JPH06219764A - 分散シフトファイバ用母材の製造方法 - Google Patents
分散シフトファイバ用母材の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 同心円型バーナによりセンターコア、サイド
コアを形成し、階段型屈折率プロファイルを有する分散
シフトファイバの母材を製造する方法であって、センタ
コア、サイドコアの構造パラメータの制御が容易にでき
る分散シフトファイバ用母材の製造方法を提供する。 【構成】 同心円型バーナ３０によりセンターコア１を
形成し、続いて同心円型バーナ４０でサイドコア４を形
成し、階段型屈折率プロファイルを有するシフトファイ
バの母材を製造する方法であって、前記センタコア形成
用同心円型バーナ３０は、原料ガス流出ノズル３１と、
酸水素炎形成用ガス流出ノズル３２とからなり、酸水素
炎形成用ガス流出ノズル３２は、水素ガス流の内層３
３、不活性ガス流の中間層３４、酸素ガス流の外層３５
の三層に仕切られ、この外層３５から流出する酸素ガス
流量を内層から流出する水素ガス流の流量の２．７倍以
上としたことを特徴とする方法である。
コアを形成し、階段型屈折率プロファイルを有する分散
シフトファイバの母材を製造する方法であって、センタ
コア、サイドコアの構造パラメータの制御が容易にでき
る分散シフトファイバ用母材の製造方法を提供する。 【構成】 同心円型バーナ３０によりセンターコア１を
形成し、続いて同心円型バーナ４０でサイドコア４を形
成し、階段型屈折率プロファイルを有するシフトファイ
バの母材を製造する方法であって、前記センタコア形成
用同心円型バーナ３０は、原料ガス流出ノズル３１と、
酸水素炎形成用ガス流出ノズル３２とからなり、酸水素
炎形成用ガス流出ノズル３２は、水素ガス流の内層３
３、不活性ガス流の中間層３４、酸素ガス流の外層３５
の三層に仕切られ、この外層３５から流出する酸素ガス
流量を内層から流出する水素ガス流の流量の２．７倍以
上としたことを特徴とする方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、階段型屈折率プロファ
イルを有するＤＳＣ（Ｄｕａｌ ＳｈａｐｅＣｏｒｅ）
型分散シフトファイバの多孔質母材をＶＡＤ（Ｖａｐｏ
ｒ Ｐｈａｓｅ Ａｘｉａｌ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
法により製造する方法に関し、特に複数の同心円型バー
ナによりセンターコア、サイドコアを同時に形成し、所
定の構造パラメータを持つものを容易に製造することが
できる分散シフトファイバ用母材の製造方法に関する。
イルを有するＤＳＣ（Ｄｕａｌ ＳｈａｐｅＣｏｒｅ）
型分散シフトファイバの多孔質母材をＶＡＤ（Ｖａｐｏ
ｒ Ｐｈａｓｅ Ａｘｉａｌ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
法により製造する方法に関し、特に複数の同心円型バー
ナによりセンターコア、サイドコアを同時に形成し、所
定の構造パラメータを持つものを容易に製造することが
できる分散シフトファイバ用母材の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常のＳＭ（単一モード）型光ファイバ
は、コアの屈折率分布がステップ型である。このような
ＳＭ型光ファイバの多孔質母材の製造方法及び装置を図
４により、説明する。図において、１はコア２とクラッ
ド３からなる多孔質母材、１１は出発物質、１２は回転
・引上装置、１３は保護容器、１４は排気調節器であ
る。この保護容器１３内の半径方向に、コアバーナ１
５、第１クラッドバーナ１６、第２クラッドバーナ１
７、第３クラッドバーナ１８が配置されている。コアバ
ーナ１５は、ＳｉＣｌ4 とＧｅＣｌ4 の混合ガスを原料
ガスとして生成されるＳｉＯ2 の微粒子を出発物質又は
コア多孔質体に付着・堆積させ、同時に生成されるＧｅ
Ｏ2 をＳｉＯ2 の微粒子上に析出させるものであり、Ｓ
ｉＣｌ4 に対するＧｅＣｌ4 の量で所望の屈折率のコア
が得られる。第１、第２、第３クラッドバーナ１６，１
７，１８はＳｉＣｌ4 を原料ガスとして生成されるＳｉ
Ｏ2 の微粒子をコアの周囲に同時に付着・堆積させてＳ
Ｍ型光ファイバの多孔質母材を得る方法である。
は、コアの屈折率分布がステップ型である。このような
ＳＭ型光ファイバの多孔質母材の製造方法及び装置を図
４により、説明する。図において、１はコア２とクラッ
ド３からなる多孔質母材、１１は出発物質、１２は回転
・引上装置、１３は保護容器、１４は排気調節器であ
る。この保護容器１３内の半径方向に、コアバーナ１
５、第１クラッドバーナ１６、第２クラッドバーナ１
７、第３クラッドバーナ１８が配置されている。コアバ
ーナ１５は、ＳｉＣｌ4 とＧｅＣｌ4 の混合ガスを原料
ガスとして生成されるＳｉＯ2 の微粒子を出発物質又は
コア多孔質体に付着・堆積させ、同時に生成されるＧｅ
Ｏ2 をＳｉＯ2 の微粒子上に析出させるものであり、Ｓ
ｉＣｌ4 に対するＧｅＣｌ4 の量で所望の屈折率のコア
が得られる。第１、第２、第３クラッドバーナ１６，１
７，１８はＳｉＣｌ4 を原料ガスとして生成されるＳｉ
Ｏ2 の微粒子をコアの周囲に同時に付着・堆積させてＳ
Ｍ型光ファイバの多孔質母材を得る方法である。
【０００３】特に、コアバーナ１５においては、生成さ
れるコア多孔質体の直径が１０ｍｍ以下と細いため、細
径化が可能なバーナが求められる。この要請に答えるバ
ーナとして、出願人は角型バーナを提案した（特開平１
−２０８３３９号公報参照）。図６に示されるように、
この角型バーナ１５は、原料ガス流出ノズル２０と、原
料ガス流出ノズル２０を挟んで相対向する位置に設けた
２本の不活性ガス流出ノズル２１，２２と、この３つの
ノズルを取り囲む酸水素炎形成用ガス流出ノズル２３と
からなり、酸水素炎形成用ガス流出ノズル２３は、酸素
ガス（Ｏ2 ）流の最内層２４、不活性ガス（ＡｒとＨｅ
のみ）流の中間層２５、水素ガス（Ｈ2）流の最外層２
６の三層に仕切られたものである。
れるコア多孔質体の直径が１０ｍｍ以下と細いため、細
径化が可能なバーナが求められる。この要請に答えるバ
ーナとして、出願人は角型バーナを提案した（特開平１
−２０８３３９号公報参照）。図６に示されるように、
この角型バーナ１５は、原料ガス流出ノズル２０と、原
料ガス流出ノズル２０を挟んで相対向する位置に設けた
２本の不活性ガス流出ノズル２１，２２と、この３つの
ノズルを取り囲む酸水素炎形成用ガス流出ノズル２３と
からなり、酸水素炎形成用ガス流出ノズル２３は、酸素
ガス（Ｏ2 ）流の最内層２４、不活性ガス（ＡｒとＨｅ
のみ）流の中間層２５、水素ガス（Ｈ2）流の最外層２
６の三層に仕切られたものである。
【０００４】この角型バーナ１５を使用すると、良好な
ＳＭ型光ファイバ用多孔質母材を得ることができる。と
ころが、このＳＭ型光ファイバの改良として、図５に示
すような階段型屈折率プロファイルを有するＤＳＣ型分
散シフトファイバが用いられるようになった。山型の屈
折率変化を有するセンターコア１の外周ａ１〜ａ２に、
屈折率ｎ１のサイドコア４が形成され、更に外周ａ２〜
に屈折率ｎ２（ｎ１＞ｎ２）のクラッド３が形成された
ものである。このＤＳＣ型分散シフトファイバはモード
フィールド径を９ｍｍ程度と大きくしても曲げ損失が少
ないという特性を有しており、現在主流となりつつあ
る。
ＳＭ型光ファイバ用多孔質母材を得ることができる。と
ころが、このＳＭ型光ファイバの改良として、図５に示
すような階段型屈折率プロファイルを有するＤＳＣ型分
散シフトファイバが用いられるようになった。山型の屈
折率変化を有するセンターコア１の外周ａ１〜ａ２に、
屈折率ｎ１のサイドコア４が形成され、更に外周ａ２〜
に屈折率ｎ２（ｎ１＞ｎ２）のクラッド３が形成された
ものである。このＤＳＣ型分散シフトファイバはモード
フィールド径を９ｍｍ程度と大きくしても曲げ損失が少
ないという特性を有しており、現在主流となりつつあ
る。
【０００５】このＤＳＣ型分散シフトファイバ用多孔質
母材を製造する方法としては、図４に示されたコア形成
用バーナ１５に角型バーナを用いてセンターコア形成用
とし、第１クラッドバーナ１６に同心円型バーナを用い
てサイドコア形成用とする方法が考えられるが、この方
法では屈折率分布がステップ型になり易く、その制御も
困難である。
母材を製造する方法としては、図４に示されたコア形成
用バーナ１５に角型バーナを用いてセンターコア形成用
とし、第１クラッドバーナ１６に同心円型バーナを用い
てサイドコア形成用とする方法が考えられるが、この方
法では屈折率分布がステップ型になり易く、その制御も
困難である。
【０００６】一方、屈折率分布を２乗分布形状にし易い
方法としてＧＩ（Ｇｒａｄｅｄ Ｉｎｄｅｘ）型光ファ
イバ用多孔質母材の製造方法がある。従来のＧＩ型光フ
ァイバ用多孔質母材の製造方法及び装置を上述したＳＭ
型光ファイバ用多孔質母材の製造方法と異なる点を中心
に説明すると、図４の配置において、コアバーナ１５に
も図１、図２に示すような同心円型バーナを用いること
である。そして、この同心円型バーナは、中心部に設け
た原料ガス流出ノズル３１と、その周りに設けた酸水素
炎形成用ガス流出ノズル３２とから成り、酸水素炎形成
用ガス流出ノズル３２は、水素ガス（Ｈ2 ）流の最内層
３３、不活性ガス（ＡｒとＨｅのみ）流の中間層３４、
酸素ガス（Ｏ2 ）流の最外層３５の三層に仕切られたも
のである第１クラッドバーナ１６、第２クラッドバーナ
１７、第３クラッドバーナ１８にも同様の同心円型バー
ナが用いられる。原料ガス流出ノズル３１から流出させ
る原料ガスは、通常コアバーナ１５からはＳｉＣｌ4 と
ＧｅＣｌ4 の混合ガス、クラッドバーナ１６、１７、１
８からはＳｉＣｌ4 ガスである。
方法としてＧＩ（Ｇｒａｄｅｄ Ｉｎｄｅｘ）型光ファ
イバ用多孔質母材の製造方法がある。従来のＧＩ型光フ
ァイバ用多孔質母材の製造方法及び装置を上述したＳＭ
型光ファイバ用多孔質母材の製造方法と異なる点を中心
に説明すると、図４の配置において、コアバーナ１５に
も図１、図２に示すような同心円型バーナを用いること
である。そして、この同心円型バーナは、中心部に設け
た原料ガス流出ノズル３１と、その周りに設けた酸水素
炎形成用ガス流出ノズル３２とから成り、酸水素炎形成
用ガス流出ノズル３２は、水素ガス（Ｈ2 ）流の最内層
３３、不活性ガス（ＡｒとＨｅのみ）流の中間層３４、
酸素ガス（Ｏ2 ）流の最外層３５の三層に仕切られたも
のである第１クラッドバーナ１６、第２クラッドバーナ
１７、第３クラッドバーナ１８にも同様の同心円型バー
ナが用いられる。原料ガス流出ノズル３１から流出させ
る原料ガスは、通常コアバーナ１５からはＳｉＣｌ4 と
ＧｅＣｌ4 の混合ガス、クラッドバーナ１６、１７、１
８からはＳｉＣｌ4 ガスである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このＧＩ型光ファイバ
用多孔質母材の製造方法においては屈折率分布が２乗分
布形状になり易いが、従来の方法では、コアが太くなる
のでＤＳＣ型分散シフトファイバ用多孔質母材の製造に
適用することは困難であった。そこで、バーナのノズル
径、特に原料ガス流出ノズルの径を小さくすることによ
り、スート径を細くすることを試みたが、従来のバーナ
を用いた場合に較べてスート径は細くはなるものの顕著
な効果は得られなかった。本発明は、従来の技術の有す
るこのような問題点に鑑みてなされたものであり、その
目的とするところは、同心円型バーナによりセンターコ
ア、サイドコアを形成し、階段型屈折率プロファイルを
有する分散シフトファイバの母材を製造する方法であっ
て、センターコア、サイドコアの構造パラメータの制御
が容易にできる分散シフトファイバ用母材の製造方法を
提供することにある。
用多孔質母材の製造方法においては屈折率分布が２乗分
布形状になり易いが、従来の方法では、コアが太くなる
のでＤＳＣ型分散シフトファイバ用多孔質母材の製造に
適用することは困難であった。そこで、バーナのノズル
径、特に原料ガス流出ノズルの径を小さくすることによ
り、スート径を細くすることを試みたが、従来のバーナ
を用いた場合に較べてスート径は細くはなるものの顕著
な効果は得られなかった。本発明は、従来の技術の有す
るこのような問題点に鑑みてなされたものであり、その
目的とするところは、同心円型バーナによりセンターコ
ア、サイドコアを形成し、階段型屈折率プロファイルを
有する分散シフトファイバの母材を製造する方法であっ
て、センターコア、サイドコアの構造パラメータの制御
が容易にできる分散シフトファイバ用母材の製造方法を
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明における分散シフトファイバ用母材の製造方法は、複
数の同心円型バーナによりセンターコア、サイドコアを
形成し、階段型屈折率プロファイルを有する分散シフト
ファイバの母材を製造する方法であって、センターコア
形成用同心円型バーナが、中心部に設けた原料ガス流出
ノズルと、その周りに設けた酸水素炎形成用ガス流出ノ
ズルとから成り、酸水素炎形成用ガス流出ノズルは、水
素ガス流の内層、不活性ガス流の中間層、酸素ガス流の
外層の三層に仕切られ、この外層から流出する酸素ガス
流の流量を内層から流出する水素ガス流の流量の２．７
倍以上としたことを特徴とする方法である。
明における分散シフトファイバ用母材の製造方法は、複
数の同心円型バーナによりセンターコア、サイドコアを
形成し、階段型屈折率プロファイルを有する分散シフト
ファイバの母材を製造する方法であって、センターコア
形成用同心円型バーナが、中心部に設けた原料ガス流出
ノズルと、その周りに設けた酸水素炎形成用ガス流出ノ
ズルとから成り、酸水素炎形成用ガス流出ノズルは、水
素ガス流の内層、不活性ガス流の中間層、酸素ガス流の
外層の三層に仕切られ、この外層から流出する酸素ガス
流の流量を内層から流出する水素ガス流の流量の２．７
倍以上としたことを特徴とする方法である。
【０００９】
【作用】外層から流出する酸素ガス流の流量を内層から
流出する水素ガス流の流量の２．７倍以上としたことに
より、酸素ガス流速が一定値以上の値となり、酸素ガス
流の内層への回り込みが生じ、その結果酸水素炎流が細
径化する。このため、原料ガスと酸水素炎が反応して得
られるガラス微粒子が狭い空間内に閉じ込められること
になり、得られるセンターコアの径を細くすることがで
きる。
流出する水素ガス流の流量の２．７倍以上としたことに
より、酸素ガス流速が一定値以上の値となり、酸素ガス
流の内層への回り込みが生じ、その結果酸水素炎流が細
径化する。このため、原料ガスと酸水素炎が反応して得
られるガラス微粒子が狭い空間内に閉じ込められること
になり、得られるセンターコアの径を細くすることがで
きる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明の分散シフトファイバ用母材の製造
方法及び装置を示す図である。なお、図１の同心円型バ
ーナ１５，１６はそれぞれセンターコア、サイドコア形
成用で、いずれも同心円型バーナであり、図２はその断
面図である。
する。図１は本発明の分散シフトファイバ用母材の製造
方法及び装置を示す図である。なお、図１の同心円型バ
ーナ１５，１６はそれぞれセンターコア、サイドコア形
成用で、いずれも同心円型バーナであり、図２はその断
面図である。
【００１１】図１において、同心円型バーナ１５，１６
の構造はノズルの配列において従来と同様である。この
うちセンターコア形成用同心円型バーナ１５は、原料ガ
ス流出ノズルの径を細くしたものである。この同心円型
バーナ１５の中心部の原料ガス流出ノズルからはＳｉＣ
ｌ4 とＧｅＣｌ4 との混合ガス流を流出し、酸水素炎形
成用ガス流出ノズルは、水素ガス（Ｈ2 ）流の内層、不
活性ガス流（ＡｒとＨｅ）の中間層、酸素ガス流
（Ｏ2 ）の外層の三層に仕切られ、この外層から流出す
る酸素ガス流の流量を内層から流出する水素ガス流の流
量の２．７倍以上とした点が特徴的である。
の構造はノズルの配列において従来と同様である。この
うちセンターコア形成用同心円型バーナ１５は、原料ガ
ス流出ノズルの径を細くしたものである。この同心円型
バーナ１５の中心部の原料ガス流出ノズルからはＳｉＣ
ｌ4 とＧｅＣｌ4 との混合ガス流を流出し、酸水素炎形
成用ガス流出ノズルは、水素ガス（Ｈ2 ）流の内層、不
活性ガス流（ＡｒとＨｅ）の中間層、酸素ガス流
（Ｏ2 ）の外層の三層に仕切られ、この外層から流出す
る酸素ガス流の流量を内層から流出する水素ガス流の流
量の２．７倍以上とした点が特徴的である。
【００１２】同心円型バーナ３０，４０は、中心の円形
の原料ガス流出ノズル３１，４１と、この原料ガス流出
ノズル３１，４１と同心の酸水素炎形成用ガス流出ノズ
ル３２，４２とからなり、酸水素炎形成用ガス流出ノズ
ル３２，４２は、水素ガス流の最内層３３，４３、不活
性ガス流の中間層３４，４４、酸素ガス流の最外層３
５，４５の三層に仕切られたものである。
の原料ガス流出ノズル３１，４１と、この原料ガス流出
ノズル３１，４１と同心の酸水素炎形成用ガス流出ノズ
ル３２，４２とからなり、酸水素炎形成用ガス流出ノズ
ル３２，４２は、水素ガス流の最内層３３，４３、不活
性ガス流の中間層３４，４４、酸素ガス流の最外層３
５，４５の三層に仕切られたものである。
【００１３】つぎに、図１の装置による分散シフトファ
イバ用母材の製造の具体的な本発明の実施例を比較例、
従来例と対比して説明する。表１は本発明の実施例、比
較例、従来例の同心円型バーナの構造、寸法を示す。タ
イプは従来、ＧＩ型光ファイバ用母材の製造に用いて
いるものであり、タイプは実施例、比較例の分散シフ
トファイバ用母材の製造に用いたものである。表２は、
本発明の実施例、比較例、従来例の製造条件とそれによ
って得られるセンターコアのスート径及びスートの成長
速度を示す表である。
イバ用母材の製造の具体的な本発明の実施例を比較例、
従来例と対比して説明する。表１は本発明の実施例、比
較例、従来例の同心円型バーナの構造、寸法を示す。タ
イプは従来、ＧＩ型光ファイバ用母材の製造に用いて
いるものであり、タイプは実施例、比較例の分散シフ
トファイバ用母材の製造に用いたものである。表２は、
本発明の実施例、比較例、従来例の製造条件とそれによ
って得られるセンターコアのスート径及びスートの成長
速度を示す表である。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【表２】
【００１６】そして、特に表２の水素ガス流量Ｂに対す
る酸素ガス流量Ａの比Ａ／Ｂとセンターコアのスート径
及びスートの成長速度との関係を図示したのが図３であ
る。比較例１、２はノズル径を小さくしたタイプのバ
ーナを用いた場合で、従来のタイプのバーナを用いた
場合に較べてスート径は細くはなるものの２２・５ｍｍ
よりも細くすることができなかった。そこで、鋭意検討
の結果、前記のとおり水素ガス流量Ｂに対する酸素ガス
流量Ａの比Ａ／Ｂがスートの径及び成長速度に影響する
ことを見出した。表２及び図３から明らかなように、水
素ガス流量Ｂに対する酸素ガス流量Ａの比Ａ／Ｂを２．
７以上とすることによりスート径が顕著に細くなり、成
長速度も安定する。
る酸素ガス流量Ａの比Ａ／Ｂとセンターコアのスート径
及びスートの成長速度との関係を図示したのが図３であ
る。比較例１、２はノズル径を小さくしたタイプのバ
ーナを用いた場合で、従来のタイプのバーナを用いた
場合に較べてスート径は細くはなるものの２２・５ｍｍ
よりも細くすることができなかった。そこで、鋭意検討
の結果、前記のとおり水素ガス流量Ｂに対する酸素ガス
流量Ａの比Ａ／Ｂがスートの径及び成長速度に影響する
ことを見出した。表２及び図３から明らかなように、水
素ガス流量Ｂに対する酸素ガス流量Ａの比Ａ／Ｂを２．
７以上とすることによりスート径が顕著に細くなり、成
長速度も安定する。
【００１７】
【発明の効果】本発明における分散シフトファイバ用母
材の製造方法は、センターコア用同心円型バーナにおけ
る酸水素炎形成用ガス流出ノズルの外層から流出する酸
素ガス流の流量を内層から流出する水素ガス流の流量の
２．７倍以上としたものであり、酸素ガス流速が一定値
以上の値となることにより、酸素ガス流の内層への回り
込みが生じ、その結果酸水素炎流が細径化する。このた
め、原料ガスと酸水素炎が反応して得られるガラス微粒
子が狭い空間内に閉じ込められることになり、得られる
センターコアの径を細くすることができ、成長速度も安
定することからＤＳＣ型分散シフトファイバ用多孔質母
材の製造が容易であり、ａ１／ａ２で定義されるＲａや
Δ１／Δ２で定義されるＲΔ等の構造パラメータが適切
なものになるように、サイドコアの製造条件を変更で
き、所望の分散シフトファイバ用母材が簡単に得られ
る。
材の製造方法は、センターコア用同心円型バーナにおけ
る酸水素炎形成用ガス流出ノズルの外層から流出する酸
素ガス流の流量を内層から流出する水素ガス流の流量の
２．７倍以上としたものであり、酸素ガス流速が一定値
以上の値となることにより、酸素ガス流の内層への回り
込みが生じ、その結果酸水素炎流が細径化する。このた
め、原料ガスと酸水素炎が反応して得られるガラス微粒
子が狭い空間内に閉じ込められることになり、得られる
センターコアの径を細くすることができ、成長速度も安
定することからＤＳＣ型分散シフトファイバ用多孔質母
材の製造が容易であり、ａ１／ａ２で定義されるＲａや
Δ１／Δ２で定義されるＲΔ等の構造パラメータが適切
なものになるように、サイドコアの製造条件を変更で
き、所望の分散シフトファイバ用母材が簡単に得られ
る。
【図１】本発明の分散シフトファイバ用母材の製造方法
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明の分散シフトファイバ用母材の製造に用
いる同心円型バーナの断面図である。
いる同心円型バーナの断面図である。
【図３】本発明の実施例、比較例における水素ガス流量
に対する酸素ガス流量の比とセンターコアのスート径及
びスートの成長速度の関係を示すグラフ図である。
に対する酸素ガス流量の比とセンターコアのスート径及
びスートの成長速度の関係を示すグラフ図である。
【図４】ＶＡＤ法による光ファイバ多孔質体の製造方法
を示す図である。
を示す図である。
【図５】ＤＳＣ型分散シフトファイバにおける屈折率と
ファイバ半径の関係を示すグラフ図である。
ファイバ半径の関係を示すグラフ図である。
【図６】ＳＭ型光ファイバ用多孔質母材の製造方法を示
す説明図である。
す説明図である。
１ センターコア ４ サイドコア ３０，４０ 同心円型バーナ ３１，４１ 原料ガス流出ノズル ３２，４２ 酸水素炎形成用ガス流出ノズル ３３，４３ 水素ガス流出ノズル ３４，４４ 不活性ガス流出ノズル ３５，４５ 酸素ガス流出ノズル
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の同心円型バーナによりセンターコ
ア、サイドコアを形成し、階段型屈折率プロファイルを
有する分散シフトファイバの母材を製造する方法であっ
て、センターコア形成用同心円型バーナが、中心部に設
けた原料ガス流出ノズルと、その周りに設けた酸水素炎
形成用ガス流出ノズルとから成り、酸水素炎形成用ガス
流出ノズルは、水素ガス流の内層、不活性ガス流の中間
層、酸素ガス流の外層の三層に仕切られ、この外層から
流出する酸素ガス流の流量を内層から流出する水素ガス
流の流量の２．７倍以上としたことを特徴とする分散シ
フトファイバ用母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5034165A JPH06219764A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 分散シフトファイバ用母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5034165A JPH06219764A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 分散シフトファイバ用母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06219764A true JPH06219764A (ja) | 1994-08-09 |
Family
ID=12406604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5034165A Pending JPH06219764A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 分散シフトファイバ用母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06219764A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003277070A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Fujikura Ltd | 多孔質母材の製造方法 |
| JP2007126340A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス微粒子堆積体の製造方法 |
| JP2019064897A (ja) * | 2017-10-05 | 2019-04-25 | 信越化学工業株式会社 | 光ファイバ用多孔質ガラス堆積体の製造方法 |
-
1993
- 1993-01-29 JP JP5034165A patent/JPH06219764A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003277070A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Fujikura Ltd | 多孔質母材の製造方法 |
| JP2007126340A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス微粒子堆積体の製造方法 |
| JP2019064897A (ja) * | 2017-10-05 | 2019-04-25 | 信越化学工業株式会社 | 光ファイバ用多孔質ガラス堆積体の製造方法 |
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