JP3219217B2 - 位置合わせ方法及び装置、並びに露光方法及び装置 - Google Patents
位置合わせ方法及び装置、並びに露光方法及び装置Info
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- JP3219217B2 JP3219217B2 JP00890593A JP890593A JP3219217B2 JP 3219217 B2 JP3219217 B2 JP 3219217B2 JP 00890593 A JP00890593 A JP 00890593A JP 890593 A JP890593 A JP 890593A JP 3219217 B2 JP3219217 B2 JP 3219217B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば統計処理により
算出した配列座標に基づいてウエハの各ショット領域上
に順次レチクルのパターン像を転写する投影露光装置に
おいて、ウエハの各ショット領域を順次位置合わせする
場合に適用して好適な位置合わせ方法に関する。
算出した配列座標に基づいてウエハの各ショット領域上
に順次レチクルのパターン像を転写する投影露光装置に
おいて、ウエハの各ショット領域を順次位置合わせする
場合に適用して好適な位置合わせ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子又は液晶表示素子等をフォト
リソグラフィ工程で製造する際に、フォトマスク又はレ
チクル（以下「レチクル」と総称する）のパターン像を
投影光学系を介して感光材が塗布されたウエハ上の各シ
ョット領域に投影する投影露光装置が使用されている。
この種の投影露光装置として近年は、ウエハを２次元的
に移動自在なステージ上に載置し、このステージにより
ウエハを歩進（ステッピング）させて、レチクルのパタ
ーン像をウエハ上の各ショット領域に順次露光する動作
を繰り返す、所謂ステップ・アンド・リピート方式の露
光装置、特に、縮小投影型の露光装置（ステッパー）が
多用されている。
リソグラフィ工程で製造する際に、フォトマスク又はレ
チクル（以下「レチクル」と総称する）のパターン像を
投影光学系を介して感光材が塗布されたウエハ上の各シ
ョット領域に投影する投影露光装置が使用されている。
この種の投影露光装置として近年は、ウエハを２次元的
に移動自在なステージ上に載置し、このステージにより
ウエハを歩進（ステッピング）させて、レチクルのパタ
ーン像をウエハ上の各ショット領域に順次露光する動作
を繰り返す、所謂ステップ・アンド・リピート方式の露
光装置、特に、縮小投影型の露光装置（ステッパー）が
多用されている。
【０００３】例えば半導体素子はウエハ上に多数層の回
路パターンを重ねて形成されるので、２層目以降の回路
パターンをウエハ上に投影露光する際には、ウエハ上の
既に回路パターンが形成された各ショット領域とレチク
ルのパターン像との位置合わせ、即ちウエハとレチクル
との位置合わせ（アライメント）を精確に行う必要があ
る。従来のステッパー等におけるウエハの位置合わせ方
法は、概略次のようなものである（例えば特開昭６１−
４４４２９号公報参照）。
路パターンを重ねて形成されるので、２層目以降の回路
パターンをウエハ上に投影露光する際には、ウエハ上の
既に回路パターンが形成された各ショット領域とレチク
ルのパターン像との位置合わせ、即ちウエハとレチクル
との位置合わせ（アライメント）を精確に行う必要があ
る。従来のステッパー等におけるウエハの位置合わせ方
法は、概略次のようなものである（例えば特開昭６１−
４４４２９号公報参照）。
【０００４】即ち、ウエハ上には、ウエハマークと呼ば
れる位置合わせ用のマークをそれぞれ含む複数のショッ
ト領域（チップパターン）が形成されており、これらシ
ョット領域は、予めウエハ上に設定された配列座標に基
づいて規則的に配列されている。しかしながら、ウエハ
上の複数のショット領域の設計上の配列座標値（ショッ
ト配列）に基づいてウエハをステッピングさせても、以
下のような要因により、ウエハが精確に位置合わせされ
るとは限らない。
れる位置合わせ用のマークをそれぞれ含む複数のショッ
ト領域（チップパターン）が形成されており、これらシ
ョット領域は、予めウエハ上に設定された配列座標に基
づいて規則的に配列されている。しかしながら、ウエハ
上の複数のショット領域の設計上の配列座標値（ショッ
ト配列）に基づいてウエハをステッピングさせても、以
下のような要因により、ウエハが精確に位置合わせされ
るとは限らない。
【０００５】(1) ウエハの残存回転誤差θ (2) ステージ座標系（又はショット配列）の直交度誤差
ｗ (3) ウエハの線形伸縮（スケーリング）Ｒｘ，Ｒｙ (4) ウエハ（中心位置）のオフセット（平行移動）Ｏ
ｘ，Ｏｙ
ｗ (3) ウエハの線形伸縮（スケーリング）Ｒｘ，Ｒｙ (4) ウエハ（中心位置）のオフセット（平行移動）Ｏ
ｘ，Ｏｙ
【０００６】この際、これら４個の誤差量（６個のパラ
メータ）に基づくウエハの座標変換は一次変換式で記述
できる。そこで、ウエハマークを含む複数のショット領
域が規則的に配列されたウエハに対し、このウエハ上の
座標系（ｘ，ｙ）を静止座標系としてのステージ上の座
標系（Ｘ，Ｙ）に変換する一次変換モデルを、６個の変
換パラメータａ〜ｆを用いて次のように表現することが
できる。
メータ）に基づくウエハの座標変換は一次変換式で記述
できる。そこで、ウエハマークを含む複数のショット領
域が規則的に配列されたウエハに対し、このウエハ上の
座標系（ｘ，ｙ）を静止座標系としてのステージ上の座
標系（Ｘ，Ｙ）に変換する一次変換モデルを、６個の変
換パラメータａ〜ｆを用いて次のように表現することが
できる。
【０００７】
【数１】
【０００８】この変換式における６個の変換パラメータ
ａ〜ｆは、例えば最小自乗近似法により求めることがで
きる。この場合、ウエハ上の複数のショット領域（チッ
プパターン）の中から幾つか選び出されたショット領域
の各々に付随した座標系（ｘ，ｙ）上の設計上の座標が
それぞれ（ｘ１，ｙ１）、（ｘ２，ｙ２）、‥‥、（ｘ
ｎ，ｙｎ）であるウエハマークに対して所定の基準位置
への位置合わせ（アライメント）を行う。そして、その
ときのステージ上の座標系（Ｘ，Ｙ）での座標値（ｘＭ
１，ｙＭ１）、（ｘＭ２，ｙＭ２）、‥‥、（ｘＭｎ，
ｙＭｎ）を実測する。
ａ〜ｆは、例えば最小自乗近似法により求めることがで
きる。この場合、ウエハ上の複数のショット領域（チッ
プパターン）の中から幾つか選び出されたショット領域
の各々に付随した座標系（ｘ，ｙ）上の設計上の座標が
それぞれ（ｘ１，ｙ１）、（ｘ２，ｙ２）、‥‥、（ｘ
ｎ，ｙｎ）であるウエハマークに対して所定の基準位置
への位置合わせ（アライメント）を行う。そして、その
ときのステージ上の座標系（Ｘ，Ｙ）での座標値（ｘＭ
１，ｙＭ１）、（ｘＭ２，ｙＭ２）、‥‥、（ｘＭｎ，
ｙＭｎ）を実測する。
【０００９】また、選び出されたウエハマークの設計上
の配列座標（ｘｉ，ｙｉ）（ｉ＝１，‥‥，ｎ）を上述
の１次変換モデルに代入して得られる計算上の配列座標
（Ｘｉ，Ｙｉ）とアライメント時の計測された座標（ｘ
Ｍｉ，ｙＭｉ）との差（△ｘ，△ｙ）をアライメント誤
差と考える。この一方のアライメント誤差△ｘは例えば
（Ｘｉ−ｘＭｉ）2 のｉに関する和で表され、他方のア
ライメント誤差△ｙは例えば（Ｙｉ−ｙＭｉ）2 のｉに
関する和で表される。
の配列座標（ｘｉ，ｙｉ）（ｉ＝１，‥‥，ｎ）を上述
の１次変換モデルに代入して得られる計算上の配列座標
（Ｘｉ，Ｙｉ）とアライメント時の計測された座標（ｘ
Ｍｉ，ｙＭｉ）との差（△ｘ，△ｙ）をアライメント誤
差と考える。この一方のアライメント誤差△ｘは例えば
（Ｘｉ−ｘＭｉ）2 のｉに関する和で表され、他方のア
ライメント誤差△ｙは例えば（Ｙｉ−ｙＭｉ）2 のｉに
関する和で表される。
【００１０】そして、それらアライメント誤差△ｘ及び
△ｙを６個の変換パラメータａ〜ｆで順次偏微分し、そ
の値が０となるような方程式をたてて、それら６個の連
立方程式を解けば６個の変換パラメータａ〜ｆが求めら
れる。これ以降は、変換パラメータａ〜ｆを係数とした
一次変換式を用いて計算した配列座標に基づいて、ウエ
ハの各ショット領域の位置合わせを行うことができる。
あるいは、一次変換式では近似精度が良好でない場合に
は、例えば２次以上の高次式を用いてウエハの位置合わ
せを行うようにしてもよい。
△ｙを６個の変換パラメータａ〜ｆで順次偏微分し、そ
の値が０となるような方程式をたてて、それら６個の連
立方程式を解けば６個の変換パラメータａ〜ｆが求めら
れる。これ以降は、変換パラメータａ〜ｆを係数とした
一次変換式を用いて計算した配列座標に基づいて、ウエ
ハの各ショット領域の位置合わせを行うことができる。
あるいは、一次変換式では近似精度が良好でない場合に
は、例えば２次以上の高次式を用いてウエハの位置合わ
せを行うようにしてもよい。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
においては、変換パラメータを求めるために選択された
ショット領域に属するウエハマークのステージ座標系上
での値はそれぞれ１つである。しかしながら、一般に各
ウエハマークの位置は、アライメント用の光を各ウエハ
マークに照射して得られた光を光電変換して得られる計
測信号に所定の処理を施すことにより求められるもので
あるため、閾値レベル等の信号処理条件によってそれら
ウエハマークのステージ座標系上での実測値は異なった
ものとなる。
においては、変換パラメータを求めるために選択された
ショット領域に属するウエハマークのステージ座標系上
での値はそれぞれ１つである。しかしながら、一般に各
ウエハマークの位置は、アライメント用の光を各ウエハ
マークに照射して得られた光を光電変換して得られる計
測信号に所定の処理を施すことにより求められるもので
あるため、閾値レベル等の信号処理条件によってそれら
ウエハマークのステージ座標系上での実測値は異なった
ものとなる。
【００１２】例えば、ウエハマークから得られる計測信
号が計測方向に対して山型に変化する場合、或る閾値
（スライスレベル）でその計測信号をスライスして得ら
れる２個の交点の中間点をそのウエハマークの位置とす
る方法が考えられる。しかしながら、この方法において
は、その計測信号が計測方向に対称でないとすると、設
定する閾値により得られるウエハマークの位置が異なっ
てくる。そのため、最小自乗法により変換パラメータを
求める際に、各ウエハマークの実測位置としてどの値を
使用するかにより、求められる変換パラメータの値も異
なる。従って、最終的にどのような信号処理条件で求め
たウエハマークの位置を用いるかが問題となるが、従
来、信号処理条件はプロセス毎に例えば試行錯誤的に定
められていた。
号が計測方向に対して山型に変化する場合、或る閾値
（スライスレベル）でその計測信号をスライスして得ら
れる２個の交点の中間点をそのウエハマークの位置とす
る方法が考えられる。しかしながら、この方法において
は、その計測信号が計測方向に対称でないとすると、設
定する閾値により得られるウエハマークの位置が異なっ
てくる。そのため、最小自乗法により変換パラメータを
求める際に、各ウエハマークの実測位置としてどの値を
使用するかにより、求められる変換パラメータの値も異
なる。従って、最終的にどのような信号処理条件で求め
たウエハマークの位置を用いるかが問題となるが、従
来、信号処理条件はプロセス毎に例えば試行錯誤的に定
められていた。
【００１３】本発明は斯かる点に鑑み、処理対象とする
ウエハ上の選択されたショット領域に属する位置合わせ
用のマークの位置を予め実際に計測して得られた結果に
基づいて、統計処理により変換パラメータを求め、この
変換パラメータを用いて算出された計算上の配列座標に
基づいてウエハ上の各ショット領域の位置合わせを行う
位置合わせ方法において、実際に計測された位置合わせ
用のマークから得られる計測信号の信号処理条件を自動
的に最適化することを目的とする。
ウエハ上の選択されたショット領域に属する位置合わせ
用のマークの位置を予め実際に計測して得られた結果に
基づいて、統計処理により変換パラメータを求め、この
変換パラメータを用いて算出された計算上の配列座標に
基づいてウエハ上の各ショット領域の位置合わせを行う
位置合わせ方法において、実際に計測された位置合わせ
用のマークから得られる計測信号の信号処理条件を自動
的に最適化することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明による位置合わせ
方法は、例えば図１及び図５に示すように、予め設定さ
れた配列情報に従って基板（Ｗ）上に規則的に配列され
た複数の被加工領域（ＥＳｉ）の各々を、基板（Ｗ）の
移動位置を規定する静止座標系（Ｘ，Ｙ）内の所定の加
工位置に対して順次位置合わせするに当たって、複数の
被加工領域（ＥＳｉ）の内、予め選択された少なくとも
３つの被加工領域（ＳＡ１〜ＳＡ３）の静止座標系
（Ｘ，Ｙ）上における位置情報を計測し、これら計測さ
れた複数の位置情報を統計計算することによって、基板
（Ｗ）上の複数の被加工領域（ＥＳｉ）の各々の静止座
標系（Ｘ，Ｙ）上における配列情報を算出し、これら算
出された複数の被加工領域（ＥＳｉ）の各々の配列情報
に従って基板（Ｗ）の移動位置を制御することによっ
て、複数の被加工領域（ＥＳｉ）の各々をその加工位置
に対して位置合わせする方法に関するものである。
方法は、例えば図１及び図５に示すように、予め設定さ
れた配列情報に従って基板（Ｗ）上に規則的に配列され
た複数の被加工領域（ＥＳｉ）の各々を、基板（Ｗ）の
移動位置を規定する静止座標系（Ｘ，Ｙ）内の所定の加
工位置に対して順次位置合わせするに当たって、複数の
被加工領域（ＥＳｉ）の内、予め選択された少なくとも
３つの被加工領域（ＳＡ１〜ＳＡ３）の静止座標系
（Ｘ，Ｙ）上における位置情報を計測し、これら計測さ
れた複数の位置情報を統計計算することによって、基板
（Ｗ）上の複数の被加工領域（ＥＳｉ）の各々の静止座
標系（Ｘ，Ｙ）上における配列情報を算出し、これら算
出された複数の被加工領域（ＥＳｉ）の各々の配列情報
に従って基板（Ｗ）の移動位置を制御することによっ
て、複数の被加工領域（ＥＳｉ）の各々をその加工位置
に対して位置合わせする方法に関するものである。
【００１５】そして、本発明は、予め選択された少なく
とも３つの被加工領域（ＳＡ１〜ＳＡ３）の静止座標系
（Ｘ，Ｙ）上における位置情報を計測する際に、それら
被加工領域の測定対象物（位置合わせ用のマーク）から
得られる計測信号を第１の信号処理条件で処理して第１
の位置情報を求め、この第１の位置情報に基づいて、そ
の予め設定された配列情報からその静止座標系上の配列
情報を算出するための１組の第１変換パラメータを求め
（ステップ１０３，１０４）、その計測信号を、その第
１の信号処理条件とは異なる第２の信号処理条件で処理
して第２の位置情報を求め、この第２の位置情報に基づ
いてその予め設定された配列情報からその静止座標系上
の配列情報を算出するための１組の第２変換パラメータ
を求め（ステップ１０７，１０８，１０３，１０４）、
そのように求められた複数組の変換パラメータの内、何
れか１組の変換パラメータを所定条件に基づいて選択
し、その選択された１組の変換パラメータを用いて、基
板（Ｗ）上の複数の被加工領域（ＥＳｉ）の各々の静止
座標系（Ｘ，Ｙ）上における配列情報を算出するように
したものである（ステップ１１１）。この場合、その所
定条件は、一例としてその１組の変換パラメータ毎に、
この変換パラメータを用いて算出されたその静止座標系
上での位置情報と、その信号処理条件のもとで計測され
た位置情報との残留誤差成分を含み、その残留誤差成分
が最小となるときのその１組の変換パラメータを選択す
ることが望ましい。また、本発明の露光方法は、本発明
の位置合わせ方法を用いて算出された、その基板上の複
数の被加工領域の各々のその静止座標系上の配列情報を
用いて位置合わせがなされた基板上に、所定パターンを
転写するものである。また、本発明の位置合わせ装置
は、予め設定された配列情報に従って基板上に規則的に
配列された複数の被加工領域の各々を、その基板の移動
位置を規定する静止座標系内の所定の加工位置に対して
順次位置合わせするに当たって、その複数の被加工領域
の内、予め選択された少なくとも３つの被加工領域のそ
の静止座標系上における位置情報を計測し、該計測され
た複数の位置情報を統計演算することによって、その基
板上の複数の被加工領域の各々のその静止座標系におけ
る配列情報を算出し、このように算出された複数の被加
工領域の各々の配列情報に 従ってその基板の移動位置を
制御することによって、その複数の被加工領域の各々を
その加工位置に対して位置合わせする装置において、そ
の予め選択された少なくとも３つの被加工領域のその静
止座標系上における位置情報を計測する際に、その被加
工領域の測定対象物から得られる計測信号の信号処理条
件を種々に変えて、その被加工領域に関するその位置情
報を計測する計測手段と、その計測手段によりその信号
処理条件毎に計測されたその位置情報と、その予め設定
された配列情報とに基づいて、その予め設定された配列
情報からその静止座標系上の配列情報を算出するための
１組の変換パラメータを、その信号処理条件毎に算出す
る第１演算手段と、その算出された複数組の変換パラメ
ータのうち、何れか１組の変換パラメータを、所定条件
に基づいて選択する選択手段と、その選択された１組の
変換パラメータを用いて、その基板上の複数の被加工領
域の各々のその静止座標系上における配列情報を算出す
る第２演算手段とを有するものである。また、本発明に
よる露光装置は、本発明の位置合わせ装置により算出さ
れた、その基板上の複数の被加工領域の各々のその静止
座標系上の配列情報を用いて位置合わせがなされた基板
上に、所定パターンを転写するものである。
とも３つの被加工領域（ＳＡ１〜ＳＡ３）の静止座標系
（Ｘ，Ｙ）上における位置情報を計測する際に、それら
被加工領域の測定対象物（位置合わせ用のマーク）から
得られる計測信号を第１の信号処理条件で処理して第１
の位置情報を求め、この第１の位置情報に基づいて、そ
の予め設定された配列情報からその静止座標系上の配列
情報を算出するための１組の第１変換パラメータを求め
（ステップ１０３，１０４）、その計測信号を、その第
１の信号処理条件とは異なる第２の信号処理条件で処理
して第２の位置情報を求め、この第２の位置情報に基づ
いてその予め設定された配列情報からその静止座標系上
の配列情報を算出するための１組の第２変換パラメータ
を求め（ステップ１０７，１０８，１０３，１０４）、
そのように求められた複数組の変換パラメータの内、何
れか１組の変換パラメータを所定条件に基づいて選択
し、その選択された１組の変換パラメータを用いて、基
板（Ｗ）上の複数の被加工領域（ＥＳｉ）の各々の静止
座標系（Ｘ，Ｙ）上における配列情報を算出するように
したものである（ステップ１１１）。この場合、その所
定条件は、一例としてその１組の変換パラメータ毎に、
この変換パラメータを用いて算出されたその静止座標系
上での位置情報と、その信号処理条件のもとで計測され
た位置情報との残留誤差成分を含み、その残留誤差成分
が最小となるときのその１組の変換パラメータを選択す
ることが望ましい。また、本発明の露光方法は、本発明
の位置合わせ方法を用いて算出された、その基板上の複
数の被加工領域の各々のその静止座標系上の配列情報を
用いて位置合わせがなされた基板上に、所定パターンを
転写するものである。また、本発明の位置合わせ装置
は、予め設定された配列情報に従って基板上に規則的に
配列された複数の被加工領域の各々を、その基板の移動
位置を規定する静止座標系内の所定の加工位置に対して
順次位置合わせするに当たって、その複数の被加工領域
の内、予め選択された少なくとも３つの被加工領域のそ
の静止座標系上における位置情報を計測し、該計測され
た複数の位置情報を統計演算することによって、その基
板上の複数の被加工領域の各々のその静止座標系におけ
る配列情報を算出し、このように算出された複数の被加
工領域の各々の配列情報に 従ってその基板の移動位置を
制御することによって、その複数の被加工領域の各々を
その加工位置に対して位置合わせする装置において、そ
の予め選択された少なくとも３つの被加工領域のその静
止座標系上における位置情報を計測する際に、その被加
工領域の測定対象物から得られる計測信号の信号処理条
件を種々に変えて、その被加工領域に関するその位置情
報を計測する計測手段と、その計測手段によりその信号
処理条件毎に計測されたその位置情報と、その予め設定
された配列情報とに基づいて、その予め設定された配列
情報からその静止座標系上の配列情報を算出するための
１組の変換パラメータを、その信号処理条件毎に算出す
る第１演算手段と、その算出された複数組の変換パラメ
ータのうち、何れか１組の変換パラメータを、所定条件
に基づいて選択する選択手段と、その選択された１組の
変換パラメータを用いて、その基板上の複数の被加工領
域の各々のその静止座標系上における配列情報を算出す
る第２演算手段とを有するものである。また、本発明に
よる露光装置は、本発明の位置合わせ装置により算出さ
れた、その基板上の複数の被加工領域の各々のその静止
座標系上の配列情報を用いて位置合わせがなされた基板
上に、所定パターンを転写するものである。
【００１６】
【作用】斯かる本発明によれば、例えば基板（Ｗ）上に
設定された座標系を試料座標系（ｘ，ｙ）として、予め
選択された少なくとも３つの被加工領域（ＳＡ１〜ＳＡ
３）の静止座標系（Ｘ，Ｙ）上における座標位置を計測
する際の、それら被加工領域の測定対象物を位置合わせ
用のマークとする。そして、例えばその位置合わせ用の
マークから得られる計測信号を所定の閾値レベルでスラ
イスして得られる２個の交点の中点をその位置合わせ用
のマークの座標位置とみなすものとすると、その信号処
理条件の一例はその閾値レベルとなる。そこで、その閾
値レベルを種々に変えて位置合わせ用のマークの座標位
置を求め、その閾値レベル毎に複数の被加工領域（ＥＳ
ｉ）の試料座標系（ｘ，ｙ）上の配列座標から静止座標
系（Ｘ，Ｙ）上の配列座標を算出するための１組の変換
パラメータを求める。
設定された座標系を試料座標系（ｘ，ｙ）として、予め
選択された少なくとも３つの被加工領域（ＳＡ１〜ＳＡ
３）の静止座標系（Ｘ，Ｙ）上における座標位置を計測
する際の、それら被加工領域の測定対象物を位置合わせ
用のマークとする。そして、例えばその位置合わせ用の
マークから得られる計測信号を所定の閾値レベルでスラ
イスして得られる２個の交点の中点をその位置合わせ用
のマークの座標位置とみなすものとすると、その信号処
理条件の一例はその閾値レベルとなる。そこで、その閾
値レベルを種々に変えて位置合わせ用のマークの座標位
置を求め、その閾値レベル毎に複数の被加工領域（ＥＳ
ｉ）の試料座標系（ｘ，ｙ）上の配列座標から静止座標
系（Ｘ，Ｙ）上の配列座標を算出するための１組の変換
パラメータを求める。
【００１７】その後、求められた複数組の変換パラメー
タのうち、何れか１組の変換パラメータを、所定条件に
基づいて選択し、この選択された１組の変換パラメータ
を用いて、基板（Ｗ）上の複数の被加工領域（ＥＳｉ）
の各々の静止座標系（Ｘ，Ｙ）上における配列情報を算
出する。これにより本発明では、信号処理条件を自動的
に最適化することができる。特に、その１組の変換パラ
メータ毎に、その算出された静止座標系（Ｘ，Ｙ）上の
配列座標と、その信号処理条件のもとで計測された座標
位置との残留誤差成分を求め（ステップ１０５）、この
残留誤差成分が最小になるときのその１組の変換パラメ
ータを用いて、基板（Ｗ）上の複数の被加工領域（ＥＳ
ｉ）の各々の静止座標系（Ｘ，Ｙ）上における配列座標
を算出するようにした場合には（ステップ１１１）、閾
値レベル等の信号処理条件を最適化するための条件は、
残留誤差成分を最小にするという条件である。このよう
に残留誤差成分を最小にすることにより、位置合わせ精
度がより向上する。
タのうち、何れか１組の変換パラメータを、所定条件に
基づいて選択し、この選択された１組の変換パラメータ
を用いて、基板（Ｗ）上の複数の被加工領域（ＥＳｉ）
の各々の静止座標系（Ｘ，Ｙ）上における配列情報を算
出する。これにより本発明では、信号処理条件を自動的
に最適化することができる。特に、その１組の変換パラ
メータ毎に、その算出された静止座標系（Ｘ，Ｙ）上の
配列座標と、その信号処理条件のもとで計測された座標
位置との残留誤差成分を求め（ステップ１０５）、この
残留誤差成分が最小になるときのその１組の変換パラメ
ータを用いて、基板（Ｗ）上の複数の被加工領域（ＥＳ
ｉ）の各々の静止座標系（Ｘ，Ｙ）上における配列座標
を算出するようにした場合には（ステップ１１１）、閾
値レベル等の信号処理条件を最適化するための条件は、
残留誤差成分を最小にするという条件である。このよう
に残留誤差成分を最小にすることにより、位置合わせ精
度がより向上する。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の第１実施例につき図１〜図８
を参照して説明する。図２は本実施例の位置合わせ方法
を適用するのに好適な投影露光装置の概略的な構成を示
し、この図２において、超高圧水銀ランプ１から発生し
た照明光ＩＬは楕円鏡２で反射されてその第２焦点で一
度集光した後、コリメータレンズ、干渉フィルター、オ
プティカルインテグレータ（フライアイレンズ）及び開
口絞り（σ絞り）等を含む照明光学系３に入射する。不
図示であるが、フライアイレンズはそのレチクル側焦点
面がレチクルパターンのフーリエ変換面（瞳共役面）と
ほぼ一致するように光軸ＡＸと垂直な面内方向に配置さ
れている。
を参照して説明する。図２は本実施例の位置合わせ方法
を適用するのに好適な投影露光装置の概略的な構成を示
し、この図２において、超高圧水銀ランプ１から発生し
た照明光ＩＬは楕円鏡２で反射されてその第２焦点で一
度集光した後、コリメータレンズ、干渉フィルター、オ
プティカルインテグレータ（フライアイレンズ）及び開
口絞り（σ絞り）等を含む照明光学系３に入射する。不
図示であるが、フライアイレンズはそのレチクル側焦点
面がレチクルパターンのフーリエ変換面（瞳共役面）と
ほぼ一致するように光軸ＡＸと垂直な面内方向に配置さ
れている。
【００１９】また、楕円鏡２の第２焦点の近傍には、モ
ーター３８によって照明光ＩＬの光路の閉鎖及び開放を
行うシャッター（例えば４枚羽根のロータリーシャッタ
ー）３７が配置されている。なお、露光用照明光として
は超高圧水銀ランプ１等の輝線の他に、エキシマレーザ
（ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ等）等
のレーザ光、あるいは金属蒸気レーザやＹＡＧレーザの
高調波等を用いても構わない。
ーター３８によって照明光ＩＬの光路の閉鎖及び開放を
行うシャッター（例えば４枚羽根のロータリーシャッタ
ー）３７が配置されている。なお、露光用照明光として
は超高圧水銀ランプ１等の輝線の他に、エキシマレーザ
（ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ等）等
のレーザ光、あるいは金属蒸気レーザやＹＡＧレーザの
高調波等を用いても構わない。
【００２０】図２において、照明光学系３を射出したレ
ジスト層を感光させる波長域の照明光（ｉ線等）ＩＬ
は、その大部分がビームスプリッター４で反射された
後、第１リレーレンズ５、可変視野絞り（レチクルブラ
インド）６及び第２リレーレンズ７を通過してミラー８
に至る。そして、ミラー８でほぼ垂直下方に反射された
照明光ＩＬが、メインコンデンサーレンズ９を介してレ
チクルＲのパターン領域ＰＡをほぼ均一な照度で照明す
る。レチクルブラインド６の配置面はレチクルＲのパタ
ーン形成面と共役関係（結像関係）にあり、駆動系３６
によりレチクルブラインド６を構成する複数枚の可動ブ
レードを開閉させて開口部の大きさ、形状を変えること
によって、レチクルＲの照明視野を任意に設定すること
ができる。
ジスト層を感光させる波長域の照明光（ｉ線等）ＩＬ
は、その大部分がビームスプリッター４で反射された
後、第１リレーレンズ５、可変視野絞り（レチクルブラ
インド）６及び第２リレーレンズ７を通過してミラー８
に至る。そして、ミラー８でほぼ垂直下方に反射された
照明光ＩＬが、メインコンデンサーレンズ９を介してレ
チクルＲのパターン領域ＰＡをほぼ均一な照度で照明す
る。レチクルブラインド６の配置面はレチクルＲのパタ
ーン形成面と共役関係（結像関係）にあり、駆動系３６
によりレチクルブラインド６を構成する複数枚の可動ブ
レードを開閉させて開口部の大きさ、形状を変えること
によって、レチクルＲの照明視野を任意に設定すること
ができる。
【００２１】本実施例のレチクルＲにおいては、遮光帯
に囲まれたパターン領域ＰＡの４辺のほぼ中央部にそれ
ぞれアライメントマークとしてのレチクルマークが形成
されている。これらレチクルマークの像をウエハＷのレ
ジスト層上に投影することにより、そのレジスト層上に
それらレチクルマークの像が潜像として形成されるもの
である。また、本実施例ではそれらレチクルマークが、
ウエハＷの各ショット領域とレチクルＲとの位置合わせ
を行う際のアライメントマークとしても共用される。そ
れら４つのレチクルマークは同一構成（但し、方向は異
なる）であり、例えば或る１つのウエハマークは、Ｙ方
向に配置された７個のドットマークから成る回折格子マ
ークを、Ｘ方向に所定間隔で５列配列したマルチマーク
である。それらウエハマークは、レチクルＲの遮光帯中
に設けられた透明窓内にクロム等の遮光部により形成さ
れる。更に、レチクルＲにはその外周付近に２個の十字
型の遮光性マークよりなるアライメントマークが対向し
て形成されている。これら２個のアライメントマーク
は、レチクルＲのアライメント（投影光学系１３の光軸
ＡＸに対する位置合わせ）に用いられる。
に囲まれたパターン領域ＰＡの４辺のほぼ中央部にそれ
ぞれアライメントマークとしてのレチクルマークが形成
されている。これらレチクルマークの像をウエハＷのレ
ジスト層上に投影することにより、そのレジスト層上に
それらレチクルマークの像が潜像として形成されるもの
である。また、本実施例ではそれらレチクルマークが、
ウエハＷの各ショット領域とレチクルＲとの位置合わせ
を行う際のアライメントマークとしても共用される。そ
れら４つのレチクルマークは同一構成（但し、方向は異
なる）であり、例えば或る１つのウエハマークは、Ｙ方
向に配置された７個のドットマークから成る回折格子マ
ークを、Ｘ方向に所定間隔で５列配列したマルチマーク
である。それらウエハマークは、レチクルＲの遮光帯中
に設けられた透明窓内にクロム等の遮光部により形成さ
れる。更に、レチクルＲにはその外周付近に２個の十字
型の遮光性マークよりなるアライメントマークが対向し
て形成されている。これら２個のアライメントマーク
は、レチクルＲのアライメント（投影光学系１３の光軸
ＡＸに対する位置合わせ）に用いられる。
【００２２】レチクルＲは、モータ１２によって投影光
学系１３の光軸ＡＸの方向に微動可能で、且つその光軸
ＡＸに垂直な水平面内で２次元移動及び微小回転可能な
レチクルステージＲＳ上に載置されている。レチクルス
テージＲＳの端部にはレーザ光波干渉測長器（レーザ干
渉計）１１からのレーザビームを反射する移動鏡１１ｍ
が固定され、レチクルステージＲＳの２次元的な位置は
レーザ干渉計１１によって、例えば０．０１μｍ程度の
分解能で常時検出されている。レチクルＲの上方にはレ
チクルアライメント系（ＲＡ系）１０Ａ及び１０Ｂが配
置され、これらＲＡ系１０Ａ及び１０Ｂは、レチクルＲ
の外周付近に形成された２個の十字型のアライメントマ
ークを検出するものである。ＲＡ系１０Ａ及び１０Ｂか
らの計測信号に基づいてレチクルステージＲＳを微動さ
せることで、レチクルＲはパターン領域ＰＡの中心点が
投影光学系１３の光軸ＡＸと一致するように位置決めさ
れる。
学系１３の光軸ＡＸの方向に微動可能で、且つその光軸
ＡＸに垂直な水平面内で２次元移動及び微小回転可能な
レチクルステージＲＳ上に載置されている。レチクルス
テージＲＳの端部にはレーザ光波干渉測長器（レーザ干
渉計）１１からのレーザビームを反射する移動鏡１１ｍ
が固定され、レチクルステージＲＳの２次元的な位置は
レーザ干渉計１１によって、例えば０．０１μｍ程度の
分解能で常時検出されている。レチクルＲの上方にはレ
チクルアライメント系（ＲＡ系）１０Ａ及び１０Ｂが配
置され、これらＲＡ系１０Ａ及び１０Ｂは、レチクルＲ
の外周付近に形成された２個の十字型のアライメントマ
ークを検出するものである。ＲＡ系１０Ａ及び１０Ｂか
らの計測信号に基づいてレチクルステージＲＳを微動さ
せることで、レチクルＲはパターン領域ＰＡの中心点が
投影光学系１３の光軸ＡＸと一致するように位置決めさ
れる。
【００２３】さて、レチクルＲのパターン領域ＰＡを通
過した照明光ＩＬは、両側テレセントリックな投影光学
系１３に入射し、投影光学系１３により１／５に縮小さ
れたレチクルＲの回路パターンの投影像が、表面にレジ
スト層が形成され、その表面が投影光学系１３の最良結
像面とほぼ一致するように保持されたウエハＷ上の１つ
のショット領域に重ね合わせて投影（結像）される。
過した照明光ＩＬは、両側テレセントリックな投影光学
系１３に入射し、投影光学系１３により１／５に縮小さ
れたレチクルＲの回路パターンの投影像が、表面にレジ
スト層が形成され、その表面が投影光学系１３の最良結
像面とほぼ一致するように保持されたウエハＷ上の１つ
のショット領域に重ね合わせて投影（結像）される。
【００２４】ウエハＷは、微小回転可能なウエハホルダ
（不図示）に真空吸着され、このウエハホルダを介して
ウエハステージＷＳ上に保持されている。ウエハステー
ジＷＳは、モーター１６によりステップ・アンド・リピ
ート方式で２次元移動可能に構成され、ウエハＷ上の１
つのショット領域に対するレチクルＲの転写露光が終了
すると、ウエハステージＷＳは次のショット位置までス
テッピングされる。ウエハステージＷＳの端部にはレー
ザ干渉計１５からのレーザビームを反射する移動鏡１５
ｍが固定され、ウエハステージＷＳの２次元的な座標
は、レーザ干渉計１５によって例えば０．０１μｍ程度
の分解能で常時検出されている。レーザ干渉計１５は、
ウエハステージＷＳの投影光学系１３の光軸ＡＸに垂直
な一方向（これをＸ方向とする）及びこれに垂直なＹ方
向の座標を計測するものであり、それらＸ方向及びＹ方
向の座標によりウエハステージＷＳのステージ座標系
（静止座標系）（Ｘ，Ｙ）が定められる。即ち、レーザ
干渉計１５により計測されるウエハステージＷＳの座標
値が、ステージ座標系（Ｘ，Ｙ）上の座標値である。
（不図示）に真空吸着され、このウエハホルダを介して
ウエハステージＷＳ上に保持されている。ウエハステー
ジＷＳは、モーター１６によりステップ・アンド・リピ
ート方式で２次元移動可能に構成され、ウエハＷ上の１
つのショット領域に対するレチクルＲの転写露光が終了
すると、ウエハステージＷＳは次のショット位置までス
テッピングされる。ウエハステージＷＳの端部にはレー
ザ干渉計１５からのレーザビームを反射する移動鏡１５
ｍが固定され、ウエハステージＷＳの２次元的な座標
は、レーザ干渉計１５によって例えば０．０１μｍ程度
の分解能で常時検出されている。レーザ干渉計１５は、
ウエハステージＷＳの投影光学系１３の光軸ＡＸに垂直
な一方向（これをＸ方向とする）及びこれに垂直なＹ方
向の座標を計測するものであり、それらＸ方向及びＹ方
向の座標によりウエハステージＷＳのステージ座標系
（静止座標系）（Ｘ，Ｙ）が定められる。即ち、レーザ
干渉計１５により計測されるウエハステージＷＳの座標
値が、ステージ座標系（Ｘ，Ｙ）上の座標値である。
【００２５】また、ウエハステージＷＳ上にはベースラ
イン量（後述）の計測時等で用いられる基準マークを備
えた基準部材（ガラス基板）１４が、ウエハＷの露光面
とほぼ同じ高さになるように設けられている。基準部材
１４には基準マークとして、光透過性の５組のＬ字状パ
ターンから成るスリットパターンと、光反射性のクロム
で形成された２組の基準パターン（デューティ比は１：
１）とが設けられている。一方の組の基準パターンは、
Ｙ方向に配列された７個のドットマークをＸ方向に３列
配列してなる回折格子マークと、３本の直線パターンを
Ｘ方向に配列してなる回折格子マークと、Ｙ方向に延び
た１２本のバーマークとを、Ｘ方向に配列したものであ
る。他方の組の基準パターンはその一方の組の基準パタ
ーンを９０°回転したものである。
イン量（後述）の計測時等で用いられる基準マークを備
えた基準部材（ガラス基板）１４が、ウエハＷの露光面
とほぼ同じ高さになるように設けられている。基準部材
１４には基準マークとして、光透過性の５組のＬ字状パ
ターンから成るスリットパターンと、光反射性のクロム
で形成された２組の基準パターン（デューティ比は１：
１）とが設けられている。一方の組の基準パターンは、
Ｙ方向に配列された７個のドットマークをＸ方向に３列
配列してなる回折格子マークと、３本の直線パターンを
Ｘ方向に配列してなる回折格子マークと、Ｙ方向に延び
た１２本のバーマークとを、Ｘ方向に配列したものであ
る。他方の組の基準パターンはその一方の組の基準パタ
ーンを９０°回転したものである。
【００２６】さて、光ファイバー（不図示）等を用いて
基準部材１４の下へ伝送された照明光（露光光）によっ
て、基準部材１４に形成されたスリットパターンが下方
（ウエハステージ内部）から照明されるように構成され
ている。基準部材１４のスリットパターンを透過した照
明光は、投影光学系１３を介してレチクルＲの裏面（パ
ターン面）にスリットパターンの投影像を結像する。更
に、レチクルＲ上の４個のレチクルマークの何れかを通
過した照明光は、メインコンデンサーレンズ９、リレー
レンズ７，５等を通ってビームスプリッター４に達し、
ビームスプリッター４を透過した照明光が、投影光学系
１３の瞳共役面の近傍に配置された光電検出器３５によ
り受光される。光電検出器３５は照明光の強度に応じた
光電信号ＳＳを主制御系１８に出力する。以下では、光
ファイバー（不図示）、基準部材１４及び光電検出器３
５をまとめてＩＳＳ（Imaging Slit Sensor)系と呼ぶ。
基準部材１４の下へ伝送された照明光（露光光）によっ
て、基準部材１４に形成されたスリットパターンが下方
（ウエハステージ内部）から照明されるように構成され
ている。基準部材１４のスリットパターンを透過した照
明光は、投影光学系１３を介してレチクルＲの裏面（パ
ターン面）にスリットパターンの投影像を結像する。更
に、レチクルＲ上の４個のレチクルマークの何れかを通
過した照明光は、メインコンデンサーレンズ９、リレー
レンズ７，５等を通ってビームスプリッター４に達し、
ビームスプリッター４を透過した照明光が、投影光学系
１３の瞳共役面の近傍に配置された光電検出器３５によ
り受光される。光電検出器３５は照明光の強度に応じた
光電信号ＳＳを主制御系１８に出力する。以下では、光
ファイバー（不図示）、基準部材１４及び光電検出器３
５をまとめてＩＳＳ（Imaging Slit Sensor)系と呼ぶ。
【００２７】また、図２中には投影光学系１３の結像特
性を調整できる結像特性補正部１９も設けられている。
本実施例における結像特性補正部１９は、投影光学系１
３を構成する一部のレンズエレメント、特にレチクルＲ
に近い複数のレンズエレメントの各々を、ピエゾ素子等
の圧電素子を用いて独立に駆動（光軸ＡＸに対して平行
な方向の移動又は傾斜）することで、投影光学系１３の
結像特性、例えば投影倍率やディストーションを補正す
るものである。
性を調整できる結像特性補正部１９も設けられている。
本実施例における結像特性補正部１９は、投影光学系１
３を構成する一部のレンズエレメント、特にレチクルＲ
に近い複数のレンズエレメントの各々を、ピエゾ素子等
の圧電素子を用いて独立に駆動（光軸ＡＸに対して平行
な方向の移動又は傾斜）することで、投影光学系１３の
結像特性、例えば投影倍率やディストーションを補正す
るものである。
【００２８】次に、投影光学系１３の側方にはオフ・ア
クシス方式のアライメントセンサー（以下「Field Imag
e Alignment 系（ＦＩＡ系）」という）が設けられてい
る。このＦＩＡ系において、ハロゲンランプ２０で発生
した光をコンデンサーレンズ２１及び光ファイバー２２
を介して干渉フィルター２３に導き、ここでレジスト層
の感光波長域及び赤外波長域の光をカットする。干渉フ
ィルター２３を透過した光は、レンズ系２４、ビームス
プリッター２５、ミラー２６及び視野絞りＢＲを介して
テレセントリックな対物レンズ２７に入射する。対物レ
ンズ２７から射出された光が、投影光学系１３の照明視
野を遮光しないように投影光学系１３の鏡筒下部周辺に
固定されたプリズム（又はミラー）２８で反射され、ウ
エハＷをほぼ垂直に照射する。
クシス方式のアライメントセンサー（以下「Field Imag
e Alignment 系（ＦＩＡ系）」という）が設けられてい
る。このＦＩＡ系において、ハロゲンランプ２０で発生
した光をコンデンサーレンズ２１及び光ファイバー２２
を介して干渉フィルター２３に導き、ここでレジスト層
の感光波長域及び赤外波長域の光をカットする。干渉フ
ィルター２３を透過した光は、レンズ系２４、ビームス
プリッター２５、ミラー２６及び視野絞りＢＲを介して
テレセントリックな対物レンズ２７に入射する。対物レ
ンズ２７から射出された光が、投影光学系１３の照明視
野を遮光しないように投影光学系１３の鏡筒下部周辺に
固定されたプリズム（又はミラー）２８で反射され、ウ
エハＷをほぼ垂直に照射する。
【００２９】対物レンズ２７からの光は、ウエハＷ上の
ウエハマーク（下地マーク）を含む部分領域に照射さ
れ、当該領域から反射された光はプリズム２８、対物レ
ンズ２７、視野絞りＢＲ、ミラー２６、ビームスプリッ
ター２５及びレンズ系２９を介して指標板３０に導かれ
る。ここで、指標板３０は対物レンズ２７及びレンズ系
２９に関してウエハＷと共役な面内に配置され、ウエハ
Ｗ上のウエハマークの像は指標板３０の透明窓内に結像
される。更に指標板３０には、その透明窓内に指標マー
クとして、Ｙ方向に延びた２本の直線状マークをＸ方向
に所定間隔だけ離して配置したものが形成されている。
指標板３０を通過した光は、第１リレーレンズ系３１、
ミラー３２及び第２リレーレンズ系３３を介して撮像素
子（ＣＣＤカメラ等）３４へ導かれ、撮像素子３４の受
光面上にはウエハマークの像と指標マークの像とが結像
される。撮像素子３４からの撮像信号ＳＶは主制御系１
８に供給され、ここでウエハマークのＸ方向の位置（座
標値）が算出される。なお、図２中には示していない
が、上記構成のＦＩＡ系（Ｘ軸用のＦＩＡ系）の他に、
Ｙ方向のマーク位置を検出するためのもう１組のＦＩＡ
系（Ｙ軸用のＦＩＡ系）も設けられている。
ウエハマーク（下地マーク）を含む部分領域に照射さ
れ、当該領域から反射された光はプリズム２８、対物レ
ンズ２７、視野絞りＢＲ、ミラー２６、ビームスプリッ
ター２５及びレンズ系２９を介して指標板３０に導かれ
る。ここで、指標板３０は対物レンズ２７及びレンズ系
２９に関してウエハＷと共役な面内に配置され、ウエハ
Ｗ上のウエハマークの像は指標板３０の透明窓内に結像
される。更に指標板３０には、その透明窓内に指標マー
クとして、Ｙ方向に延びた２本の直線状マークをＸ方向
に所定間隔だけ離して配置したものが形成されている。
指標板３０を通過した光は、第１リレーレンズ系３１、
ミラー３２及び第２リレーレンズ系３３を介して撮像素
子（ＣＣＤカメラ等）３４へ導かれ、撮像素子３４の受
光面上にはウエハマークの像と指標マークの像とが結像
される。撮像素子３４からの撮像信号ＳＶは主制御系１
８に供給され、ここでウエハマークのＸ方向の位置（座
標値）が算出される。なお、図２中には示していない
が、上記構成のＦＩＡ系（Ｘ軸用のＦＩＡ系）の他に、
Ｙ方向のマーク位置を検出するためのもう１組のＦＩＡ
系（Ｙ軸用のＦＩＡ系）も設けられている。
【００３０】次に、投影光学系１３の上部側方にはＴＴ
Ｌ（スルー・ザ・レンズ）方式のアライメントセンサー
１７も配置され、アライメントセンサー１７からの位置
検出用の光がミラーＭ１及びＭ２を介して投影光学系１
３に導かれている。その位置検出用の光は投影光学系１
３を介してウエハＷ上のウエハマーク上に照射され、こ
のウエハマークからの反射光が投影光学系１３、ミラー
Ｍ２及びミラーＭ１を介してアライメントセンサー１７
に戻される。アライメントセンサー１７は戻された反射
光を光電変換して得られた信号から、ウエハＷ上のウエ
ハマークの位置を求める。
Ｌ（スルー・ザ・レンズ）方式のアライメントセンサー
１７も配置され、アライメントセンサー１７からの位置
検出用の光がミラーＭ１及びＭ２を介して投影光学系１
３に導かれている。その位置検出用の光は投影光学系１
３を介してウエハＷ上のウエハマーク上に照射され、こ
のウエハマークからの反射光が投影光学系１３、ミラー
Ｍ２及びミラーＭ１を介してアライメントセンサー１７
に戻される。アライメントセンサー１７は戻された反射
光を光電変換して得られた信号から、ウエハＷ上のウエ
ハマークの位置を求める。
【００３１】図３は、図２中のＴＴＬ方式のアライメン
トセンサー１７の詳細な構成を示し、この図３におい
て、本例のアライメントセンサー１７は、２光束干渉方
式のアライメント系（以下「ＬＩＡ系」という）とレー
ザ・ステップ・アライメント方式のアライメント系（以
下「ＬＳＡ系」という）とをその光学部材を最大限共有
させて組み合わせたものである。ここでは簡単に説明す
るが、より具体的な構成は特開平２−２７２３０５号公
報に開示されている。
トセンサー１７の詳細な構成を示し、この図３におい
て、本例のアライメントセンサー１７は、２光束干渉方
式のアライメント系（以下「ＬＩＡ系」という）とレー
ザ・ステップ・アライメント方式のアライメント系（以
下「ＬＳＡ系」という）とをその光学部材を最大限共有
させて組み合わせたものである。ここでは簡単に説明す
るが、より具体的な構成は特開平２−２７２３０５号公
報に開示されている。
【００３２】図３において、光源（Ｈｅ−Ｎｅレーザ光
源等）４０から射出されたレーザビームはビームスプリ
ッター４１で分割され、ここで反射されたレーザビーム
はシャッター４２を介して第１ビーム成形光学系（ＬＩ
Ａ光学系）４５に入射する。一方、ビームスプリッター
４１を透過したレーザビームは、シャッター４３及びミ
ラー４４を介して第２ビーム成形光学系（ＬＳＡ光学
系）４６に入射する。従って、シャッター４２及び４３
を適宜駆動することにより、ＬＩＡ系とＬＳＡ系とを切
り換えて使用することができる。
源等）４０から射出されたレーザビームはビームスプリ
ッター４１で分割され、ここで反射されたレーザビーム
はシャッター４２を介して第１ビーム成形光学系（ＬＩ
Ａ光学系）４５に入射する。一方、ビームスプリッター
４１を透過したレーザビームは、シャッター４３及びミ
ラー４４を介して第２ビーム成形光学系（ＬＳＡ光学
系）４６に入射する。従って、シャッター４２及び４３
を適宜駆動することにより、ＬＩＡ系とＬＳＡ系とを切
り換えて使用することができる。
【００３３】さて、ＬＩＡ光学系４５は２組の音響光学
変調器等を含み、所定の周波数差△ｆを与えた２本のレ
ーザビームを、その光軸を挟んでほぼ対称に射出する。
更に、ＬＩＡ光学系４５から射出された２本のレーザビ
ームは、ミラー４７及びビームスプリッター４８を介し
てビームスプリッター４９に達し、ここを透過した２本
のレーザビームはレンズ系（逆フーリエ変換レンズ）５
３及びミラー５４を経て、装置上で固定されている参照
用回折格子５５に、互いに異なる２方向から所定の交差
角で入射して結像（交差）する。光電検出器５６は、参
照用回折格子５５を透過してほぼ同一方向に発生する回
折光同士の干渉光を受光し、回折光強度に応じた正弦波
状の光電信号ＳＲを主制御系１８（図２参照）内のＬＩ
Ａ演算ユニット５８に出力する。
変調器等を含み、所定の周波数差△ｆを与えた２本のレ
ーザビームを、その光軸を挟んでほぼ対称に射出する。
更に、ＬＩＡ光学系４５から射出された２本のレーザビ
ームは、ミラー４７及びビームスプリッター４８を介し
てビームスプリッター４９に達し、ここを透過した２本
のレーザビームはレンズ系（逆フーリエ変換レンズ）５
３及びミラー５４を経て、装置上で固定されている参照
用回折格子５５に、互いに異なる２方向から所定の交差
角で入射して結像（交差）する。光電検出器５６は、参
照用回折格子５５を透過してほぼ同一方向に発生する回
折光同士の干渉光を受光し、回折光強度に応じた正弦波
状の光電信号ＳＲを主制御系１８（図２参照）内のＬＩ
Ａ演算ユニット５８に出力する。
【００３４】一方、ビームスプリッター４９で反射され
た２本のレーザビームは、対物レンズ５０によって視野
絞り５１の開口部で一度交差した後、ミラーＭ２（図２
中のミラーＭ１は図示省略）を介して投影光学系１３に
入射する。更に、投影光学系１３に入射した２本のレー
ザビームは、投影光学系１３の瞳面で光軸ＡＸに関して
ほぼ対称となって一度スポット状に集光した後、ウエハ
Ｗ上のウエハマークのピッチ方向（Ｙ方向）に関して光
軸ＡＸを挟んで互いに対称的な角度で傾いた平行光束と
なって、ウエハマーク上に異なる２方向から所定の交差
角で入射する。ウエハマーク上には周波数差△ｆに対応
した速度で移動する１次元の干渉縞が形成され、当該マ
ークから同一方向、ここでは光軸方向に発生した±１次
回折光（干渉光）は投影光学系１３、対物レンズ５０等
を介して光電検出器５２で受光され、光電検出器５２は
干渉縞の明暗変化の周期に応じた正弦波状の光電信号Ｓ
ＤｗをＬＩＡ演算ユニット５８に出力する。ＬＩＡ演算
ユニット５８は、２つの光電信号ＳＲ及びＳＤｗの波形
上の位相差からそのウエハマークの位置ずれ量を算出す
ると共に、レーザ干渉計１５からの位置信号ＰＤｓを用
いて、当該位置ずれ量が零となるときのウエハステージ
ＷＳの座標位置を求め、この情報をアライメントデータ
記憶部６１（図４参照）に出力する。
た２本のレーザビームは、対物レンズ５０によって視野
絞り５１の開口部で一度交差した後、ミラーＭ２（図２
中のミラーＭ１は図示省略）を介して投影光学系１３に
入射する。更に、投影光学系１３に入射した２本のレー
ザビームは、投影光学系１３の瞳面で光軸ＡＸに関して
ほぼ対称となって一度スポット状に集光した後、ウエハ
Ｗ上のウエハマークのピッチ方向（Ｙ方向）に関して光
軸ＡＸを挟んで互いに対称的な角度で傾いた平行光束と
なって、ウエハマーク上に異なる２方向から所定の交差
角で入射する。ウエハマーク上には周波数差△ｆに対応
した速度で移動する１次元の干渉縞が形成され、当該マ
ークから同一方向、ここでは光軸方向に発生した±１次
回折光（干渉光）は投影光学系１３、対物レンズ５０等
を介して光電検出器５２で受光され、光電検出器５２は
干渉縞の明暗変化の周期に応じた正弦波状の光電信号Ｓ
ＤｗをＬＩＡ演算ユニット５８に出力する。ＬＩＡ演算
ユニット５８は、２つの光電信号ＳＲ及びＳＤｗの波形
上の位相差からそのウエハマークの位置ずれ量を算出す
ると共に、レーザ干渉計１５からの位置信号ＰＤｓを用
いて、当該位置ずれ量が零となるときのウエハステージ
ＷＳの座標位置を求め、この情報をアライメントデータ
記憶部６１（図４参照）に出力する。
【００３５】また、ＬＳＡ光学系４６はビームエクスパ
ンダー、シリンドリカルレンズ等を含み、ＬＳＡ光学系
４６から射出されたレーザビームはビームスプリッター
４８及び４９を介して対物レンズ５０に入射する。更
に、対物レンズ５０から射出されるレーザビームは、一
度視野絞り５１の開口部でスリット状に収束した後、ミ
ラーＭ２を介して投影光学系１３に入射する。投影光学
系１３に入射したレーザビームは、その瞳面のほぼ中央
を通った後、投影光学系１３のイメージフィールド内で
Ｘ方向に伸び、且つ光軸ＡＸに向かうような細長い帯状
スポット光としてウエハＷ上に投影される。
ンダー、シリンドリカルレンズ等を含み、ＬＳＡ光学系
４６から射出されたレーザビームはビームスプリッター
４８及び４９を介して対物レンズ５０に入射する。更
に、対物レンズ５０から射出されるレーザビームは、一
度視野絞り５１の開口部でスリット状に収束した後、ミ
ラーＭ２を介して投影光学系１３に入射する。投影光学
系１３に入射したレーザビームは、その瞳面のほぼ中央
を通った後、投影光学系１３のイメージフィールド内で
Ｘ方向に伸び、且つ光軸ＡＸに向かうような細長い帯状
スポット光としてウエハＷ上に投影される。
【００３６】スポット光とウエハＷ上のウエハマーク
（回折格子マーク）とをＹ方向に相対移動したとき、当
該ウエハマークから発生する光は投影光学系１３、対物
レンズ５０等を介して光電検出器５２で受光される。光
電検出器５２は、ウエハマークからの光のうち±１次〜
３次回折光のみを光電変換し、このように光電変換して
得られた光強度に応じた光電信号ＳＤｉを主制御系１８
内のＬＳＡ演算ユニット５７に出力する。ＬＳＡ演算ユ
ニット５７にはレーザ干渉計１５からの位置信号ＰＤｓ
も供給され、ＬＳＡ演算ユニット５７はウエハステージ
ＷＳの単位移動量毎に発生するアップダウンパルスに同
期して光電信号ＳＤｉをサンプリングする。更に、ＬＳ
Ａ演算ユニット５７は、各サンプリング値をデジタル値
に変換してメモリに番地順に記憶させた後、所定の演算
処理によってウエハマークのＹ方向の位置を算出し、こ
の情報を図４のアライメントデータ記憶部６１に出力す
る。
（回折格子マーク）とをＹ方向に相対移動したとき、当
該ウエハマークから発生する光は投影光学系１３、対物
レンズ５０等を介して光電検出器５２で受光される。光
電検出器５２は、ウエハマークからの光のうち±１次〜
３次回折光のみを光電変換し、このように光電変換して
得られた光強度に応じた光電信号ＳＤｉを主制御系１８
内のＬＳＡ演算ユニット５７に出力する。ＬＳＡ演算ユ
ニット５７にはレーザ干渉計１５からの位置信号ＰＤｓ
も供給され、ＬＳＡ演算ユニット５７はウエハステージ
ＷＳの単位移動量毎に発生するアップダウンパルスに同
期して光電信号ＳＤｉをサンプリングする。更に、ＬＳ
Ａ演算ユニット５７は、各サンプリング値をデジタル値
に変換してメモリに番地順に記憶させた後、所定の演算
処理によってウエハマークのＹ方向の位置を算出し、こ
の情報を図４のアライメントデータ記憶部６１に出力す
る。
【００３７】次に、図２の主制御系１８の構成につき図
４を参照して説明する。図４は本例の主制御系１８及び
これと関連する部材を示し、この図４において、ＬＳＡ
演算ユニット５７、ＬＩＡ演算ユニット５８、ＦＩＡ演
算ユニット５９、波形データ記憶回路６０、アライメン
トデータ記憶部６１、ＥＧＡ演算ユニット６２、記憶部
６３、ショットマップデータ部６４、システムコントロ
ーラ６５、ウエハステージコントローラ６６及びレチク
ルステージコントローラ６７より主制御系１８が構成さ
れている。これらの部材の内で、波形データ記憶回路６
０は、ＬＳＡ演算ユニット５７、ＬＩＡ演算ユニット５
８及びＦＩＡ演算ユニット５９に供給される光電信号Ｓ
Ｄｉ、ＳＲ及びＳＶの波形をデジタルデータとして記憶
する回路である。そして、ＬＳＡ演算ユニット５７、Ｌ
ＩＡ演算ユニット５８及びＦＩＡ演算ユニット５９は、
必要に応じてその波形データ記憶回路６０から対応する
光電信号を読み出して、各ウエハマークのステージ座標
系（Ｘ，Ｙ）での座標位置を求め、この求めた座標位置
をアライメントデータ記憶部６１に供給する。アライメ
ントデータ記憶部６１の計測された座標位置の情報はＥ
ＧＡ演算ユニット６２に供給される。
４を参照して説明する。図４は本例の主制御系１８及び
これと関連する部材を示し、この図４において、ＬＳＡ
演算ユニット５７、ＬＩＡ演算ユニット５８、ＦＩＡ演
算ユニット５９、波形データ記憶回路６０、アライメン
トデータ記憶部６１、ＥＧＡ演算ユニット６２、記憶部
６３、ショットマップデータ部６４、システムコントロ
ーラ６５、ウエハステージコントローラ６６及びレチク
ルステージコントローラ６７より主制御系１８が構成さ
れている。これらの部材の内で、波形データ記憶回路６
０は、ＬＳＡ演算ユニット５７、ＬＩＡ演算ユニット５
８及びＦＩＡ演算ユニット５９に供給される光電信号Ｓ
Ｄｉ、ＳＲ及びＳＶの波形をデジタルデータとして記憶
する回路である。そして、ＬＳＡ演算ユニット５７、Ｌ
ＩＡ演算ユニット５８及びＦＩＡ演算ユニット５９は、
必要に応じてその波形データ記憶回路６０から対応する
光電信号を読み出して、各ウエハマークのステージ座標
系（Ｘ，Ｙ）での座標位置を求め、この求めた座標位置
をアライメントデータ記憶部６１に供給する。アライメ
ントデータ記憶部６１の計測された座標位置の情報はＥ
ＧＡ演算ユニット６２に供給される。
【００３８】ショットマップデータ記憶部６４には、ウ
エハＷ上の各ショット領域に属するウエハマークのウエ
ハＷ上の座標系（ｘ，ｙ）での設計上の配列座標値が記
憶され、これら設計上の配列座標値もＥＧＡ演算ユニッ
ト６２に供給される。ＥＧＡ演算ユニット６２は、計測
された座標値及び設計上の座標値に基づいて、最小自乗
法によりウエハＷ上の座標系（ｘ，ｙ）での設計上の配
列座標値からステージ座標系（Ｘ，Ｙ）での計算上の配
列座標値を求めるための６個の変換パラメータ（（数
１）の変換パラメータａ〜ｆに対応するもの）を求め、
これら変換パラメータａ〜ｆ及びこれら変換パラメータ
を使用したときの残留誤差成分（本例では設計値と計測
値との残差の単純な自乗和）を記憶部６３に供給する。
エハＷ上の各ショット領域に属するウエハマークのウエ
ハＷ上の座標系（ｘ，ｙ）での設計上の配列座標値が記
憶され、これら設計上の配列座標値もＥＧＡ演算ユニッ
ト６２に供給される。ＥＧＡ演算ユニット６２は、計測
された座標値及び設計上の座標値に基づいて、最小自乗
法によりウエハＷ上の座標系（ｘ，ｙ）での設計上の配
列座標値からステージ座標系（Ｘ，Ｙ）での計算上の配
列座標値を求めるための６個の変換パラメータ（（数
１）の変換パラメータａ〜ｆに対応するもの）を求め、
これら変換パラメータａ〜ｆ及びこれら変換パラメータ
を使用したときの残留誤差成分（本例では設計値と計測
値との残差の単純な自乗和）を記憶部６３に供給する。
【００３９】この際に、システムコントローラ６５は、
ＬＳＡ演算ユニット５７、ＬＩＡ演算ユニット５８及び
ＦＩＡ演算ユニット５９に対して信号処理条件（後述）
を種々に変えてウエハマークの座標位置を繰り返して算
出させ、これに応じてＥＧＡ演算ユニット６２はそれぞ
れ変換パラメータａ〜ｆ及び残留誤差成分を求める。そ
して、ＥＧＡ演算ユニット６２は、最終的に残留誤差成
分が最小になるときの変換パラメータａ〜ｆ及びこのと
きの信号処理条件を記憶部６３に記憶させる。更にＥＧ
Ａ演算ユニット６２は、そのように記憶された変換パラ
メータａ〜ｆを用いてウエハＷ上の座標系（ｘ，ｙ）で
の設計上の配列座標値からステージ座標系（Ｘ，Ｙ）で
の計算上の配列座標値を求め、この計算上の配列座標値
をシステムコントローラ６５に供給する。
ＬＳＡ演算ユニット５７、ＬＩＡ演算ユニット５８及び
ＦＩＡ演算ユニット５９に対して信号処理条件（後述）
を種々に変えてウエハマークの座標位置を繰り返して算
出させ、これに応じてＥＧＡ演算ユニット６２はそれぞ
れ変換パラメータａ〜ｆ及び残留誤差成分を求める。そ
して、ＥＧＡ演算ユニット６２は、最終的に残留誤差成
分が最小になるときの変換パラメータａ〜ｆ及びこのと
きの信号処理条件を記憶部６３に記憶させる。更にＥＧ
Ａ演算ユニット６２は、そのように記憶された変換パラ
メータａ〜ｆを用いてウエハＷ上の座標系（ｘ，ｙ）で
の設計上の配列座標値からステージ座標系（Ｘ，Ｙ）で
の計算上の配列座標値を求め、この計算上の配列座標値
をシステムコントローラ６５に供給する。
【００４０】これに応じて、システムコントローラ６５
は、ウエハステージコントローラ６６を介してレーザ干
渉計１５の計測値をモニターしつつ、モーター１６を介
して図２のウエハステージＷＳを駆動して、ウエハＷ上
の各ショット領域の位置決め及び各ショット領域への露
光を行う。また、システムコントローラ６５は、レチク
ルステージコントローラ６７を介してレーザ干渉計１１
の計測値をモニターしつつ、モーター１２を介して図２
のレチクルステージＲＳを駆動して、レチクルＲの位置
調整を行う。
は、ウエハステージコントローラ６６を介してレーザ干
渉計１５の計測値をモニターしつつ、モーター１６を介
して図２のウエハステージＷＳを駆動して、ウエハＷ上
の各ショット領域の位置決め及び各ショット領域への露
光を行う。また、システムコントローラ６５は、レチク
ルステージコントローラ６７を介してレーザ干渉計１１
の計測値をモニターしつつ、モーター１２を介して図２
のレチクルステージＲＳを駆動して、レチクルＲの位置
調整を行う。
【００４１】次に、本例でウエハＷ上の各ショット領域
の位置決めを行って、各ショット領域にレチクルＲのパ
ターン像を投影露光する際の動作につき説明する。先ず
ウエハＷ上のショット領域の配列及びアライメントマー
クとしてのウエハマークの形状等につき説明する。図５
（ａ）はウエハＷ上のショット領域の配列を示し、この
図５（ａ）において、ウエハＷ上にはウエハＷ上に設定
された座標系（ｘ，ｙ）に沿って規則的にショット領域
ＥＳ１，ＥＳ２，‥‥，ＥＳＮが形成され、各ショット
領域ＥＳｉにはそれまでの工程によりそれぞれチップパ
ターンが形成されている。また、各ショット領域ＥＳｉ
はｘ方向及びｙ方向に所定幅のストリートラインで区切
られており、各ショット領域ＥＳｉに近接するｘ方向に
伸びたストリートラインの中央部にアライメントマーク
としてのＸ方向のウエハマークＭｘｉが形成され、各シ
ョット領域ＥＳｉに近接するｙ方向に伸びたストリート
ラインの中央部にＹ方向のウエハマークＭｙｉが形成さ
れている。ウエハマークＭｘｉ及びＭｙｉはそれぞれｘ
方向及びｙ方向に所定ピッチで３本の直線パターンを並
べたものであり、これらのパターンはウエハＷの下部に
凹部又は凸部のパターンとして形成したものである。
の位置決めを行って、各ショット領域にレチクルＲのパ
ターン像を投影露光する際の動作につき説明する。先ず
ウエハＷ上のショット領域の配列及びアライメントマー
クとしてのウエハマークの形状等につき説明する。図５
（ａ）はウエハＷ上のショット領域の配列を示し、この
図５（ａ）において、ウエハＷ上にはウエハＷ上に設定
された座標系（ｘ，ｙ）に沿って規則的にショット領域
ＥＳ１，ＥＳ２，‥‥，ＥＳＮが形成され、各ショット
領域ＥＳｉにはそれまでの工程によりそれぞれチップパ
ターンが形成されている。また、各ショット領域ＥＳｉ
はｘ方向及びｙ方向に所定幅のストリートラインで区切
られており、各ショット領域ＥＳｉに近接するｘ方向に
伸びたストリートラインの中央部にアライメントマーク
としてのＸ方向のウエハマークＭｘｉが形成され、各シ
ョット領域ＥＳｉに近接するｙ方向に伸びたストリート
ラインの中央部にＹ方向のウエハマークＭｙｉが形成さ
れている。ウエハマークＭｘｉ及びＭｙｉはそれぞれｘ
方向及びｙ方向に所定ピッチで３本の直線パターンを並
べたものであり、これらのパターンはウエハＷの下部に
凹部又は凸部のパターンとして形成したものである。
【００４２】ウエハＷへの露光を行う際には、それらシ
ョット領域ＥＳｉの内から例えば斜線を施して示す９個
のショット領域が選択される。このように選択されたシ
ョット領域をサンプルショットＳＡ１〜ＳＡ９とする
と、各サンプルショットＳＡｉにはそれぞれウエハマー
クＭｘｉ及びＭｙｉが近接して形成されている。本例で
はこれらウエハマークＭｘｉ及びＭｙｉの位置を計測す
ることにより、各サンプルショットＳＡ１〜ＳＡ９のス
テージ座標系（Ｘ，Ｙ）上での座標位置を計測する。具
体的にウエハマークＭｘ１の撮像信号が、例えば図２の
撮像素子３４を介して図４のＦＩＡ演算ユニット５９に
供給され、ＦＩＡ演算ユニット５９では設定された計測
パラメータのもとでそのウエハマークＭＸ１のＸ方向の
位置検出を行う。
ョット領域ＥＳｉの内から例えば斜線を施して示す９個
のショット領域が選択される。このように選択されたシ
ョット領域をサンプルショットＳＡ１〜ＳＡ９とする
と、各サンプルショットＳＡｉにはそれぞれウエハマー
クＭｘｉ及びＭｙｉが近接して形成されている。本例で
はこれらウエハマークＭｘｉ及びＭｙｉの位置を計測す
ることにより、各サンプルショットＳＡ１〜ＳＡ９のス
テージ座標系（Ｘ，Ｙ）上での座標位置を計測する。具
体的にウエハマークＭｘ１の撮像信号が、例えば図２の
撮像素子３４を介して図４のＦＩＡ演算ユニット５９に
供給され、ＦＩＡ演算ユニット５９では設定された計測
パラメータのもとでそのウエハマークＭＸ１のＸ方向の
位置検出を行う。
【００４３】図５（ｂ）はウエハマークの他の例を示
し、この図５（ｂ）において、計測方向であるＸ方向に
対して所定ピッチの回折格子状のパターンからなるウエ
ハマークＭＡｘが形成されている。このウエハマークＭ
Ａｘの位置検出を行うには、図２のアライメントセンサ
ー１７中のＬＩＡ光学系４５（図３参照）から射出され
る２本のレーザビームＢＭ1 及びＢＭ2 を所定の交差角
でそのウエハマークＭＡｘ上に照射する。その交差角及
びウエハマークＭＡｘのＸ方向のピッチは、レーザビー
ムＢＭ1 によるウエハマークＭＡｘからの−１次回折光
Ｂ1(-1) 及びレーザービームＢＭ2 によるウエハマーク
ＭＡｘからの＋１次回折光Ｂ2(+) が平行になるように
設定される。これら−１次回折光Ｂ1(-1) 及び＋１次回
折光Ｂ2(+)の干渉光が図３の光電検出器５２で光電信号
ＳＤｗに変換され、この光電信号ＳＤｗがＬＩＡ演算ユ
ニット５８に供給され、ＬＩＡ演算ユニット５８では、
参照信号としての光電信号ＳＲと光電信号ＳＤｗとの位
相差より、ウエハマークＭＡｘのＸ方向の位置ずれ量を
算出する。
し、この図５（ｂ）において、計測方向であるＸ方向に
対して所定ピッチの回折格子状のパターンからなるウエ
ハマークＭＡｘが形成されている。このウエハマークＭ
Ａｘの位置検出を行うには、図２のアライメントセンサ
ー１７中のＬＩＡ光学系４５（図３参照）から射出され
る２本のレーザビームＢＭ1 及びＢＭ2 を所定の交差角
でそのウエハマークＭＡｘ上に照射する。その交差角及
びウエハマークＭＡｘのＸ方向のピッチは、レーザビー
ムＢＭ1 によるウエハマークＭＡｘからの−１次回折光
Ｂ1(-1) 及びレーザービームＢＭ2 によるウエハマーク
ＭＡｘからの＋１次回折光Ｂ2(+) が平行になるように
設定される。これら−１次回折光Ｂ1(-1) 及び＋１次回
折光Ｂ2(+)の干渉光が図３の光電検出器５２で光電信号
ＳＤｗに変換され、この光電信号ＳＤｗがＬＩＡ演算ユ
ニット５８に供給され、ＬＩＡ演算ユニット５８では、
参照信号としての光電信号ＳＲと光電信号ＳＤｗとの位
相差より、ウエハマークＭＡｘのＸ方向の位置ずれ量を
算出する。
【００４４】図５（ｃ）はウエハマークの更に他の例を
示し、この図５（ｃ）において、計測方向であるＸ方向
に垂直なＹ方向に対して所定ピッチで配列されたドット
マークからなるウエハマークＭＢｙが形成されている。
このウエハマークＭＢｙの位置検出を行うには、図２の
アライメントセンサー１７中のＬＳＡ光学系４６（図３
参照）から射出されたレーザビームを、そのウエハマー
クＭＢｙの近傍にＹ方向に長いスリット状のスポット光
ＬＹＳとして照射する。そして、図２のウエハステージ
ＷＳを駆動して、ウエハマークＭＢｙをそのスポット光
ＬＹＳに対して走査すると、スポット光ＬＹＳがウエハ
マークＭＢｙ上を走査している範囲では、ウエハマーク
ＭＢｙから所定の方向に回折光が射出される。この回折
光を図３の光電検出器５２で光電変換して得られた光電
信号ＳＤｉがＬＳＡ演算ユニット５７に供給され、ＬＳ
Ａ演算ユニット５７は設定された計測パラメータのもと
でウエハマークＭＢｙのＸ方向の位置を求める。
示し、この図５（ｃ）において、計測方向であるＸ方向
に垂直なＹ方向に対して所定ピッチで配列されたドット
マークからなるウエハマークＭＢｙが形成されている。
このウエハマークＭＢｙの位置検出を行うには、図２の
アライメントセンサー１７中のＬＳＡ光学系４６（図３
参照）から射出されたレーザビームを、そのウエハマー
クＭＢｙの近傍にＹ方向に長いスリット状のスポット光
ＬＹＳとして照射する。そして、図２のウエハステージ
ＷＳを駆動して、ウエハマークＭＢｙをそのスポット光
ＬＹＳに対して走査すると、スポット光ＬＹＳがウエハ
マークＭＢｙ上を走査している範囲では、ウエハマーク
ＭＢｙから所定の方向に回折光が射出される。この回折
光を図３の光電検出器５２で光電変換して得られた光電
信号ＳＤｉがＬＳＡ演算ユニット５７に供給され、ＬＳ
Ａ演算ユニット５７は設定された計測パラメータのもと
でウエハマークＭＢｙのＸ方向の位置を求める。
【００４５】次に、図４のＦＩＡ演算ユニット５９、Ｌ
ＳＡ演算ユニット５７及びＬＩＡ演算ユニット５８での
信号処理条件につき詳細に説明する。本例の信号処理条
件とは、波形解析アルゴリズム、スライスレベル及び処
理ゲート幅等を指す。また、処理ゲート幅とは設計上の
ウエハマークの位置を中心として定められる所定幅の領
域である。
ＳＡ演算ユニット５７及びＬＩＡ演算ユニット５８での
信号処理条件につき詳細に説明する。本例の信号処理条
件とは、波形解析アルゴリズム、スライスレベル及び処
理ゲート幅等を指す。また、処理ゲート幅とは設計上の
ウエハマークの位置を中心として定められる所定幅の領
域である。
【００４６】先ず、図６を参照してＦＩＡ演算ユニット
５９の信号処理条件につき簡単に説明する。図６（ａ）
は図２のＦＩＡ系の撮像素子３４で撮像されるウエハマ
ークＭｘ１の様子を示し、図６（ｂ）はそのときに得ら
れる撮像信号の波形を示す。この撮像信号は図４の波形
データ記憶回路６０に格納される。図６（ａ）に示すよ
うに、撮像素子３４の撮像視野ＶＳＡ内には、３本の直
線状パターンからなるウエハマークＭｘ１と、これを挟
むように図２の指標板３０上に形成された指標マークＦ
Ｍ１，ＦＭ２とが配置されている。撮像素子３４はそれ
らウエハマークＭｘ１及び指標マークＦＭ１，ＦＭ２の
像を水平走査線ＶＬに沿って電気的に走査する。この
際、１本の走査線だけではＳＮ比の点で不利なので、撮
像視野ＶＳＡに収まる複数本の水平走査線によって得ら
れる撮像信号のレベルを、水平方向の各画素毎に加算平
均することが望ましい。
５９の信号処理条件につき簡単に説明する。図６（ａ）
は図２のＦＩＡ系の撮像素子３４で撮像されるウエハマ
ークＭｘ１の様子を示し、図６（ｂ）はそのときに得ら
れる撮像信号の波形を示す。この撮像信号は図４の波形
データ記憶回路６０に格納される。図６（ａ）に示すよ
うに、撮像素子３４の撮像視野ＶＳＡ内には、３本の直
線状パターンからなるウエハマークＭｘ１と、これを挟
むように図２の指標板３０上に形成された指標マークＦ
Ｍ１，ＦＭ２とが配置されている。撮像素子３４はそれ
らウエハマークＭｘ１及び指標マークＦＭ１，ＦＭ２の
像を水平走査線ＶＬに沿って電気的に走査する。この
際、１本の走査線だけではＳＮ比の点で不利なので、撮
像視野ＶＳＡに収まる複数本の水平走査線によって得ら
れる撮像信号のレベルを、水平方向の各画素毎に加算平
均することが望ましい。
【００４７】図６（ｂ）に示すように、得られる撮像信
号の両側には指標マークＦＭ１，ＦＭ２のそれぞれに対
応した凹部があり、ＦＩＡ演算ユニット５９はこの凹部
をスライスレベルＳＬ２で検出し、両方の凹部の画素上
の中心位置を求める。そして、それら２個の中心位置の
中心として、指標マークＦＭ１，ＦＭ２を基準としたと
きの基準位置ｘ0 を求める。なお、指標マークＦＭ１，
ＦＭ２の各中心位置を求める代わりに、指標マークＦＭ
１の右エッジの位置と指標マークＦＭ２の左エッジの位
置とから、その基準位置ｘ0 を求めるようにしてもよ
い。
号の両側には指標マークＦＭ１，ＦＭ２のそれぞれに対
応した凹部があり、ＦＩＡ演算ユニット５９はこの凹部
をスライスレベルＳＬ２で検出し、両方の凹部の画素上
の中心位置を求める。そして、それら２個の中心位置の
中心として、指標マークＦＭ１，ＦＭ２を基準としたと
きの基準位置ｘ0 を求める。なお、指標マークＦＭ１，
ＦＭ２の各中心位置を求める代わりに、指標マークＦＭ
１の右エッジの位置と指標マークＦＭ２の左エッジの位
置とから、その基準位置ｘ0 を求めるようにしてもよ
い。
【００４８】また、図６（ｂ）に示すように、撮像信号
の内のウエハマークＭｘ１に対応する部分の波形は、各
直線状パターンの左エッジ及び右エッジに対応した位置
で凹部となっている。ＦＩＡ演算ユニット５９は、その
撮像信号のウエハマークＭｘ１に対応した凹部をスライ
スレベルＳＬ１で検出し、各直線状パターンの中心位置
を求めた後、各中心位置を平均化してウエハマークＭｘ
１の計測位置ｘc を算出する。そして、先に求めた基準
位置ｘ0 とウエハマークＭｘ１の計測位置ｘcとの差Δ
ｘ（＝ｘ0 −ｘc ）を算出し、図６（ａ）の撮像領域Ｖ
ＳＡ内にウエハークＭｘ１が位置決めされたときのウエ
ハステージＷＳの座標位置にその差Δｘを加算して得た
値を、マーク位置情報として図４のアライメントデータ
記憶部６１に供給する。
の内のウエハマークＭｘ１に対応する部分の波形は、各
直線状パターンの左エッジ及び右エッジに対応した位置
で凹部となっている。ＦＩＡ演算ユニット５９は、その
撮像信号のウエハマークＭｘ１に対応した凹部をスライ
スレベルＳＬ１で検出し、各直線状パターンの中心位置
を求めた後、各中心位置を平均化してウエハマークＭｘ
１の計測位置ｘc を算出する。そして、先に求めた基準
位置ｘ0 とウエハマークＭｘ１の計測位置ｘcとの差Δ
ｘ（＝ｘ0 −ｘc ）を算出し、図６（ａ）の撮像領域Ｖ
ＳＡ内にウエハークＭｘ１が位置決めされたときのウエ
ハステージＷＳの座標位置にその差Δｘを加算して得た
値を、マーク位置情報として図４のアライメントデータ
記憶部６１に供給する。
【００４９】従って、ＦＩＡ演算ユニット５９におい
て、変更可能な信号処理条件としては、波形解析アルゴ
リズム、スライスレベルＳＬ１、コントラストリミット
値及び図６（ｂ）の処理ゲート幅ＧＸ（画素上での幅Ｇ
ｘの中心位置とその幅）等がある。更に、波形解析アル
ゴリズムとしては、例えば特開平４−６５６０３号公報
に開示されているように、各直線状パターンの中心位置
を求めるに際して、図６（ｂ）に示すように、直線状パ
ターンの左エッジ及び右エッジに対応したスロープ部Ｂ
Ｓ1L，ＢＳ2L及びＢＳ1R，ＢＳ2Rの内、外スロープ部
ＢＳ1L，ＢＳ2Rのみを用いるモード、内スロープ部Ｂ
Ｓ1R，ＢＳ2Lのみを用いるモード、外スロープ部ＢＳ
1L，ＢＳ2R及び内スロープ部ＢＳ1R，ＢＳ2Lを用いるモ
ードがある。
て、変更可能な信号処理条件としては、波形解析アルゴ
リズム、スライスレベルＳＬ１、コントラストリミット
値及び図６（ｂ）の処理ゲート幅ＧＸ（画素上での幅Ｇ
ｘの中心位置とその幅）等がある。更に、波形解析アル
ゴリズムとしては、例えば特開平４−６５６０３号公報
に開示されているように、各直線状パターンの中心位置
を求めるに際して、図６（ｂ）に示すように、直線状パ
ターンの左エッジ及び右エッジに対応したスロープ部Ｂ
Ｓ1L，ＢＳ2L及びＢＳ1R，ＢＳ2Rの内、外スロープ部
ＢＳ1L，ＢＳ2Rのみを用いるモード、内スロープ部Ｂ
Ｓ1R，ＢＳ2Lのみを用いるモード、外スロープ部ＢＳ
1L，ＢＳ2R及び内スロープ部ＢＳ1R，ＢＳ2Lを用いるモ
ードがある。
【００５０】次に、図７を参照してＬＳＡ演算ユニット
５７での信号処理条件について説明する。図７（ａ）
は、Ｘ方向に配列されたドットパターンよりなるウエハ
マークＭＢｘをレーザビームによるＸ方向に長いスリッ
ト状のスポット光ＬＸＳで走査する状態を示し、図７
（ｂ）はその走査により得られる光電信号の波形を示
す。ＬＳＡ演算ユニット５７における波形解析アルゴリ
ズムとしては、例えば以下に述べる３つのアルゴリスム
がある。
５７での信号処理条件について説明する。図７（ａ）
は、Ｘ方向に配列されたドットパターンよりなるウエハ
マークＭＢｘをレーザビームによるＸ方向に長いスリッ
ト状のスポット光ＬＸＳで走査する状態を示し、図７
（ｂ）はその走査により得られる光電信号の波形を示
す。ＬＳＡ演算ユニット５７における波形解析アルゴリ
ズムとしては、例えば以下に述べる３つのアルゴリスム
がある。
【００５１】第１のアルゴリズムでは、所定の処理ゲー
ト幅の区間内で図７（ｂ）に示すような光電信号のスム
ージングを行った後、得られた信号波形を設定されたス
ライスレベルＶｒでスライスする。そして、図７（ｂ）
に示すように、信号波形の左右に交点があると、それら
２つの交点の中心点をマーク位置として検出するもので
ある。
ト幅の区間内で図７（ｂ）に示すような光電信号のスム
ージングを行った後、得られた信号波形を設定されたス
ライスレベルＶｒでスライスする。そして、図７（ｂ）
に示すように、信号波形の左右に交点があると、それら
２つの交点の中心点をマーク位置として検出するもので
ある。
【００５２】第２のアルゴリズムでは、光電信号が所定
のレベルＬ1 以上の区間で信号波形のスムージングを行
った後、ピーク値に近いレベルＬ2 との間で複数のスラ
イスレベルを一定間隔で設定し、各スライスレベルでの
交点及びそれらの間隔を求める。そして、各スライスレ
ベルでの間隔に基づいて、予め設定されたレベル以下の
部分において信号波形の傾斜が最大となるスライスレベ
ルを選び出し、当該レベルでの交点の中心点をマーク位
置として検出するものである。
のレベルＬ1 以上の区間で信号波形のスムージングを行
った後、ピーク値に近いレベルＬ2 との間で複数のスラ
イスレベルを一定間隔で設定し、各スライスレベルでの
交点及びそれらの間隔を求める。そして、各スライスレ
ベルでの間隔に基づいて、予め設定されたレベル以下の
部分において信号波形の傾斜が最大となるスライスレベ
ルを選び出し、当該レベルでの交点の中心点をマーク位
置として検出するものである。
【００５３】第３のアルゴリズムでは、設定されたスラ
イスレベルで信号波形をスライスし、２個の交点の中心
位置を基準位置として求めておく。次に、光電信号が所
定のレベルＬ1 以上の区間で信号波形のスムージングを
行った後、ピーク値に近いレベルＬ2 との間で複数のス
ライスレベルを一定間隔で設定し、各スライスレベルで
の２つの交点の中心点、更に中点差分（即ち、隣り合う
スライスレベルでの中心点間の差）を求める。そして、
各スライスレベルでの中心点が先に求めた基準位置と大
きく離れておらず、各中心点が安定している領域（即
ち、中点差分が微小で、そのスライスレベルが最も長く
連続している領域）を選び、当該領域での中心点をマー
ク位置として検出するものである。これにより、得られ
る光電信号が図７（ｃ）〜（ｅ）に示すように、非対称
になった場合でも、マーク位置を正確に求めることがで
きる。
イスレベルで信号波形をスライスし、２個の交点の中心
位置を基準位置として求めておく。次に、光電信号が所
定のレベルＬ1 以上の区間で信号波形のスムージングを
行った後、ピーク値に近いレベルＬ2 との間で複数のス
ライスレベルを一定間隔で設定し、各スライスレベルで
の２つの交点の中心点、更に中点差分（即ち、隣り合う
スライスレベルでの中心点間の差）を求める。そして、
各スライスレベルでの中心点が先に求めた基準位置と大
きく離れておらず、各中心点が安定している領域（即
ち、中点差分が微小で、そのスライスレベルが最も長く
連続している領域）を選び、当該領域での中心点をマー
ク位置として検出するものである。これにより、得られ
る光電信号が図７（ｃ）〜（ｅ）に示すように、非対称
になった場合でも、マーク位置を正確に求めることがで
きる。
【００５４】次に、図８を参照してＬＩＡ演算ユニット
５８での信号処理条件について説明する。本例では特に
ヘテロダイン方式に基づいて説明する。図８に示すよう
に、ウエハ上の１次元のピッチ２Ｐの回折格子状のウエ
ハマークＭＡｘに対して、周波数差Δｆの２本のコヒー
レントなレーザービーム（平行光束）ＢＭ1 ，ＢＭ2 が
交差角２・φ0 で入射すると、ウエハマークＭＡｘ上に
はピッチＰの１次元の干渉縞ＩＦが生成される。この干
渉縞ＩＦは、ウエハマークＭＡｘのピッチ方向に周波数
差Δｆに応じて移動し、その移動速度Ｖは（Ｖ＝Δｆ・
Ｐ）なる関係式で表される。この結果、ウエハマークＭ
Ａｘからは回折光Ｂ1(-1) ，Ｂ2(+1) ，‥‥が発生す
る。この場合、添字１，２はそれぞれ入射するレーザビ
ームＢＭ1 ，ＢＭ2 からの回折光であることを意味し、
括弧内の数字は回折次数を表している。
５８での信号処理条件について説明する。本例では特に
ヘテロダイン方式に基づいて説明する。図８に示すよう
に、ウエハ上の１次元のピッチ２Ｐの回折格子状のウエ
ハマークＭＡｘに対して、周波数差Δｆの２本のコヒー
レントなレーザービーム（平行光束）ＢＭ1 ，ＢＭ2 が
交差角２・φ0 で入射すると、ウエハマークＭＡｘ上に
はピッチＰの１次元の干渉縞ＩＦが生成される。この干
渉縞ＩＦは、ウエハマークＭＡｘのピッチ方向に周波数
差Δｆに応じて移動し、その移動速度Ｖは（Ｖ＝Δｆ・
Ｐ）なる関係式で表される。この結果、ウエハマークＭ
Ａｘからは回折光Ｂ1(-1) ，Ｂ2(+1) ，‥‥が発生す
る。この場合、添字１，２はそれぞれ入射するレーザビ
ームＢＭ1 ，ＢＭ2 からの回折光であることを意味し、
括弧内の数字は回折次数を表している。
【００５５】通常、ＬＩＡ系では投影光学系１３の光軸
ＡＸに沿って進行する±１次回折光Ｂ1(-1) ，Ｂ2(+1)
の干渉光の光電信号と、２本の送光ビームから別途生成
された参照用干渉光の光電信号との位相差を求めること
により、ウエハマークＭＡｘの位置ずれを検出してい
る。それ以外に、０次回折光Ｂ2(0)と−２次回折光Ｂ
1(-2) との干渉光の光電信号と参照用の光電信号との位
相差から検出した位置ずれ量と、０次回折光Ｂ1(0)と−
２次回折光Ｂ2(+2) との干渉光の光電信号と参照用の光
電信号との位相差から検出した位置ずれ量とを、平均化
して位置ずれ量を求めるようにしてもよい。
ＡＸに沿って進行する±１次回折光Ｂ1(-1) ，Ｂ2(+1)
の干渉光の光電信号と、２本の送光ビームから別途生成
された参照用干渉光の光電信号との位相差を求めること
により、ウエハマークＭＡｘの位置ずれを検出してい
る。それ以外に、０次回折光Ｂ2(0)と−２次回折光Ｂ
1(-2) との干渉光の光電信号と参照用の光電信号との位
相差から検出した位置ずれ量と、０次回折光Ｂ1(0)と−
２次回折光Ｂ2(+2) との干渉光の光電信号と参照用の光
電信号との位相差から検出した位置ずれ量とを、平均化
して位置ずれ量を求めるようにしてもよい。
【００５６】従って、ＬＩＡ演算ユニット５８で変更可
能な信号処理条件は、光電検出すべき干渉光（回折光の
次数）のみである。即ち、ＬＩＡ系では±１次回折光Ｂ
1(-1) ，Ｂ2(+1) を用いる第１モード、０次回折光Ｂ
2(0)と−２次回折光Ｂ1(-2) と及び０次回折光Ｂ1(0)と
−２次回折光Ｂ2(+2) とを用いる第２モード、更には第
１モード及び第２モードのそれぞれでの干渉光の強度を
比較し、その強度値が大きい方を選択して使用する第３
モードとがある。ＬＩＡ系の最適化に際してはこれら３
つのモードを切り換えてウエハマークの位置検出を行う
ことになる。
能な信号処理条件は、光電検出すべき干渉光（回折光の
次数）のみである。即ち、ＬＩＡ系では±１次回折光Ｂ
1(-1) ，Ｂ2(+1) を用いる第１モード、０次回折光Ｂ
2(0)と−２次回折光Ｂ1(-2) と及び０次回折光Ｂ1(0)と
−２次回折光Ｂ2(+2) とを用いる第２モード、更には第
１モード及び第２モードのそれぞれでの干渉光の強度を
比較し、その強度値が大きい方を選択して使用する第３
モードとがある。ＬＩＡ系の最適化に際してはこれら３
つのモードを切り換えてウエハマークの位置検出を行う
ことになる。
【００５７】次に、図１のフローチャートを参照して本
例の投影露光装置で図５（ａ）のウエハＷの各ショット
領域ＥＳｉへレチクルＲのパターン像を露光する際の全
体の動作の一例につき説明する。本例では、所謂エンハ
ーンスト・グローバル・アライメント（以下、「ＥＧ
Ａ」という）方式でアライメントを行う場合を扱う。先
ず図１のステップ１０１において、図５（ａ）の９個の
サンプルショットＳＡ１〜ＳＡ９に属するウエハマーク
（アライメントマーク）Ｍｘｉ，Ｍｙｉの計測信号波形
を図４の波形データ記憶回路６０に取り込む。この場合
の計測センサーとしては、例えば図２の撮像素子３４を
含むＦＩＡ系が使用されるが、ウエハマークの形状によ
ってはＬＩＡ系又はＬＳＡ系も使用される。その後、ス
テップ１０２において、図４のシステムコントローラ６
５は、ＦＩＡ演算ユニット５９に対して信号処理条件、
即ち波形解析アルゴリズム及びスライスレベル等の計測
パラメータの値を初期状態に設定する。
例の投影露光装置で図５（ａ）のウエハＷの各ショット
領域ＥＳｉへレチクルＲのパターン像を露光する際の全
体の動作の一例につき説明する。本例では、所謂エンハ
ーンスト・グローバル・アライメント（以下、「ＥＧ
Ａ」という）方式でアライメントを行う場合を扱う。先
ず図１のステップ１０１において、図５（ａ）の９個の
サンプルショットＳＡ１〜ＳＡ９に属するウエハマーク
（アライメントマーク）Ｍｘｉ，Ｍｙｉの計測信号波形
を図４の波形データ記憶回路６０に取り込む。この場合
の計測センサーとしては、例えば図２の撮像素子３４を
含むＦＩＡ系が使用されるが、ウエハマークの形状によ
ってはＬＩＡ系又はＬＳＡ系も使用される。その後、ス
テップ１０２において、図４のシステムコントローラ６
５は、ＦＩＡ演算ユニット５９に対して信号処理条件、
即ち波形解析アルゴリズム及びスライスレベル等の計測
パラメータの値を初期状態に設定する。
【００５８】それに応じて、ステップ１０３において、
ＦＩＡ演算ユニット５９は、波形データ記憶回路６０か
ら読み出した計測信号を処理して、各ウエハマークＭｘ
ｉ，Ｍｙｉのステージ座標系（Ｘ，Ｙ）での座標値を算
出する。この計測された座標値は図４のアライメントデ
ータ記憶部６１を介してＥＧＡ演算ユニット６２に供給
され、ステップ１０４において、ＥＧＡ演算ユニット６
２は、ウエハマークの設計上の座標値及び計測された座
標値より、（数１）を満足する６個の変換パラメータａ
〜ｆの値を単純な最小自乗法を用いて求める。これがＥ
ＧＡ計算と呼ばれる計算である。
ＦＩＡ演算ユニット５９は、波形データ記憶回路６０か
ら読み出した計測信号を処理して、各ウエハマークＭｘ
ｉ，Ｍｙｉのステージ座標系（Ｘ，Ｙ）での座標値を算
出する。この計測された座標値は図４のアライメントデ
ータ記憶部６１を介してＥＧＡ演算ユニット６２に供給
され、ステップ１０４において、ＥＧＡ演算ユニット６
２は、ウエハマークの設計上の座標値及び計測された座
標値より、（数１）を満足する６個の変換パラメータａ
〜ｆの値を単純な最小自乗法を用いて求める。これがＥ
ＧＡ計算と呼ばれる計算である。
【００５９】次に、ステップ１０５においてＥＧＡ演算
ユニット６２は、ステップ１０４で求めた変換パラメー
タａ〜ｆを用いて計算した計算上の配列座標値と、計測
された座標値との残留誤差成分、即ち計算上の配列座標
値と計測された座標値との残差の自乗和を求める。ウエ
ハマークＭｘｎのＸ方向の計算上の座標値をＸn 、計測
された座標値をＸＭn として、ウエハマークＭｙｎのＹ
方向の計算上の座標値をＹn 、計測された座標値をＹＭ
n とすると、ＥＧＡ方式での残留誤差成分は次のように
定義される。但し、ｍの値は９である。
ユニット６２は、ステップ１０４で求めた変換パラメー
タａ〜ｆを用いて計算した計算上の配列座標値と、計測
された座標値との残留誤差成分、即ち計算上の配列座標
値と計測された座標値との残差の自乗和を求める。ウエ
ハマークＭｘｎのＸ方向の計算上の座標値をＸn 、計測
された座標値をＸＭn として、ウエハマークＭｙｎのＹ
方向の計算上の座標値をＹn 、計測された座標値をＹＭ
n とすると、ＥＧＡ方式での残留誤差成分は次のように
定義される。但し、ｍの値は９である。
【００６０】
【数２】
【００６１】今は１回目のＥＧＡ計算であるため、ＥＧ
Ａ演算ユニット６２は、求めた変換パラメータａ〜ｆ及
び残留誤差成分を記憶部６３に記憶させた後、ステップ
１０６に移行し、設定されている計測パラメータの値Ｐ
1 をも記憶部６３に記憶させる。その後、ステップ１０
７において、ＥＧＡ演算ユニット６２は計測パラメータ
を変化させるかどうか調べ、計測パラメータを変化させ
る場合には、ステップ１０８で計測パラメータの値を所
定値だけ変化させてから、ステップ１０３に戻る。
Ａ演算ユニット６２は、求めた変換パラメータａ〜ｆ及
び残留誤差成分を記憶部６３に記憶させた後、ステップ
１０６に移行し、設定されている計測パラメータの値Ｐ
1 をも記憶部６３に記憶させる。その後、ステップ１０
７において、ＥＧＡ演算ユニット６２は計測パラメータ
を変化させるかどうか調べ、計測パラメータを変化させ
る場合には、ステップ１０８で計測パラメータの値を所
定値だけ変化させてから、ステップ１０３に戻る。
【００６２】そして、ＦＩＡ演算ユニット５９が、更新
された計測パラメータを用いて波形データ記憶回路６０
から読み出した計測信号を処理して、各ウエハマークＭ
ｘｉ，Ｍｙｉのステージ座標系（Ｘ，Ｙ）での座標値を
算出する。そして、ステップ１０４において、ＥＧＡ演
算ユニット６２が、ウエハマークの設計上の座標値及び
計測された座標値より、（数１）を満足する６個の変換
パラメータａ〜ｆの値を最小自乗法を用いて求める。
された計測パラメータを用いて波形データ記憶回路６０
から読み出した計測信号を処理して、各ウエハマークＭ
ｘｉ，Ｍｙｉのステージ座標系（Ｘ，Ｙ）での座標値を
算出する。そして、ステップ１０４において、ＥＧＡ演
算ユニット６２が、ウエハマークの設計上の座標値及び
計測された座標値より、（数１）を満足する６個の変換
パラメータａ〜ｆの値を最小自乗法を用いて求める。
【００６３】次に、ステップ１０５においてＥＧＡ演算
ユニット６２は、ステップ１０４で求めた変換パラメー
タａ〜ｆを用いて計算した計算上の配列座標値と、計測
された座標値との残留誤差成分を求め、記憶部６３に記
憶されている残留誤差成分と比較する。そして、今回の
残留誤差成分が記憶されているもの以上である場合には
動作はステップ１０７に移行する。一方、今回の残留誤
差成分が記憶されているものより小さい場合、即ちこれ
までに得られた残留誤差成分の内で最小である場合に
は、ＥＧＡ演算ユニット６２は、求めた変換パラメータ
ａ〜ｆ及び残留誤差成分を記憶部６３に記憶させた後、
ステップ１０６に移行し、今回設定されている計測パラ
メータの値Ｐ2 をも記憶部６３に記憶させる。
ユニット６２は、ステップ１０４で求めた変換パラメー
タａ〜ｆを用いて計算した計算上の配列座標値と、計測
された座標値との残留誤差成分を求め、記憶部６３に記
憶されている残留誤差成分と比較する。そして、今回の
残留誤差成分が記憶されているもの以上である場合には
動作はステップ１０７に移行する。一方、今回の残留誤
差成分が記憶されているものより小さい場合、即ちこれ
までに得られた残留誤差成分の内で最小である場合に
は、ＥＧＡ演算ユニット６２は、求めた変換パラメータ
ａ〜ｆ及び残留誤差成分を記憶部６３に記憶させた後、
ステップ１０６に移行し、今回設定されている計測パラ
メータの値Ｐ2 をも記憶部６３に記憶させる。
【００６４】その後、ステップ１０７において、計測パ
ラメータを変化させる場合には、ステップ１０８〜１０
７までが繰り返され、ステップ１０７において、計測パ
ラメータをこれ以上変化させない場合には、ステップ１
０９においてシステムコントローラ６５は、評価する計
測パラメータが他に有るかどうかを調べる。他に評価す
る計測パラメータが有る場合には、システムコントロー
ラ６５はステップ１１０において、評価のため変化させ
る計測パラメータの種類をＥＧＡ演算ユニット６２に指
示する。これに応じてＥＧＡ演算ユニット６２は、評価
する計測パラメータの種類を変えてステップ１０３〜１
０８の動作を繰り返して、残留誤差成分が最小となると
きの変換パラメータａ〜ｆ、その最小の残留誤差成分及
びそのときの計測パラメータの値を記憶部６２に記憶さ
せる。
ラメータを変化させる場合には、ステップ１０８〜１０
７までが繰り返され、ステップ１０７において、計測パ
ラメータをこれ以上変化させない場合には、ステップ１
０９においてシステムコントローラ６５は、評価する計
測パラメータが他に有るかどうかを調べる。他に評価す
る計測パラメータが有る場合には、システムコントロー
ラ６５はステップ１１０において、評価のため変化させ
る計測パラメータの種類をＥＧＡ演算ユニット６２に指
示する。これに応じてＥＧＡ演算ユニット６２は、評価
する計測パラメータの種類を変えてステップ１０３〜１
０８の動作を繰り返して、残留誤差成分が最小となると
きの変換パラメータａ〜ｆ、その最小の残留誤差成分及
びそのときの計測パラメータの値を記憶部６２に記憶さ
せる。
【００６５】そして、ステップ１０９において、他に評
価する計測パラメータが無くなったときに動作はステッ
プ１１１に移行し、ＥＧＡ演算ユニット６２は、残留誤
差が最小になるときの変換パラメータａ〜ｆ及び各ショ
ット領域ＥＳｉの設計上の配列座標値を（数１）に代入
して、各ショット領域ＥＳｉの計算上の配列座標値を求
める。また、ＦＩＡ系、ＬＩＡ系及びＬＳＡ系のアライ
メントセンサーの計測中心と投影光学系１３の露光フィ
ールド内の基準点との間隔であるベースライン量はそれ
ぞれ予め求められている。そこで、ステップ１１２にお
いてシステムコントローラ６５は、ＥＧＡ演算ユニット
６２で算出された配列座標にベースライン量の補正を行
って得られた計算上の座標値に基づいて、順次各ショッ
ト領域ＥＳｉの位置決めを行って、レチクルＲのパター
ン像を露光する。
価する計測パラメータが無くなったときに動作はステッ
プ１１１に移行し、ＥＧＡ演算ユニット６２は、残留誤
差が最小になるときの変換パラメータａ〜ｆ及び各ショ
ット領域ＥＳｉの設計上の配列座標値を（数１）に代入
して、各ショット領域ＥＳｉの計算上の配列座標値を求
める。また、ＦＩＡ系、ＬＩＡ系及びＬＳＡ系のアライ
メントセンサーの計測中心と投影光学系１３の露光フィ
ールド内の基準点との間隔であるベースライン量はそれ
ぞれ予め求められている。そこで、ステップ１１２にお
いてシステムコントローラ６５は、ＥＧＡ演算ユニット
６２で算出された配列座標にベースライン量の補正を行
って得られた計算上の座標値に基づいて、順次各ショッ
ト領域ＥＳｉの位置決めを行って、レチクルＲのパター
ン像を露光する。
【００６６】そして、１枚のウエハＷの全ショット領域
への露光が終了してから、そのウエハＷの搬出が行われ
る。その後、同一ロット内で待機しているウエハに対し
ても、図１の流れに従って計測パラメータの自動最適化
を行ってから、そのウエハへの露光が行われる。但し、
同一ロットであれば得られる計測信号の傾向は類似して
いることが多いため、同一ロット内の２枚目以降のウエ
ハに対しては、先頭のウエハで決定された計測パラメー
タを使用するようにしてもよい。
への露光が終了してから、そのウエハＷの搬出が行われ
る。その後、同一ロット内で待機しているウエハに対し
ても、図１の流れに従って計測パラメータの自動最適化
を行ってから、そのウエハへの露光が行われる。但し、
同一ロットであれば得られる計測信号の傾向は類似して
いることが多いため、同一ロット内の２枚目以降のウエ
ハに対しては、先頭のウエハで決定された計測パラメー
タを使用するようにしてもよい。
【００６７】なお、上述の実施例では、計測パラメータ
を最適化するのに、残留誤差成分が最小になる条件を用
いているが、それ以外に例えば変換パラメータａ〜ｆの
内のスケーリングパラメータａ及びｄが計測値に最も近
づくように計測パラメータを最適化する手法も考えられ
る。即ち、（数１）から分かるように、スケーリングパ
ラメータａ及びｄはウエハの線形伸縮量を表すパラメー
タである。この場合、予めウエハ上に２個のマークを所
定間隔で形成しておき、２回目以降の露光の前にそれら
２個のマークの間隔を計測することにより、それらスケ
ーリングパラメータａ及びｄの値は推定できる。そこ
で、図１のステップ１０５において、残留誤差成分が最
小かどうかを調べる代わりに、ステップ１０４で求めら
れた変換パラメータａ〜ｆの内のスケーリングパラメー
タａ及びｄと、その推定される値との偏差の自乗和を求
め、この自乗和が最も小さくなるように計測パラメータ
を最適化してもよい。
を最適化するのに、残留誤差成分が最小になる条件を用
いているが、それ以外に例えば変換パラメータａ〜ｆの
内のスケーリングパラメータａ及びｄが計測値に最も近
づくように計測パラメータを最適化する手法も考えられ
る。即ち、（数１）から分かるように、スケーリングパ
ラメータａ及びｄはウエハの線形伸縮量を表すパラメー
タである。この場合、予めウエハ上に２個のマークを所
定間隔で形成しておき、２回目以降の露光の前にそれら
２個のマークの間隔を計測することにより、それらスケ
ーリングパラメータａ及びｄの値は推定できる。そこ
で、図１のステップ１０５において、残留誤差成分が最
小かどうかを調べる代わりに、ステップ１０４で求めら
れた変換パラメータａ〜ｆの内のスケーリングパラメー
タａ及びｄと、その推定される値との偏差の自乗和を求
め、この自乗和が最も小さくなるように計測パラメータ
を最適化してもよい。
【００６８】次に、本発明の第２実施例につき図９を参
照して説明する。本例でも図２〜図４に示す投影露光装
置を使用するが、本例では第１実施例で使用されたＥＧ
Ａ方式のアライメントを更に改良した、第１の重み付き
のエンハーンスト・グローバル・アライメント方式（以
下、「Ｗ１−ＥＧＡ方式」という）のアライメントを行
う。このＷ１−ＥＧＡ方式のアライメントでは、後述の
ようにサンプルショットとの距離に応じて重み付けが行
われる。
照して説明する。本例でも図２〜図４に示す投影露光装
置を使用するが、本例では第１実施例で使用されたＥＧ
Ａ方式のアライメントを更に改良した、第１の重み付き
のエンハーンスト・グローバル・アライメント方式（以
下、「Ｗ１−ＥＧＡ方式」という）のアライメントを行
う。このＷ１−ＥＧＡ方式のアライメントでは、後述の
ようにサンプルショットとの距離に応じて重み付けが行
われる。
【００６９】図９は本例で露光対象とするウエハＷを示
し、この図９において、ウエハＷ上のｉ番目のショット
領域ＥＳｉの計算上の座標位置を決定する際、このショ
ット領域ＥＳｉとｍ個（図９ではｍ＝９）のサンプルシ
ョットＳＡ１〜ＳＡ９との間の距離ＬＫ１〜ＬＫ９に応
じて、それら９個のサンプルショットの計測された座標
位置（アライメントデータ）のそれぞれに重みＷinが与
えられる。そのため、このＷ１−ＥＧＡ方式では、ＥＧ
Ａ方式における（数２）の残留誤差成分の代わりに、次
の（数３）よりなる残留誤差成分Ｅｉを定義する。
し、この図９において、ウエハＷ上のｉ番目のショット
領域ＥＳｉの計算上の座標位置を決定する際、このショ
ット領域ＥＳｉとｍ個（図９ではｍ＝９）のサンプルシ
ョットＳＡ１〜ＳＡ９との間の距離ＬＫ１〜ＬＫ９に応
じて、それら９個のサンプルショットの計測された座標
位置（アライメントデータ）のそれぞれに重みＷinが与
えられる。そのため、このＷ１−ＥＧＡ方式では、ＥＧ
Ａ方式における（数２）の残留誤差成分の代わりに、次
の（数３）よりなる残留誤差成分Ｅｉを定義する。
【００７０】
【数３】
【００７１】そして、このように定義される残留誤差成
分Ｅｉが最小になるように（数１）の変換パラメータａ
〜ｆの値が決定される。なお、ここでは各ショット領域
ＥＳｉ毎に使用するサンプルショットＳＡ１〜ＳＡ９は
同一であるが、当然に各ショット領域ＥＳｉ毎に各サン
プルショットＳＡｎまでの距離は異なる。従って、サン
プルショットＳＡｎの座標位置（アライメントデータ）
に与える重みＷinはショット領域ＥＳｉ毎に変化する。
そして、ショット領域ＥＳｉ毎に変換パラメータａ〜ｆ
を決定して、（数１）より計算上の座標位置を算出する
ことにより、ウエハＷ上の全ショット領域の計算上の配
列座標（ショット配列）が決定される。
分Ｅｉが最小になるように（数１）の変換パラメータａ
〜ｆの値が決定される。なお、ここでは各ショット領域
ＥＳｉ毎に使用するサンプルショットＳＡ１〜ＳＡ９は
同一であるが、当然に各ショット領域ＥＳｉ毎に各サン
プルショットＳＡｎまでの距離は異なる。従って、サン
プルショットＳＡｎの座標位置（アライメントデータ）
に与える重みＷinはショット領域ＥＳｉ毎に変化する。
そして、ショット領域ＥＳｉ毎に変換パラメータａ〜ｆ
を決定して、（数１）より計算上の座標位置を算出する
ことにより、ウエハＷ上の全ショット領域の計算上の配
列座標（ショット配列）が決定される。
【００７２】このようにＷ１−ＥＧＡ方式ではウエハＷ
上の各ショット領域ＥＳｉ毎に、各サンプルショットＳ
Ａｎの座標データに対する重みＷinが変化する。一例と
してその重みＷinを、ｉ番目のショット領域ＥＳｉとｎ
番目のサンプルショットＳＡｎとの距離ＬＫｎの関数と
して次のように表す。但し、パラメータＳは重み付けの
度合いを変更するためのパラメータである。
上の各ショット領域ＥＳｉ毎に、各サンプルショットＳ
Ａｎの座標データに対する重みＷinが変化する。一例と
してその重みＷinを、ｉ番目のショット領域ＥＳｉとｎ
番目のサンプルショットＳＡｎとの距離ＬＫｎの関数と
して次のように表す。但し、パラメータＳは重み付けの
度合いを変更するためのパラメータである。
【００７３】
【数４】
【００７４】この（数４）から明かなように、ｉ番目の
ショット領域ＥＳｉまでの距離ＬＫｎが短いサンプルシ
ョットＳＡｎ程、そのアライメントデータに与える重み
Ｗinが大きくなるようになっている。また、（数４）に
おいて、パラメータＳの値が十分大きい場合、統計演算
処理の結果は第１実施例のＥＧＡ方式で得られる結果と
ほぼ等しくなる。一方、ウエハ上の露光すべきショット
領域ＥＳｉを全てサンプルショットＳＡｎとし、パラメ
ータＳの値を十分零に近づけると、各ショット領域毎に
ウエハマークの位置を計測して位置合わせを行う所謂ダ
イ・バイ・ダイ方式で得られる結果とほぼ等しくなる。
即ち、Ｗ１−ＥＧＡ方式では、パラメータＳを適当な値
に設定することにより、ＥＧＡ方式とダイ・バイ・ダイ
方式との中間の効果を得ることができる。例えば、非線
形成分が大きなウエハに対しては、パラメータＳの値を
小さく設定することで、ダイ・バイ・ダイ方式とほぼ同
等の効果（アライメント精度）を得ることができ、非線
形成分によるアライメント誤差を良好に除去することが
できる。また、アライメントセンサーの計測再現性が悪
い場合には、パラメータＳの値を大きく設定すること
で、ＥＧＡ方式とほぼ同等の効果を得ることができ、平
均化効果によりアライメント誤差を低減することができ
る。
ショット領域ＥＳｉまでの距離ＬＫｎが短いサンプルシ
ョットＳＡｎ程、そのアライメントデータに与える重み
Ｗinが大きくなるようになっている。また、（数４）に
おいて、パラメータＳの値が十分大きい場合、統計演算
処理の結果は第１実施例のＥＧＡ方式で得られる結果と
ほぼ等しくなる。一方、ウエハ上の露光すべきショット
領域ＥＳｉを全てサンプルショットＳＡｎとし、パラメ
ータＳの値を十分零に近づけると、各ショット領域毎に
ウエハマークの位置を計測して位置合わせを行う所謂ダ
イ・バイ・ダイ方式で得られる結果とほぼ等しくなる。
即ち、Ｗ１−ＥＧＡ方式では、パラメータＳを適当な値
に設定することにより、ＥＧＡ方式とダイ・バイ・ダイ
方式との中間の効果を得ることができる。例えば、非線
形成分が大きなウエハに対しては、パラメータＳの値を
小さく設定することで、ダイ・バイ・ダイ方式とほぼ同
等の効果（アライメント精度）を得ることができ、非線
形成分によるアライメント誤差を良好に除去することが
できる。また、アライメントセンサーの計測再現性が悪
い場合には、パラメータＳの値を大きく設定すること
で、ＥＧＡ方式とほぼ同等の効果を得ることができ、平
均化効果によりアライメント誤差を低減することができ
る。
【００７５】更に、（数４）の重み付け関数は、Ｘ方向
用のウエハマークＭｘｉとＹ方向用のウエハマークＭｙ
ｉとに対して別々に用意されており、Ｘ方向とＹ方向と
で重みＷinを独立に設定することができるようになって
いる。このため、ウエハの非線形歪みの程度（大小）、
規則性又はステップピッチ、即ち隣接した２つのショッ
ト領域の中心間距離（ウエハ上のストリートラインの幅
にも依るが、ほぼショットサイズに対応した値）がＸ方
向とＹ方向とで異なっていても、パラメータＳの値を独
立に設定することで、ウエハ上のショット配列誤差を高
精度に補正することができるようになっている。この
際、パラメータＳの値は上記の如くＸ方向とＹ方向とで
異ならせるようにしても良く、更にＸ方向及びＹ方向の
パラメータＳの値が同一又は異なる場合の何れであって
も、パラメータＳの値は、「規則的な非線形歪み」の大
小、規則性、ステップピッチ又はアライメントセンサー
の計測再現性等に応じて適宜変更すれば良い。
用のウエハマークＭｘｉとＹ方向用のウエハマークＭｙ
ｉとに対して別々に用意されており、Ｘ方向とＹ方向と
で重みＷinを独立に設定することができるようになって
いる。このため、ウエハの非線形歪みの程度（大小）、
規則性又はステップピッチ、即ち隣接した２つのショッ
ト領域の中心間距離（ウエハ上のストリートラインの幅
にも依るが、ほぼショットサイズに対応した値）がＸ方
向とＹ方向とで異なっていても、パラメータＳの値を独
立に設定することで、ウエハ上のショット配列誤差を高
精度に補正することができるようになっている。この
際、パラメータＳの値は上記の如くＸ方向とＹ方向とで
異ならせるようにしても良く、更にＸ方向及びＹ方向の
パラメータＳの値が同一又は異なる場合の何れであって
も、パラメータＳの値は、「規則的な非線形歪み」の大
小、規則性、ステップピッチ又はアライメントセンサー
の計測再現性等に応じて適宜変更すれば良い。
【００７６】以上のことから、パラメータＳの値を適宜
変更することで、ＥＧＡ方式からダイ・バイ・ダイ方式
までその効果を変えることができる。従って、各種レイ
ア、更には各成分（Ｘ方向及びＹ方向）に対し、例えば
非線形成分の特徴（例えば大小、規則性等）、ステップ
ピッチ、アライメントセンサーの計測再現性の良否等に
応じてアライメントを柔軟に変更させ、各レイア、各成
分に対して最適な条件でアライメントを行うことができ
る。
変更することで、ＥＧＡ方式からダイ・バイ・ダイ方式
までその効果を変えることができる。従って、各種レイ
ア、更には各成分（Ｘ方向及びＹ方向）に対し、例えば
非線形成分の特徴（例えば大小、規則性等）、ステップ
ピッチ、アライメントセンサーの計測再現性の良否等に
応じてアライメントを柔軟に変更させ、各レイア、各成
分に対して最適な条件でアライメントを行うことができ
る。
【００７７】上述のＷ１−ＥＧＡ方式に本発明を適用し
た場合の動作の一例につき説明する。即ち、この場合に
は図１のステップ１０４に対応して、（数３）で定義さ
れる残留誤差成分Ｅｉが最小（極値）になるように、
（数１）の変換パラメータａ〜ｆの値を定める。そし
て、ステップ１０５に対応して、それまでに求めた残留
誤差成分Ｅｉが最小になるときの変換パラメータａ〜ｆ
の値を採用するようにする。他の動作は第１実施例と同
様である。従って、この例では（数３）の重み付きの残
留誤差成分Ｅｉが最小になるように、計測パラメータ等
の信号処理条件、更にはパラメータＳの値が最適化され
る。
た場合の動作の一例につき説明する。即ち、この場合に
は図１のステップ１０４に対応して、（数３）で定義さ
れる残留誤差成分Ｅｉが最小（極値）になるように、
（数１）の変換パラメータａ〜ｆの値を定める。そし
て、ステップ１０５に対応して、それまでに求めた残留
誤差成分Ｅｉが最小になるときの変換パラメータａ〜ｆ
の値を採用するようにする。他の動作は第１実施例と同
様である。従って、この例では（数３）の重み付きの残
留誤差成分Ｅｉが最小になるように、計測パラメータ等
の信号処理条件、更にはパラメータＳの値が最適化され
る。
【００７８】次に、図１０を参照して、第２の重み付き
のエンハースト・グローバル・アライメント方式（以
下、「Ｗ２−ＥＧＡ方式」という）のアライメント方法
につき説明する。ここでは説明を簡単にするため、ウエ
ハＷに規則的に、特に点対称な非線形歪みが生じ、且つ
その点対称中心がウエハＷの中心（ウエハセンター）と
一致しているものとする。
のエンハースト・グローバル・アライメント方式（以
下、「Ｗ２−ＥＧＡ方式」という）のアライメント方法
につき説明する。ここでは説明を簡単にするため、ウエ
ハＷに規則的に、特に点対称な非線形歪みが生じ、且つ
その点対称中心がウエハＷの中心（ウエハセンター）と
一致しているものとする。
【００７９】図１０は本例で露光対象とするウエハＷを
示し、この図１０において、ウエハＷの変形中心点（非
線形歪みの点対称中心）、即ちウエハセンターＷｃと、
ウエハＷ上のｉ番目のショット領域ＥＳｉとの間の距離
（半径）をＬＥｉとして、ウエハセンターＷｃとｍ個
（図１０ではｍ＝９）のサンプルショットＳＡ１〜ＳＡ
９のそれぞれとの間の距離（半径）をＬＷ１〜ＬＷ９と
する。そして、このＷ２−ＥＧＡ方式でも、Ｗ１−ＥＧ
Ａ方式と同様に、距離ＬＥｉ及び距離ＬＷ１〜ＬＷ９に
応じて、９個のサンプルショットＳＡ１〜ＳＡ９のアラ
イメントデータの各々に重みＷin′を与える。このＷ２
−ＥＧＡ方式では、サンプルショット毎にその２組のウ
エハマーク（Ｍｘｉ，Ｍｙｉ）を検出した後、（数３）
と同様に、残留誤差成分Ｅｉ′を次の（数５）で定義
し、その（数５）が最小となるように（数１）の変換パ
ラメータａ〜ｆの値を決定する。
示し、この図１０において、ウエハＷの変形中心点（非
線形歪みの点対称中心）、即ちウエハセンターＷｃと、
ウエハＷ上のｉ番目のショット領域ＥＳｉとの間の距離
（半径）をＬＥｉとして、ウエハセンターＷｃとｍ個
（図１０ではｍ＝９）のサンプルショットＳＡ１〜ＳＡ
９のそれぞれとの間の距離（半径）をＬＷ１〜ＬＷ９と
する。そして、このＷ２−ＥＧＡ方式でも、Ｗ１−ＥＧ
Ａ方式と同様に、距離ＬＥｉ及び距離ＬＷ１〜ＬＷ９に
応じて、９個のサンプルショットＳＡ１〜ＳＡ９のアラ
イメントデータの各々に重みＷin′を与える。このＷ２
−ＥＧＡ方式では、サンプルショット毎にその２組のウ
エハマーク（Ｍｘｉ，Ｍｙｉ）を検出した後、（数３）
と同様に、残留誤差成分Ｅｉ′を次の（数５）で定義
し、その（数５）が最小となるように（数１）の変換パ
ラメータａ〜ｆの値を決定する。
【００８０】
【数５】
【００８１】このＷ２−ＥＧＡ方式でもＷ１−ＥＧＡ方
式と同様に、アライメントデータに与える重みＷin′は
ショット領域ＥＳｉ毎に変化するため、ショット領域Ｅ
Ｓｉ毎に統計演算を行って変換パラメータａ〜ｆを決定
して、その計算上の配列座標値を決定することになる。
そして、ウエハＷ上の各ショット領域ＥＳｉ毎に、各サ
ンプルショットに対する重みＷin′を変化させるため、
（数５）における重みＷin′を、ウエハＷ上のｉ番目の
ショット領域ＥＳｉとウエハセンターＷｃとの距離（半
径）ＬＥｉの関数として次のように表す。但し、パラメ
ータＳは重み付けの度合を変更するためのパラメータで
ある。
式と同様に、アライメントデータに与える重みＷin′は
ショット領域ＥＳｉ毎に変化するため、ショット領域Ｅ
Ｓｉ毎に統計演算を行って変換パラメータａ〜ｆを決定
して、その計算上の配列座標値を決定することになる。
そして、ウエハＷ上の各ショット領域ＥＳｉ毎に、各サ
ンプルショットに対する重みＷin′を変化させるため、
（数５）における重みＷin′を、ウエハＷ上のｉ番目の
ショット領域ＥＳｉとウエハセンターＷｃとの距離（半
径）ＬＥｉの関数として次のように表す。但し、パラメ
ータＳは重み付けの度合を変更するためのパラメータで
ある。
【００８２】
【数６】
【００８３】この（数６）から明かなように、サンプル
ショットＳＡｎからウエハセンターＷｃに対する距離Ｌ
Ｗｎが、ウエハセンターＷｃとウエハＷ上のｉ番目のシ
ョット領域ＥＳｉとの間の距離ＬＥｉに近いサンプルシ
ョット程、そのアライメントデータに与える重みＷin′
が大きくなるようになっている。換言すれば、ウエハエ
ンターＷｃを中心とした半径ＬＥｉの円上に位置するサ
ンプルショットのアライメントデータに対して最も大き
な重みＷin′が与えられ、その円から半径方向に離れる
に従ってアライメントデータに対する重みＷin′が小さ
くなっている。
ショットＳＡｎからウエハセンターＷｃに対する距離Ｌ
Ｗｎが、ウエハセンターＷｃとウエハＷ上のｉ番目のシ
ョット領域ＥＳｉとの間の距離ＬＥｉに近いサンプルシ
ョット程、そのアライメントデータに与える重みＷin′
が大きくなるようになっている。換言すれば、ウエハエ
ンターＷｃを中心とした半径ＬＥｉの円上に位置するサ
ンプルショットのアライメントデータに対して最も大き
な重みＷin′が与えられ、その円から半径方向に離れる
に従ってアライメントデータに対する重みＷin′が小さ
くなっている。
【００８４】また、（数６）におけるパラメータＳの値
は、Ｗ１−ＥＧＡ方式と同様に要求されるアライメント
精度、非線形歪みの特徴（例えば大小、規則性等）、ス
テップピッチ、アライメントセンサーの計測再現性の良
否等に応じて適宜定めれば良い。即ち、非線形成分が比
較的大きいときには、パラメータＳの値をより小さく設
定することで、ウエハセンターＷｃからの距離ＬＷｎが
大きく異なるサンプルショットの影響を小さくすること
ができる。一方、非線形成分が比較的小さいときには、
パラメータＳの値をより大きく設定することで、計測再
現性が悪いアライメントセンサー（又はレイア）におけ
るアライメント精度の低下を防止することができる。
は、Ｗ１−ＥＧＡ方式と同様に要求されるアライメント
精度、非線形歪みの特徴（例えば大小、規則性等）、ス
テップピッチ、アライメントセンサーの計測再現性の良
否等に応じて適宜定めれば良い。即ち、非線形成分が比
較的大きいときには、パラメータＳの値をより小さく設
定することで、ウエハセンターＷｃからの距離ＬＷｎが
大きく異なるサンプルショットの影響を小さくすること
ができる。一方、非線形成分が比較的小さいときには、
パラメータＳの値をより大きく設定することで、計測再
現性が悪いアライメントセンサー（又はレイア）におけ
るアライメント精度の低下を防止することができる。
【００８５】更に、Ｗ２−ＥＧＡ方式では、ウエハＷ上
の点対称中心からほぼ等距離にある複数のショット領
域、即ちその点対称中心を中心とした同一の円上に位置
する複数のショット領域の各々では、当然ながらサンプ
ルショットのアライメントデータに与える重みＷin′が
同一となる。このため、その点対称中心を中心とした同
一の円上に複数のショット領域が位置している場合、何
れか１つのショット領域のみにおいて上記の重み付け及
び統計演算を行って変換パラメータａ〜ｆを算出すれ
ば、残りのショット領域については先に算出したパラメ
ータａ〜ｆをそのまま用いてその座標位置を決定するこ
とができる。これにより、座標位置決定のための計算量
が減少するという利点がある。
の点対称中心からほぼ等距離にある複数のショット領
域、即ちその点対称中心を中心とした同一の円上に位置
する複数のショット領域の各々では、当然ながらサンプ
ルショットのアライメントデータに与える重みＷin′が
同一となる。このため、その点対称中心を中心とした同
一の円上に複数のショット領域が位置している場合、何
れか１つのショット領域のみにおいて上記の重み付け及
び統計演算を行って変換パラメータａ〜ｆを算出すれ
ば、残りのショット領域については先に算出したパラメ
ータａ〜ｆをそのまま用いてその座標位置を決定するこ
とができる。これにより、座標位置決定のための計算量
が減少するという利点がある。
【００８６】ところで、Ｗ２−ＥＧＡ方式に好適なサン
プルショットの配置は、非線形歪みの点対称中心、即ち
ウエハセンターＷｃに関して対称となるように指定する
ことが望ましく、例えばウエハセンターＷｃを基準とし
たＸ字型又は十字型等に指定すれば良い。それ以外に、
Ｗ１−ＥＧＡ方式と同様の配置としても良い。また、非
線形歪みの点対称中心がウエハセンターＷｃ以外の場合
には、その点対称中心を基準としたＸ字型又は十字型の
配置とすればよい。また、変換パラメータａ〜ｆの値を
決定するに際しては、（数５）に示す重み付け関数をＸ
方向及びＹ方向の各々で独立に設定するようにしても良
い。
プルショットの配置は、非線形歪みの点対称中心、即ち
ウエハセンターＷｃに関して対称となるように指定する
ことが望ましく、例えばウエハセンターＷｃを基準とし
たＸ字型又は十字型等に指定すれば良い。それ以外に、
Ｗ１−ＥＧＡ方式と同様の配置としても良い。また、非
線形歪みの点対称中心がウエハセンターＷｃ以外の場合
には、その点対称中心を基準としたＸ字型又は十字型の
配置とすればよい。また、変換パラメータａ〜ｆの値を
決定するに際しては、（数５）に示す重み付け関数をＸ
方向及びＹ方向の各々で独立に設定するようにしても良
い。
【００８７】このＷ２−ＥＧＡ方式でアライメントを行
う際に本発明を適用した場合には、例えば図１のステッ
プ１０４に対応して、（数５）の残留誤差成分Ｅｉ′が
最小（極値）となるように（数１）の変換パラメータａ
〜ｆの値を求めればよい。そして、ステップ１０５に対
応して、その残留誤差成分Ｅｉ′が最小となるときの変
換パラメータａ〜ｆの値やパラメータＳの値を採用すれ
ばよい。
う際に本発明を適用した場合には、例えば図１のステッ
プ１０４に対応して、（数５）の残留誤差成分Ｅｉ′が
最小（極値）となるように（数１）の変換パラメータａ
〜ｆの値を求めればよい。そして、ステップ１０５に対
応して、その残留誤差成分Ｅｉ′が最小となるときの変
換パラメータａ〜ｆの値やパラメータＳの値を採用すれ
ばよい。
【００８８】次に、Ｗ１−ＥＧＡ方式及びＷ２−ＥＧＡ
方式において重み付けの度合いを表すパラメータＳの決
定方法につき説明する。先ず一例として、次式によりパ
ラメータＳの値を決定することができる。この式におい
て、Ｄは重みパラメータであり、オペレータが重みパラ
メータＤの値を所定値に設定することにより、自動的に
パラメータＳ、ひいては重みＷin、Ｗin′が決定され
る。
方式において重み付けの度合いを表すパラメータＳの決
定方法につき説明する。先ず一例として、次式によりパ
ラメータＳの値を決定することができる。この式におい
て、Ｄは重みパラメータであり、オペレータが重みパラ
メータＤの値を所定値に設定することにより、自動的に
パラメータＳ、ひいては重みＷin、Ｗin′が決定され
る。
【００８９】
【数７】Ｓ＝Ｄ2 ／（８・loge１０） この重みパラメータＤの物理的意味は、ウエハ上の各シ
ョット領域の座標位置を計算するのに有効なサンプルシ
ョットの範囲（以下、単に「ゾーン」と呼ぶ）である。
即ち、ゾーンが大きい場合は有効なサンプルショットの
数が多くなるので、従来のＥＧＡ方式で得られる結果に
近くなる。逆に、ゾーンが小さい場合は、有効なサンプ
ルショットの数が少なくなるので、ダイ・バイ・ダイ方
式で得られる結果に近くなる。但し、ここで言うゾーン
は、あくまでも重み付けする上での目安の値であり、仮
に全てのサンプルショットがゾーン外に存在することに
なっても、座標位置を決定すべきショット領域に最も近
いサンプルショットのアライメントデータに関する重み
を最大にして統計計算を行うことになる。
ョット領域の座標位置を計算するのに有効なサンプルシ
ョットの範囲（以下、単に「ゾーン」と呼ぶ）である。
即ち、ゾーンが大きい場合は有効なサンプルショットの
数が多くなるので、従来のＥＧＡ方式で得られる結果に
近くなる。逆に、ゾーンが小さい場合は、有効なサンプ
ルショットの数が少なくなるので、ダイ・バイ・ダイ方
式で得られる結果に近くなる。但し、ここで言うゾーン
は、あくまでも重み付けする上での目安の値であり、仮
に全てのサンプルショットがゾーン外に存在することに
なっても、座標位置を決定すべきショット領域に最も近
いサンプルショットのアライメントデータに関する重み
を最大にして統計計算を行うことになる。
【００９０】また、パラメータＳを決定する式は（数
７）に限定されず、例えば次の（数８）を用いることも
できる。但し、ウエハの面積をＡ［ｍｍ2 ］、サンプル
ショットの数をｍ、補正係数（正の実数）をＣとしてい
る。
７）に限定されず、例えば次の（数８）を用いることも
できる。但し、ウエハの面積をＡ［ｍｍ2 ］、サンプル
ショットの数をｍ、補正係数（正の実数）をＣとしてい
る。
【００９１】
【数８】Ｓ＝Ａ／（ｍ・Ｃ） この（数８）はウエハサイズ（面積）やサンプルショッ
トの数の変化をパラメータＳの決定に反映させること
で、当該決定に際して使用すべき補正係数Ｃの最適値が
あまり変動しないようにしたものである。その補正係数
Ｃが小さい場合はパラメータＳの値が大きくなり、従来
のＥＧＡ方式で得られる結果に近くなり、補正係数Ｃが
大きい場合は、パラメータＳの値が小さくなるので、ダ
イ・バイ・ダイ方式で得られる結果に近くなる。従っ
て、予め実験又はシミュレーション等によって決定した
補正係数Ｃを、オペレータ又は識別コードの読み取り装
置を介して露光装置に入力するだけで、（数８）からア
ライメントデータに対する重み付けの度合い、即ち（数
４）、（数６）で定まる重みＷin、Ｗin′が自動的に決
定される。
トの数の変化をパラメータＳの決定に反映させること
で、当該決定に際して使用すべき補正係数Ｃの最適値が
あまり変動しないようにしたものである。その補正係数
Ｃが小さい場合はパラメータＳの値が大きくなり、従来
のＥＧＡ方式で得られる結果に近くなり、補正係数Ｃが
大きい場合は、パラメータＳの値が小さくなるので、ダ
イ・バイ・ダイ方式で得られる結果に近くなる。従っ
て、予め実験又はシミュレーション等によって決定した
補正係数Ｃを、オペレータ又は識別コードの読み取り装
置を介して露光装置に入力するだけで、（数８）からア
ライメントデータに対する重み付けの度合い、即ち（数
４）、（数６）で定まる重みＷin、Ｗin′が自動的に決
定される。
【００９２】このため、各種レイア、更には各成分（Ｘ
方向及びＹ方向）に対し、例えば非線形成分の特徴（例
えば大小、規則性等）、ステップピッチ、アライメント
センサーの計測再現性の良否等に応じてアライメントを
柔軟に変更させ、各レイア、各成分に対して最適な条件
でアライメントを行うことができる。特に（数８）を用
いる場合、ウエハサイズ、ステップピッチ（ショットサ
イズ）、サンプルショット数等が変化しても、この変化
に依らずウエハ上の全てのショット領域の座標位置を正
確に決定でき、常に安定した精度で位置合わせを行うこ
とができる。
方向及びＹ方向）に対し、例えば非線形成分の特徴（例
えば大小、規則性等）、ステップピッチ、アライメント
センサーの計測再現性の良否等に応じてアライメントを
柔軟に変更させ、各レイア、各成分に対して最適な条件
でアライメントを行うことができる。特に（数８）を用
いる場合、ウエハサイズ、ステップピッチ（ショットサ
イズ）、サンプルショット数等が変化しても、この変化
に依らずウエハ上の全てのショット領域の座標位置を正
確に決定でき、常に安定した精度で位置合わせを行うこ
とができる。
【００９３】なお、本発明は上述実施例に限定されず本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得るこ
とは勿論である。
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得るこ
とは勿論である。
【００９４】
【発明の効果】本発明によれば、信号処理条件毎に求め
られた複数組の変換パラメータのうち、何れか１組の変
換パラメータを、所定条件に基づいて選択し、この選択
された１組の変換パラメータを用いて、基板上の複数の
被加工領域の各々の静止座標系上における配列情報を算
出しているので、信号処理条件を自動的に最適化するこ
とができる。また、残留誤差成分が最小になるように信
号処理条件を最適化した場合には、位置合わせ誤差を最
小にした上で信号処理条件を最適化できる利点がある。
また、これまで例えばプロセス毎に決定していた信号処
理条件を自動的に最適化できるので、人為的な誤りが防
止でき、誤差が低減できる。
られた複数組の変換パラメータのうち、何れか１組の変
換パラメータを、所定条件に基づいて選択し、この選択
された１組の変換パラメータを用いて、基板上の複数の
被加工領域の各々の静止座標系上における配列情報を算
出しているので、信号処理条件を自動的に最適化するこ
とができる。また、残留誤差成分が最小になるように信
号処理条件を最適化した場合には、位置合わせ誤差を最
小にした上で信号処理条件を最適化できる利点がある。
また、これまで例えばプロセス毎に決定していた信号処
理条件を自動的に最適化できるので、人為的な誤りが防
止でき、誤差が低減できる。
【００９５】また、例えば１ロット中の先頭の１枚のウ
エハについて信号処理条件を最適化して、後はその信号
処理条件を用いることで、スループットの低下を防止で
きる利点がある。
エハについて信号処理条件を最適化して、後はその信号
処理条件を用いることで、スループットの低下を防止で
きる利点がある。
【図１】本発明による位置合わせ方法の第１実施例を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図２】第１実施例の位置合わせ方法が適用される投影
露光装置を示す構成図である。
露光装置を示す構成図である。
【図３】図２中のＴＴＬ方式のアライメントセンサー１
７の詳細な構成を示すブロック図である。
７の詳細な構成を示すブロック図である。
【図４】図２中の主制御系１８等の詳細な構成を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【図５】（ａ）は第１実施例で露光されるウエハ上のシ
ョット領域の配列を示す平面図、（ｂ）はＬＩＡ系用の
ウエハマークの検出方法の説明図、（ｃ）はＬＳＡ系用
のウエハマークの検出方法の説明図である。
ョット領域の配列を示す平面図、（ｂ）はＬＩＡ系用の
ウエハマークの検出方法の説明図、（ｃ）はＬＳＡ系用
のウエハマークの検出方法の説明図である。
【図６】（ａ）はＦＩＡ系のアライメントセンサーの撮
像素子の観察領域を示す図、（ｂ）は図６（ａ）に対応
する撮像信号を示す波形図である。
像素子の観察領域を示す図、（ｂ）は図６（ａ）に対応
する撮像信号を示す波形図である。
【図７】（ａ）はＬＳＡ系のアライメントセンサー用の
ウエハマーク及び検出用のスポット光を示す拡大平面
図、（ｂ）は図７（ａ）に対応する検出信号を示す波形
図、（ｃ）〜（ｅ）はそれぞれ非対称な検出信号の例を
示す波形図である。
ウエハマーク及び検出用のスポット光を示す拡大平面
図、（ｂ）は図７（ａ）に対応する検出信号を示す波形
図、（ｃ）〜（ｅ）はそれぞれ非対称な検出信号の例を
示す波形図である。
【図８】ＬＩＡ系のアライメントセンサーによりウエハ
マークの位置を検出する際の原理説明図である。
マークの位置を検出する際の原理説明図である。
【図９】本発明の第２実施例においてＷ１−ＥＧＡ方式
で位置合わせを行う際のウエハ上のサンプルショットの
配列を示す平面図である。
で位置合わせを行う際のウエハ上のサンプルショットの
配列を示す平面図である。
【図１０】Ｗ２−ＥＧＡ方式で位置合わせを行う際のウ
エハ上のサンプルショットの配列を示す平面図である。
エハ上のサンプルショットの配列を示す平面図である。
１ 水銀ランプ ３ 照明光学系 ９ メインコンデンサーレンズ Ｒ レチクル １３ 投影光学系 Ｗ ウエハ ＷＳ ウエハステージ １５ レーザ干渉計 １７ ＴＴＬ方式のアライメントセンサー １８ 主制御系 ＥＳｉ ショット領域 ＳＡ１〜ＳＡ９ サンプルショット Ｍｘ１ Ｘ方向のウエハマーク Ｍｙ１ Ｙ方向のウエハマーク
Claims (11)
- 【請求項１】 予め設定された配列情報に従って基板上
に規則的に配列された複数の被加工領域の各々を、前記
基板の移動位置を規定する静止座標系内の所定の加工位
置に対して順次位置合わせするに当たって、前記複数の
被加工領域の内、予め選択された少なくとも３つの被加
工領域の前記静止座標系上における位置情報を計測し、
該計測された複数の位置情報を統計演算することによっ
て、前記基板上の複数の被加工領域の各々の前記静止座
標系における配列情報を算出し、該算出された複数の被
加工領域の各々の配列情報に従って前記基板の移動位置
を制御することによって、前記複数の被加工領域の各々
を前記加工位置に対して位置合わせする方法において、 前記予め選択された少なくとも３つの被加工領域の前記
静止座標系上における位置情報を計測する際に、前記被
加工領域の測定対象物から得られる計測信号を第１の信
号処理条件で処理して第１の位置情報を求め、 前記第１の位置情報に基づいて、前記予め設定された配
列情報から前記静止座標系上の配列情報を算出するため
の１組の第１変換パラメータを求め、 前記計測信号を、前記第１の信号処理条件とは異なる第
２の信号処理条件で処理して第２の位置情報を求め、 前記第２の位置情報に基づいて、前記予め設定された配
列情報から前記静止座標系上の配列情報を算出するため
の１組の第２変換パラメータを求め、 前記求められた複数組の変換パラメータのうち、何れか
１組の変換パラメータを、所定条件に基づいて選択し、 前記選択された １組の変換パラメータを用いて、前記基
板上の複数の被加工領域の各々の前記静止座標系上にお
ける配列情報を算出するようにしたことを特徴とする位
置合わせ方法。 - 【請求項２】 前記所定条件は、前記１組の変換パラメ
ータ毎に、該変換パラメータを用いて算出された前記静
止座標系上での位置情報と、前記信号処理条件のもとで
計測された位置情報との残留誤差成分を含み、 前記残留誤差成分が最小となるときの前記１組の変換パ
ラメータを選択することを特徴とする請求項１に記載の
位置合わせ方法。 - 【請求項３】 前記所定条件は、前記１組の変換パラメ
ータと、該変換パラメータの推定値との偏差を含み、 前記偏差の自乗和が最小となるときの前記１組の変換パ
ラメータを選択することを特徴とする請求項１に記載の
位置合わせ方法。 - 【請求項４】 前記選択された１組の変換パラメータの
算出時に用いられた前記位置情報を求めたときの信号処
理条件を記憶することを特徴とする請求項１〜３の何れ
か一項に記載の位置合わせ方法。 - 【請求項５】 前記１組の変換パラメータの選択がなさ
れた後に新たに計測された計測信号を、前記記憶された
信号処理条件で処理することを特徴とする請求項４に記
載の位置合わせ方法。 - 【請求項６】 前記信号処理条件は、前記計測信号の波
形の処理方法、又は計測に使用すべき回折光の種類を含
むことを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の
位置合わせ方法。 - 【請求項７】 請求項１〜６の何れか一項に記載の位置
合わせ方法を用いて算出された、前記基板上の複数の被
加工領域の各々の前記静止座標系上の配列情報を用いて
位置合わせがなされた基板上に、所定パターンを転写す
ることを特徴とする露光方法。 - 【請求項８】 予め設定された配列情報に従って基板上
に規則的に配列された複数の被加工領域の各々を、前記
基板の移動位置を規定する静止座標系内の所定の加工位
置に対して順次位置合わせするに当たって、前記複数の
被加工領域の内、予め選択された少なくとも３つの被加
工領域の前記静止座標系上における位置情報を計測し、
該計測された複数の位置情報を統計演算することによっ
て、前記基板上の複数の被加工領域の各々の前記静止座
標系における配列情報を算出し、該算出された複数の被
加工領域の各々の配列情報に従って前記基板の移動位置
を制御することによって、前記複数の被加工領域の各々
を前記加工位置に対して位置合わせする装置において、 前記予め選択された少なくとも３つの被加工領域の前記
静止座標系上における位置情報を計測する際に、前記被
加工領域の測定対象物から得られる計測信号の信号処理
条件を種々に変えて、前記被加工領域に関する前記位置
情報を計測する計測手段と、 前記計測手段により前記信号処理条件毎に計測された前
記位置情報と、前記予め設定された配列情報とに基づい
て、前記予め設定された配列情報から前記静止座標系上
の配列情報を算出するための１組の変換パラメータを、
前記信号処理条件毎に算出する第１演算手段と、 前記算出された複数組の変換パラメータのうち、何れか
１組の変換パラメータを、所定条件に基づいて選択する
選択手段と、 前記選択された１組の変換パラメータを用いて、前記基
板上の複数の被加工領域の各々の前記静止座標系上にお
ける配列情報を算出する第２演算手段とを有することを
特徴とする位置合わせ装置。 - 【請求項９】 前記所定条件は、前記１組のパラメータ
毎に、該変換パラメータを用いて算出された前記静止座
標系上での位置情報と、前記信号処理条件のもとで計測
された位置情報との残留誤差成分を含み、 前記選択手段は、前記残留誤差成分が最小となるときの
前記１組の変換パラメータを選択することを特徴とする
請求項８に記載の位置合わせ装置。 - 【請求項１０】 前記選択手段に選択された前記１組の
変換パラメータに関して使用されていた前記信号処理条
件を記憶する記憶手段を有し、 前記選択手段による前記１組の変換パラメータの選択後
に前記計測手段により新たに計測された計測信号を、前
記記憶手段に記憶された前記信号処理条件で処理するこ
とを特徴とする請求項９に記載の位置合わせ装置。 - 【請求項１１】 請求項８〜１０の何れか一項に記載の
位置合わせ装置により算出された、前記基板上の複数の
被加工領域の各々の前記静止座標系上の配列情報を用い
て位置合わせがなされた基板上に、所定パターンを転写
することを特徴とする露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00890593A JP3219217B2 (ja) | 1993-01-22 | 1993-01-22 | 位置合わせ方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
| US08/360,028 US5525808A (en) | 1992-01-23 | 1994-12-20 | Alignment method and alignment apparatus with a statistic calculation using a plurality of weighted coordinate positions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00890593A JP3219217B2 (ja) | 1993-01-22 | 1993-01-22 | 位置合わせ方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224103A JPH06224103A (ja) | 1994-08-12 |
| JP3219217B2 true JP3219217B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=11705693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00890593A Expired - Lifetime JP3219217B2 (ja) | 1992-01-23 | 1993-01-22 | 位置合わせ方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3219217B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3501276B2 (ja) | 1998-12-17 | 2004-03-02 | シャープ株式会社 | 半導体ウエハの位置合わせ方法 |
| JP2000260699A (ja) | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Canon Inc | 位置検出装置及び該位置検出装置を用いた半導体露光装置 |
| JP4905617B2 (ja) * | 2001-05-28 | 2012-03-28 | 株式会社ニコン | 露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP4072408B2 (ja) | 2002-09-24 | 2008-04-09 | キヤノン株式会社 | 位置検出方法 |
| JP2004265957A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-24 | Nikon Corp | 最適位置検出式の検出方法、位置合わせ方法、露光方法、デバイス製造方法及びデバイス |
-
1993
- 1993-01-22 JP JP00890593A patent/JP3219217B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06224103A (ja) | 1994-08-12 |
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