JPH06273932A - ポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物 - Google Patents
ポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物Info
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- JPH06273932A JPH06273932A JP5063895A JP6389593A JPH06273932A JP H06273932 A JPH06273932 A JP H06273932A JP 5063895 A JP5063895 A JP 5063895A JP 6389593 A JP6389593 A JP 6389593A JP H06273932 A JPH06273932 A JP H06273932A
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Abstract
合およびアミド基を有する化合物と、光開始剤および/
または増感剤および/または光反応性モノマを含有する
ことを特徴とするポジ型感光性ポリイミド前駆体組成
物。 【効果】本発明におけるポジ型の感光性ポリイミド前駆
体組成物は容易に製造でき、かつ現像、キュアすること
により、性能が優れたポジ型のポリイミド被膜を得るこ
とができる。
Description
ド前駆体組成物に関するものである。
次のものが知られていた。
または重合可能な炭素−炭素二重結合およびアミノ基ま
たはその四級化塩を添加した組成物(例えば特公昭59
−52822号公報)。
添加した組成物(例えば特開平3−170555号公
報)。
た部分が現像により残るネガ型であった。ネガ型の場
合、露光時に使用するマスクなどにダストなどが付着し
ているとその部分が欠陥となり、ポリイミド被膜にピン
ホールが形成される。そのため、とくにポリイミド被膜
を半導体素子の保護膜や、高密度実装用多層配線の層間
絶縁膜として用いた場合は、歩留まりの低下や信頼性が
低下するという問題があり、ポジ型の感光性ポリイミド
前駆体組成物が求められていた。
物としては、次のものが知られていた。
性の感光性を導入した感光性ポリイミド前駆体(例え
ば、特開平01−61747号公報)。
構造のナフトキノンジアジド化合物を添加し、露光後に
特定の温度範囲で熱処理し、形成した感光性ポリイミド
前駆体(例えば、高分子学会予稿集、40巻、3号、8
21(1991))。
ポリイミド前駆体組成物の製造方法が繁雑であったり、
性能面などで問題があり、実用化されていないのが現状
である。
を解決せしめ、製造方法が容易でかつ性能が優れたポジ
型の感光性ポリイミド前駆体組成物を提供することを目
的とするものである。
ポリマ(A)、
る3価または4価の有機基、R2 は少なくとも2個の炭
素原子を有する2価の有機基、R3 は水素、アルカリ金
属イオン、アンモニウムイオンまたは炭素数1〜30の
有機基を表す。nは1または2である。) (b)エチレン性不飽和二重結合およびアミド基を有す
る化合物(B)、および (c)光開始剤および/または増感剤および/または光
反応性モノマを含有することを特徴とするポジ型感光性
ポリイミド前駆体組成物により達成される。
造単位を主成分とするポリマ(A)とは、加熱あるいは
適当な触媒により、イミド環や、その他の環状構造を有
するポリマ(以後、ポリイミド系ポリマという)となり
得るものである。
個の炭素原子を有する3価または4価の有機基である。
耐熱性の面から、R1 は芳香族環または芳香族複素環を
含有し、かつ、炭素数6〜30の3価または4価の基が
好ましい。具体的には、フェニル基、ビフェニル基、タ
ーフェニル基、ナフタレン基、ペリレン基、ジフェニル
エーテル基、ジフェニルスルホン基、ジフェニルプロパ
ン基、ベンゾフェノン基、ビフェニルトリフルオロプロ
パン基などが挙げられるが、これらに限定されない。
個の炭素原子を有する2価の有機基であるが、耐熱性の
面から、R2 は芳香族環または芳香族複素環を含有し、
かつ炭素数6〜30の2価の基が好ましい。具体的に
は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフ
タレン基、ペリレン基、ジフェニルエーテル基、ジフェ
ニルスルホン基、ジフェニルプロパン基、ベンゾフェノ
ン基、ビフェニルトリフルオロプロパン基などが挙げら
れるが、これらに限定されない。
に、耐熱性を低下させない範囲でR1 、R2 としてジア
ミン成分として、シロキサン構造を有する脂肪族性の基
を共重合していてもよい。具体的には、ビス(3−アミ
ノプロピル)テトラメチルジシロキサンなどを1〜10
モル%共重合したものなどがあげられる。
モニウムイオンまたは炭素数1〜30の有機基を表す。
R3 の好ましい具体例としては、水素、メチル基、エチ
ル基、イソプロピル基、ブチル基、メタクリル酸エチル
基、アクリル酸エチル基、o−ニトロベンジル基などが
あげられるが、これらに限定されない。
らのうち各々1種から構成されていても良いし、各々2
種以上から構成される共重合体であってもよい。
構造単位のみからなるものであっても良いし、他の構造
単位との共重合体あるいはブレンド体であっても良い。
その際、一般式(1)で表される構造単位を90モル%
以上含有していることが好ましい。共重合あるいはブレ
ンドに用いられる構造単位の種類および量は最終加熱処
理によって得られるポリイミド系ポリマの耐熱性を損な
わない範囲で選択することが好ましい。
リット酸二無水物と4,4´−ジアミノジフェニルエー
テル、3,3´,4,4´−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物と4,4´−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3,3´,4,4´−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物と4,4´−ジアミノジフェニルエーテル、
3,3´,4,4´−ビフェニルトリフルオロプロパン
テトラカルボン酸二無水物と4,4´−ジアミノジフェ
ニルエーテル、3,3´,4,4´−ビフェニルスルホ
ンテトラカルボン酸二無水物と4,4´−ジアミノジフ
ェニルエーテル、ピロメリット酸二無水物と3,3´
(または4,4´)−ジアミノジフェニルスルホン、
3,3´,4,4´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物と3,3´(または4,4´)−ジアミノジフ
ェニルスルホン、3,3´,4,4´−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物と3,3´(または4,4´)−
ジアミノジフェニルスルホン、ピロメリット酸二無水物
と4,4´−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3
´,4,4´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物と4,4´−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3
´,4,4´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と
4,4´−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3´,
4,4´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と
パラフェニレンジアミン、3,3´,4,4´−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミ
ン、3,3´,4,4´−ジフェニルエーテルテトラカ
ルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミン、3,3
´,4,4´−ビフェニルトリフルオロプロパンテトラ
カルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミン、3,3
´,4,4´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と
タ−フェニルジアミン、3,3´,4,4´−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物および3,3´,4,4´
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物とパラフェ
ニレンジアミン、ピロメリット酸二無水物および3,3
´,4,4´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物と3,3´(または4,4´)−ジアミノジフェニル
エーテル、ピロメリット酸二無水物および3,3´,
4,4´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラ
フェニレンジアミン、3,3´,4,4´−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物と4,4´−ジアミノジ
フェニルエーテルおよびビス(3−アミノプロピル)テ
トラメチルジシロキサン、ピロメリット酸二無水物と
4,4´−ジアミノジフェニルエーテルおよびビス(3
−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、3,3
´,4,4´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と
4,4´−ジアミノジフェニルエーテルおよびビス(3
−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、などか
ら合成されたポリアミド酸およびそのエステル化物が挙
げられるが、これらに限定されない。
化物は公知の方法によって合成される。すなわち、ポリ
アミド酸の場合はテトラカルボン酸二無水物とジアミン
を選択的に組み合わせ、これらをN−メチル−2−ピロ
リドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメ
チルホルムアミドなどを主成分とする極性溶媒や、γ−
ブチロラクトン中で反応させることにより合成される。
ポリアミド酸のエステル化物は例えば、特開昭61−7
2022号公報、特公昭55−30207号公報に記載
されている方法などで合成される。
よびアミド基を有する化合物としては、80℃で10mmHg
以下の蒸気圧を示す化合物が好ましい。80℃で10mmHg
以上の蒸気圧を示す化合物、例えばN,N−ジメチルア
クリルアミドはポリイミド前駆体組成物の被膜を基板上
に形成する乾燥工程でそのほとんどが揮発し、良好な感
光性能が得られないため好ましくない。また、N−メチ
ロールアクリルアミドのように、乾燥工程でポリマ
(A)のアミド基と反応し共有結合を形成する化合物も
好ましくない。
を有する化合物としては、一般式(2)、(3)、
(4)、(5)または(6)で表される化合物が好まし
い。
数1〜6の低級アルキル基を表す。R5 、R9 、R12、
R13、R16は水素または炭素数1〜30の有機基を表
す。炭素数1〜30の有機基としては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、シクロ
ヘキシル基、−C(CH3 )2 CH2 COCH3 基など
の基があげられる。R6 は炭素数3〜30の脂肪族有機
基またはシクロヘキシル基を表す。ここで、炭素数が3
〜30であることが重要である。炭素数が3未満の場
合、上述のように、良好な感光性能が得られなかった
り、ネガ型像を形成したりするので好ましくない。炭素
数3〜30の脂肪族有機基としては、プロピル基、ブチ
ル基、ジメチルアミノエチル基、ジメチルアミノプロピ
ル基、ジエチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピ
ル基、−C(CH3 )2 CH2 COCH3 基などの基が
あげられる。R10、R18は炭素数1〜6の低級アルキル
基を表す。R17は炭素数1〜30の有機基を表す。炭素
数1〜30の有機基としては、メチレン基、エチレン
基、プロピレン基などの基があげられる。
で表される化合物としては、N−イソプロピルメタクリ
ルアミド、N−イソプロピルアクリルアミド、N−ブチ
ルメタクリルアミド、N−ブチルアクリルアミド、ジア
セトンアクリルアミド、ジアセトンメタクリルアミド、
N−シクロヘキシルメタクリルアミド、N−シクロヘキ
シルアクリルアミド、N,N−ジメチルアミノエチル
(メタクリルまたはアクリル)アミド、N,N−ジメチ
ルアミノプロピル(メタクリルまたはアクリル)アミ
ド、N,N−ジエチルアミノエチル(メタクリルまたは
アクリル)アミド、N,N−ジエチルアミノプロピル
(メタクリルまたはアクリル)アミドなど、一般式
(3)で表される化合物としては、アクリロイルモルホ
リン、メタクリロイルモルホリンなど、一般式(4)で
表される化合物としては、アクリロイルピペリジン、メ
タクリロイルピペリジンなど、一般式(5)で表される
化合物としては、クロトンアミド、N−メチルクロトン
アミド、N−イソプロピルクロトンアミド、N−ブチル
クロトンアミドなど、一般式(6)で表される化合物と
しては、酢酸アリルアミド、プロピオン酸アリルアミド
などが挙げられるがこれらに限定されない。これらの化
合物(B)は単独もしくは2種以上の混合物として使用
される。
ミノ基またはその4級化塩を含む化合物を添加するとさ
らに感光性能が向上するのでより好ましい。好ましい具
体的な例として、メタクリル酸ジメチルアミノエチル、
メタクリル酸ジエチルアミノエチル、メタクリル酸ジメ
チルアミノプロピル、アクリル酸ジメチルアミノエチ
ル、アクリル酸ジエチルアミノエチル、アクリル酸ジメ
チルアミノプロピル、N、N−ジメチルアミノエチル
(メタクリルまたはアクリル)アミド、N、N−ジメチ
ルアミノプロピル(メタクリルまたはアクリル)アミ
ド、N、N−ジエチルアミノエチル(メタクリルまたは
アクリル)アミド、N、N−ジエチルアミノプロピル
(メタクリルまたはアクリル)アミドなどが挙げられる
がこれらに限定されない。
%、好ましくは30%に相当する当量以上で、かつポリ
マ中の全カルボキシル基の当量の5倍以下の割合で混合
されているのが望ましい。この範囲をはずれると感度が
悪くなったり、現像への制約が多くなる。
4´−ジエチルアミノベンゾフェノン、N−フェニルジ
エタノールアミン、N−フェニルグリシンなど芳香族ア
ミン化合物、1−フェニルプロパンジオン−2−(O−
エトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−1,2
−ブタンジオン−2−(O−メトキシカルボニル)オキ
シム、1−フェニルプロパンジオン−2−(O−ベンゾ
イル)オキシム、1−2−ジフェニル−エタンジオン−
1−(O−ベンゾイル)オキシムに代表される鎖状オキ
シムエステル化合物、3−フェニル−5−イソオキサゾ
ロンに代表される環状オキシムエステル化合物が有効で
あるがこれらに限定されない。とくにオキシムエステル
化合物が感度面で望ましい。これらの光開始剤は単独あ
るいは2種以上混合して使用される。
て1〜100重量%、好ましくは5〜50重量%混合さ
れているのが望ましい。この範囲をはずれると感度が悪
くなったり、現像への制約が多くなる。
´−ジエチルアミノベンゾフェノン、3,3´−カルボ
ニルビス(ジエチルアミノクマリン)、コダック社
(株)の“クマリン”339、“クマリン”338、
“クマリン”314、“クマリン”7などが有効である
が、これらに限定されない。とくにクマリン化合物が感
度面で望ましい。これらの増感剤は単独もしくは2種以
上の混合物として使用される。
0.1〜20重量%、好ましくは0.2〜10重量%混
合されているのが感度面で望ましい。光反応性モノマと
しては2−ヒドロキシエチルメタクリレート、メタクリ
ル酸、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリ
メチロールプロパントリメタクリレート、エチレングリ
コールジメタクリレートなどのモノマをポリマに対して
1重量%〜20重量%、添加するとさらに感度の向上が
期待できる。
物、増感剤としてクマリン化合物を組み合わせたもの
が、とくに本発明のポジ型感光性ポリイミド前駆体組成
物に有効である。
チルメタクリレート、トリメチロールプロパントリアク
リレート、トリメチロールプロパントリメタクリレー
ト、エチレングリコールジメタクリレートなどがあげら
れる。これらの光反応性モノマは単独あるいは2種以上
混合して使用される。これらの光反応性モノマはポリマ
成分に対して1〜20重量%添加するとさらに感度の向
上が期待できる。
光開始剤および/または増感剤および/または光反応性
モノマを溶媒と混合することにより化学線感応性ポリイ
ミド前駆体組成物を得る。
チル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホオ
キシド、ヘキサメチルホスホロトリアミド、γ−ブチロ
ラクトン、N,N−ジメチルアクリルアミドなどの非プ
ロトン性極性溶媒が単独もしくは二種以上の混合物とし
て好ましく用いられるが、これらに限定されない。
体組成物に基板との塗れ性を向上させる界面活性剤や、
SiO2 、TiO2 などの無機粒子、あるいはポリイミ
ドの粒子を添加してもよい。
体組成物を用いてポジ型のポリイミドパターンを形成す
る方法について説明する。
に塗布する。基板としてはシリコン、アルミニウム、窒
化アルミ、アルミナセラミックス、ガラスセラミック
ス、サファイヤ、半導体を形成した基板などが用いられ
るが、これらに限定されない。塗布方法としては、スピ
ンナーを用いた回転塗布、スプレーコータ、浸漬、ロー
ルコーティングなどがあげられるが、これらに限定され
ない。また、塗布膜厚は、塗布手段、組成物の固形分濃
度、粘度等によって異なるが、通常、乾燥後の膜厚が、
0.1〜150μmになるように塗布される。
基板を乾燥し、ポリイミド前駆体組成物被膜を得る。乾
燥は、オーブン、ホットプレート、赤外線などを使用
し、50〜100℃の範囲で1分〜数時間行うのが好ま
しい。
るマスクを置き、それを介して化学線を照射し露光す
る。露光に用いられる化学線としては、紫外線、可視光
線、電子線、X線などが挙げられる。とくに紫外線、可
視光線が好ましい。
膜が露光部の被膜より、硬化度が高くなる処理を施すこ
とが重要である。未露光部の被膜が露光部の被膜より、
硬化度が高くなる処理としては、熱処理、赤外線照射処
理、マイクロ波照射処理などが有効であり、特に熱処理
が簡便な点で望ましい。熱処理は前記乾燥の工程と同じ
か、それより高い温度で1分〜数時間行うのが好まし
い。具体的には60〜180℃、さらに好ましくは90
〜170℃の温度である。露光後に、これらの処理を行
うことによって、未露光部の被膜が露光部の被膜より硬
化度が高くなるので現像液に対する耐性が高くなり、現
像すると露光部の方が未露光部より早く除去され、ポジ
型の像が形成される。
物の被膜から、ポリイミド以外の成分、例えば、アミノ
基および/またはアミド基を有する化合物、光開始剤、
光反応性のモノマ類、溶剤、閉環水などが揮発すること
をいう。ポリイミド前駆体組成物の被膜は硬化が進むほ
ど、膜厚が薄くなり、硬化が完了した時点、すなわち、
ポリイミド被膜になった時点で、ある一定の膜厚にな
る。硬化度が高くなる処理を施した後の未露光部の被膜
と露光部の被膜との硬化度の違いを膜厚の比(すなわ
ち、硬化度比=未露光部被膜の膜厚÷露光部被膜の膜
厚)で示す。硬化度比は露光量および硬化を進める処理
条件により異なるが、0.98以下が望ましい。さらに好ま
しくは0.97以下である。硬化を進める処理を施さない場
合(硬化度比1.000 )は、現像の初期にネガ像が一瞬形
成されるが、やがて消失する。
除去は、剥離、溶解、エッチングなどにより行うことが
できる。具体的には、機械的に剥離する、プラズマエッ
チング、現像液による方法などが挙げられるが、とくに
現像液による方法が簡便な点で望ましい。
カリウム、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド、コ
リンなどのアルカリ水溶液が望ましい。またこれらのア
ルカリとN−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチ
ルアセトアミド、などの極性溶媒や、メタノール、エタ
ノール、イソプロピルアルコールなどのアルコールと組
み合わせた現像液、N−メチル−2−ピロリドン、N,
N−ジメチルアセトアミドなどの極性溶媒とキシレン、
水と組み合わせた現像液も使用できる。
ル、イソプロピルアルコールなどのアルコールでリンス
をすることが好ましい。
前駆体のイミド化を行い、ポリイミド絶縁膜を得る。現
像後のキュアは温度を選び、段階的に昇温するか、ある
温度範囲を選び連続的に昇温しながら5分〜5時間実施
する。このキュアの最高温度は、250〜500℃、好
ましくは、300〜450℃で行うのがよい。例えば、
130℃、200℃、400℃で各々30分熱処理す
る。また、室温から400℃まで2時間かけて直線的に
昇温してもよい。
駆体により形成したポリイミド被膜は、半導体のパッシ
ベーション膜、半導体素子の保護膜や、高密度実装用多
層配線の層間絶縁膜などの用途として用いられる。
明するが、本発明はこれらに限定されない。
二無水物 80.55g,ピロメリット酸二無水物 54.53gを
エタノール 2.3g,N−メチル−2−ピロリドン 549g
と共に、70℃で3時間反応させた。その後20℃に冷
却し、4,4´−ジアミノジフェニルエーテル 95.10g
およびビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロ
キサン 6.20 gを添加し、さらに60℃で3時間反応さ
せ、粘度122ポアズ(25℃)のポリマ(A)溶液を
得た。この溶液にN−イソプロピルアクリルアミド 11
3.16 g(ポリマ中の全カルボキシル基と当量)、3−
フェニル−5−イソオキサゾロン 23.6 g、3,3´−
カルボニルビス(ジエチルアミノクマリン) 2.36 gお
よびγ−ブチロラクトン 315gを添加し、感光性ポリイ
ミド前駆体組成物を得た。
ミド前駆体組成物を塗布、60℃で30分窒素雰囲気中
で乾燥し、膜厚5.18μmの被膜を形成した。キャノン
(株)製紫外線露光機PLA−501Fを用い、クロム
製のフォトマスクを介して1000mJ/cm2 (365n
m の紫外線強度)露光した。露光後、ホットプレートで
140℃で3分熱処理を施した。この処理により未露光
部の被膜は4.12μm、露光部の被膜は4.44μmの膜厚と
なり、硬化度比は 0.928であった。次にテトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイドの2.38%の水溶液からな
る現像液に浸漬したところ露光部が溶解し、未露光部が
2.34μm残存した像が形成された。水でリンス後、窒素
ブローして乾燥した。この様にして、得られたポジ型の
パターンを130℃、200℃、400℃で各々30分
窒素雰囲気中でキュアし、ポジ型のポリイミドパターン
を形成した。
キサイドの2.38%の水溶液からなる現像液の代りにN−
メチル−2−ピロリドン700g,キシレン300g、水100gか
らなる現像液に浸漬し、ポジ型のパターンを得た。
ンジオン−2−(O−エトキシカルボニル)オキシム 2
3.6 g、コダック社(株)の“クマリン”339 2.36
g、N,N−ジメチルアセトアミド 315gおよびクロト
ンアミド 42.6g、N、N−ジメチルアミノプロピルメ
タクリルアミド 85.0 gを添加した感光性ポリイミド前
駆体組成物を調整した。
ミド前駆体組成物を塗布、ホットプレートで80℃で3
分乾燥し、膜厚5.40μmポリイミド前駆体被膜を形成し
た。キャノン(株)製紫外線露光機PLA−501Fを
用い、クロム製のフォトマスクを介して1000mJ/
cm2 (365nm の紫外線強度)露光した。露光後、ホッ
トプレートで140℃で3分熱処理を施した。この処理
により未露光部の被膜は4.29μm、露光部の被膜は4.65
μmの膜厚となり、硬化度比は 0.923であった。次にテ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの2.38%の
水溶液からなる現像液に浸漬現像し、水でリンス後、窒
素ブローし、ポジ型のポリイミドパターンを得た。
イソオキサゾロン 23.6 g、3,3´−カルボニルビス
(ジエチルアミノクマリン) 2.36 g、γ−ブチロラク
トン 315gおよびジアセトンアクリルアミドをポリマ中
の全カルボキシル基に対して当量( 169.22 g)添加し
た感光性ポリイミド前駆体組成物を調整した。
ミド前駆体組成物を塗布、ホットプレートで80℃で3
分乾燥し、膜厚6.83μmポリイミド前駆体皮膜を形成し
た。キャノン(株)製紫外線露光機PLA−501Fを
用い、クロム製のフォトマスクを介して1000mJ/
cm2 (365nm の紫外線強度)露光した。露光後、ホッ
トプレートで140℃で3分熱処理を施した。この処理
により未露光部の被膜は4.54μm、露光部の被膜は5.51
μmの膜厚となり、硬化度比は 0.823であった。次にテ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの2.38%の
水溶液からなる現像液に浸漬現像し、水でリンス後、窒
素ブローし、ポジ型のポリイミドパターンを得た。
イソオキサゾロン 23.6 g、3,3´−カルボニルビス
(ジエチルアミノクマリン) 2.36 g、γ−ブチロラク
トン 315gおよび酢酸アリルアミド 49.6 g、メタクリ
ル酸ジエチルアミノエチル 92.5 gを添加した感光性ポ
リイミド前駆体組成物を調整した。
ミド前駆体組成物を塗布、ホットプレートで80℃で3
分乾燥し、膜厚4.55μmポリイミド前駆体皮膜を形成し
た。キャノン(株)製紫外線露光機PLA−501Fを
用い、クロム製のフォトマスクを介して1000mJ/
cm2 (365nm の紫外線強度)露光した。露光後、ホッ
トプレートで140℃で3分熱処理を施した。この処理
により未露光部の被膜は3.61μm、露光部の被膜は4.44
μmの膜厚となり、硬化度比は 0.813であった。次にテ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの2.38%の
水溶液からなる現像液に浸漬現像し、水でリンス後、窒
素ブローし、ポジ型のポリイミドパターンを得た。
わりに、アクリロイルモルホリンを 141.17 g添加し、
感光性ポリイミド前駆体組成物を調整した。
ミド前駆体組成物を塗布、ホットプレートで80℃で3
分乾燥し、膜厚4.54μmポリイミド前駆体皮膜を形成し
た。キャノン(株)製紫外線露光機PLA−501Fを
用い、クロム製のフォトマスクを介して1000mJ/
cm2 (365nm の紫外線強度)露光した。露光後、ホッ
トプレートで140℃で3分熱処理を施し、ポジ型の感
光性ポリイミド前駆体被膜を得た。この処理により未露
光部の被膜は3.55μm、露光部の被膜は4.02μmの膜厚
となり、硬化度比は 0.883であった。次にテトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイドの2.38%の水溶液から
なる現像液に浸漬現像し、水でリンス後、窒素ブロー
し、ポジ型のポリイミドパターンを得た。
(1)で表される構造単位を主成分とするポリマ、エチ
レン性不飽和二重結合およびアミド基を有する特定の化
合物、および光開始剤および/または増感剤および/ま
たは光反応性モノマを含有する組成物が、ポジ型の感光
性ポリイミド前駆体として優れた性能を示すと言う予想
外の効果を得ることができたものである。本発明におけ
るポジ型の感光性ポリイミド前駆体組成物は容易に製造
でき、かつ現像、キュアすることにより、性能が優れた
ポジ型のポリイミド被膜を得ることができる。
に、耐熱性を低下させない範囲でR1 、R2 として、シ
ロキサン構造を有する脂肪族性の基を共重合していても
よい。具体的には、ビス(3−アミノプロピル)テトラ
メチルジシロキサンなどを1〜10モル%共重合したも
のなどがあげられる。
Claims (3)
- 【請求項1】(a)一般式(1)で表される構造単位を
主成分とするポリマ(A)、 【化1】 (ただし、式中R1 は少なくとも2個の炭素原子を有す
る3価または4価の有機基、R2 は少なくとも2個の炭
素原子を有する2価の有機基、R3 は水素、アルカリ金
属イオン、アンモニウムイオンまたは炭素数1〜30の
有機基を表す。nは1または2である。) (b)エチレン性不飽和二重結合およびアミド基を有す
る化合物(B)、および (c)光開始剤および/または増感剤および/または光
反応性モノマを含有することを特徴とするポジ型感光性
ポリイミド前駆体組成物。 - 【請求項2】エチレン性不飽和二重結合およびアミド基
を有する化合物が、80℃で10mmHg以下の蒸気圧
を示す化合物であることを特徴とする請求項1記載のポ
ジ型感光性ポリイミド前駆体組成物。 - 【請求項3】エチレン性不飽和二重結合およびアミド基
を有する化合物が、一般式(2)、(3)、(4)、
(5)または(6)で表される化合物の群から選ばれる
少なくとも一種であることを特徴とする請求項1または
2記載のポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物。 【化2】 【化3】 【化4】 【化5】 【化6】 (ただし、式中R4 、R7 、R8 、R11、R14、R15は
水素または炭素数1〜6の低級アルキル基、R5 、
R9 、R12、R13、R16は水素または炭素数1〜30の
有機基、R6 は炭素数3〜30の脂肪族有機基またはシ
クロヘキシル基、R10、R18は炭素数1〜6の低級アル
キル基、R17は炭素数1〜30の有機基を表す。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5063895A JPH06273932A (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | ポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5063895A JPH06273932A (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | ポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06273932A true JPH06273932A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13242499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5063895A Pending JPH06273932A (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | ポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06273932A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180063101A (ko) | 2015-10-08 | 2018-06-11 | 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 | 신규 폴리술폰아미드 화합물, 및 당해 화합물을 함유하는 수지 조성물 |
JP2021161267A (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-11 | 東京応化工業株式会社 | ワニス組成物、ポリイミド樹脂の製造方法、及び添加剤 |
-
1993
- 1993-03-23 JP JP5063895A patent/JPH06273932A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180063101A (ko) | 2015-10-08 | 2018-06-11 | 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 | 신규 폴리술폰아미드 화합물, 및 당해 화합물을 함유하는 수지 조성물 |
US10782612B2 (en) | 2015-10-08 | 2020-09-22 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Polysulfone amide compound, and resin composition containing same |
JP2021161267A (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-11 | 東京応化工業株式会社 | ワニス組成物、ポリイミド樹脂の製造方法、及び添加剤 |
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