JPH09199639A - 半導体装置およびその成形方法 - Google Patents
半導体装置およびその成形方法Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
成形が行えるとともにさらなる薄形化が可能になる。 【解決手段】 ダイパッド3の表面上にチップ4を固定
し、その全体を樹脂1で被覆してパッケージを形成した
半導体装置であって、ダイパッド3の裏面が外部に露出
した。このように、ダイパッド3の裏面が外部に露出し
ているので、ダイパッド3の裏面の樹脂1の厚み分、薄
形化を図ることができ、また放熱性に優れている。さら
に実装中に内部に発生した蒸気に対しても外へ逃げ易
く、内部に溜まった水分の気化膨張によるパッケージク
ラックを引き起こすことがない。また、外形においても
従来のものとでは厚み以外変わるところはないので、従
来の実装設備で実装が行える。
Description
量化および高放熱性を必要とする半導体装置およびその
成形方法に関するものである。
装置の構造は、その中心部にダイパッドおよびチップを
置き、その全体をエポキシ樹脂で覆っているものが一般
的である。また、近年の半導体装置の薄形化への要望を
満たすためチップ、リードフレーム、或いはそれらを覆
う樹脂の厚みそのものの薄肉化を図ってきた。
package)といわれる半導体装置の成形は、特
定の形を彫り込んだ金型を搭載したプレス機を使用し、
ワイヤーボンドが終了した製品を上下から挟み込み熱を
かけペレット状に固められた樹脂を溶融しながら流し込
む方法が取られている。このとき溶融した樹脂の注入の
仕方としては、チップとチップを乗せているダイパッド
をチップ上とダイパッド下で均等に覆っていくようにす
ることが理想的であり、そういう流れになるように設備
においては金型温度、樹脂注入速度、金型においてはゲ
ート口の大きさ、角度を調整するといった対応を取って
いる。
材料の薄肉化は強度の確保或いは成形性の安定化という
面において困難となり、さらなる薄形化を図るために
は、現在開発が進んでいるテープキャリアパッケージ或
いはチップサイズパッケージ等への展開が必要となって
くる。しかしそれらの方法を用いる場合、半導体装置自
体の構造が変わり実装方法も変えていく必要があること
から、すぐに扱えないという問題点もある。
なり、チップ上およびダイパッド下の樹脂が流れ込む空
間が薄くなるにしたがってスムーズな樹脂の流れが損な
われ、それにともなってチップ上とダイパッド下の樹脂
の注入の仕方が不均等になると、ダイパッドが上に或い
は下にシフトする。特に薄いパッケージの場合、パッケ
ージ表面にワイヤーが露出したり、切れるというような
不具合が起こる。
クラック性が問題視されている中、一般的に報告されて
いる、ダイパッド裏面と樹脂との界面に溜まった水分や
チップ裏面とダイパッドとの界面にある水分が実装中の
加熱により気化膨張しパッケージクラックを引き起こす
ことがある。したがって、この発明の目的は、従来の実
装設備で実装が行え、安定した樹脂成形が行えるととも
にさらなる薄形化が可能になる半導体装置およびその成
形方法を提供することである。
置は、ダイパッドの表面上にチップを固定し、その全体
を樹脂で被覆した半導体装置であって、ダイパッドの裏
面が外部に露出したことを特徴とするものである。この
ように、ダイパッドの裏面が外部に露出しているので、
ダイパッドの裏面の樹脂の厚み分、薄形化を図ることが
できる。また、外形においても従来のものとでは厚み以
外変わるところはないので、実装についても従来の技術
を持って実施できる。また、ダイパッド裏面が露出して
いることから、放熱性に優れている。さらに、本構造は
ダイパッド裏面とエポキシ樹脂との界面が存在しないた
め、ダイパッド裏面と樹脂との界面に水分が溜まらず、
この水分の気化膨張によるパッケージクラックを引き起
こすことがない。また、ダイパッド裏面が露出している
ことから、チップ裏面とダイパッドとの界面にある水分
が実装中の加熱により気化しても、気化した蒸気はダイ
パッド側面をたどり、即外部に逃がすことができ、パッ
ケージクラックには至らない。これらのことより耐クラ
ック性においても優れた半導体装置といえる。
ダイパッドの表面上にチップを固定しこのチップとリー
ドをワイヤで接続する工程と、分割可能な金型の対向面
に形成されたキャビティにチップおよびダイパッドを配
置した状態でリードをキャビティの外周部で保持する工
程と、チップの上方に流れるように樹脂をキャビティ内
に注入する工程とを含むものである。
ようにキャビティ内に樹脂を注入すると、その樹脂の圧
力によりチップを固定したダイパッドは下に沈み金型に
当接してその姿勢が規制される。このため、樹脂注入に
おいてダイパッドが上下にシフトすることがなく、ワイ
ヤに対しても負担が小さくなる。特に薄形のパッケージ
の場合でもワイヤがパッケージ表面に露出したり切れる
というようなことがなく、安定した成形が行える。ま
た、成形後のパッケージは、ダイパッド裏面が外部に露
出し、請求項1と同様の効果が得られる。
置およびその成形方法を図1ないし図4に基づいて説明
する。この半導体装置は、ダイパッド3の表面上に接着
剤でチップ4を固定し、ダイパッド3の裏面を除いてそ
の全体をエポキシ樹脂1で被覆している。また、チップ
4とリード5はワイヤ2で接続されている。
から一列に、半導体装置の裏面から一定の距離tを置い
たところから外側に向けて突出している。また、ダイパ
ッド3とリード5との間には一定の段差hを設け、リー
ド5が落ちないように樹脂1で確実に固定されている。
ワイヤ2は金、アルミニウム或いは銅等からなり、この
ワイヤ2を介してチップ4上の回路から発信される信号
がリード5に送られる。また、ダイパッド3の裏面はパ
ッケージの裏面と面一になり外部に露出している。
て説明する。この成形に使用される金型Aは分割可能な
上型12と下型13とからなり、対向面にキャビティ1
4が形成される。このキャビティ14の外周部15はリ
ード5を保持できるような形状にしてある。また、樹脂
1をキャビティ14内に注入するためのランナ7および
ゲート口8が設けてある。また、封止成形後のダイパッ
ド3とリード5との間には、上記のように一定の段差h
が設けられる構造にしておく。
の表面上にチップ4が接着剤で固定され、チップ4とリ
ード5がワイヤ2で繋がれ状態のワイヤボンド済みのリ
ードフレームを金型Aに装着する。この場合、ダイパッ
ド3が下型13から浮いた状態でキャビティ14の中央
に配置されるように、ワイヤ2で繋がれたリード5の一
端をキャビティ14内に突出させてリード5の他端を外
周部15にて保持する。この際、ダイパッド3の裏面が
できるだけ下型13に接近するように設定しておく。つ
ぎに、図3に示すように、ゲート口8からキャビティ1
4内に樹脂1を注入する。この際、従来と同様にペレッ
ト状に固められた樹脂1を溶融しながら流し込む。矢印
Cは樹脂1の流動方向を示している。樹脂1を注入する
際は、ゲート口8の角度或いは注入速度の調整により樹
脂1がチップ4の上方に流れるようにし、その上からの
樹脂1の圧力で利用しダイパッド3が沈むようにする。
このように、必ず注入中の樹脂1が上方に流れるように
設定しておけば、チップ4を乗せたダイパッド3は下に
沈むしかなく、下は金型Aの下型13で規制されるため
安定した成形が得られる。
ダイパッド3の裏面に樹脂ばり10がある場合は、ウオ
ータージェット等のばり取りを実施することで、きれい
にすることができる。以上の工程により、図1に示すよ
うなダイパッド3の裏面が外部に露出した半導体装置を
得ることができる。この実施の形態によれば、ダイパッ
ド3の裏面が外部に露出しているので、ダイパッド3の
裏面の樹脂1の厚み分、薄形化を図ることができる。ま
た、外形においても従来のものとでは厚み以外変わると
ころはないので、実装についても従来の技術を持って実
施できる。また、ダイパッド3の裏面が露出しているこ
とから、放熱性に優れている。さらに、本構造はダイパ
ッド3の裏面とエポキシ樹脂1との界面が存在しないた
め、ダイパッド3の裏面と樹脂1との界面に水分が溜ま
らず、この水分の気化膨張によるパッケージクラックを
引き起こすことがない。また、ダイパッド3の裏面が露
出していることから、チップ4の裏面とダイパッド3と
の界面にある水分が実装中の加熱により気化しても、気
化した蒸気はダイパッド3の側面をたどり、即外部に逃
がすことができ、パッケージクラックには至らない。こ
れらのことより耐クラック性においても優れた半導体装
置といえる。
うにキャビティ14内に樹脂1を注入すると、その樹脂
1の圧力によりチップ4を固定したダイパッド3は下に
沈み金型Aに当接してその姿勢が規制される。このた
め、樹脂1の注入においてダイパッド3が上下にシフト
することがなく、ワイヤ2に対しても負担が小さくな
る。特に薄形のパッケージの場合でもワイヤ2がパッケ
ージ表面に露出したり切れるというようなことがなく、
安定した成形が行える。
接した状態で樹脂成形を行ってもよい。
イパッドの裏面が外部に露出しているので、ダイパッド
の裏面の樹脂の厚み分、薄形化を図ることができる。ま
た、外形においても従来のものとでは厚み以外変わると
ころはないので、実装についても従来の技術を持って実
施できる。また、ダイパッド裏面が露出していることか
ら、放熱性に優れている。さらに、本構造はダイパッド
裏面とエポキシ樹脂との界面が存在しないため、ダイパ
ッド裏面と樹脂との界面に水分が溜まらず、この水分の
気化膨張によるパッケージクラックを引き起こすことが
ない。また、ダイパッド裏面が露出していることから、
チップ裏面とダイパッドとの界面にある水分が実装中の
加熱により気化しても、気化した蒸気はダイパッド側面
をたどり、即外部に逃がすことができ、パッケージクラ
ックには至らない。これらのことより耐クラック性にお
いても優れた半導体装置といえる。
れば、樹脂がチップの上方に流れるようにキャビティ内
に樹脂を注入すると、その樹脂の圧力によりチップを固
定したダイパッドは下に沈み金型に当接してその姿勢が
規制される。このため、樹脂注入においてダイパッドが
上下にシフトすることがなく、ワイヤに対しても負担が
小さくなる。特に薄形のパッケージの場合でもワイヤが
パッケージ表面に露出したり切れるというようなことが
なく、安定した成形が行える。また、成形後のパッケー
ジは、ダイパッド裏面がパッケージの外部に露出し、請
求項1と同様の効果が得られる。
図である。
の説明図である。
樹脂を注入している状態の説明図である。
ら見た平面図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 ダイパッドの表面上にチップを固定し、
その全体を樹脂で被覆した半導体装置であって、前記ダ
イパッドの裏面が外部に露出したことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項2】 ダイパッドの表面上にチップを固定しこ
のチップとリードをワイヤで接続する工程と、分割可能
な金型の対向面に形成されたキャビティに前記チップお
よびダイパッドを配置した状態で前記リードを前記キャ
ビティの外周部で保持する工程と、前記チップの上方に
流れるように樹脂を前記キャビティ内に注入する工程と
を含む半導体装置の成形方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP470096A JP3023303B2 (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | 半導体装置の成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP470096A JP3023303B2 (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | 半導体装置の成形方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09199639A true JPH09199639A (ja) | 1997-07-31 |
JP3023303B2 JP3023303B2 (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=11591168
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP470096A Expired - Fee Related JP3023303B2 (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | 半導体装置の成形方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3023303B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008130750A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JPWO2016072012A1 (ja) * | 2014-11-07 | 2017-06-22 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
JPWO2017002268A1 (ja) * | 2015-07-02 | 2017-10-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US11088056B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-08-10 | Mitsui High-Tec, Inc. | Leadframe and leadframe package |
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JPH0730016A (ja) * | 1993-06-24 | 1995-01-31 | Fujitsu Ltd | 放熱板付き半導体装置及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-01-16 JP JP470096A patent/JP3023303B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US11088056B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-08-10 | Mitsui High-Tec, Inc. | Leadframe and leadframe package |
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JP3023303B2 (ja) | 2000-03-21 |
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