JP4384027B2 - サンプルを検査するための荷電粒子ビーム装置及び方法 - Google Patents
サンプルを検査するための荷電粒子ビーム装置及び方法 Download PDFInfo
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Description
(a)一次荷電粒子ビームを、検出器の開口を通過する第1軸に沿って指向するステップであって、上記検出器は前記開口の外側に荷電粒子検出領域を有するようなステップと、
(b)一次荷電粒子ビームの軌道に作用して、前記第1軸に実質的に平行で且つそこから離間された第2軸に沿ってサンプルへ一次荷電粒子ビームを伝播させ、これにより、前記開口の外側の前記検出器の検出領域へ二次荷電粒子ビームを伝播させるステップと、
を備えた方法が提供される。
−検出器の開口を通過する第1軸に沿ってビーム指向装置に向かい一次荷電粒子ビームを指向するステップであって、上記検出器は前記開口の外側に荷電粒子検出領域を有するようなステップと、
−一次荷電粒子ビームをビーム指向装置に通過させるステップであって、ビーム指向装置は、前記第1軸とである角度を形成する光学軸を定める収束アセンブリと、偏向アセンブリとを含み、該偏向アセンブリは、一次荷電粒子ビームを、第1軸に沿った伝播から、収束アセンブリの光学軸に実質的に平行な第2軸に沿ってサンプルへと至る一次荷電粒子ビームの伝播へと偏向すると共に、二次荷電粒子ビームの軌道に作用して、前記開口の外側の前記検出器の検出領域へ二次荷電粒子ビームを伝播させるように動作できるステップと、
を備えた方法が提供される。
−光学軸を定める収束アセンブリであって、一次荷電粒子ビームをサンプルに収束するように動作できる収束アセンブリと、
−一次荷電粒子ビームの軌道に作用して、前記第1軸に実質的に平行で且つそこから離間された第2軸に沿ってサンプルに一次荷電粒子ビームを指向し、これにより、前記開口の外側の前記検出器の検出領域へ二次荷電粒子ビームの伝播を生じさせるように動作できる偏向アセンブリと、
を備えたビーム指向装置が提供される。
−粒子のソースにより発生された荷電粒子の一次ビームがアノード管の長手軸に実質的に平行な第1軸に沿って伝播するスペースを画成するアノード管と、
−開口が形成されると共に、前記開口の外側に荷電粒子検出領域を有する検出器であって、前記第1軸が前記開口に交差するように受け入れられた検出器と、
−前記検出器の開口を通過した一次荷電粒子ビームの経路に受け入れられるビーム指向装置であって、光学軸を定めると共に一次荷電粒子ビームをサンプルに収束するように動作できる収束アセンブリと、偏向アセンブリとを備え、該偏向アセンブリは、一次荷電粒子ビームの軌道に作用して、前記第1軸に実質的に平行で且つそこから離間された第2軸に沿って一次荷電粒子ビームをサンプルに指向すると共に、二次荷電粒子ビームの軌道にも作用して、前記開口の外側の前記検出器の領域へ二次荷電粒子ビームを伝播させるよう動作できるものであるビーム指向装置と、
を備えた荷電粒子ビーム装置が提供される。
Claims (59)
- (a)一次荷電粒子ビームを、検出器の開口を通過する第1軸に沿って指向するステップであって、上記検出器が前記開口の外側に荷電粒子検出領域を有するようなステップと、
(b)磁気対物レンズ収束アセンブリと、収束アセンブリの光学軸に沿って離間された位置で前記一次荷電粒子ビームに偏向フィールドを印加するように動作可能な複数の偏向器であって、少なくとも前記一次ビーム伝播の方向に対して一つが前記磁気対物レンズの上流に配置されると共に、他の一つが前記磁気対物レンズの下流に配置されている複数の偏向器とを有する偏向アセンブリを通して一次荷電粒子ビームを通過させることにより、前記第1軸に沿って伝播してからサンプルに向けて前記第1軸に実質的に平行で且つそこから離間された第2軸に沿って伝播するまでの前記一次荷電粒子ビームの軌道に作用して、これにより、前記一次荷電粒子ビームが前記サンプルと相互作用した結果生じる二次荷電粒子ビームを前記開口の外側の前記検出器の検出領域へ伝播させるステップと、
を備えた方法。 - 前記一次荷電粒子ビームの軌道に作用するステップは、2つの偏向フィールドに上記一次荷電粒子ビームを通過させることを含み、上記2つの偏向フィールドは、上記一次荷電粒子ビームを、上記第1軸に沿ったその伝播から、上記第2軸に沿った上記一次荷電粒子ビームの伝播へと偏向させるものであり、更に、前記2つの偏向フィールドは、上記二次荷電粒子を偏向して、上記二次荷電粒子ビームが前記開口の外側の前記検出器の検出領域へ伝播するようにさせる、請求項1に記載の方法。
- 前記収束アセンブリの前記光学軸は、前記第1軸に平行である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1軸は、上記収束アセンブリの光学軸に実質的に平行で且つそこから離間される、請求項3に記載の方法。
- 前記第2軸は、上記収束アセンブリの光学軸に実質的に一致する、請求項4に記載の方法。
- 前記第1軸は、上記収束アセンブリの光学軸に実質的に一致する、請求項3に記載の方法。
- 前記第2軸は、上記収束アセンブリの光学軸に平行で且つそこから離間される、請求項6に記載の方法。
- 一次荷電粒子ビームを、検出器の開口を通過する第1軸に沿ってビーム指向装置へと指向するステップであって、上記検出器が前記開口の外側に荷電粒子検出領域を有するようなステップと、
上記一次荷電粒子ビームを上記ビーム指向装置に通過させるステップであって、上記ビーム指向装置は(a)収束アセンブリおよび(b)偏向アセンブリを含み、前記収束アセンブリは前記第1軸に対して非ゼロ角度を有する光学軸を定め、前記偏向アセンブリは、(i)上記一次荷電粒子ビームを、上記第1軸に沿った伝播から、上記収束アセンブリの光学軸に実質的に平行な第2軸に沿って上記サンプルへと向かう上記一次荷電粒子ビームの伝播へと偏向すると共に、(ii)前記一次荷電粒子ビームが前記サンプルと相互作用した結果生じる二次荷電粒子ビームの軌道に作用して、前記開口の外側の前記検出器の検出領域へ上記二次荷電粒子ビームを伝播させるように動作できるステップと、
を備えた方法。 - 上記偏向アセンブリは、上記収束アセンブリの光学軸に沿った次々の位置で2つの偏向フィールドを上記一次荷電粒子ビームに印加することにより上記一次荷電粒子ビームを偏向するように動作することができ、更に、前記偏向フィールドは、上記二次荷電粒子ビームの軌道に作用して、前記開口の外側の前記検出器の検出領域への上記二次荷電粒子ビームの前記伝播を生じさせる、請求項8に記載の方法。
- 荷電粒子ビーム装置に使用するためのビーム指向装置であって、荷電粒子ビーム装置は、第1軸に沿ってビーム指向装置に向って伝播する一次荷電粒子ビームを画成すると共に、開口及び該開口の外側の荷電粒子検出領域が形成された検出器を使用し、前記第1軸が上記検出器の前記開口を通過するように上記検出器が受け入れられるビーム指向装置において、
光学軸を定義し、磁気対物レンズを用いて少なくとも部分的に上記一次荷電粒子ビームをサンプルに収束するように動作できる収束アセンブリと、
偏向アセンブリであって、(i)前記収束アセンブリの前記光学軸に沿った2つの離間した位置に受け入れられる2つの偏向器であって、前記サンプルへの前記一次ビーム伝播の方向に対して、一方が前記磁気対物レンズの上流に配置されると共に、他方が前記磁気対物レンズの下流に配置されている複数の偏向器を有すると共に、(ii)2つの偏向フィールドを一次荷電粒子ビームおよび二次荷電粒子ビームに印加することにより、上記一次荷電粒子ビームの軌道に作用して、前記第1軸に実質的に平行で且つそこから離間された第2軸に沿って上記サンプルに上記一次荷電粒子ビームを指向し、前記開口の外側の前記検出器の検出領域へ二次荷電粒子ビームを伝播させるよう動作できる偏向アセンブリと、
を備えたビーム指向装置。 - 前記光学軸は上記一次荷電粒子ビーム伝播の前記第1軸に実質的に平行である、請求項10に記載の装置。
- 前記光学軸は前記第1軸に実質的に一致し、前記第2軸は前記光学軸から離間される、請求項11に記載の装置。
- 前記光学軸は前記第1軸から離間される、請求項10に記載の装置。
- 前記第2軸は上記収束アセンブリの光学軸に実質的に一致する、請求項13に記載の装置。
- 前記収束アセンブリは、更に、上記サンプルへの上記一次ビーム伝播の方向に対して上記磁気対物レンズの下流に受け入れられた静電浸漬レンズを備えた、請求項10に記載の装置。
- 荷電粒子ビーム装置に使用するためのビーム指向装置であって、荷電粒子ビーム装置は、第1軸に沿ってビーム指向装置に向って伝播する一次荷電粒子ビームを画成すると共に、開口及び該開口の外側の荷電粒子検出領域が形成された検出器を使用し、前記第1軸が上記検出器の前記開口を通過するように上記検出器が受け入れられるビーム指向装置において、
前記第1軸に対して非ゼロ角度を有する光学軸を定義し、上記一次荷電粒子ビームをサンプルに収束するように動作できる収束アセンブリと、
上記一次荷電粒子ビームの軌道に作用して、前記収束アセンブリの上記光学軸に実質的に平行な第2軸に沿って上記サンプルに上記一次荷電粒子ビームを指向すると共に、一次荷電粒子ビームが前記サンプルと相互作用した結果生じる二次荷電粒子ビームの伝播を前記開口の外側の前記検出器の検出領域へ指向するように動作できる偏向アセンブリと、
を備えたビーム指向装置。 - サンプルを検査するための荷電粒子ビーム装置において、
粒子ソースにより発生された荷電粒子の一次ビームがアノード管の長手軸に実質的に平行な第1軸に沿って伝播するスペースを画成するアノード管と、
開口が形成されると共に、前記開口の外側に荷電粒子検出領域を有する検出器であって、前記第1軸が前記開口に交差するように受け入れられた検出器と、
前記検出器の開口を通過した上記一次荷電粒子ビームの経路に受け入れられるビーム指向装置であって、光学軸を定めると共に磁気対物レンズを用いて少なくとも部分的に上記一次荷電粒子ビームを上記サンプルに収束するように動作できる収束アセンブリと、偏向アセンブリとを備え、該偏向アセンブリは、(i)前記収束アセンブリの光学軸に沿った2つの離間した位置に受け入れられる2つの偏向器であって、前記サンプルへの前記一次ビーム伝播の方向に対して、一方が前記磁気対物レンズの上流に配置されると共に、他方が前記磁気対物レンズの下流に配置されている複数の偏向器を有すると共に、(ii)2つの偏向フィールドを一次荷電粒子ビームおよび二次荷電粒子ビームに印加することにより、上記一次荷電粒子ビームの軌道に作用して、前記第1軸に実質的に平行で且つそこから離間された第2軸に沿って上記一次荷電粒子ビームを上記サンプルに指向すると共に、一次荷電粒子ビームが前記サンプルと相互作用した結果生じる二次荷電粒子ビームの軌道にも作用して、前記開口の外側の前記検出器の領域へ上記二次荷電粒子ビームを伝播させるよう動作できるものであるビーム指向装置と、
を備えた荷電粒子ビーム装置。 - 前記第1軸は上記収束アセンブリの光学軸に実質的に平行である、請求項17に記載の装置。
- 前記光学軸は前記第1軸に実質的に一致し、前記第2軸は前記光学軸から離間される、請求項18に記載の装置。
- 前記光学軸は前記第1軸から離間される、請求項17に記載の装置。
- 前記第2軸は上記収束アセンブリの光学軸に実質的に一致する、請求項20に記載の装置。
- 前記収束アセンブリは、更に、上記サンプルへの上記一次ビーム伝播の方向に対して上記磁気対物レンズの下流に受け入れられた静電浸漬レンズを備えた、請求項17に記載の装置。
- サンプルを検査するための荷電粒子ビーム装置において、
粒子ソースにより発生された荷電粒子の一次ビームがアノード管の長手軸に実質的に平行な第1軸に沿って伝播するスペースを画成するアノード管と、
開口が形成されると共に、前記開口の外側に荷電粒子検出領域を有する検出器であって、前記第1軸が前記開口に交差するように受け入れられる検出器と、
前記検出器の開口を通過した上記一次荷電粒子ビームの経路に受け入れられるビーム指向装置であって、前記第1軸に対して非ゼロ角度を有する光学軸を定めると共に、上記一次荷電粒子ビームを上記サンプルに収束するように動作できる収束アセンブリと、上記一次荷電粒子ビームの軌道に作用して、上記収束アセンブリの光学軸に実質的に平行な第2軸に沿って上記サンプルへ上記一次荷電粒子ビームを伝播させると共に、一次荷電粒子ビームが前記サンプルと相互作用した結果生じる二次荷電粒子ビームの軌道にも作用して、前記開口の外側の前記検出器の領域へ上記二次荷電粒子ビームを伝播させるよう動作できる偏向アセンブリと、を含むビーム指向装置と、
を備えた荷電粒子ビーム装置。 - (a)一次荷電粒子ビームを、検出器の開口を通過する第1軸に沿って指向するステップであって、上記検出器が前記開口の外側に荷電粒子検出領域を有するようなステップと、
(b)磁気対物レンズ収束アセンブリと、収束アセンブリの光学軸に沿って離間された位置で一次荷電粒子ビームに偏向フィールドを印加する複数の偏向器であって、少なくとも前記一次ビーム伝播の方向に対して一つが前記磁気対物レンズの上流に配置されると共に、他の一つが前記磁気対物レンズの上流でも下流でもない前記磁気対物レンズの隣の位置に配置されている複数の偏向器とを有する偏向アセンブリを通して、前記一次荷電粒子ビームを通過させることにより、前記第1軸に沿って伝播してからサンプルに向けて前記第1軸に実質的に平行で且つそこから離間された第2軸に沿って伝播するまでの前記一次荷電粒子ビームの軌道に作用して、これにより、前記一次荷電粒子ビームが前記サンプルと相互作用した結果生じる二次荷電粒子ビームを、前記開口の外側の前記検出器の検出領域へ伝播させるステップと、
を備えた方法。 - 前記一次荷電粒子ビームの軌道に作用するステップは、2つの偏向フィールドを通して前記一次荷電粒子ビームを通過させて、前記一次荷電粒子ビームが前記第1軸に沿って伝播してから前記第2軸に沿って伝播するまでの前記一次荷電粒子ビームを偏向し、前記2つの偏向フィールドは前記二次荷電粒子を偏向して、前記二次荷電粒子ビームを前記開口の外側の前記検出器の前記検出領域へ伝播させるステップを備える、請求項24に記載の方法。
- 前記収束アセンブリの前記光学軸が前記第1軸と平行である、請求項24に記載の方法。
- 前記第1軸は、前記収束アセンブリの前記光学軸に実質的に平行で且つそこから離間されている、請求項26に記載の方法。
- 前記第2軸は、前記収束アセンブリの前記光学軸に実質的に一致する、請求項27に記載の方法。
- 前記第1軸は、前記収束アセンブリの前記光学軸に実質的に一致する、請求項26に記載の方法。
- 前記第2軸は、前記収束アセンブリの前記光学軸に平行で且つそこから離間されている、請求項29に記載の方法。
- (a)一次荷電粒子ビームを、検出器の開口を通過する第1軸に沿って指向するステップであって、上記検出器が前記開口の外側に荷電粒子検出領域を有するようなステップと、
(b)磁気対物レンズ収束アセンブリと、収束アセンブリの光学軸に沿って離間された位置で一次荷電粒子ビームに偏向フィールドを印加する複数の偏向器であって、少なくとも前記一次ビーム伝播の方向に対して一つが前記磁気対物レンズの下流に配置されると共に、他の一つが前記磁気対物レンズの上流でも下流でもない前記磁気対物レンズの隣の位置に配置されている複数の偏向器とを有する偏向アセンブリを通して、前記一次荷電粒子ビームを通過させることにより、前記第1軸に沿って伝播してからサンプルに向けて前記第1軸に実質的に平行で且つそこから離間された第2軸に沿って伝播するまでの前記一次荷電粒子ビームの軌道に作用して、これにより、前記一次荷電粒子ビームが前記サンプルと相互作用した結果生じる二次荷電粒子ビームを、前記開口の外側の前記検出器の検出領域へ伝播させるステップと、
を備えた方法。 - 前記一次荷電粒子ビームの軌道に作用するステップは、2つの偏向フィールドを通して前記一次荷電粒子ビームを通過させて、前記一次荷電粒子ビームが前記第1軸に沿って伝播してから前記第2軸に沿って伝播するまでの前記一次荷電粒子ビームを偏向し、前記2つの偏向フィールドは前記二次荷電粒子を偏向して、前記二次荷電粒子ビームを前記開口の外側の前記検出器の前記検出領域へ伝播させるステップを備える、請求項31に記載の方法。
- 前記収束アセンブリの前記光学軸が前記第1軸と平行である、請求項31に記載の方法。
- 前記第1軸は、前記収束アセンブリの前記光学軸に実質的に平行で且つそこから離間されている、請求項33に記載の方法。
- 前記第2軸は、前記収束アセンブリの前記光学軸に実質的に一致する、請求項34に記載の方法。
- 前記第1軸は、前記収束アセンブリの前記光学軸に実質的に一致する、請求項33に記載の方法。
- 前記第2軸は、前記収束アセンブリの前記光学軸に平行で且つそこから離間されている、請求項36に記載の方法。
- 荷電粒子ビーム装置に使用するためのビーム指向装置であって、前記荷電粒子ビーム装置は、第1軸に沿ってビーム指向装置に向って伝播する一次荷電粒子ビームを画成すると共に、開口及び該開口の外側の荷電粒子検出領域が形成された検出器を使用し、前記第1軸が上記検出器の前記開口を通過するように上記検出器が受け入れられるビーム指向装置において、
光学軸を定義し、磁気対物レンズを用いて少なくとも部分的に上記一次荷電粒子ビームをサンプルに収束するように動作できる収束アセンブリと、
偏向アセンブリであって、(i)前記収束アセンブリの前記光学軸に沿った2つの離間した位置に受け入れられる2つの偏向器であって、前記サンプルへの前記一次ビーム伝播の方向に対して、一方が前記磁気対物レンズの上流に配置されると共に、他方が前記磁気対物レンズの上流でも下流でもない前記磁気対物レンズの隣の位置に配置されている複数の偏向器を有すると共に、(ii)2つの偏向フィールドを一次荷電粒子ビームおよび二次荷電粒子ビームに印加することにより、上記一次荷電粒子ビームの軌道に作用して、前記第1軸に実質的に平行で且つそこから離間された第2軸に沿って上記サンプルに上記一次荷電粒子ビームを指向し、前記開口の外側の前記検出器の検出領域へ二次荷電粒子ビームを伝播させるよう動作できる偏向アセンブリと、
を備えたビーム指向装置。 - 前記光学軸は前記一次荷電粒子の伝播の前記第1軸と平行である、請求項38に記載の装置。
- 前記光学軸は前記第1軸と実質的に一致し、前記第2軸は前記光学軸から離間されている、請求項39に記載の装置。
- 前記光学軸は前記第1軸から離間されている、請求項38に記載の装置。
- 前記第2軸は前記収束アセンブリの前記光学軸に実質的に一致する、請求項41に記載の装置。
- 前記収束アセンブリは、前記サンプルへの前記一次ビーム伝播の方向に対して前記磁気対物レンズの下流に受け入れられた静電浸漬レンズを更に備える、請求項38に記載の装置。
- 荷電粒子ビーム装置に使用するためのビーム指向装置であって、前記荷電粒子ビーム装置は、第1軸に沿ってビーム指向装置に向って伝播する一次荷電粒子ビームを画成すると共に、開口及び該開口の外側の荷電粒子検出領域が形成された検出器を使用し、前記第1軸が上記検出器の前記開口を通過するように上記検出器が受け入れられるビーム指向装置において、
光学軸を定義し、磁気対物レンズを用いて少なくとも部分的に上記一次荷電粒子ビームをサンプルに収束するように動作できる収束アセンブリと、
偏向アセンブリであって、(i)前記収束アセンブリの前記光学軸に沿った2つの離間した位置に受け入れられる2つの偏向器であって、前記サンプルへの前記一次ビーム伝播の方向に対して、一方が前記磁気対物レンズの下流に配置されると共に、他方が前記磁気対物レンズの上流でも下流でもない前記磁気対物レンズの隣の位置に配置されている複数の偏向器を有すると共に、(ii)2つの偏向フィールドを一次荷電粒子ビームおよび二次荷電粒子ビームに印加することにより、上記一次荷電粒子ビームの軌道に作用して、前記第1軸に実質的に平行で且つそこから離間された第2軸に沿って上記サンプルに上記一次荷電粒子ビームを指向し、前記開口の外側の前記検出器の検出領域へ二次荷電粒子ビームを伝播させるよう動作できる偏向アセンブリと、
を備えたビーム指向装置。 - 前記光学軸は前記一次荷電粒子の伝播の前記第1軸と平行である、請求項44に記載の装置。
- 前記光学軸は前記第1軸と実質的に一致し、前記第2軸は前記光学軸から離間されている、請求項45に記載の装置。
- 前記光学軸は前記第1軸から離間されている、請求項44に記載の装置。
- 前記第2軸は前記収束アセンブリの前記光学軸に実質的に一致する、請求項47に記載の装置。
- 前記収束アセンブリは、前記サンプルへの前記一次ビーム伝播の方向に対して前記磁気対物レンズの下流に受け入れられた静電浸漬レンズを更に備える、請求項44に記載の装置。
- サンプルを検査するための荷電粒子ビーム装置において、
粒子ソースにより発生された荷電粒子の一次ビームがアノード管の長手軸に実質的に平行な第1軸に沿って伝播するスペースを画成するアノード管と、
開口が形成されると共に、前記開口の外側に荷電粒子検出領域を有する検出器であって、前記第1軸が前記開口に交差するように受け入れられた検出器と、
前記検出器の開口を通過した上記一次荷電粒子ビームの経路に受け入れられるビーム指向装置であって、光学軸を定めると共に磁気対物レンズを用いて少なくとも部分的に上記一次荷電粒子ビームを上記サンプルに収束するように動作できる収束アセンブリと、偏向アセンブリとを備え、該偏向アセンブリは、(i)前記収束アセンブリの光学軸に沿った2つの離間した位置に受け入れられる2つの偏向器であって、前記サンプルへの前記一次ビーム伝播の方向に対して、一方が前記磁気対物レンズの上流に配置されると共に、他方が前記磁気対物レンズの上流でも下流でもない前記磁気対物レンズの隣の位置に配置されている複数の偏向器を有すると共に、(ii)2つの偏向フィールドを一次荷電粒子ビームおよび二次荷電粒子ビームに印加することにより、上記一次荷電粒子ビームの軌道に作用して、前記第1軸に実質的に平行で且つそこから離間された第2軸に沿って上記一次荷電粒子ビームを上記サンプルに指向すると共に、一次荷電粒子ビームが前記サンプルと相互作用した結果生じる二次荷電粒子ビームの軌道にも作用して、前記開口の外側の前記検出器の領域へ上記二次荷電粒子ビームを伝播させるよう動作できるものである、ビーム指向装置と、
を備えた荷電粒子ビーム装置。 - 前記第1軸は前記収束アセンブリの前記光学軸に実質的に平行である、請求項50に記載の装置。
- 前記光学軸は前記第1軸と実質的に一致し、前記第2軸は前記光学軸から離間されている、請求項51に記載の装置。
- 前記光学軸は前記第1軸から離間されている、請求項50に記載の装置。
- 前記第2軸は前記収束アセンブリの前記光学軸に実質的に一致する、請求項53に記載の装置。
- サンプルを検査するための荷電粒子ビーム装置において、
粒子ソースにより発生された荷電粒子の一次ビームがアノード管の長手軸に実質的に平行な第1軸に沿って伝播するスペースを画成するアノード管と、
開口が形成されると共に、前記開口の外側に荷電粒子検出領域を有する検出器であって、前記第1軸が前記開口に交差するように受け入れられた検出器と、
前記検出器の開口を通過した上記一次荷電粒子ビームの経路に受け入れられるビーム指向装置であって、光学軸を定めると共に磁気対物レンズを用いて少なくとも部分的に上記一次荷電粒子ビームを上記サンプルに収束するように動作できる収束アセンブリと、偏向アセンブリとを備え、該偏向アセンブリは、(i)前記収束アセンブリの光学軸に沿った2つの離間した位置に受け入れられる2つの偏向器であって、前記サンプルへの前記一次ビーム伝播の方向に対して、一方が前記磁気対物レンズの下流に配置されると共に、他方が前記磁気対物レンズの上流でも下流でもない前記磁気対物レンズの隣の位置に配置されている複数の偏向器を有すると共に、(ii)2つの偏向フィールドを一次荷電粒子ビームおよび二次荷電粒子ビームに印加することにより、上記一次荷電粒子ビームの軌道に作用して、前記第1軸に実質的に平行で且つそこから離間された第2軸に沿って上記一次荷電粒子ビームを上記サンプルに指向すると共に、一次荷電粒子ビームが前記サンプルと相互作用した結果生じる二次荷電粒子ビームの軌道にも作用して、前記開口の外側の前記検出器の領域へ上記二次荷電粒子ビームを伝播させるよう動作できるものである、ビーム指向装置と、
を備えた荷電粒子ビーム装置。 - 前記第1軸は前記収束アセンブリの前記光学軸に実質的に平行である、請求項55に記載の装置。
- 前記光学軸は前記第1軸と実質的に一致し、前記第2軸は前記光学軸から離間されている、請求項56に記載の装置。
- 前記光学軸は前記第1軸から離間されている、請求項55に記載の装置。
- 前記第2軸は前記収束アセンブリの前記光学軸に実質的に一致する、請求項58に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/146,218 US6674075B2 (en) | 2002-05-13 | 2002-05-13 | Charged particle beam apparatus and method for inspecting samples |
PCT/US2003/015018 WO2003095997A2 (en) | 2002-05-13 | 2003-05-12 | Method and apparatus for separating primary and secondary charged particle beams |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005525679A JP2005525679A (ja) | 2005-08-25 |
JP4384027B2 true JP4384027B2 (ja) | 2009-12-16 |
Family
ID=29400466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004503943A Expired - Fee Related JP4384027B2 (ja) | 2002-05-13 | 2003-05-12 | サンプルを検査するための荷電粒子ビーム装置及び方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6674075B2 (ja) |
JP (1) | JP4384027B2 (ja) |
KR (1) | KR101046965B1 (ja) |
CN (1) | CN1666101B (ja) |
AU (1) | AU2003235507A1 (ja) |
WO (1) | WO2003095997A2 (ja) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6768117B1 (en) * | 2000-07-25 | 2004-07-27 | Applied Materials, Inc. | Immersion lens with magnetic shield for charged particle beam system |
GB2374723B (en) * | 2001-04-20 | 2005-04-20 | Leo Electron Microscopy Ltd | Scanning electron microscope |
US6825475B2 (en) * | 2002-09-19 | 2004-11-30 | Applied Materials Israel, Ltd. | Deflection method and system for use in a charged particle beam column |
US7528614B2 (en) | 2004-12-22 | 2009-05-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for voltage contrast analysis of a wafer using a tilted pre-charging beam |
JP2005038976A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 最適エッチングパラメタ自動設定システムおよびエッチング出来ばえ評価システム |
JP4073839B2 (ja) * | 2003-07-22 | 2008-04-09 | 株式会社神戸製鋼所 | 分析装置用磁場発生装置 |
CN1820194B (zh) * | 2003-07-30 | 2012-06-13 | 应用材料以色列公司 | 具有多检测器的扫描电子显微镜和基于多检测器成像方法 |
US7842933B2 (en) * | 2003-10-22 | 2010-11-30 | Applied Materials Israel, Ltd. | System and method for measuring overlay errors |
JP4316394B2 (ja) * | 2004-01-21 | 2009-08-19 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム装置 |
US7317606B2 (en) * | 2004-12-10 | 2008-01-08 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Particle trap for electrostatic chuck |
US7233008B1 (en) * | 2005-03-14 | 2007-06-19 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Multiple electrode lens arrangement and a method for inspecting an object |
US7462828B2 (en) * | 2005-04-28 | 2008-12-09 | Hitachi High-Technologies Corporation | Inspection method and inspection system using charged particle beam |
EP1916695B1 (en) | 2006-10-25 | 2018-12-05 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam apparatus and method for operating it |
DE102008041813B4 (de) * | 2008-09-04 | 2013-06-20 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zur Tiefenanalyse einer organischen Probe |
CN101929965B (zh) * | 2008-09-04 | 2012-09-05 | 汉民微测科技股份有限公司 | 带电粒子检测装置及检测方法 |
TWI472751B (zh) * | 2011-05-03 | 2015-02-11 | Hermes Microvision Inc | 用於檢查與複檢光罩/晶圓缺陷的帶電粒子系統 |
US9046475B2 (en) | 2011-05-19 | 2015-06-02 | Applied Materials Israel, Ltd. | High electron energy based overlay error measurement methods and systems |
CN102507974A (zh) * | 2011-10-26 | 2012-06-20 | 北京航空航天大学 | 一种粒子图像测速用电子标靶及其使用方法 |
JP5852474B2 (ja) * | 2012-03-01 | 2016-02-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
EP2654068B1 (en) * | 2012-04-16 | 2017-05-17 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Switchable multi perspective detector, optics therefore and method of operating thereof |
EP2654069B1 (en) * | 2012-04-16 | 2016-02-24 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Multi channel detector, optics therefore and method of operating thereof |
CN107533943B (zh) * | 2015-05-08 | 2019-12-10 | 科磊股份有限公司 | 用于电子束***中像差校正的方法及*** |
JP2018174016A (ja) * | 2015-07-29 | 2018-11-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
WO2018217646A1 (en) | 2017-05-22 | 2018-11-29 | Howmedica Osteonics Corp. | Device for in-situ fabrication process monitoring and feedback control of an electron beam additive manufacturing process |
US10245448B2 (en) * | 2017-07-21 | 2019-04-02 | Varian Medical Systems Particle Therapy Gmbh | Particle beam monitoring systems and methods |
US10777382B2 (en) * | 2017-11-21 | 2020-09-15 | Focus-Ebeam Technology (Beijing) Co., Ltd. | Low voltage scanning electron microscope and method for specimen observation |
AU2019206103A1 (en) | 2018-07-19 | 2020-02-06 | Howmedica Osteonics Corp. | System and process for in-process electron beam profile and location analyses |
US10866197B2 (en) * | 2018-09-20 | 2020-12-15 | KLA Corp. | Dispositioning defects detected on extreme ultraviolet photomasks |
CZ309537B6 (cs) * | 2020-04-23 | 2023-03-29 | Tescan Brno, S.R.O. | Způsob zobrazení vzorku |
CN114171361A (zh) * | 2020-09-11 | 2022-03-11 | 聚束科技(北京)有限公司 | 一种电子显微镜 |
WO2022122320A1 (en) * | 2020-12-10 | 2022-06-16 | Asml Netherlands B.V. | Charged-particle beam apparatus with beam-tilt and methods thereof |
CN113471041B (zh) * | 2021-07-01 | 2024-03-08 | 中科晶源微电子技术(北京)有限公司 | 扫描电子显微镜装置和电子束检测设备 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3888712D1 (de) * | 1987-02-02 | 1994-05-05 | Integrated Circuit Testing | Detektorobjectiv für Rastermikroskope. |
JPH02145947A (ja) * | 1988-11-26 | 1990-06-05 | Shimadzu Corp | イオン散乱分光装置 |
EP0769799B1 (en) * | 1995-10-19 | 2010-02-17 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
US6184526B1 (en) * | 1997-01-08 | 2001-02-06 | Nikon Corporation | Apparatus and method for inspecting predetermined region on surface of specimen using electron beam |
JPH10214586A (ja) * | 1997-01-30 | 1998-08-11 | Horon:Kk | 走査型電子顕微鏡 |
JP3434165B2 (ja) * | 1997-04-18 | 2003-08-04 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
JPH1131470A (ja) * | 1997-07-08 | 1999-02-02 | Nikon Corp | 電子光学系 |
DE19732093B4 (de) * | 1997-07-25 | 2008-09-25 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Korpuskularstrahlgerät |
JP3356270B2 (ja) * | 1997-11-27 | 2002-12-16 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
US6365897B1 (en) * | 1997-12-18 | 2002-04-02 | Nikon Corporation | Electron beam type inspection device and method of making same |
EP1068630B1 (de) * | 1998-03-10 | 2005-07-20 | Erik Essers | Rasterelektronenmikroskop |
US6642520B2 (en) * | 1999-04-13 | 2003-11-04 | Kabushiki Kaisha Topcon | Scanning electron microscope |
JP3916464B2 (ja) * | 1999-12-14 | 2007-05-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 試料検査のための方法 |
JP2004513477A (ja) * | 2000-10-31 | 2004-04-30 | フェイ カンパニ | 静電対物に調整可能な最終電極を設けたsem |
-
2002
- 2002-05-13 US US10/146,218 patent/US6674075B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-05-12 KR KR1020047018338A patent/KR101046965B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-05-12 JP JP2004503943A patent/JP4384027B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-12 WO PCT/US2003/015018 patent/WO2003095997A2/en active Application Filing
- 2003-05-12 AU AU2003235507A patent/AU2003235507A1/en not_active Abandoned
- 2003-05-12 CN CN038162245A patent/CN1666101B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2003095997A3 (en) | 2004-03-18 |
AU2003235507A1 (en) | 2003-11-11 |
KR101046965B1 (ko) | 2011-07-06 |
AU2003235507A8 (en) | 2003-11-11 |
CN1666101B (zh) | 2010-08-11 |
WO2003095997A2 (en) | 2003-11-20 |
US20030209667A1 (en) | 2003-11-13 |
JP2005525679A (ja) | 2005-08-25 |
US6674075B2 (en) | 2004-01-06 |
CN1666101A (zh) | 2005-09-07 |
KR20050010802A (ko) | 2005-01-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090113 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090413 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090420 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090507 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090825 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090924 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002 Year of fee payment: 3 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131002 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |