JPH06267963A - 半導体部品におけるバンプ電極の形成方法 - Google Patents
半導体部品におけるバンプ電極の形成方法Info
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- JPH06267963A JPH06267963A JP5057096A JP5709693A JPH06267963A JP H06267963 A JPH06267963 A JP H06267963A JP 5057096 A JP5057096 A JP 5057096A JP 5709693 A JP5709693 A JP 5709693A JP H06267963 A JPH06267963 A JP H06267963A
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- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体部品５における電極パッド５ａに対し
て、金等の金属製のバンプ電極３ｂを、前記半導体部品
５にヒロックを成長することなく、低コストで形成す
る。 【構成】 転写板１の表面に、金属ペースト３を、スク
リーン印刷によってタブレット状に塗着して、次いで、
このタブレット状の金属ペースト３ａを、前記転写板１
上において加熱・焼成することによってバンプ電極３ｂ
に形成したのち、このバンプ電極３ｂを、前記転写板１
から半導体部品５における電極パッド５ａに転写・接合
する。
て、金等の金属製のバンプ電極３ｂを、前記半導体部品
５にヒロックを成長することなく、低コストで形成す
る。 【構成】 転写板１の表面に、金属ペースト３を、スク
リーン印刷によってタブレット状に塗着して、次いで、
このタブレット状の金属ペースト３ａを、前記転写板１
上において加熱・焼成することによってバンプ電極３ｂ
に形成したのち、このバンプ電極３ｂを、前記転写板１
から半導体部品５における電極パッド５ａに転写・接合
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子を備えた半
導体チップ等の半導体部品を、回路基板又はリードフレ
ーム等に対して、金又は銀等の金属製のバンプ電極を介
して接続する場合において、前記半導体部品における電
極パッドに対して、前記金属製のバンプ電極を形成する
方法に関するものである。
導体チップ等の半導体部品を、回路基板又はリードフレ
ーム等に対して、金又は銀等の金属製のバンプ電極を介
して接続する場合において、前記半導体部品における電
極パッドに対して、前記金属製のバンプ電極を形成する
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体チップ等の半導体部品にお
ける電極パッドに対して金又は銀等の金属製のバンプ電
極を形成するには、金又は銀のメッキによって形成する
のが一般的であったが、メッキによる方法は、多数の工
程を必要とすることにより、コストが大幅にアップする
ばかりか、メッキ液の処理等の公害上の問題もあった。
ける電極パッドに対して金又は銀等の金属製のバンプ電
極を形成するには、金又は銀のメッキによって形成する
のが一般的であったが、メッキによる方法は、多数の工
程を必要とすることにより、コストが大幅にアップする
ばかりか、メッキ液の処理等の公害上の問題もあった。
【０００３】そこで、先行技術としての特開平１−２５
１６４３号公報は、バンプ電極の形成に、前記金属メッ
キによる方法に代えて、当該バンプ電極を、半導体部品
における電極パッドに対して、金ペースト又は銀ペース
トをスクリーン印刷によって塗着したのち、適宜温度に
加熱・焼成することによって形成すると言う方法を提案
している。
１６４３号公報は、バンプ電極の形成に、前記金属メッ
キによる方法に代えて、当該バンプ電極を、半導体部品
における電極パッドに対して、金ペースト又は銀ペース
トをスクリーン印刷によって塗着したのち、適宜温度に
加熱・焼成することによって形成すると言う方法を提案
している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この先行技術
の方法は、従来の金属メッキによる方法に比べて、コス
トを大幅に低減できる利点を有するが、その反面、スク
リーン印刷にて塗着した金ペースト又は銀ペーストを加
熱・焼成するに際しては、半導体部品を可成り高い温度
に加熱しなければならず、半導体部品を高い温度に加熱
すると、半導体部品の表面における各種アルミ配線にヒ
ロック（突起）が成長するから、各種アルミ配線に対す
る絶縁性が阻害されて、半導体部品における不良品の発
生率が増大すると言う問題があった。
の方法は、従来の金属メッキによる方法に比べて、コス
トを大幅に低減できる利点を有するが、その反面、スク
リーン印刷にて塗着した金ペースト又は銀ペーストを加
熱・焼成するに際しては、半導体部品を可成り高い温度
に加熱しなければならず、半導体部品を高い温度に加熱
すると、半導体部品の表面における各種アルミ配線にヒ
ロック（突起）が成長するから、各種アルミ配線に対す
る絶縁性が阻害されて、半導体部品における不良品の発
生率が増大すると言う問題があった。
【０００５】本発明は、半導体部品における電極パッド
に対して、金又は銀等の金属製のバンプ電極を形成する
場合において、加熱温度が４００℃よりも低い場合に
は、ヒロックの成長が殆どない点に着目して、前記の問
題を解消できるようにしたバンプ電極の形成方法を提供
することを技術的課題とするものである。
に対して、金又は銀等の金属製のバンプ電極を形成する
場合において、加熱温度が４００℃よりも低い場合に
は、ヒロックの成長が殆どない点に着目して、前記の問
題を解消できるようにしたバンプ電極の形成方法を提供
することを技術的課題とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、耐熱性を有する転写板の表面に、金ペ
ースト又は銀ペースト等の金属ペーストを、スクリーン
印刷によってタブレット状に塗着して、次いで、このタ
ブレット状の金属ペーストを、前記転写板上において加
熱・焼成することによってバンプ電極に形成したのち、
このバンプ電極を、前記転写板から半導体部品における
電極パッドに転写・接合すると言う方法を採用した。
るため本発明は、耐熱性を有する転写板の表面に、金ペ
ースト又は銀ペースト等の金属ペーストを、スクリーン
印刷によってタブレット状に塗着して、次いで、このタ
ブレット状の金属ペーストを、前記転写板上において加
熱・焼成することによってバンプ電極に形成したのち、
このバンプ電極を、前記転写板から半導体部品における
電極パッドに転写・接合すると言う方法を採用した。
【０００７】
【作 用】このようにすると、タブレット状金属ペー
ストからバンプ電極への高温での焼成を、耐熱性を有す
る転写板上において行うことができるから、前記の高温
での焼成に際して、従来のように、半導体部品における
各種アルミ配線にヒロックが成長することを防止できる
のである。
ストからバンプ電極への高温での焼成を、耐熱性を有す
る転写板上において行うことができるから、前記の高温
での焼成に際して、従来のように、半導体部品における
各種アルミ配線にヒロックが成長することを防止できる
のである。
【０００８】また、前記転写板の表面に複数個のタブレ
ット状金属ペーストを塗着形成するに際して、この各タ
ブレット状金属ペーストの配列を、半導体部品における
各電極パッドと同じ配列にすることにより、この転写板
から半導体部品における電極パッドへのバンプ電極の転
写を、複数個のバンプ電極について一斉に行うことがで
きるのである。
ット状金属ペーストを塗着形成するに際して、この各タ
ブレット状金属ペーストの配列を、半導体部品における
各電極パッドと同じ配列にすることにより、この転写板
から半導体部品における電極パッドへのバンプ電極の転
写を、複数個のバンプ電極について一斉に行うことがで
きるのである。
【０００９】
【発明の効果】従って、本発明によると、半導体部品に
おける電極パッドに対して、金又は銀等の金属製のバン
プ電極を、半導体部品における各種アルミ配線にヒロッ
クを成長することなく、換言すると、半導体部品におけ
る不良品の発生率を増大することなく、確実に形成する
ことができる効果を有する。
おける電極パッドに対して、金又は銀等の金属製のバン
プ電極を、半導体部品における各種アルミ配線にヒロッ
クを成長することなく、換言すると、半導体部品におけ
る不良品の発生率を増大することなく、確実に形成する
ことができる効果を有する。
【００１０】また、「請求項２」によると、前記の効果
に加えて、半導体部品における複数個の電極パッドの各
々にバンプ電極を形成することに要するコストの低減を
達成できる効果を有する。
に加えて、半導体部品における複数個の電極パッドの各
々にバンプ電極を形成することに要するコストの低減を
達成できる効果を有する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいて説
明する。先づ、図１において符号１は、上面に離型処理
を施した耐熱材料製の転写板を示し、この転写板１の上
面に、適宜内径の抜き孔２ａを穿設して成る厚さ８０ミ
クロン程度のスクリーンマスク２を重ね合わせ、このス
クリーンマスク２の上面に対して、粒径１ミクロン以下
の金粒子を主成分とする従来公知の金ペースト３を供給
したのち、前記スクリーンマスク２の上面に沿ってスキ
ージ４を移動することによって、前記金ペースト３を、
スクリーンマスク２における各抜き孔２ａ内に充填し、
次いで、前記スクリーンマスク２を除去すると言うスク
リーン印刷を行い。
明する。先づ、図１において符号１は、上面に離型処理
を施した耐熱材料製の転写板を示し、この転写板１の上
面に、適宜内径の抜き孔２ａを穿設して成る厚さ８０ミ
クロン程度のスクリーンマスク２を重ね合わせ、このス
クリーンマスク２の上面に対して、粒径１ミクロン以下
の金粒子を主成分とする従来公知の金ペースト３を供給
したのち、前記スクリーンマスク２の上面に沿ってスキ
ージ４を移動することによって、前記金ペースト３を、
スクリーンマスク２における各抜き孔２ａ内に充填し、
次いで、前記スクリーンマスク２を除去すると言うスク
リーン印刷を行い。
【００１２】このスクリーン印刷によって、前記転写板
１の上面に、図２に示すように、タブレット状金ペース
ト３ａを形成する。次いで、前記転写板１を、各タブレ
ット状金ペースト３ａの乾燥を行ったのち、加熱炉（図
示せず）に入れて、例えば、約８５０℃の温度で約３０
分間にわたって加熱すると言う焼成を行う。
１の上面に、図２に示すように、タブレット状金ペース
ト３ａを形成する。次いで、前記転写板１を、各タブレ
ット状金ペースト３ａの乾燥を行ったのち、加熱炉（図
示せず）に入れて、例えば、約８５０℃の温度で約３０
分間にわたって加熱すると言う焼成を行う。
【００１３】この加熱・焼成により、各タブレット状金
ペースト３ａは、その金粒子が互いに溶着することによ
り、前記転写板１の上面において、図３に示すように、
金製のバンプ電極３ｂになるのである。すなわち、前記
の工程によって、転写板１の上面に、金製バンプ電極３
ｂの複数個を形成することができるのである。
ペースト３ａは、その金粒子が互いに溶着することによ
り、前記転写板１の上面において、図３に示すように、
金製のバンプ電極３ｂになるのである。すなわち、前記
の工程によって、転写板１の上面に、金製バンプ電極３
ｂの複数個を形成することができるのである。
【００１４】一方、図４において符号５は、半導体部品
を示し、この半導体部品５の上面には、各種の半導体素
子（図示せず）に対する複数個の電極パッド５ａと、パ
シベーション膜５ｂとが形成されており、更に、前記各
電極パッド５ａの表面には、従来の場合と同様に、チタ
ン層及び銅層等から成るバリヤ皮膜（図示せず）が形成
されている。
を示し、この半導体部品５の上面には、各種の半導体素
子（図示せず）に対する複数個の電極パッド５ａと、パ
シベーション膜５ｂとが形成されており、更に、前記各
電極パッド５ａの表面には、従来の場合と同様に、チタ
ン層及び銅層等から成るバリヤ皮膜（図示せず）が形成
されている。
【００１５】そして、この半導体部品５の上面に対し
て、前記のように、上面においてバンブ電極３ｂの複数
個を形成した転写板１を、裏返しにし、且つ、各バンプ
電極３ｂが、半導体部品５における各電極パッド５ａに
接当するようにして重ね合わせる。次いで、この重ね合
わせた状態で、各バンプ電極３ｂを、その各々の電極パ
ッド５ａに対して、超音波振動又は熱圧着等にて接合し
たのち、転写板１を除去することにより、前記各バンプ
電極３ｂを、図５に示すように、転写板１から半導体部
品５における各電極パッド５ａに転写・接合する。
て、前記のように、上面においてバンブ電極３ｂの複数
個を形成した転写板１を、裏返しにし、且つ、各バンプ
電極３ｂが、半導体部品５における各電極パッド５ａに
接当するようにして重ね合わせる。次いで、この重ね合
わせた状態で、各バンプ電極３ｂを、その各々の電極パ
ッド５ａに対して、超音波振動又は熱圧着等にて接合し
たのち、転写板１を除去することにより、前記各バンプ
電極３ｂを、図５に示すように、転写板１から半導体部
品５における各電極パッド５ａに転写・接合する。
【００１６】この転写・接合した後において、半導体部
品５を、加熱炉に入れて、例えば、約３００℃の温度で
約３０分間にわたって加熱すると言うアニールを施すこ
とにより、金粒子の拡散を促進して、バンプ電極３ｂに
おける強度の向上と、電極パッド５ａに対する接合強度
の向上とを図ったのち、図６に示すような完成品にする
のである。
品５を、加熱炉に入れて、例えば、約３００℃の温度で
約３０分間にわたって加熱すると言うアニールを施すこ
とにより、金粒子の拡散を促進して、バンプ電極３ｂに
おける強度の向上と、電極パッド５ａに対する接合強度
の向上とを図ったのち、図６に示すような完成品にする
のである。
【００１７】このように、本発明によると、タブレット
状金ペースト３ａからバンプ電極３ｂの高温での焼成
を、転写板１上において行うものであるから、前記の高
温での焼成に際して、従来のように、半導体部品５にお
ける各種アルミ配線にヒロックが成長することを防止で
きるのである。また、転写板１の上面に形成する各タブ
レット状金属ペースト３ａの配列を、半導体部品５にお
ける各電極パッド５ａと同じ配列にすることにより、こ
の転写板１から半導体部品５における電極パッド５ａへ
の各バンプ電極３ｂの転写を、複数個のバンプ電極３ｂ
について一斉に行うことができるのである。
状金ペースト３ａからバンプ電極３ｂの高温での焼成
を、転写板１上において行うものであるから、前記の高
温での焼成に際して、従来のように、半導体部品５にお
ける各種アルミ配線にヒロックが成長することを防止で
きるのである。また、転写板１の上面に形成する各タブ
レット状金属ペースト３ａの配列を、半導体部品５にお
ける各電極パッド５ａと同じ配列にすることにより、こ
の転写板１から半導体部品５における電極パッド５ａへ
の各バンプ電極３ｂの転写を、複数個のバンプ電極３ｂ
について一斉に行うことができるのである。
【００１８】なお、前記実施例は、金製のバンプ電極を
形成する場合について説明したが、本発明は、これに限
らず、銀又は銅等のその他の金属製バンプ電極を形成す
る場合にも適用できることは言うまでもない。
形成する場合について説明したが、本発明は、これに限
らず、銀又は銅等のその他の金属製バンプ電極を形成す
る場合にも適用できることは言うまでもない。
【図１】転写板の上面にスクリーン印刷を行っている状
態の縦断正面図である。
態の縦断正面図である。
【図２】転写板の上面に金ペーストをタブレット状に塗
着した状態の縦断正面図である。
着した状態の縦断正面図である。
【図３】転写板の上面におけるタブレット状金ペースト
をバンプ電極に焼成した状態の縦断正面図である。
をバンプ電極に焼成した状態の縦断正面図である。
【図４】転写体を半導体部品に対して裏返して重ね合わ
せた状態の縦断正面図である。
せた状態の縦断正面図である。
【図５】転写板におけるバンプ電極を半導体部品側に転
写した状態の縦断正面図である。
写した状態の縦断正面図である。
【図６】半導体部品に転写したバンプ電極をアニールし
た後の状態を示す縦断正面図である。
た後の状態を示す縦断正面図である。
１ 転写板 ２ スクリーンマスク ２ａ 抜き孔 ３ 金ペースト ３ａ タブレット状金ペースト ３ｂ バンプ電極 ４ スキッジ ５ 半導体部品 ５ａ 電極バッド
Claims (2)
- 【請求項１】耐熱性を有する転写板の表面に、金ペース
ト又は銀ペースト等の金属ペーストを、スクリーン印刷
によってタブレット状に塗着して、次いで、このタブレ
ット状の金属ペーストを、前記転写板上において加熱・
焼成することによってバンプ電極に形成したのち、この
バンプ電極を、前記転写板から半導体部品における電極
パッドに転写・接合することを特徴とする半導体部品に
おけるバンプ電極の形成方法。 - 【請求項２】前記転写板の表面に、複数個のタブレット
状金属ペーストを、前記半導体部品における各電極パッ
ドの配列と同じ配列で塗着形成することを特徴とする
「請求項１」に記載した半導体部品におけるバンプ電極
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5057096A JPH06267963A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 半導体部品におけるバンプ電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5057096A JPH06267963A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 半導体部品におけるバンプ電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267963A true JPH06267963A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=13045981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5057096A Pending JPH06267963A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 半導体部品におけるバンプ電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06267963A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10256307A (ja) * | 1997-03-13 | 1998-09-25 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 半導体素子付き配線基板、配線基板及びその製造方法 |
| US6051448A (en) * | 1996-06-11 | 2000-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing an electronic component |
| US6429114B1 (en) * | 1997-10-14 | 2002-08-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating a multilayer ceramic substrate |
| JP4859996B1 (ja) * | 2010-11-26 | 2012-01-25 | 田中貴金属工業株式会社 | 金属配線形成用の転写基板による金属配線の形成方法 |
| KR101153560B1 (ko) * | 2004-06-24 | 2012-06-13 | 에스엔에쎄엠아 프로폴지옹 솔리드 | 실리콘-기재 조성물로 밀봉된 복합 재료 부재를 땜질하는방법 |
| WO2013073440A1 (ja) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | 田中貴金属工業株式会社 | 金属配線形成用の転写基板及び前記転写用基板による金属配線の形成方法 |
-
1993
- 1993-03-17 JP JP5057096A patent/JPH06267963A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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