JPH06245147A - 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 - Google Patents
固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法Info
- Publication number
- JPH06245147A JPH06245147A JP5047118A JP4711893A JPH06245147A JP H06245147 A JPH06245147 A JP H06245147A JP 5047118 A JP5047118 A JP 5047118A JP 4711893 A JP4711893 A JP 4711893A JP H06245147 A JPH06245147 A JP H06245147A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive
- transfer path
- signal
- charge
- signal charges
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims abstract description 48
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 39
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 17
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 6-oxabicyclo[3.2.1]oct-3-en-7-one Chemical compound C1C2C(=O)OC1C=CC2 TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/715—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame interline transfer [FIT]
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/713—Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/44—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
- H04N25/441—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array by reading contiguous pixels from selected rows or columns of the array, e.g. interlaced scanning
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ２つの感光画素群から独立した信号電荷とし
てこれを読出す固体撮像装置において、積分設定手段で
設定された積分時間や信号の時間に応じて顕著になる画
質の劣化を抑えた固体撮像装置の構造及びその駆動方法
を提供する。 【構成】 第１の動作は、感光領域１の第１画素群の信
号電荷（２ｎ−１）を第１電荷検出回路８から読み出
し、感光領域１の第２画素群の信号電荷（２ｎ）を第２
電荷検出回路９から読み出す。第２の動作は、これらの
画素群の信号電荷を相隣合う行において加算合成し、い
ずれかの電荷検出回路から読み出すか、前記信号電荷を
２つの水平転送路６、７から出力後に合成電気信号とし
て読み出す。そして、信号電荷の積分時間が所定時間よ
り短いときに第２の動作を選択させることにより画質の
劣化を防ぐ。
てこれを読出す固体撮像装置において、積分設定手段で
設定された積分時間や信号の時間に応じて顕著になる画
質の劣化を抑えた固体撮像装置の構造及びその駆動方法
を提供する。 【構成】 第１の動作は、感光領域１の第１画素群の信
号電荷（２ｎ−１）を第１電荷検出回路８から読み出
し、感光領域１の第２画素群の信号電荷（２ｎ）を第２
電荷検出回路９から読み出す。第２の動作は、これらの
画素群の信号電荷を相隣合う行において加算合成し、い
ずれかの電荷検出回路から読み出すか、前記信号電荷を
２つの水平転送路６、７から出力後に合成電気信号とし
て読み出す。そして、信号電荷の積分時間が所定時間よ
り短いときに第２の動作を選択させることにより画質の
劣化を防ぐ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置に係り、
とくに、感光領域に接してフィールドメモリを有し２ラ
イン独立の信号電荷を読出す固体撮像装置の構造及び駆
動方法に関するものである。
とくに、感光領域に接してフィールドメモリを有し２ラ
イン独立の信号電荷を読出す固体撮像装置の構造及び駆
動方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電荷転送装置を用いた固体撮像装置の中
で、例えば、ＣＣＤエリアセンサは、高解像度を得るこ
とができ、放送用ＣＣＤ、高画質民生用ＣＣＤ、電子ス
チールカメラなどに用いる。従来の感光領域の上下にフ
ィールドメモリを有し、２ライン同時読出しを行うこと
のできるエリアセンサなどに用いる固体撮像装置の平面
図を図８に示す。また図８に示されている固体撮像装置
における従来の駆動方法の動作図を図１に示し、その概
略タイミングチャート図を図３及び図４に示す。この固
体撮像装置の感光領域１には、入射光を光電変換し蓄積
する感光画素２が行方向及び列方向に２次元的に配置さ
れている。そして、その２次元的に配置された感光画素
群が構成する各垂直感光画素列間には垂直転送路３が設
けられている。この垂直転送路３の１転送段は、垂直方
向に設けられている２つの感光画素で構成されている。
感光領域１の上下には、１フィールド分の信号電荷を蓄
積できる第１蓄積領域４と第２蓄積領域５とが各々設け
られている。この第１蓄積領域４と第２蓄積領域５に
は、各々複数の垂直転送路３１及び３２が配置されてい
て、それぞれ感光領域１の垂直転送路３に接続してい
る。
で、例えば、ＣＣＤエリアセンサは、高解像度を得るこ
とができ、放送用ＣＣＤ、高画質民生用ＣＣＤ、電子ス
チールカメラなどに用いる。従来の感光領域の上下にフ
ィールドメモリを有し、２ライン同時読出しを行うこと
のできるエリアセンサなどに用いる固体撮像装置の平面
図を図８に示す。また図８に示されている固体撮像装置
における従来の駆動方法の動作図を図１に示し、その概
略タイミングチャート図を図３及び図４に示す。この固
体撮像装置の感光領域１には、入射光を光電変換し蓄積
する感光画素２が行方向及び列方向に２次元的に配置さ
れている。そして、その２次元的に配置された感光画素
群が構成する各垂直感光画素列間には垂直転送路３が設
けられている。この垂直転送路３の１転送段は、垂直方
向に設けられている２つの感光画素で構成されている。
感光領域１の上下には、１フィールド分の信号電荷を蓄
積できる第１蓄積領域４と第２蓄積領域５とが各々設け
られている。この第１蓄積領域４と第２蓄積領域５に
は、各々複数の垂直転送路３１及び３２が配置されてい
て、それぞれ感光領域１の垂直転送路３に接続してい
る。
【０００３】また、第１蓄積領域４と第２蓄積領域５の
感光領域１とは反対側には、第１水平転送路６と第２水
平転送路７があり、各々の一端に第１及び第２電荷検出
回路８、９が設けられている。ここで、第１蓄積領域４
は、感光領域の感光画素の上下の配列順番を入れ換える
ことができるように、転送段がループ状に連結されたサ
イクリック転送路になっている。このような固体撮像装
置は、一般に、１フィールド期間に垂直全画素の信号情
報を得る事ができる。次に、この様な構造の固体撮像装
置の従来の積分時間設定手段動作時における駆動方法を
説明する。図３及び図４のタイミングチャート図は、感
光領域１の代表転送パルスＶ1 、Ｖ3 とフィールドシフ
ト（ＦＳ）パルス及び積分時間設定パルスを示してい
る。感光領域は、通常第１及び第２蓄積領域と同様、４
相パルス（Ｖ1 、Ｖ2 、Ｖ3 、Ｖ4 ）で駆動される。
感光領域１とは反対側には、第１水平転送路６と第２水
平転送路７があり、各々の一端に第１及び第２電荷検出
回路８、９が設けられている。ここで、第１蓄積領域４
は、感光領域の感光画素の上下の配列順番を入れ換える
ことができるように、転送段がループ状に連結されたサ
イクリック転送路になっている。このような固体撮像装
置は、一般に、１フィールド期間に垂直全画素の信号情
報を得る事ができる。次に、この様な構造の固体撮像装
置の従来の積分時間設定手段動作時における駆動方法を
説明する。図３及び図４のタイミングチャート図は、感
光領域１の代表転送パルスＶ1 、Ｖ3 とフィールドシフ
ト（ＦＳ）パルス及び積分時間設定パルスを示してい
る。感光領域は、通常第１及び第２蓄積領域と同様、４
相パルス（Ｖ1 、Ｖ2 、Ｖ3 、Ｖ4 ）で駆動される。
【０００４】まず、図３の動作の場合、後述のように第
１の積分時間設定パルス１０を印加してから第１ＦＳパ
ルス１１で感光領域１の垂直２ｎ−１（ｎ＝１，２…）
番目の感光画素２から信号電荷を読出し、第１フィール
ド転送パルス１４で第１蓄積領域４へ転送する。また、
第２の積分時間設定パルス１２を印加してから第２ＦＳ
パルス１３で感光領域１の垂直２ｎ（ｎ＝１，２…）番
目の感光画素から信号電荷を読出し、第２フィールド転
送パルス１５で第２蓄積領域５へ転送する。この際第１
ＦＳパルスと第２ＦＳパルス間の時間ずれ１６を生じ
る。これは、第１及び第２の積分時間設定パルス間の時
刻ずれに等しい。この時刻ずれ１６は、信号電荷蓄積時
間（積分時間）４５、４６が所定の値より短くなるとそ
の影響が顕著になる。図４の動作の場合、半導体基板に
積分時間設定パルス１７を印加してから第１ＦＳパルス
１８で感光領域１の垂直２ｎ−１（ｎ＝１，２…）番目
の感光画素から信号電荷を読出し、第１フィールド転送
パルス２０で第１蓄積領域４へ転送する。
１の積分時間設定パルス１０を印加してから第１ＦＳパ
ルス１１で感光領域１の垂直２ｎ−１（ｎ＝１，２…）
番目の感光画素２から信号電荷を読出し、第１フィール
ド転送パルス１４で第１蓄積領域４へ転送する。また、
第２の積分時間設定パルス１２を印加してから第２ＦＳ
パルス１３で感光領域１の垂直２ｎ（ｎ＝１，２…）番
目の感光画素から信号電荷を読出し、第２フィールド転
送パルス１５で第２蓄積領域５へ転送する。この際第１
ＦＳパルスと第２ＦＳパルス間の時間ずれ１６を生じ
る。これは、第１及び第２の積分時間設定パルス間の時
刻ずれに等しい。この時刻ずれ１６は、信号電荷蓄積時
間（積分時間）４５、４６が所定の値より短くなるとそ
の影響が顕著になる。図４の動作の場合、半導体基板に
積分時間設定パルス１７を印加してから第１ＦＳパルス
１８で感光領域１の垂直２ｎ−１（ｎ＝１，２…）番目
の感光画素から信号電荷を読出し、第１フィールド転送
パルス２０で第１蓄積領域４へ転送する。
【０００５】その後第２ＦＳパルス１９で感光領域１の
垂直２ｎ（ｎ＝１，２…）番目の感光画素から信号電荷
を読出し、第２フィールド転送パルス２１で第２蓄積領
域５へ転送する。この際第１ＦＳパルスと第２ＦＳパル
ス間の時刻ずれ２４と積分時間設定パルス１７から各々
第１ＦＳパルスまでの積分時間２２と第２ＦＳパルスま
での信号電荷蓄積時間２３において差が生じるため、あ
る所定の積分時間より短くなるとその影響が顕著にな
る。この時、第１蓄積領域４の信号電荷は垂直方向の感
光画素の順番を反転出力できるようにサイクリックに上
下反転転送される。そして水平走査に同期して１転送段
ずつ第１及び第２蓄積領域４、５の信号電荷が各々水平
転送路６、７へ移送され、水平有効期間に各々の電荷検
出回路８、９から時系列の電気信号として同時に出力さ
れる。その後次の垂直ブランキング（ＶＢＬ）期間に於
いても同じ動作が繰り返され、これにより１フィールド
１フレームの映像信号が得られる。
垂直２ｎ（ｎ＝１，２…）番目の感光画素から信号電荷
を読出し、第２フィールド転送パルス２１で第２蓄積領
域５へ転送する。この際第１ＦＳパルスと第２ＦＳパル
ス間の時刻ずれ２４と積分時間設定パルス１７から各々
第１ＦＳパルスまでの積分時間２２と第２ＦＳパルスま
での信号電荷蓄積時間２３において差が生じるため、あ
る所定の積分時間より短くなるとその影響が顕著にな
る。この時、第１蓄積領域４の信号電荷は垂直方向の感
光画素の順番を反転出力できるようにサイクリックに上
下反転転送される。そして水平走査に同期して１転送段
ずつ第１及び第２蓄積領域４、５の信号電荷が各々水平
転送路６、７へ移送され、水平有効期間に各々の電荷検
出回路８、９から時系列の電気信号として同時に出力さ
れる。その後次の垂直ブランキング（ＶＢＬ）期間に於
いても同じ動作が繰り返され、これにより１フィールド
１フレームの映像信号が得られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の積分時間設
定手段においては、前記２つの電荷検出回路によって各
フィールド毎の信号電荷を読出すので、ある所定の積分
時間より短い時間に設定すると、ライン間の時刻ずれや
信号電荷の蓄積時間すなわち信号の大きさの差が顕著に
あらわれるため、動画出力時の画質の劣化を生じてしま
う。例えば、図３に示す時刻ずれ１６が５ライン水平転
送分であるとすると、積分時間が１／６０秒では、画質
は殆ど問題にならないが、積分時間が１／５０００秒程
度になると画質は悪くなる。また、第１又は第２画素群
の信号電荷の蓄積量（積分量）が短くなるほどＳ／Ｎ比
が大きくなり、画質の劣化を生じる。本発明は、以上の
ような事情によってなされたものであり、２つの別の感
光画素群から独立した信号電荷としてこれを読出す固体
撮像装置において、積分設定手段で設定された積分時間
や信号の大きさに応じて顕著になる画質の劣化を抑えた
固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法を提供するこ
とを目的としている。
定手段においては、前記２つの電荷検出回路によって各
フィールド毎の信号電荷を読出すので、ある所定の積分
時間より短い時間に設定すると、ライン間の時刻ずれや
信号電荷の蓄積時間すなわち信号の大きさの差が顕著に
あらわれるため、動画出力時の画質の劣化を生じてしま
う。例えば、図３に示す時刻ずれ１６が５ライン水平転
送分であるとすると、積分時間が１／６０秒では、画質
は殆ど問題にならないが、積分時間が１／５０００秒程
度になると画質は悪くなる。また、第１又は第２画素群
の信号電荷の蓄積量（積分量）が短くなるほどＳ／Ｎ比
が大きくなり、画質の劣化を生じる。本発明は、以上の
ような事情によってなされたものであり、２つの別の感
光画素群から独立した信号電荷としてこれを読出す固体
撮像装置において、積分設定手段で設定された積分時間
や信号の大きさに応じて顕著になる画質の劣化を抑えた
固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法を提供するこ
とを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、固体撮像装置
の積分時間設定手段において、第１及び第２の動作を用
意し、任意にその動作を選択することによって、独立に
読み出された２画素の信号電荷積分状態により顕著にな
る動画出力時の画質の劣化を回避することを特徴として
いる。即ち、本発明の固体撮像装置は、入射光を光電変
換し、発生した信号電荷を一時的に蓄える感光画素が行
方向及び列方向に２次元的に配置され、かつ、前記信号
電荷を読み出し列方向に転送する垂直転送路が前記列方
向の各感光画素列に隣接して設けられた感光領域と、前
記感光領域に設けられている複数の前記垂直転送路の各
第１の端部に設けられ転送段がループ状に連結されたサ
イクリック転送路を有する第１蓄積領域と、前記垂直転
送路の各第２の端部に設けられた転送路を有する第２蓄
積領域と、前記第１蓄積領域の前記感光領域とは反対側
に前記信号電荷を行方向に転送する第１水平転送路と、
前記第１水平転送路の出力端に接続された第１電荷検出
回路と、前記第２蓄積領域の前記感光領域とは反対側に
前記信号電荷を行方向に転送する第２水平転送路と、前
記第２水平転送路の出力端に接続された第２電荷検出回
路と、前記第１及び第２水平転送路の出力端に、その入
力端が接続された電荷転送路と、前記電荷転送路の出力
端に接続された第３電荷検出回路とを具備し、前記第１
及び第２水平転送路を転送し、出力される前記信号電荷
は前記電荷転送路で加算され、前記第３電荷検出回路で
加算された前記信号電荷が前記電気信号に変換されるこ
とを特徴としている。
の積分時間設定手段において、第１及び第２の動作を用
意し、任意にその動作を選択することによって、独立に
読み出された２画素の信号電荷積分状態により顕著にな
る動画出力時の画質の劣化を回避することを特徴として
いる。即ち、本発明の固体撮像装置は、入射光を光電変
換し、発生した信号電荷を一時的に蓄える感光画素が行
方向及び列方向に２次元的に配置され、かつ、前記信号
電荷を読み出し列方向に転送する垂直転送路が前記列方
向の各感光画素列に隣接して設けられた感光領域と、前
記感光領域に設けられている複数の前記垂直転送路の各
第１の端部に設けられ転送段がループ状に連結されたサ
イクリック転送路を有する第１蓄積領域と、前記垂直転
送路の各第２の端部に設けられた転送路を有する第２蓄
積領域と、前記第１蓄積領域の前記感光領域とは反対側
に前記信号電荷を行方向に転送する第１水平転送路と、
前記第１水平転送路の出力端に接続された第１電荷検出
回路と、前記第２蓄積領域の前記感光領域とは反対側に
前記信号電荷を行方向に転送する第２水平転送路と、前
記第２水平転送路の出力端に接続された第２電荷検出回
路と、前記第１及び第２水平転送路の出力端に、その入
力端が接続された電荷転送路と、前記電荷転送路の出力
端に接続された第３電荷検出回路とを具備し、前記第１
及び第２水平転送路を転送し、出力される前記信号電荷
は前記電荷転送路で加算され、前記第３電荷検出回路で
加算された前記信号電荷が前記電気信号に変換されるこ
とを特徴としている。
【０００８】また、本発明の固体撮像装置の駆動方法
は、入射光を光電変換し、発生した信号電荷を一時的に
蓄える感光画素が行方向及び列方向に２次元的に配置さ
れ、かつ、前記信号電荷を読み出し列方向に転送する垂
直転送路が前記列方向の各感光画素列に隣接して設けら
れた感光領域と、前記感光領域に設けられている複数の
前記垂直転送路の各第１の端部に設けられ、転送段がル
ープ状に連結されたサイクリック転送路を有する第１蓄
積領域と、前記垂直転送路の各第２の端部に設けられた
転送路を有する第２蓄積領域と、前記第１蓄積領域の前
記感光領域とは反対側に前記信号電荷を行方向に転送し
その一端に前記信号電荷を電気信号に変換する第１電荷
検出回路を備えた第１水平転送路と、前記第２蓄積領域
の前記感光領域とは反対側に前記信号電荷を行方向に転
送し、その一端に前記信号電荷を電気信号に変換する第
２電荷検出回路を備えた第２水平転送路とを具備した固
体撮像装置又は上記の固体撮像装置において、前記感光
領域の各垂直方向の奇数行の感光画素からなる第１画素
群の信号電荷を前記第１蓄積領域へ転送し、この感光領
域の垂直方向の偶数行の感光画素からなる第２画素群の
信号電荷を前記第２蓄積領域へ転送する動作後、前記第
１及び第２電荷検出回路からそれぞれ前記電気信号を出
力する第１の動作と、前記感光領域の垂直方向の奇数行
の感光画素からなる第１画素群の信号電荷とこの感光領
域の垂直方向の偶数行の感光画素からなる第２画素群の
信号電荷とを垂直転送路に転送後、相隣り合う行におい
て加算合成した合成信号電荷を前記第１又は第２水平転
送路を介して前記第１又は第２電荷検出回路で前記電気
信号に変換する第２の動作とを有し、前記第１又は第２
の動作のいずれかを選択手段により選択することを第１
の特徴としている。
は、入射光を光電変換し、発生した信号電荷を一時的に
蓄える感光画素が行方向及び列方向に２次元的に配置さ
れ、かつ、前記信号電荷を読み出し列方向に転送する垂
直転送路が前記列方向の各感光画素列に隣接して設けら
れた感光領域と、前記感光領域に設けられている複数の
前記垂直転送路の各第１の端部に設けられ、転送段がル
ープ状に連結されたサイクリック転送路を有する第１蓄
積領域と、前記垂直転送路の各第２の端部に設けられた
転送路を有する第２蓄積領域と、前記第１蓄積領域の前
記感光領域とは反対側に前記信号電荷を行方向に転送し
その一端に前記信号電荷を電気信号に変換する第１電荷
検出回路を備えた第１水平転送路と、前記第２蓄積領域
の前記感光領域とは反対側に前記信号電荷を行方向に転
送し、その一端に前記信号電荷を電気信号に変換する第
２電荷検出回路を備えた第２水平転送路とを具備した固
体撮像装置又は上記の固体撮像装置において、前記感光
領域の各垂直方向の奇数行の感光画素からなる第１画素
群の信号電荷を前記第１蓄積領域へ転送し、この感光領
域の垂直方向の偶数行の感光画素からなる第２画素群の
信号電荷を前記第２蓄積領域へ転送する動作後、前記第
１及び第２電荷検出回路からそれぞれ前記電気信号を出
力する第１の動作と、前記感光領域の垂直方向の奇数行
の感光画素からなる第１画素群の信号電荷とこの感光領
域の垂直方向の偶数行の感光画素からなる第２画素群の
信号電荷とを垂直転送路に転送後、相隣り合う行におい
て加算合成した合成信号電荷を前記第１又は第２水平転
送路を介して前記第１又は第２電荷検出回路で前記電気
信号に変換する第２の動作とを有し、前記第１又は第２
の動作のいずれかを選択手段により選択することを第１
の特徴としている。
【０００９】また、上記いずれかの固体撮像装置におい
て、前記感光領域の各垂直方向の奇数行の感光画素から
なる第１画素群の信号電荷を前記第１蓄積領域へ転送
し、この感光領域の垂直方向の偶数行の感光画素からな
る第２画素群の信号電荷を前記第２蓄積領域へ転送する
動作後、前記第１及び第２電荷検出回路からそれぞれ前
記電気信号を出力する第１の動作と、前記感光領域の垂
直方向の奇数行の感光画素からなる第１画素群の信号電
荷を前記第１蓄積領域へ転送し、この感光領域の垂直方
向の偶数行の感光画素からなる第２画素群の信号電荷を
前記前記第２蓄積領域へ転送する動作後、これら第１及
び第２蓄積領域へ転送した信号電荷をそれぞれ前記第１
及び第２水平転送路を介して前記第１及び第２電荷検出
回路から前記電気信号として出力し、その後これら前記
電気信号を加算して合成信号を形成する第２の動作とを
備え、前記第１又は第２の動作のいずれかを選択手段に
より選択することを第２の特徴としている。前記選択手
段は、積分時間が所定の時間より長い場合は、前記第１
の動作を選択し、前記積分時間が所定時間より短い場合
は、前記第２の動作を選択することができる。前記選択
手段は、前記第１又は第２画素群の信号電荷の積分量が
所定量より多い場合には、前記第１の動作を選択し、こ
の信号電荷の積分量が所定量より少ない場合には、前記
第２の動作を選択することができる。
て、前記感光領域の各垂直方向の奇数行の感光画素から
なる第１画素群の信号電荷を前記第１蓄積領域へ転送
し、この感光領域の垂直方向の偶数行の感光画素からな
る第２画素群の信号電荷を前記第２蓄積領域へ転送する
動作後、前記第１及び第２電荷検出回路からそれぞれ前
記電気信号を出力する第１の動作と、前記感光領域の垂
直方向の奇数行の感光画素からなる第１画素群の信号電
荷を前記第１蓄積領域へ転送し、この感光領域の垂直方
向の偶数行の感光画素からなる第２画素群の信号電荷を
前記前記第２蓄積領域へ転送する動作後、これら第１及
び第２蓄積領域へ転送した信号電荷をそれぞれ前記第１
及び第２水平転送路を介して前記第１及び第２電荷検出
回路から前記電気信号として出力し、その後これら前記
電気信号を加算して合成信号を形成する第２の動作とを
備え、前記第１又は第２の動作のいずれかを選択手段に
より選択することを第２の特徴としている。前記選択手
段は、積分時間が所定の時間より長い場合は、前記第１
の動作を選択し、前記積分時間が所定時間より短い場合
は、前記第２の動作を選択することができる。前記選択
手段は、前記第１又は第２画素群の信号電荷の積分量が
所定量より多い場合には、前記第１の動作を選択し、こ
の信号電荷の積分量が所定量より少ない場合には、前記
第２の動作を選択することができる。
【００１０】
【作用】第１及び第２の動作の任意の手段を適宜選択す
ることにより、信号電荷の積分時間が所定時間より短い
ときに顕著になる動画出力時の画質の劣化を回避するこ
とができる。
ることにより、信号電荷の積分時間が所定時間より短い
ときに顕著になる動画出力時の画質の劣化を回避するこ
とができる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。この実施例における固体撮像装置の動作状態を説
明する固体撮像装置の断面図を図１及び図２に示し、そ
の概略タイミングチャートを図３乃至図６に示す。固体
撮像装置は、図８と同じ構造であり、感光領域１には、
感光画素２が行方向及び列方向に２次元的に配置されて
いる。その２次元的に配置された感光画素群が構成する
各垂直感光画素列間には垂直方向に２画素で１転送段を
形成する垂直転送路３が設けられている。感光領域１の
上下には、１フィールド分の信号電荷を蓄積できる第１
蓄積領域４と第２蓄積領域５とが各々設けられている。
この第１蓄積領域４と第２蓄積領域５には、各々複数の
垂直転送路３１及び３２が配置されていて、それぞれ感
光領域１の垂直転送路３に接続している。また、第１蓄
積領域４と第２蓄積領域５の感光領域１とは反対側に
は、第１水平転送路６と第２水平転送路７があり、各々
の一端に第１及び第２電荷検出回路８、９が設けられて
いる。ここで、第１蓄積領域４は、感光領域の感光画素
の上下の配列順番を入れ換えることができるように、転
送段がループ状に連結されたサイクリック転送路になっ
ている。
する。この実施例における固体撮像装置の動作状態を説
明する固体撮像装置の断面図を図１及び図２に示し、そ
の概略タイミングチャートを図３乃至図６に示す。固体
撮像装置は、図８と同じ構造であり、感光領域１には、
感光画素２が行方向及び列方向に２次元的に配置されて
いる。その２次元的に配置された感光画素群が構成する
各垂直感光画素列間には垂直方向に２画素で１転送段を
形成する垂直転送路３が設けられている。感光領域１の
上下には、１フィールド分の信号電荷を蓄積できる第１
蓄積領域４と第２蓄積領域５とが各々設けられている。
この第１蓄積領域４と第２蓄積領域５には、各々複数の
垂直転送路３１及び３２が配置されていて、それぞれ感
光領域１の垂直転送路３に接続している。また、第１蓄
積領域４と第２蓄積領域５の感光領域１とは反対側に
は、第１水平転送路６と第２水平転送路７があり、各々
の一端に第１及び第２電荷検出回路８、９が設けられて
いる。ここで、第１蓄積領域４は、感光領域の感光画素
の上下の配列順番を入れ換えることができるように、転
送段がループ状に連結されたサイクリック転送路になっ
ている。
【００１２】次に、本発明に係る固体撮像装置の駆動方
法について説明する。まず、図１を参照して第１の動作
について説明する。最初は、図３のタイミングチャート
にしたがって動作する例について説明する。時刻ｔ1 に
おいて、積分時間設定パルス１０を印加してから、所定
のＶＢＬ内において、第１ＦＳパルス１１で感光領域１
の第１画素群（Ｖ1)である垂直２ｎ−１（ｎ＝１，２
…）番目の感光画素から信号電荷が読出され（時刻ｔ
3)、これは第１フィールド転送パルス１４で第１蓄積領
域４へ転送される。また、時刻ｔ2 において、積分時間
設定パルス１２を印加してから、第２ＦＳパルス１３で
感光領域１の第２画素群（Ｖ3)である垂直２ｎ（ｎ＝
１，２…）番目の感光画素から信号電荷が読出され（時
刻ｔ4)これは第２フィールド転送パルス１５で第２蓄積
領域５へ転送される。その後これらの感光画素から読出
された信号電荷は第１及び第２水平転送路６、７で同時
に第１及び第２電荷検出回路８、９へ出力され、そし
て、２つの信号が加算されて１つになる。この場合信号
電荷蓄積時間４５、４６は、両者同じ長さである。
法について説明する。まず、図１を参照して第１の動作
について説明する。最初は、図３のタイミングチャート
にしたがって動作する例について説明する。時刻ｔ1 に
おいて、積分時間設定パルス１０を印加してから、所定
のＶＢＬ内において、第１ＦＳパルス１１で感光領域１
の第１画素群（Ｖ1)である垂直２ｎ−１（ｎ＝１，２
…）番目の感光画素から信号電荷が読出され（時刻ｔ
3)、これは第１フィールド転送パルス１４で第１蓄積領
域４へ転送される。また、時刻ｔ2 において、積分時間
設定パルス１２を印加してから、第２ＦＳパルス１３で
感光領域１の第２画素群（Ｖ3)である垂直２ｎ（ｎ＝
１，２…）番目の感光画素から信号電荷が読出され（時
刻ｔ4)これは第２フィールド転送パルス１５で第２蓄積
領域５へ転送される。その後これらの感光画素から読出
された信号電荷は第１及び第２水平転送路６、７で同時
に第１及び第２電荷検出回路８、９へ出力され、そし
て、２つの信号が加算されて１つになる。この場合信号
電荷蓄積時間４５、４６は、両者同じ長さである。
【００１３】次で、図４のタイミングチャートにしたが
って動作する例について説明する。時刻ｔ1 において、
半導体基板（ＶOFD ) に積分時間設定パルス１７を印加
してから、所定のＶＢＬ内において第１ＦＳパルス１８
で感光領域１の第１画素群である垂直２ｎ−１（ｎ＝
１，２…）番目の感光画素から信号電荷が読出され（時
刻ｔ2)、第１フィールド転送パルス２０で第１蓄積領域
４へ転送される。つづいて第２ＦＳパルス１９で感光領
域１における第２画素群（Ｖ3)の垂直２ｎ（ｎ＝１，２
…）番目の感光画素から信号電荷が読出され（時刻ｔ
3)、第２フィールド転送パルス２１で第２蓄積領域へ転
送される。この第１の動作では、ここで説明する最初の
フィールド（ＯＤＤ）でも次ぎのフィールド（ＥＶＥ
Ｎ）でも感光領域の感光画素からの信号電荷の動作は同
じである。
って動作する例について説明する。時刻ｔ1 において、
半導体基板（ＶOFD ) に積分時間設定パルス１７を印加
してから、所定のＶＢＬ内において第１ＦＳパルス１８
で感光領域１の第１画素群である垂直２ｎ−１（ｎ＝
１，２…）番目の感光画素から信号電荷が読出され（時
刻ｔ2)、第１フィールド転送パルス２０で第１蓄積領域
４へ転送される。つづいて第２ＦＳパルス１９で感光領
域１における第２画素群（Ｖ3)の垂直２ｎ（ｎ＝１，２
…）番目の感光画素から信号電荷が読出され（時刻ｔ
3)、第２フィールド転送パルス２１で第２蓄積領域へ転
送される。この第１の動作では、ここで説明する最初の
フィールド（ＯＤＤ）でも次ぎのフィールド（ＥＶＥ
Ｎ）でも感光領域の感光画素からの信号電荷の動作は同
じである。
【００１４】次に、図１を参照して第１番目の第２の動
作について説明する。最初は、図３のタイミングチャー
トにしたがって動作する例について説明する。時刻ｔ1
において、積分時間設定パルス１０を印加してから、所
定のＶＢＬ内において、第１ＦＳパルス１１で感光領域
１の第１画素群（Ｖ1)である垂直２ｎ−１（ｎ＝１，２
…）番目の感光画素から信号電荷が読出され（時刻ｔ
3)、これは第１フィールド転送パルス１４で第１蓄積領
域４へ転送される。また、時刻ｔ2 において、積分時間
設定パルス１２を印加してから、第２ＦＳパルス１３で
感光領域１の第２画素群（Ｖ3)である垂直２ｎ（ｎ＝
１，２…）番目の感光画素から信号電荷が読出され（時
刻ｔ4)、これは第２フィールド転送パルス１５で第２蓄
積領域５へ転送される。その後これらの感光画素から読
出された信号電荷が、第１及び第２水平転送路６、７で
同時に第１及び第２電荷検出回路８、９へ転送されて出
力される。そして、２つの信号が加算されて１つにな
る。この２つの電荷検出回路から得られたそれぞれ独立
の信号は、図３の様に時刻ずれ１６を生じているが、こ
れら信号を加算し、垂直方向の感光画素の半分の数のデ
ータとして得る事により時刻ずれによる画像の劣化を有
効に抑止することができる。この場合信号電荷蓄積時間
４５、４６は、両者同じ長さである。
作について説明する。最初は、図３のタイミングチャー
トにしたがって動作する例について説明する。時刻ｔ1
において、積分時間設定パルス１０を印加してから、所
定のＶＢＬ内において、第１ＦＳパルス１１で感光領域
１の第１画素群（Ｖ1)である垂直２ｎ−１（ｎ＝１，２
…）番目の感光画素から信号電荷が読出され（時刻ｔ
3)、これは第１フィールド転送パルス１４で第１蓄積領
域４へ転送される。また、時刻ｔ2 において、積分時間
設定パルス１２を印加してから、第２ＦＳパルス１３で
感光領域１の第２画素群（Ｖ3)である垂直２ｎ（ｎ＝
１，２…）番目の感光画素から信号電荷が読出され（時
刻ｔ4)、これは第２フィールド転送パルス１５で第２蓄
積領域５へ転送される。その後これらの感光画素から読
出された信号電荷が、第１及び第２水平転送路６、７で
同時に第１及び第２電荷検出回路８、９へ転送されて出
力される。そして、２つの信号が加算されて１つにな
る。この２つの電荷検出回路から得られたそれぞれ独立
の信号は、図３の様に時刻ずれ１６を生じているが、こ
れら信号を加算し、垂直方向の感光画素の半分の数のデ
ータとして得る事により時刻ずれによる画像の劣化を有
効に抑止することができる。この場合信号電荷蓄積時間
４５、４６は、両者同じ長さである。
【００１５】次で、図４のタイミングチャートにしたが
って動作する例について説明する。時刻ｔ1 において、
半導体基板（ＶOFD ) に積分時間設定パルス１７を印加
してから、所定のＶＢＬ内において、第１ＦＳパルス１
８で感光領域１の第１画素群である垂直２ｎ−１（ｎ＝
１，２…）番目の感光画素から信号電荷が読出されて
（時刻ｔ2)、第１フィールド転送パルス２０で第１蓄積
領域４へ転送される。その後第２ＦＳパルス１９で感光
領域１の第２画素群（Ｖ3)の垂直２ｎ（ｎ＝１，２…）
番目の感光画素から信号電荷が読出され（時刻ｔ3)、第
２フィールド転送パルス２１で第２蓄積領域へ転送され
る。その後これら感光画素から読出された信号電荷が、
第１及び第２水平転送路６、７で同時に第１及び第２電
荷検出回路へ転送されて出力される。そして、２つの信
号が加算されて１つにる。この２つの電荷検出回路から
得られたそれぞれ独立の信号は、時刻ずれ２４と信号電
荷蓄積時間２２、２３の差２４を生じているが、２つの
信号を加算し垂直方向の感光画素の半分の数のデータと
して得る事により時刻ずれによる画像の劣化を抑止する
ことが可能となる。第１の動作では、ここで説明する最
初のフィールド（ＯＤＤ）でも次ぎのフィールド（ＥＶ
ＥＮ）でも感光領域の感光画素からの信号電荷の動作
は、同じである。
って動作する例について説明する。時刻ｔ1 において、
半導体基板（ＶOFD ) に積分時間設定パルス１７を印加
してから、所定のＶＢＬ内において、第１ＦＳパルス１
８で感光領域１の第１画素群である垂直２ｎ−１（ｎ＝
１，２…）番目の感光画素から信号電荷が読出されて
（時刻ｔ2)、第１フィールド転送パルス２０で第１蓄積
領域４へ転送される。その後第２ＦＳパルス１９で感光
領域１の第２画素群（Ｖ3)の垂直２ｎ（ｎ＝１，２…）
番目の感光画素から信号電荷が読出され（時刻ｔ3)、第
２フィールド転送パルス２１で第２蓄積領域へ転送され
る。その後これら感光画素から読出された信号電荷が、
第１及び第２水平転送路６、７で同時に第１及び第２電
荷検出回路へ転送されて出力される。そして、２つの信
号が加算されて１つにる。この２つの電荷検出回路から
得られたそれぞれ独立の信号は、時刻ずれ２４と信号電
荷蓄積時間２２、２３の差２４を生じているが、２つの
信号を加算し垂直方向の感光画素の半分の数のデータと
して得る事により時刻ずれによる画像の劣化を抑止する
ことが可能となる。第１の動作では、ここで説明する最
初のフィールド（ＯＤＤ）でも次ぎのフィールド（ＥＶ
ＥＮ）でも感光領域の感光画素からの信号電荷の動作
は、同じである。
【００１６】次に、図２を参照して第２番目の第２の動
作について説明する。第１蓄積領域４又は第２蓄積領域
５のどちらか一方のみに信号電荷を転送し、相隣合う行
の２画素を加算する方法である。まず、図５のタイミン
グチャートにしたがって動作する例について説明する。
最初のフィールド（ＯＤＤ）では、時刻ｔ1 及び時刻ｔ
2 において、第１及び第２の積分時間設定パルス２５、
２６を印加してから、ＶＢＬ期間において、第１及び第
２ＦＳパルス２７、２８で感光領域１の第１画素群（Ｖ
1)の垂直２ｎ−１（ｎ＝１，２…）番目と第２画素群
（Ｖ3)の垂直２ｎ（ｎ＝１，２…）番目の画素から信号
電荷をほぼ同時に読出し（時刻ｔ3)、垂直方向に隣接す
る任意の側の２画素を加算し垂直方向の感光画素の半分
の数のデータとして、第１又は第２水平転送路６、７へ
転送し、第１又は第２電荷検出回路８、９から出力す
る。この図で説明する例では、信号電荷は、第２水平転
送路７をへて第２電荷検出回路９から出力される。この
様に感光領域１内で２画素を加算することにより、時刻
ずれによる画質の劣化を抑止することが可能となる。ま
た、この図の動作では、次のフィールド（ＥＶＥＮフィ
ールド）では２画素加算の組み合わせを変えて、反対側
の相隣合う行の画素同士を加算する。さらに、時刻ｔ1
及びｔ2 は、同時刻であっても良い。
作について説明する。第１蓄積領域４又は第２蓄積領域
５のどちらか一方のみに信号電荷を転送し、相隣合う行
の２画素を加算する方法である。まず、図５のタイミン
グチャートにしたがって動作する例について説明する。
最初のフィールド（ＯＤＤ）では、時刻ｔ1 及び時刻ｔ
2 において、第１及び第２の積分時間設定パルス２５、
２６を印加してから、ＶＢＬ期間において、第１及び第
２ＦＳパルス２７、２８で感光領域１の第１画素群（Ｖ
1)の垂直２ｎ−１（ｎ＝１，２…）番目と第２画素群
（Ｖ3)の垂直２ｎ（ｎ＝１，２…）番目の画素から信号
電荷をほぼ同時に読出し（時刻ｔ3)、垂直方向に隣接す
る任意の側の２画素を加算し垂直方向の感光画素の半分
の数のデータとして、第１又は第２水平転送路６、７へ
転送し、第１又は第２電荷検出回路８、９から出力す
る。この図で説明する例では、信号電荷は、第２水平転
送路７をへて第２電荷検出回路９から出力される。この
様に感光領域１内で２画素を加算することにより、時刻
ずれによる画質の劣化を抑止することが可能となる。ま
た、この図の動作では、次のフィールド（ＥＶＥＮフィ
ールド）では２画素加算の組み合わせを変えて、反対側
の相隣合う行の画素同士を加算する。さらに、時刻ｔ1
及びｔ2 は、同時刻であっても良い。
【００１７】次で、図６のタイミングチャートにしたが
って動作する例について説明する。時刻ｔ1 において、
固体撮像装置が形成されている半導体基板に積分時間設
定パルス３４を印加し、第１及び第２ＦＳパルス３５、
３６で感光領域１の第１画素群（Ｖ1)の垂直２ｎ−１
（ｎ＝１，２…）番目と垂直２ｎ（ｎ＝１，２…）番目
の感光画素から信号電荷を同時に読出し（時刻ｔ2)、垂
直方向の隣接する２画素を加算し、第１蓄積領域４もし
くは第２蓄積領域５のどちらか一方のみに信号電荷を転
送する。この例では、信号電荷は第２蓄積領域へ転送す
る。垂直方向の２画素を加算することにより、時刻ずれ
や信号電荷蓄積時間の差による画質の劣化を抑止するこ
とが可能となる。また、次のフィールド（ＥＶＥＮフィ
ールド）では２画素加算の組み合わせを変えて同様の動
作を繰り返す。この実施例においては、固体撮像装置が
形成されている半導体基板に以上のような第１及び第２
の動作を選択する選択手段を形成する。外部の切換えス
イッチを用いることができる。そして、この選択手段を
用いてある所定の積分時間以上に設定した時にいずれか
の動作を選択するように構成する。この様にして、動画
出力時に短い積分時間では時刻ずれや信号電荷積分時間
の差による画質の劣化が回避でき、高速での積分時間設
定が可能となる。信号電荷がある所定値よりも小さい場
合、前記実施例のような方法で相隣合う２画素を加算す
ることによりＳ／Ｎ比を向上させることが可能になる。
って動作する例について説明する。時刻ｔ1 において、
固体撮像装置が形成されている半導体基板に積分時間設
定パルス３４を印加し、第１及び第２ＦＳパルス３５、
３６で感光領域１の第１画素群（Ｖ1)の垂直２ｎ−１
（ｎ＝１，２…）番目と垂直２ｎ（ｎ＝１，２…）番目
の感光画素から信号電荷を同時に読出し（時刻ｔ2)、垂
直方向の隣接する２画素を加算し、第１蓄積領域４もし
くは第２蓄積領域５のどちらか一方のみに信号電荷を転
送する。この例では、信号電荷は第２蓄積領域へ転送す
る。垂直方向の２画素を加算することにより、時刻ずれ
や信号電荷蓄積時間の差による画質の劣化を抑止するこ
とが可能となる。また、次のフィールド（ＥＶＥＮフィ
ールド）では２画素加算の組み合わせを変えて同様の動
作を繰り返す。この実施例においては、固体撮像装置が
形成されている半導体基板に以上のような第１及び第２
の動作を選択する選択手段を形成する。外部の切換えス
イッチを用いることができる。そして、この選択手段を
用いてある所定の積分時間以上に設定した時にいずれか
の動作を選択するように構成する。この様にして、動画
出力時に短い積分時間では時刻ずれや信号電荷積分時間
の差による画質の劣化が回避でき、高速での積分時間設
定が可能となる。信号電荷がある所定値よりも小さい場
合、前記実施例のような方法で相隣合う２画素を加算す
ることによりＳ／Ｎ比を向上させることが可能になる。
【００１８】この固体撮像装置が前述の第１及び第２の
動作を選択する基準は、以下に示すように幾つか認めら
れるが、本発明は、これに限定されるものではない。 （１） 通常は、第１の動作を選択しているが、積分時
間が所定の長さより短くなると選択手段により第２の動
作を選択して画質劣化を少なくしている。例えば、前述
の図３に示すように、時刻ずれ１６は、ｔ4 −ｔ3 であ
る。一方、積分時間設定パルスの印加からＦＳパルス印
加までの積分時間４５、４６は、ｔ3 −ｔ1 もしくはｔ
4 −ｔ2 である。したがって、（ｔ3 −ｔ1 ）、（ｔ4
−ｔ2 ）≧（ｔ4 −ｔ3 ）のときは、第１の動作を選択
し、（ｔ3 −ｔ1 ）、（ｔ4 −ｔ2 ）＜（ｔ4 −ｔ3 ）
のときは、第２の動作を選択する。時刻ずれが５ライン
水平転送分の長さの場合において、積分時間は１／１０
００秒ならこの時刻ずれより長く、１／５０００秒なら
この時刻ずれより短いので積分時間が１／５０００秒な
ら第２の動作を選択する必要がある。
動作を選択する基準は、以下に示すように幾つか認めら
れるが、本発明は、これに限定されるものではない。 （１） 通常は、第１の動作を選択しているが、積分時
間が所定の長さより短くなると選択手段により第２の動
作を選択して画質劣化を少なくしている。例えば、前述
の図３に示すように、時刻ずれ１６は、ｔ4 −ｔ3 であ
る。一方、積分時間設定パルスの印加からＦＳパルス印
加までの積分時間４５、４６は、ｔ3 −ｔ1 もしくはｔ
4 −ｔ2 である。したがって、（ｔ3 −ｔ1 ）、（ｔ4
−ｔ2 ）≧（ｔ4 −ｔ3 ）のときは、第１の動作を選択
し、（ｔ3 −ｔ1 ）、（ｔ4 −ｔ2 ）＜（ｔ4 −ｔ3 ）
のときは、第２の動作を選択する。時刻ずれが５ライン
水平転送分の長さの場合において、積分時間は１／１０
００秒ならこの時刻ずれより長く、１／５０００秒なら
この時刻ずれより短いので積分時間が１／５０００秒な
ら第２の動作を選択する必要がある。
【００１９】（２） 転送する信号電荷の積分量が少な
いとやはりＳ／Ｎ比が劣化などするので、この場合は、
第２の動作を採用する。つまり、通常は第１の動作を行
っていて、信号電荷の積分量が基準量（例えば、標準信
号設定量が２００ｍＶ）より少ないときは第２の動作を
選択する。この動作によって信号電荷の蓄積量の差が少
なくなるので、画質の劣化は減少させることができる。
この様な選択手段として、第１の動作を選択するには、
例えば、図３のように第１画素群及び第２画素群に印加
されるＦＳパルス１１、１３にタイミング差を設けるさ
らに、第２の動作を選択する際にも、例えば、図５のよ
うに第１画素群及び第２画素群に印加されるＦＳパルス
２７、２８を相隣合う２画素を加算できるタイミングに
しておき、このＦＳパルスを同時に印加する。
いとやはりＳ／Ｎ比が劣化などするので、この場合は、
第２の動作を採用する。つまり、通常は第１の動作を行
っていて、信号電荷の積分量が基準量（例えば、標準信
号設定量が２００ｍＶ）より少ないときは第２の動作を
選択する。この動作によって信号電荷の蓄積量の差が少
なくなるので、画質の劣化は減少させることができる。
この様な選択手段として、第１の動作を選択するには、
例えば、図３のように第１画素群及び第２画素群に印加
されるＦＳパルス１１、１３にタイミング差を設けるさ
らに、第２の動作を選択する際にも、例えば、図５のよ
うに第１画素群及び第２画素群に印加されるＦＳパルス
２７、２８を相隣合う２画素を加算できるタイミングに
しておき、このＦＳパルスを同時に印加する。
【００２０】次に、図７を参照して本発明の駆動方法に
適用される固体撮像装置の他の例に付いて説明する。の
固体撮像装置の感光領域１には、入射光を光電変換し蓄
積する感光画素２が行方向及び列方向に２次元的に配置
されている。そして、その２次元的に配置された感光画
素群が構成する各垂直感光画素列間には垂直転送路３が
設けられている。この垂直転送路３の１転送段は、垂直
方向に設けられている２つの感光画素で構成されてい
る。感光領域１の上下には、１フィールド分の信号電荷
を蓄積できる第１蓄積領域４と第２蓄積領域５とが各々
設けられている。この第１蓄積領域４と第２蓄積領域５
には、各々複数の垂直転送路３１及び３２が配置されて
いて、それぞれ感光領域１の垂直転送路３に接続してい
る。また、第１蓄積領域４と第２蓄積領域５の感光領域
１とは反対側には、第１水平転送路６と第２水平転送路
７があり、各出力端はフローティングゲート４１、４２
を介して電荷転送路４３に接続さている。
適用される固体撮像装置の他の例に付いて説明する。の
固体撮像装置の感光領域１には、入射光を光電変換し蓄
積する感光画素２が行方向及び列方向に２次元的に配置
されている。そして、その２次元的に配置された感光画
素群が構成する各垂直感光画素列間には垂直転送路３が
設けられている。この垂直転送路３の１転送段は、垂直
方向に設けられている２つの感光画素で構成されてい
る。感光領域１の上下には、１フィールド分の信号電荷
を蓄積できる第１蓄積領域４と第２蓄積領域５とが各々
設けられている。この第１蓄積領域４と第２蓄積領域５
には、各々複数の垂直転送路３１及び３２が配置されて
いて、それぞれ感光領域１の垂直転送路３に接続してい
る。また、第１蓄積領域４と第２蓄積領域５の感光領域
１とは反対側には、第１水平転送路６と第２水平転送路
７があり、各出力端はフローティングゲート４１、４２
を介して電荷転送路４３に接続さている。
【００２１】電荷転送路４３には第３電荷検出回路４４
が設けられている。第１及び第２水平転送路６、７を転
送する信号電荷は、それぞれフローティングゲート４
１、４２を介してアナログ的に読み出されて第３電荷検
出回路４４から出力される。第１蓄積領域４は感光領域
１の感光画素２の上下の配列順番を入れ換えることがで
きるように、転送段がループ状に連結されたサイクリッ
ク転送路になっている。このような固体撮像装置は、一
般に、１フィールド期間に垂直全画素の信号情報を得る
事ができる。この固体撮像装置は前述の第１の動作に適
した構造を有している。フローティングゲートは、電荷
を非破壊で検出できる電荷検出回路として用いられ、こ
の回路にはこの他に電流スパイクで検出する方法やフロ
ーティング接合型検出回路などがある。この固体撮像装
置で、第１の動作を行う場合には、この回路で、水平転
送路を転送してきた信号電荷を読みだす。
が設けられている。第１及び第２水平転送路６、７を転
送する信号電荷は、それぞれフローティングゲート４
１、４２を介してアナログ的に読み出されて第３電荷検
出回路４４から出力される。第１蓄積領域４は感光領域
１の感光画素２の上下の配列順番を入れ換えることがで
きるように、転送段がループ状に連結されたサイクリッ
ク転送路になっている。このような固体撮像装置は、一
般に、１フィールド期間に垂直全画素の信号情報を得る
事ができる。この固体撮像装置は前述の第１の動作に適
した構造を有している。フローティングゲートは、電荷
を非破壊で検出できる電荷検出回路として用いられ、こ
の回路にはこの他に電流スパイクで検出する方法やフロ
ーティング接合型検出回路などがある。この固体撮像装
置で、第１の動作を行う場合には、この回路で、水平転
送路を転送してきた信号電荷を読みだす。
【００２２】本発明は、図９及び図１０に示す構造の固
体撮像装置の駆動方法にも適用することができる。図９
の固体撮像装置は、感光領域の下部に蓄積領域が形成さ
れていない点で今までの実施例のものとは相違してい
る。感光領域１には、感光画素２が行方向及び列方向に
２次元的に配置されている。そして、その２次元的に配
置された感光画素群が構成する各垂直画素列間には垂直
転送路３が設けられている。感光領域１の上には、１フ
ィールド分の信号電荷を蓄積できる第１蓄積領域４が設
けられている。第１蓄積領域４には、複数の垂直転送路
３１が配置されていて、それぞれ感光領域１の垂直転送
路３に接続している。また、第１蓄積領域４の感光領域
１とは反対側及び感光領域の下には、第１水平転送路６
と第２水平転送路７があり、各々の一端に第１及び第２
電荷検出回路８、９が設けられている。ここで、第１蓄
積領域４は、感光領域の感光画素の上下の配列順番を入
れ換えることができるように、転送段がループ状に連結
されたサイクリック転送路になっている。この固体撮像
装置は上記のような構成であるので、垂直転送路が蓄積
領域としても利用される。小形化が可能になる。
体撮像装置の駆動方法にも適用することができる。図９
の固体撮像装置は、感光領域の下部に蓄積領域が形成さ
れていない点で今までの実施例のものとは相違してい
る。感光領域１には、感光画素２が行方向及び列方向に
２次元的に配置されている。そして、その２次元的に配
置された感光画素群が構成する各垂直画素列間には垂直
転送路３が設けられている。感光領域１の上には、１フ
ィールド分の信号電荷を蓄積できる第１蓄積領域４が設
けられている。第１蓄積領域４には、複数の垂直転送路
３１が配置されていて、それぞれ感光領域１の垂直転送
路３に接続している。また、第１蓄積領域４の感光領域
１とは反対側及び感光領域の下には、第１水平転送路６
と第２水平転送路７があり、各々の一端に第１及び第２
電荷検出回路８、９が設けられている。ここで、第１蓄
積領域４は、感光領域の感光画素の上下の配列順番を入
れ換えることができるように、転送段がループ状に連結
されたサイクリック転送路になっている。この固体撮像
装置は上記のような構成であるので、垂直転送路が蓄積
領域としても利用される。小形化が可能になる。
【００２３】図１０の固体撮像装置は、どの蓄積領域に
もサイクリック転送路が形成されている特徴がある。こ
の固体撮像装置の感光領域１には、入射光を光電変換し
蓄積する感光画素２が行方向及び列方向に２次元的に配
置されている。そして、この感光画素群が構成する各垂
直感光画素列間には垂直転送路３が設けられている。感
光領域１の上下には、１フィールド分の信号電荷を蓄積
できる第１蓄積領域４と第２蓄積領域５とが各々設けら
れている。この第１蓄積領域４と第２蓄積領域５には、
各々複数の垂直転送路３１、３３が配置されていて、そ
れぞれ感光領域１の垂直転送路３に接続している。ま
た、第１蓄積領域４と第２蓄積領域５の感光領域１とは
反対側には、第１水平転送路６と第２水平転送路７があ
り、各々の一端に第１及び第２電荷検出回路８、９が設
けられている。第１及び第２蓄積領域４、５は、感光領
域の感光画素の上下の配列順番を入れ換えることができ
るように、転送段がループ状に連結されたサイクリック
転送路になっている。
もサイクリック転送路が形成されている特徴がある。こ
の固体撮像装置の感光領域１には、入射光を光電変換し
蓄積する感光画素２が行方向及び列方向に２次元的に配
置されている。そして、この感光画素群が構成する各垂
直感光画素列間には垂直転送路３が設けられている。感
光領域１の上下には、１フィールド分の信号電荷を蓄積
できる第１蓄積領域４と第２蓄積領域５とが各々設けら
れている。この第１蓄積領域４と第２蓄積領域５には、
各々複数の垂直転送路３１、３３が配置されていて、そ
れぞれ感光領域１の垂直転送路３に接続している。ま
た、第１蓄積領域４と第２蓄積領域５の感光領域１とは
反対側には、第１水平転送路６と第２水平転送路７があ
り、各々の一端に第１及び第２電荷検出回路８、９が設
けられている。第１及び第２蓄積領域４、５は、感光領
域の感光画素の上下の配列順番を入れ換えることができ
るように、転送段がループ状に連結されたサイクリック
転送路になっている。
【００２４】このサイクリック転送路は左右いずれの方
向にも転送することが可能であり、互いに逆方向にサイ
クリック転送することも可能である。サイクリック転送
路においてサイクリック転送を行わないこともできる。
サイクリック転送は、右回り転送でも良いし左回り転送
でも良く、最も効率的な転送方法を選択することができ
る。２ラインの出力信号を足し合わせる信号処理を行え
ば、２倍のダイナミックレンジを持ちしかも高い垂直解
像度の映像信号を得ることができる。本発明に係る固体
撮像装置の転送動作は、所定のタイミングチャートに基
づいて行われる。このタイミングチャートでは、ＶＢＬ
期間と水平ブランキング期間とが交互にあらわれＶＢＬ
期間に感光領域の感光画素から垂直転送路への信号電荷
の移送及び垂直転送動作を行い、必要に応じてサイクリ
ック転送による転送順序の変換を行う。次の水平ブラン
キング期間に信号電荷を水平転送してこれを外部に出力
する。このようにブランキング期間を利用して垂直及び
水平転送を繰り返し行うことにより、１フィールド期間
に全電荷を独立に外部に出力することができる。また、
ブランキング期間を利用して垂直及び水平転送を行うこ
とにより信号電荷の読出し期間に転送動作を制御するパ
ルスが出力に混入するのを防止する。
向にも転送することが可能であり、互いに逆方向にサイ
クリック転送することも可能である。サイクリック転送
路においてサイクリック転送を行わないこともできる。
サイクリック転送は、右回り転送でも良いし左回り転送
でも良く、最も効率的な転送方法を選択することができ
る。２ラインの出力信号を足し合わせる信号処理を行え
ば、２倍のダイナミックレンジを持ちしかも高い垂直解
像度の映像信号を得ることができる。本発明に係る固体
撮像装置の転送動作は、所定のタイミングチャートに基
づいて行われる。このタイミングチャートでは、ＶＢＬ
期間と水平ブランキング期間とが交互にあらわれＶＢＬ
期間に感光領域の感光画素から垂直転送路への信号電荷
の移送及び垂直転送動作を行い、必要に応じてサイクリ
ック転送による転送順序の変換を行う。次の水平ブラン
キング期間に信号電荷を水平転送してこれを外部に出力
する。このようにブランキング期間を利用して垂直及び
水平転送を繰り返し行うことにより、１フィールド期間
に全電荷を独立に外部に出力することができる。また、
ブランキング期間を利用して垂直及び水平転送を行うこ
とにより信号電荷の読出し期間に転送動作を制御するパ
ルスが出力に混入するのを防止する。
【００２５】
【発明の効果】本発明は以上のような構成により、積分
時間が短い状態の時に顕著になる時刻ずれや信号電荷の
蓄積時間の差を無くすことによって画質の劣化を回避す
ることができる。
時間が短い状態の時に顕著になる時刻ずれや信号電荷の
蓄積時間の差を無くすことによって画質の劣化を回避す
ることができる。
【図１】本発明及び従来の固体撮像装置の駆動方法説明
図。
図。
【図２】本発明の固体撮像装置の駆動方法説明図。
【図３】本発明及び従来の固体撮像装置の概略タイミン
グ図。
グ図。
【図４】本発明及び従来の固体撮像装置の概略タイミン
グ図。
グ図。
【図５】本発明の固体撮像装置の概略タイミング図。
【図６】本発明の固体撮像装置の概略タイミング図。
【図７】本発明の固体撮像装置の断面図。
【図８】本発明及び従来の固体撮像装置の断面図。
【図９】本発明の固体撮像装置の断面図。
【図１０】本発明の固体撮像装置の断面図。
１ 感光領域 ２ 感光画素 ３、３１、３２、３３ 垂直転送路 ４ 第１蓄積領域 ５ 第２蓄積領域 ６ 第１水平転送路 ７ 第２水平転送路 ８ 第１電荷検出回路 ９ 第２電荷検出回路 １０、２５ 第１の積分時間設定パルス １１、１８、２７ 第１ＦＳパルス １２、２６ 第２の積分時間設定パルス １３、１９，２８ 第２ＦＳパルス １４、２０、２９、３７ 第１フィールド転送パルス １５、２１，３０、３８ 第２フィールド転送パルス １６、２４ 時間ずれ １７、３４ 積分時間設定パルス ２２、２３、３１、３２、３９、４０、４５、４６ 信
号電荷蓄積時間 ４１、４２ フローティングゲート ４３ 電荷転送路 ４４ 第３電荷検出回路
号電荷蓄積時間 ４１、４２ フローティングゲート ４３ 電荷転送路 ４４ 第３電荷検出回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荒川 賢一 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 山田 哲生 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 笹野 信祐 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内
Claims (6)
- 【請求項１】 入射光を光電変換し、発生した信号電荷
を一時的に蓄える感光画素が行方向及び列方向に２次元
的に配置され、かつ、前記信号電荷を読み出し列方向に
転送する垂直転送路が前記列方向の各感光画素列に隣接
して設けられた感光領域と、 前記感光領域に設けられている複数の前記垂直転送路の
各第１の端部に設けられ転送段がループ状に連結された
サイクリック転送路を有する第１蓄積領域と、 前記垂直転送路の各第２の端部に設けられた転送路を有
する第２蓄積領域と、 前記第１蓄積領域の前記感光領域とは反対側に前記信号
電荷を行方向に転送する第１水平転送路と、 前記第１水平転送路の出力端に接続された第１電荷検出
回路と、 前記第２蓄積領域の前記感光領域とは反対側に前記信号
電荷を行方向に転送する第２水平転送路と、 前記第２水平転送路の出力端に接続された第２電荷検出
回路と、 前記第１及び第２水平転送路の出力端に、その入力端が
接続された電荷転送路と、 前記電荷転送路の出力端に接続された第３電荷検出回路
とを具備し、 前記第１及び第２水平転送路を転送し、出力される前記
信号電荷は、前記電荷転送路で加算され、前記第３電荷
検出回路で加算された前記信号電荷が前記電気信号に変
換されることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 入射光を光電変換し、発生した信号電荷
を一時的に蓄える感光画素が行方向及び列方向に２次元
的に配置され、かつ、前記信号電荷を読み出し列方向に
転送する垂直転送路が前記列方向の各感光画素列に隣接
して設けられた感光領域と、 前記感光領域に設けられている複数の前記垂直転送路の
各第１の端部に設けられ、転送段がループ状に連結され
たサイクリック転送路を有する第１蓄積領域と前記垂直
転送路の各第２の端部に設けられた転送路を有する第２
蓄積領域と、 前記第１蓄積領域の前記感光領域とは反対側に前記信号
電荷を行方向に転送しその一端に前記信号電荷を電気信
号に変換する第１電荷検出回路を備えた第１水平転送路
と、 前記第２蓄積領域の前記感光領域とは反対側に前記信号
電荷を行方向に転送しその一端に前記信号電荷を電気信
号に変換する第２電荷検出回路を備えた第２水平転送路
とを具備している固体撮像装置において、 前記感光領域の各垂直方向の奇数行の感光画素からなる
第１画素群の信号電荷を前記第１蓄積領域へ転送し、こ
の感光領域の垂直方向の偶数行の感光画素からなる第２
画素群の信号電荷を前記第２蓄積領域へ転送する動作
後、前記第１及び第２電荷検出回路からそれぞれ前記電
気信号を出力する第１の動作と、 前記感光領域の垂直方向の奇数行の感光画素からなる第
１画素群の信号電荷とこの感光領域の垂直方向の偶数行
の感光画素からなる第２画素群の信号電荷とを垂直転送
路に転送後、相隣り合う行において加算合成した合成信
号電荷を前記第１又は第２水平転送路を介して前記第１
又は第２電荷検出回路で前記電気信号に変換する第２の
動作とを有し、 前記第１又は第２の動作のいずれかを選択手段により選
択することを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。 - 【請求項３】 入射光を光電変換し、発生した信号電荷
を一時的に蓄える感光画素が行方向及び列方向に２次元
的に配置され、かつ、前記信号電荷を読み出し列方向に
転送する垂直転送路が前記列方向の各感光画素列に隣接
して設けられた感光領域と、 前記感光領域に設けられている複数の前記垂直転送路の
各第１の端部に設けられ、転送段がループ状に連結され
たサイクリック転送路を有する第１蓄積領域と前記垂直
転送路の各第２の端部に設けられた転送路を有する第２
蓄積領域と、 前記第１蓄積領域の前記感光領域とは反対側に前記信号
電荷を行方向に転送しその一端に前記信号電荷を電気信
号に変換する第１電荷検出回路を備えた第１水平転送路
と、 前記第２蓄積領域の前記感光領域とは反対側に前記信号
電荷を行方向に転送しその一端に前記信号電荷を電気信
号に変換する第２電荷検出回路を備えた第２水平転送路
とを具備している固体撮像装置において、 前記感光領域の各垂直方向の奇数行の感光画素からなる
第１画素群の信号電荷を前記第１蓄積領域へ転送し、こ
の感光領域の垂直方向の偶数行の感光画素からなる第２
画素群の信号電荷を前記第２蓄積領域へ転送する動作
後、前記第１及び第２電荷検出回路からそれぞれ前記電
気信号を出力する第１の動作と、 前記感光領域の垂直方向の奇数行の感光画素からなる第
１画素群の信号電荷を前記第１蓄積領域へ転送し、この
感光領域の垂直方向の偶数行の感光画素からなる第２画
素群の信号電荷を前記前記第２蓄積領域へ転送する動作
後、これら第１及び第２蓄積領域へ転送した信号電荷を
それぞれ前記第１及び第２水平転送路を介して前記第１
及び第２電荷検出回路から前記電気信号として出力し、
その後これら前記電気信号を加算して合成信号を形成す
る第２の動作とを備え、 前記第１又は第２の動作のいずれかを選択手段により選
択することを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。 - 【請求項４】 請求項１又は請求項２に記載の固体撮像
装置において、 前記感光領域の各垂直方向の奇数行の感光画素からなる
第１画素群の信号電荷を前記第１蓄積領域へ転送し、こ
の感光領域の垂直方向の偶数行の感光画素からなる第２
画素群の信号電荷を前記第２蓄積領域へ転送する動作
後、前記第１及び第２電荷検出回路からそれぞれ前記電
気信号を出力する第１の動作と、 前記感光領域の垂直方向の奇数行の感光画素からなる第
１画素群の信号電荷を前記第１蓄積領域へ転送し、この
感光領域の垂直方向の偶数行の感光画素からなる第２画
素群の信号電荷を前記前記第２蓄積領域へ転送する動作
後、これら第１及び第２蓄積領域へ転送した信号電荷を
それぞれ前記第１及び第２水平転送路を介して電荷転送
路へ転送し、この電荷転送路で前記第１及び第２水平転
送路を出力した前記信号電荷を加算して合成信号電荷を
形成し、前記第３電荷検出回路で前記合成信号電荷を前
記電気信号に変換するする第２の動作とを備え、 前記第１又は第２の動作のいずれかを選択手段により選
択することを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。 - 【請求項５】 積分時間が所定の時間より長い場合は、
前記第１の動作を選択し、前記積分時間が所定時間より
短い場合は、前記第２の動作を選択することを特徴とす
る請求項３又は請求項４に記載の固体撮像装置の駆動方
法。 - 【請求項６】 前記選択手段は、前記第１又は第２画素
群の信号電荷の積分量が所定量より多い場合には、前記
第１の動作を選択し、この信号電荷の積分量が所定量よ
り少ない場合には、前記第２の動作を選択することを特
徴とする請求項３又は請求項４に記載の固体撮像装置の
駆動方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5047118A JP2807386B2 (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
| US08/195,167 US5396091A (en) | 1993-02-15 | 1994-02-14 | Solid-state image sensing device capable of reading two-line signal charges independently |
| KR1019940002625A KR0143041B1 (ko) | 1993-02-15 | 1994-02-15 | 고체촬상장치 및 고체촬상장치의 구동방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5047118A JP2807386B2 (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06245147A true JPH06245147A (ja) | 1994-09-02 |
| JP2807386B2 JP2807386B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=12766255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5047118A Expired - Fee Related JP2807386B2 (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5396091A (ja) |
| JP (1) | JP2807386B2 (ja) |
| KR (1) | KR0143041B1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3156503B2 (ja) | 1994-05-27 | 2001-04-16 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置の駆動方法及び固体撮像装置の信号処理回路 |
| US5517043A (en) * | 1994-10-25 | 1996-05-14 | Dalsa, Inc. | Split pixel interline transfer imaging device |
| JP2785782B2 (ja) * | 1995-12-27 | 1998-08-13 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| US6337713B1 (en) * | 1997-04-04 | 2002-01-08 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Processor for image-pixel signals derived from divided sections of image-sensing area of solid-type image sensor |
| JP3858361B2 (ja) * | 1997-07-08 | 2006-12-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法、並びにカメラ |
| JPH11205532A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| US6292169B1 (en) * | 1998-02-13 | 2001-09-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information input apparatus |
| US6693670B1 (en) * | 1999-07-29 | 2004-02-17 | Vision - Sciences, Inc. | Multi-photodetector unit cell |
| JP2001111026A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-20 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像装置 |
| WO2001063910A1 (en) | 2000-02-22 | 2001-08-30 | Photobit Corporation | Frame shuttering scheme for increased frame rate |
| US7336309B2 (en) * | 2000-07-05 | 2008-02-26 | Vision-Sciences Inc. | Dynamic range compression method |
| AU2002223121A1 (en) * | 2000-11-27 | 2002-06-03 | Vision Sciences, Inc. | Noise floor reduction in image sensors |
| JP2003234960A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-08-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 撮像装置 |
| JP4561439B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2010-10-13 | 株式会社デンソー | 撮像装置 |
| KR100738551B1 (ko) * | 2006-01-17 | 2007-07-11 | 삼성전자주식회사 | 화상형성기기의 히터롤러 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0374991A (ja) * | 1989-08-16 | 1991-03-29 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置の駆動方法 |
| JPH0461850A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Toshiba Corp | Ｘ線診断装置 |
| JPH0468678A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-03-04 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
-
1993
- 1993-02-15 JP JP5047118A patent/JP2807386B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-02-14 US US08/195,167 patent/US5396091A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-15 KR KR1019940002625A patent/KR0143041B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0374991A (ja) * | 1989-08-16 | 1991-03-29 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置の駆動方法 |
| JPH0461850A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Toshiba Corp | Ｘ線診断装置 |
| JPH0468678A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-03-04 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2807386B2 (ja) | 1998-10-08 |
| KR0143041B1 (ko) | 1998-07-15 |
| US5396091A (en) | 1995-03-07 |
| KR940020786A (ko) | 1994-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4816916A (en) | CCD area image sensor operable in both of line-sequential and interlace scannings and a method for operating the same | |
| US5025319A (en) | Solid state image pickup device driving method utilizing an electronic shutter operation | |
| US6519000B1 (en) | Image pickup apparatus with mode switching between a still picture mode and a moving picture mode | |
| JP5178994B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 | |
| US4996600A (en) | Two dimensional solid state image sensing device | |
| JP2807386B2 (ja) | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 | |
| JP3906496B2 (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法、並びにカメラ | |
| US5239380A (en) | Method of driving a solid-state imaging device by two-step signal charge vertical transfer in one horizontal blanking period | |
| JPH0522668A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US4528595A (en) | Line transfer imager and television camera including such an imager | |
| JP2595077B2 (ja) | 撮像装置 | |
| JP4792923B2 (ja) | 物理量検出装置、物理量検出装置の駆動方法および撮像装置 | |
| US5818526A (en) | Solid state image pickup device having a number of vertical scanning circuit units which is half the number of pixels in the vertical direction | |
| JP4356121B2 (ja) | 固体撮像素子およびその駆動方法、並びにカメラシステム | |
| JP4286091B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2888719B2 (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
| EP0869665B1 (en) | Solid state image sensor | |
| JP2005086245A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3379652B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH04154284A (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
| JP4634953B2 (ja) | 固体撮像装置および駆動方法 | |
| JPH0514816A (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法 | |
| JPH10200819A (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラ | |
| JPS6367977A (ja) | 撮像装置 | |
| JPH07226883A (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080724 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090724 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090724 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100724 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |