決
定方法について簡単に説明する。さて、ステップ103
でウエハ上の全てのショット領域の座標位置を計測した
後、EGA演算ユニット502は指定部504からEG
Aモードに好適なサンプルショット配置(例えば図10
中の○印を付した8個のショット領域)を入力し、記憶
部501から8個のサンプルショット(○印)の座標位
置を読み出す。さらに、EGA演算ユニット502は8
個のサンプルショットの座標位置を用いてEGA演算を
実行する。すなわち、EGAモードにおいて最小二乗法
を適用して数式2より演算パラメータa〜fを決定した
後、このパラメータa〜fを用いてウエハW上の全ての
ショット領域の座標位置を算出し、この算出した座標位
置を記憶部506に出力する。
【0074】次に、演算部505はウエハ上のショット
領域毎に、ステップ103で計測した座標位置(計測
値)とEGAモードで算出した座標位置(計算値)との
差(残留誤差)を求める。さらに演算部505は、ウエ
ハ上の全てのショット領域の中から残留誤差が零、ない
し所定の許容値以下となるショット領域を選択する。こ
こで選択したショット領域はEGAモード(線形近似)
でも十分な精度で座標位置を算出できる、すなわちEG
Aモードを適用するものとして記憶部506に記憶され
る。また、先に選択されたショット領域以外のショット
領域はEGAモードでは十分な精度で座標位置を算出で
きない、すなわち非線形歪みを持つと見做せるため、W
−EGAモードを適用するものとして記憶部506に記
憶される。ここで、W−EGAモードを適用するショッ
ト領域のうち、先の残留誤差が極端に大きなショット領
域は飛びショットとして指定し、D/Dモードを適用す
るものとして記憶部506に記憶する。これにより、ウ
エハで使用するアライメントモードの選択、及びアライ
メントモード毎のショット領域の分類が終了する。
【0075】以上の通り、EGAモードを使用するだけ
でも簡単にアライメントモードを決定することができ
る。このとき、図1のシーケンスとの差異は前述の如く
ステップ104、105だけであり、他の動作は図1と
同様である。但し、ステップ108ではEGAモードを
適用するショット領域の座標位置を算出しなくても良
い。これは、アライメントモードを決定するときに既に
その座標位置が算出されているためであり、記憶部50
6から読み出すだけで構わない。
【0076】また、前述の第1実施例では2、3枚目ま
でのウエハでも1枚目のウエハと同じ歪みを持つ、すな
わち同一のアライメントモードを選択するものとした。
しかしながら、2枚目、又は3枚目のウエハにおいて選
択されたアライメントモードと、ウエハ上の複数の部分
領域(図9)の各々に存在するショット領域の位置や数
との少なくとも一方が1枚目のウエハと異なるときに
は、2枚目、又は3枚目のウエハをロット内の1枚目の
ウエハと見做すとともに、このウエハに対してはその選
択されたアライメントモードに従って重ね合わせ露光を
行うこととする。この場合、1枚目と見做されたウエハ
から3枚だけ、前述のステップ103〜106を実行し
てアライメントモードやサンプルショット配置の決定を
行うようにする。例えば、3枚目のウエハにおいてW−
EGAモードを適用すべきショット領域の位置や数が
1、2枚目のウエハと異なったら、3枚目のウエハから
3枚だけ、すなわちロット内の3〜5枚目までのウエハ
の各々でステップ103〜106を実行する。そして、
3〜5枚目までのウエハの各々で選択されたアライメン
トモード、及びアライメントモード毎のショット領域の
位置や数が同一となれば、6枚目以降のウエハでは3〜
5枚目までのウエハで決定されたアライメントモードを
用いて重ね合わせ露光を行うようにすれば良い。
【0077】さらに、図1では1〜3枚目のウエハでス
テップ103〜106を実行するようにしたが、その枚
数は1枚以上であれば何枚でも良い。但し、ステップ1
03〜106を実行するウエハの枚数を増やすと、その
分スループットが低下するので、スループットを考慮し
てその枚数を決定することが望ましい。また、ロット内
のk(但しk≧2なる整数)枚目のウエハに対して重ね
合わせ露光を行うとき、前述のステップ103〜106
を実行するウエハは(k−1)枚目までのウエハのうち
の少なくとも1枚で構わない。すなわち、ロット内の1
枚目のウエハにおいて必ずステップ103〜106を実
行する必要はない。
【0078】また、1枚目のウエハのみでステップ10
3〜106を実行するようにし、2枚目以降のウエハで
は図1中のステップ107が終了した後、EGAモー
ド、又はW−EGAモードを使用して複数のサンプルシ
ョットの各々の座標位置を算出するとともに、この算出
された座標位置とステップ107で計測された座標位置
との差(残留誤差)を求める。そして、サンプルショッ
ト毎の残留誤差の傾向(大きさ、向き等)が1枚目のウ
エハと2枚目以降のウエハとでほぼ同じであるか否かを
確認し、同じ傾向であれば1枚目のウエハで決定された
アライメントモードに従ってステップ108、109を
実行し、上記傾向が異なればステップ103〜106を
実行する。このとき、1枚目のウエハでは複数のサンプ
ルショットの各々での残留誤差を求めて記憶部506に
記憶しておく。以上のようなシーケンスを採用すれば、
1枚のウエハのみでステップ103〜106を実行して
も、スループットの低下を最小限に抑えつつ、ロット内
の全てのウエハで各ショット領域を精度良くアライメン
トすることが可能となる。
【0079】また、複数のロットを連続的に処理する場
合、先頭ロット内の(k−1)枚目までのウエハの全て
において選択されたアライメントモード、及びアライメ
ントモード毎のショット領域の位置や数が同一となって
いれば、次ロットにおいてステップ103〜106を実
行するウエハの枚数を先頭ロットでの枚数よりも小さく
設定する。以下、ロット内の(k−1)枚目までの全て
のウエハでアライメントモード、及びアライメントモー
ド毎のショット領域の位置や数が同一となっている限
り、次ロットでのステップ103〜106を実行するウ
エハの枚数を順次小さくしていけば、ステップ103〜
106を実行すべきウエハの枚数(全ロットでの合計枚
数)を減らすことができ、ロット毎のアライメント精度
を維持しつつスループットも向上させることが可能とな
る。
【0080】次に、図11を参照して本発明の第2実施
例による位置合わせ方法を説明するが、本実施例ではウ
エハ全面に規則的な非線形歪みが生じているものとす
る。本実施例の露光シーケンスは基本的には第1実施例
(図1)と同一であるので、以下では第1実施例との差
異のみについて述べる。通常、ウエハ全面に規則的な非
線形歪みが生じているとき、図1のステップ104では
アライメントモードとしてW−EGAモードのみが選択
される。そして、ステップ108においてW−EGAモ
ードを用いて全てのショット領域の座標位置を算出す
る、すなわちショット領域毎に、複数のサンプルショッ
ト(例えば図11中の○印を付した13個のショット領
域)の座標位置の各々に重み付けを与えた上で、最小二
乗法を適用して数式3、又は数式5よりパラメータa〜
fを決定した後、このパラメータa〜fを用いてその座
標位置を算出する。しかる後、この算出した座標位置に
従ってウエハステージWSを順次位置決めしながら重ね
合わせ露光を行えば、ウエハ上の全てのショット領域に
おいて所望の重ね合わせ精度が得られることになる。
【0081】しかしながら、W−EGAモードではウエ
ハ周辺部に存在するショット領域、例えば図11中の斜
線を付したショット領域の座標位置の算出精度がウエハ
中心部のショット領域に比べて悪いため、ウエハ周辺部
のショット領域では重ね合わせ精度が要求される精度を
満足することができなくなることがある。これは、ウエ
ハ周辺部のショット領域ではその座標位置の算出に有効
なサンプルショット、すなわち所定の値以上の重み付け
が与えられるサンプルショットの数が少なくなるためで
ある。図11中のショット領域SArでは、例えば円内
に存在する4個のサンプルショット(○印)に対して所
定値以上の重み付けが与えられるが、そのサンプルショ
ット数が中心部のショット領域に比べて少ないことは明
らかである。尚、ウエハ上で要求精度を満足しないショ
ット領域は、サンプルショット配置やウエハの非線形歪
みの程度等に応じてその位置や数が多少異なるが、ウエ
ハ上の多数のショット領域のうち、少なくとも最外周に
位置するショット領域では要求精度を満足することは難
しい。
【0082】そこで、本実施例では第1実施例と同様に
ステップ104で配列誤差の特徴を算出した後、ステッ
プ105ではアライメントモードとしてW−EGAのみ
が選択されたものとする。このとき、本実施例ではW−
EGAのみが選択されたことから、ウエハ周辺部のショ
ット領域での重ね合わせ精度が要求精度を満足しないと
判断し、演算部505(又はオペレータ)はウエハ周辺
部(例えば図11中の斜線領域内)のショット領域に対
してD/Dモードを適用するものとして記憶部506に
記憶する。ここで、D/Dモードを適用すべきショット
領域の数や位置は、例えばステップ104で算出した配
列誤差の特徴、すなわち標準偏差(σ、3σ)等に応じ
て決定される。以上のように本実施例のステップ105
では、ウエハ周辺部のショット領域はD/Dモードが選
択され、ウエハ中心部のショット領域はW−EGAモー
ドが選択されることになる。
【0083】次に、ステップ106においてサンプルシ
ョット配置が決定されるが、本実施例ではW−EGAモ
ードに好適なサンプルショット配置(例えば、図11の
如くウエハ全面にまんべんなくサンプルショットを配置
したもの)と、D/Dモードが適用される全てのショッ
ト領域とを合わせてサンプルショットとして選択、決定
する。そして、ステップ107ではサンプルアライメン
トが実行される、すなわちEGA演算ユニット502は
記憶部501から各サンプルショットの座標位置を読み
出すとともに、D/Dモードが適用されるショット領域
の座標位置をシーケンスコントローラ508に出力す
る。さらにEGA演算ユニットは、ステップ108でW
−EGAモードを使用してウエハ中心部に存在するショ
ット領域のみの座標位置を算出し、この算出した座標位
置をシーケンスコントローラ508に出力する。これに
より、ウエハ上の全てのショット領域の座標位置がシー
ケンスコントローラ508に出力されたことになる。ス
テップ109においてシーケンスコントローラ508
は、EGA演算ユニット502から入力した座標位置に
従ってウエハステージWSを順次位置決めしながら、各
ショット領域に対してレチクルパターンを重ね合わせ露
光する。尚、他のシーケンスは第1実施例と全く同一で
あるので、ここでは説明を省略する。また、本実施例で
もウエハ中心部に存在するショット領域のうち、少なく
とも1つが飛びショットであったら、この飛びショット
にはD/Dモードを適用することになる。
【0084】以上のように本実施例では、非線形歪みを
持つウエハにおいてW−EGAモードとD/Dモードと
を併用するため、ウエハ上の全てのショット領域に対し
て精度良くレチクルパターンを重ね合わせ露光すること
が可能となる。ところで、本実施例ではステップ105
でウエハ周辺部のショット領域に対してD/Dモードを
適用するものとしたが、例えばW1-EGAモードを使用
してD/Dモードを適用するショット領域を決定しても
良い。すなわち、ステップ103で求めた全ての座標位
置、もしくは複数のサンプルショット(図11中の○印
を付けたショット領域)の座標位置に対してW1-EGA
モードを適用してウエハ上の全てのショット領域の座標
位置を算出し、この算出した座標位置(計算値)とステ
ップ103で計測した座標位置(計測値)との差(残留
誤差)をショット領域毎に求める。そして、残留誤差が
十分に小さいショット領域は規則的な非線形歪みを持つ
と判断してW−EAGモードを適用するものとし、逆に
残留誤差が極端に大きいショット領域はランダム誤差を
持つと判断してD/Dモードを適用すると決定すれば良
い。また、最小二乗法を適用してショット領域毎の配列
誤差を所定の関数(例えば2次以上の高次関数、指数関
数等)に近似したときの相関度を求め、この相関度が高
いときにはウエハが規則的な非線形歪みを持つと考えら
れ、それ以外、すなわち相関度が低いときにはランダム
誤差を持つと考えられる。従って、上記相関度から規則
的な非線形歪みとランダム誤差(不規則な非線形歪み)
とを区別して、W−EGAモードとD/Dモードの各々
を適用するショット領域を分類するようにしても良い。
【0085】ところで、第1、第2実施例においてEG
Aモード、又はW−EGAモードを用いて1枚のウエハ
上のショット領域の座標位置を決定する際、2種類のア
ライメントセンサー、例えばLSA系とFIA系の各々
を用いて全てのサンプルショットの座標位置を計測し、
さらに最小二乗法を用いて数式2、3、5よりパラメー
タa〜fを算出した後、2組のパラメータa〜fを用い
てショット領域の座標位置を決定するようにしても良
い。具体的には、LSA系の計測結果から算出したパラ
メータa〜fから6つの変数要素、すなわちスケーリン
グRx、Ry、直交度ω、残留回転誤差θ、及びオフセ
ットOx、Oyを決定し、さらにFIA系の計測結果か
ら算出したパラメータa〜fから上記6つの変数要素、
特にスケーリングRx、Ryを決定する。そして、LS
A系のスケーリングパラメータをFIA系のスケーリン
グパラメータに置換した上で、当該スケーリングパラメ
ータとLSA系の残りの4つの変数要素(Ox、Oy、
θ、ω)とを用いてパラメータa〜fを決定し、当該パ
ラメータのもとでショット領域の座標位置を算出する。
以上のように、2種類のアライメントセンサーを使い分
けてパラメータa〜fを決定しても、重ね合わせ精度を
向上させることができる。但し、2種類以上のアライメ
ントセンサーの各々でサンプルショット配置、特にW−
EGAモードではパラメータSの値までも同一としてお
く。
【0086】また、以上の各実施例ではアライメントセ
ンサーとしてLSA系を用いる場合について述べたが、
EGA、W−EGA、及びD/Dモードのいずれのモー
ドでも、いかなる方式のアライメントセンサーを用いて
も構わない。すなわち、TTR方式、TTL方式、また
はオフアクシス方式のいずれの方式であっても、さらに
はその検出方式が上記の如きLSA方式、FIA系20
の如き画像処理方式、あるいはLIA系30の如き2光
束干渉方式のいずれであっても構わない。さらに、本発
明の位置合わせ方法は、露光装置においてソフトウエ
ア、ハードウエアのいずれで実現しても良い。また、本
発明はステップアンドリピート方式、ステップアンドス
キャン方式、またはプロキシミティー方式の露光装置
(投影型露光装置、X線露光装置等)を始めとする各種
方式の露光装置以外にも、リペア装置、ウエハプローバ
等に対しても全く同様に適用できる。
【0087】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、スループ
ットの低下を最小限に抑えつつ、基板上の全ての処理領
域を精度良く位置合わせすることができ、常に良好な位
置合わせ精度(重ね合わせ精度)を得ることが可能とな
る。また、本発明ではパイロットウエハに対する試し焼
きが不要となり、スループットの向上と作業者の負荷の
低減が図れるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例による位置合わせ方法の一
例を示すフローチャート図。
【図2】本発明の実施例による位置合わせ方法を適用す
るのに好適な投影露光装置の概略構成を示す図。
【図3】図2に示した投影露光装置の制御系のブロック
図。
【図4】W1-EGAモードの原理説明に供する図。
【図5】W2-EGAモードの原理説明に供する図。
【図6】W−EGAモードでの重み付けを説明する図。
【図7】W−EGAモードでの重み付けを説明する図。
【図8】アライメントモードの決定方法を説明する図。
【図9】本発明の第1実施例の動作説明に供する図。
【図10】本発明の第1実施例に好適なサンプルショッ
ト配置の一例を示す図。
【図11】本発明の第2実施例の動作説明に供する図。
【符号の説明】
17 LSA系 41 LSA演算ユニット 501 アライメントデータ記憶部 502 EGA演算ユニット 505 演算部 506 記憶部 507 重み発生部 508 シーケンスコントローラ WS ウエハステージ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に配列された複数の処理領域の各
    々を、前記基板の移動位置を規定する静止座標系内の所
    定の基準位置に対して位置合わせする方法において、 前記基板上のほぼ全ての処理領域の各々の前記静止座標
    系上での座標位置を計測して前記複数の処理領域の配列
    誤差の特徴を算出するとともに、該算出した配列誤差の
    特徴に基づいて前記複数の処理領域を複数のブロックに
    分割し、 該分割された1つのブロックに着目したとき、前記基板
    上の複数の処理領域の配列誤差に対処するための複数の
    位置合わせモードの中から、前記着目したブロック内で
    の配列誤差の特徴に応じた位置合わせモードを選択する
    ようにし、 前記複数のブロックの各々で選択した位置合わせモード
    を用いて前記基板上の複数の処理領域の各々を前記基準
    位置に位置合わせすることを特徴とする位置合わせ方
    法。
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