JPH0620803A - 薄膜抵抗器及び薄膜抵抗器の製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗器及び薄膜抵抗器の製造方法Info
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- JPH0620803A JPH0620803A JP4178659A JP17865992A JPH0620803A JP H0620803 A JPH0620803 A JP H0620803A JP 4178659 A JP4178659 A JP 4178659A JP 17865992 A JP17865992 A JP 17865992A JP H0620803 A JPH0620803 A JP H0620803A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い高温安定性と良好な抵抗温度特性を有
し、生産性が良好な抵抗薄膜材料及び抵抗薄膜の製造方
法を得る。 【構成】抵抗薄膜材料として、Ｃｒ対Ｎｉの比が０.１
５〜０.７４、Ａｌが０.４〜４.０ｗｔ％、Ｓｉが０.２
〜５.０ｗｔ％、ＡｌとＳｉの総量が１.５〜８.０ｗｔ
％であるＮｉ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ４元系合金を用い、こ
の薄膜抵抗材料を絶縁材料基板上に生成させ、この薄膜
抵抗を酸素濃度０.００１〜０.１ｐｐｍ、温度３００℃
〜７００℃で１〜２０時間熱処理を行い、さらに酸素濃
度０.１〜１００ｐｐｍ、２００℃〜５００℃で１〜１
０時間熱処理する。
し、生産性が良好な抵抗薄膜材料及び抵抗薄膜の製造方
法を得る。 【構成】抵抗薄膜材料として、Ｃｒ対Ｎｉの比が０.１
５〜０.７４、Ａｌが０.４〜４.０ｗｔ％、Ｓｉが０.２
〜５.０ｗｔ％、ＡｌとＳｉの総量が１.５〜８.０ｗｔ
％であるＮｉ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ４元系合金を用い、こ
の薄膜抵抗材料を絶縁材料基板上に生成させ、この薄膜
抵抗を酸素濃度０.００１〜０.１ｐｐｍ、温度３００℃
〜７００℃で１〜２０時間熱処理を行い、さらに酸素濃
度０.１〜１００ｐｐｍ、２００℃〜５００℃で１〜１
０時間熱処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品に用いられる
抵抗薄膜材料、及びこの抵抗薄膜材料を用いた抵抗薄膜
の製造方法に係るものである。
抵抗薄膜材料、及びこの抵抗薄膜材料を用いた抵抗薄膜
の製造方法に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】チップ抵抗器・精密抵抗器・ネットワー
ク抵抗器・高圧抵抗器等の抵抗器、測温抵抗体・感温抵
抗器等の温度センサ及びハイブリットＩＣとその複合モ
ジュール製品等の電子部品には抵抗薄膜を使用した抵抗
素子が用いられている。
ク抵抗器・高圧抵抗器等の抵抗器、測温抵抗体・感温抵
抗器等の温度センサ及びハイブリットＩＣとその複合モ
ジュール製品等の電子部品には抵抗薄膜を使用した抵抗
素子が用いられている。
【０００３】この抵抗素子においては、多くの場合抵抗
薄膜材料としてＴａ金属、ＴａＮ化合物、Ｎｉ−Ｃｒ合
金が用いられており、中でもＮｉ−Ｃｒ合金が最も一般
的に用いられている。
薄膜材料としてＴａ金属、ＴａＮ化合物、Ｎｉ−Ｃｒ合
金が用いられており、中でもＮｉ−Ｃｒ合金が最も一般
的に用いられている。
【０００４】抵抗材料は、その使用にあたって抵抗温度
係数と高温安定性が問題となるが、Ｎｉ−Ｃｒ合金は、
Ｃｒが多くなると抵抗温度特性を良好にすることができ
る反面、高温安定性が劣化するため、一般にはＮｉ８０
ｗｔ％−Ｃｒ２０ｗｔ％を基調としたＮｉリッチの組成
である合金が用いられている。
係数と高温安定性が問題となるが、Ｎｉ−Ｃｒ合金は、
Ｃｒが多くなると抵抗温度特性を良好にすることができ
る反面、高温安定性が劣化するため、一般にはＮｉ８０
ｗｔ％−Ｃｒ２０ｗｔ％を基調としたＮｉリッチの組成
である合金が用いられている。
【０００５】また、Ｎｉ及びＣｒのみからなる２元系合
金の場合は、Ｎｉ対Ｃｒの比を変えても同時に良好な高
温安定性と抵抗温度特性とを実現することは困難である
ため、微量のＢｅ、Ｓｉ、Ａｌ等を添加した３元系合金
とすることにより、高温安定性と抵抗温度特性とを改善
することが試みられている。
金の場合は、Ｎｉ対Ｃｒの比を変えても同時に良好な高
温安定性と抵抗温度特性とを実現することは困難である
ため、微量のＢｅ、Ｓｉ、Ａｌ等を添加した３元系合金
とすることにより、高温安定性と抵抗温度特性とを改善
することが試みられている。
【０００６】これらの３元系合金のうち、Ｎｉ−Ｃｒ−
Ｂｅ合金及びＮｉ−Ｃｒ−Ｓｉ合金は、高温安定性及び
抵抗温度特性が改善されるが、絶縁基板上に膜を生成す
る時に基板温度を高温に維持する必要があるため、装置
依存性が大きくなり製造ロット間でのバラツキが大きく
大量生産に適していない。
Ｂｅ合金及びＮｉ−Ｃｒ−Ｓｉ合金は、高温安定性及び
抵抗温度特性が改善されるが、絶縁基板上に膜を生成す
る時に基板温度を高温に維持する必要があるため、装置
依存性が大きくなり製造ロット間でのバラツキが大きく
大量生産に適していない。
【０００７】また、Ｎｉ−Ｃｒ−Ａｌ合金は、抵抗温度
特性が改善されるが、高温安定性が不十分である。この
ように、これらの両特性を同時に満足するＮｉ−Ｃｒ３
元系合金抵抗材料は現在のところ得られていない。
特性が改善されるが、高温安定性が不十分である。この
ように、これらの両特性を同時に満足するＮｉ−Ｃｒ３
元系合金抵抗材料は現在のところ得られていない。
【０００８】この他に、抵抗薄膜を基板上に生成した
後、生成された抵抗薄膜を空気中において熱処理する抵
抗薄膜製造方法があるが、この方法は雰囲気の制御がな
されていないため、高温安定性が改善される反面、抵抗
温度特性が悪化する。このように、良好な高温安定性と
良好な抵抗温度特性とを有し、良好な生産性とを同時に
実現した抵抗薄膜材料は存在しない。
後、生成された抵抗薄膜を空気中において熱処理する抵
抗薄膜製造方法があるが、この方法は雰囲気の制御がな
されていないため、高温安定性が改善される反面、抵抗
温度特性が悪化する。このように、良好な高温安定性と
良好な抵抗温度特性とを有し、良好な生産性とを同時に
実現した抵抗薄膜材料は存在しない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情に対処してなされたものであって、これまでのＮｉ
−Ｃｒの２元系合金あるいはＮｉ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｎｉ−
Ｃｒ−Ｓｉ、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｂｅの３元系合金によっては
実現することができなかった高い高温安定性と良好な抵
抗温度特性を得るとともに、良好な生産性とを同時に実
現することができる抵抗薄膜材料及び抵抗薄膜の製造方
法を提供することを課題とする。
事情に対処してなされたものであって、これまでのＮｉ
−Ｃｒの２元系合金あるいはＮｉ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｎｉ−
Ｃｒ−Ｓｉ、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｂｅの３元系合金によっては
実現することができなかった高い高温安定性と良好な抵
抗温度特性を得るとともに、良好な生産性とを同時に実
現することができる抵抗薄膜材料及び抵抗薄膜の製造方
法を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、Ｎｉ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ４元系合金である抵抗薄膜
材料すなわち「Ｃｒ対Ｎｉの比が０.１５〜０.７４、Ａ
ｌが０.４〜４.０ｗｔ％、Ｓｉが０.２〜５.０ｗｔ％、
ＡｌとＳｉの総量が１.５〜８.０ｗｔ％」であることを
構成とする抵抗薄膜材料の発明、及び、Ｎｉ−Ｃｒ−Ａ
ｌ−Ｓｉ４元系合金薄膜を熱処理する薄膜抵抗の製造方
法の発明すなわち「絶縁材料基板上にＮｉ−Ｃｒ−Ａｌ
−Ｓｉ４元系合金からなる合金薄膜を生成させ、該合金
薄膜を酸素濃度０.００１〜０.１ｐｐｍ、温度３００℃
〜７００℃で１〜２０時間熱処理を行い、さらに酸素濃
度０.１〜１００ｐｐｍ、２００℃〜５００℃で１〜１
０時間熱処理を行う」ことを構成とする抵抗薄膜製造方
法の発明を提供する。
に、Ｎｉ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ４元系合金である抵抗薄膜
材料すなわち「Ｃｒ対Ｎｉの比が０.１５〜０.７４、Ａ
ｌが０.４〜４.０ｗｔ％、Ｓｉが０.２〜５.０ｗｔ％、
ＡｌとＳｉの総量が１.５〜８.０ｗｔ％」であることを
構成とする抵抗薄膜材料の発明、及び、Ｎｉ−Ｃｒ−Ａ
ｌ−Ｓｉ４元系合金薄膜を熱処理する薄膜抵抗の製造方
法の発明すなわち「絶縁材料基板上にＮｉ−Ｃｒ−Ａｌ
−Ｓｉ４元系合金からなる合金薄膜を生成させ、該合金
薄膜を酸素濃度０.００１〜０.１ｐｐｍ、温度３００℃
〜７００℃で１〜２０時間熱処理を行い、さらに酸素濃
度０.１〜１００ｐｐｍ、２００℃〜５００℃で１〜１
０時間熱処理を行う」ことを構成とする抵抗薄膜製造方
法の発明を提供する。
【００１１】
【作用】上記構成を有する本願各発明においては、絶縁
基板上に生成されたＮｉ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉの４元系合
金からなる薄膜を、酸素濃度０.００１〜０.１ｐｐｍ、
温度３００℃〜７００℃で１〜２０時間熱処理を行うこ
とにより抵抗温度特性を制御し、酸素濃度０.１〜１０
０ｐｐｍ、２００℃〜５００℃で１〜１０時間熱処理を
行うことにより高温安定性を制御する。
基板上に生成されたＮｉ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉの４元系合
金からなる薄膜を、酸素濃度０.００１〜０.１ｐｐｍ、
温度３００℃〜７００℃で１〜２０時間熱処理を行うこ
とにより抵抗温度特性を制御し、酸素濃度０.１〜１０
０ｐｐｍ、２００℃〜５００℃で１〜１０時間熱処理を
行うことにより高温安定性を制御する。
【００１２】
【実施例】本願発明の実施例を説明する。初めに、本願
発明を実施した抵抗薄膜材料及び抵抗薄膜製造方法につ
いて例を挙げて説明する。
発明を実施した抵抗薄膜材料及び抵抗薄膜製造方法につ
いて例を挙げて説明する。
【００１３】Ｃｒ対Ｎｉの比が０.６９、Ｓｉが１.３ｗ
ｔ％，Ａｌが３.５ｗｔ％である４元系合金抵抗薄膜材
料を高純度アルミナ基板上に成膜する。この、成膜工程
はカソードスパッタ法によって行い、５×１０-5Ｐａに
排気された真空室に、純度９９.９９９５％のアルゴン
ガスを導入した後、０.４Ｐａの圧力に保ち、１４５Å
／minの成膜速度で行う。
ｔ％，Ａｌが３.５ｗｔ％である４元系合金抵抗薄膜材
料を高純度アルミナ基板上に成膜する。この、成膜工程
はカソードスパッタ法によって行い、５×１０-5Ｐａに
排気された真空室に、純度９９.９９９５％のアルゴン
ガスを導入した後、０.４Ｐａの圧力に保ち、１４５Å
／minの成膜速度で行う。
【００１４】その後、酸素濃度０.０１ｐｐｍ、温度１
５０℃で１時間熱処理を行う。このようにして製造した
抵抗薄膜材料は、−５〜＋５ｐｐｍ／℃の範囲の良好な
抵抗温度特性を示した。また、７０℃の試験温度におい
て定格電圧を１.５時間ＯＮ、０.５時間ＯＦＦするとの
断続を１５００回行なったが、抵抗値変化は＋０.０１
２％と良好な高温安定性を示した。この抵抗値変化につ
いての測定結果を図１に示す。
５０℃で１時間熱処理を行う。このようにして製造した
抵抗薄膜材料は、−５〜＋５ｐｐｍ／℃の範囲の良好な
抵抗温度特性を示した。また、７０℃の試験温度におい
て定格電圧を１.５時間ＯＮ、０.５時間ＯＦＦするとの
断続を１５００回行なったが、抵抗値変化は＋０.０１
２％と良好な高温安定性を示した。この抵抗値変化につ
いての測定結果を図１に示す。
【００１５】また、その他種々の組成を有する本発明の
薄膜抵抗材料についてのデータを表１に示す。
薄膜抵抗材料についてのデータを表１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】図２及び図３を用いて、本願各発明を適用
した薄膜抵抗器１の製造方法を説明する。図２に示すの
は、第１の実施例であり、電極が２層構造となってい
る。 （ａ）(1) 絶縁材料であるアルミナ基板２上にＮｉ−Ｃ
ｒ−Ａｌ−Ｓｉ４元系合金材料を蒸着・スパッタリング
あるいはイオン注入により成膜して厚さ約０.０２５μ
ｍの抵抗薄膜３を形成する。 (2) アルミナ基板上に形成された抵抗薄膜３を、酸素濃
度が０.００１〜０.１ｐｐｍの真空中において３００℃
〜７００℃の温度で１〜２０時間の熱処理を行い、再結
晶化を制御することにより抵抗温度特性を調整する。 (3) 抵抗温度特性が調整された抵抗薄膜３を酸素濃度が
０.１〜１００ｐｐｍの真空中または不活性ガス中で２
００℃〜５００℃の温度で１〜１０時間の熱処理を行
い、緻密な酸化膜層を形成することにより高温安定性を
良好にする。 (4) 抵抗薄膜３上に蒸着・スパッタリングあるいはイオ
ン注入によりにより厚さ約０.２μｍのＣｕからなる電
極層４を形成する。 （ｂ）フォトレジスト膜５を塗布し、フォトエッチング
を行うことにより、電極部が形成される部分のレジスト
膜を除去する。 （ｃ）レジスト膜が除去された部分に、湿式メッキ法に
よって厚さ約５μｍのＣｕ接続電極８ａ，８ｂを形成す
る。 （ｄ）レジスト膜５を除去する。 （ｅ）レジスト膜５の下の電極層４のうち４ａ，４ｂを
除く他の部分を除去することにより、電極部７ａ，７ｂ
が形成される。
した薄膜抵抗器１の製造方法を説明する。図２に示すの
は、第１の実施例であり、電極が２層構造となってい
る。 （ａ）(1) 絶縁材料であるアルミナ基板２上にＮｉ−Ｃ
ｒ−Ａｌ−Ｓｉ４元系合金材料を蒸着・スパッタリング
あるいはイオン注入により成膜して厚さ約０.０２５μ
ｍの抵抗薄膜３を形成する。 (2) アルミナ基板上に形成された抵抗薄膜３を、酸素濃
度が０.００１〜０.１ｐｐｍの真空中において３００℃
〜７００℃の温度で１〜２０時間の熱処理を行い、再結
晶化を制御することにより抵抗温度特性を調整する。 (3) 抵抗温度特性が調整された抵抗薄膜３を酸素濃度が
０.１〜１００ｐｐｍの真空中または不活性ガス中で２
００℃〜５００℃の温度で１〜１０時間の熱処理を行
い、緻密な酸化膜層を形成することにより高温安定性を
良好にする。 (4) 抵抗薄膜３上に蒸着・スパッタリングあるいはイオ
ン注入によりにより厚さ約０.２μｍのＣｕからなる電
極層４を形成する。 （ｂ）フォトレジスト膜５を塗布し、フォトエッチング
を行うことにより、電極部が形成される部分のレジスト
膜を除去する。 （ｃ）レジスト膜が除去された部分に、湿式メッキ法に
よって厚さ約５μｍのＣｕ接続電極８ａ，８ｂを形成す
る。 （ｄ）レジスト膜５を除去する。 （ｅ）レジスト膜５の下の電極層４のうち４ａ，４ｂを
除く他の部分を除去することにより、電極部７ａ，７ｂ
が形成される。
【００１８】図３に示すのは、第２の実施例であり、電
極が３層構造となっている。この実施例は、図２に示し
た薄膜抵抗器の電極が２層構造となっているのに対し、
接続電極８ａ，８ｂがさらに保護層を設けた３層構造と
なっている。そのため、接続電極８ａ，８ｂ上に厚さ約
１μｍのＮｉ，Ａｇ，Ａｕ，Ｓｎ等からなる金属層９
ａ，９ｂを湿式メッキ法によって形成する工程（ｄ）が
追加されている。この金属層９ａ，９ｂは、最終的には
保護層６ａ，６ｂとなる。
極が３層構造となっている。この実施例は、図２に示し
た薄膜抵抗器の電極が２層構造となっているのに対し、
接続電極８ａ，８ｂがさらに保護層を設けた３層構造と
なっている。そのため、接続電極８ａ，８ｂ上に厚さ約
１μｍのＮｉ，Ａｇ，Ａｕ，Ｓｎ等からなる金属層９
ａ，９ｂを湿式メッキ法によって形成する工程（ｄ）が
追加されている。この金属層９ａ，９ｂは、最終的には
保護層６ａ，６ｂとなる。
【００１９】なお、本発明に係る薄膜抵抗体の面積抵抗
は、一般的には２０〜２００Ω／□の範囲とする。
は、一般的には２０〜２００Ω／□の範囲とする。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る抵抗体は、Ｎｉ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉからなる４元
系合金で構成し、Ｃｒ対Ｎｉの比を０.１５〜０.７４の
範囲、Ａｌを０.４〜４.０ｗｔ％、Ｓｉを０.２〜５.０
ｗｔ％、ＡｌとＳｉの総量を１.５〜８.０ｗｔ％の範囲
とすることにより、従来のＮｉ−Ｃｒの２元系または、
Ｎｉ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉ、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｂ
ｅの３元系では不可能であった抵抗温度特性と高温安定
性の改善を行うことができる。
に係る抵抗体は、Ｎｉ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉからなる４元
系合金で構成し、Ｃｒ対Ｎｉの比を０.１５〜０.７４の
範囲、Ａｌを０.４〜４.０ｗｔ％、Ｓｉを０.２〜５.０
ｗｔ％、ＡｌとＳｉの総量を１.５〜８.０ｗｔ％の範囲
とすることにより、従来のＮｉ−Ｃｒの２元系または、
Ｎｉ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉ、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｂ
ｅの３元系では不可能であった抵抗温度特性と高温安定
性の改善を行うことができる。
【００２１】また、絶縁基板上に生成された以上の組成
の抵抗薄膜を酸素濃度が０.００１〜０.１ｐｐｍの真空
中において３００℃〜７００℃の温度で１〜２０時間の
安定した熱処理を行い、真空成膜された薄膜抵抗体の再
結晶化を制御しながら行い抵抗温度係数の調整を行なう
から、絶縁基板上に膜を生成する時に基板温度を高温に
維持する必要がなくなり、膜生成時の装置条件が緩和さ
れ大量生産が容易になる。
の抵抗薄膜を酸素濃度が０.００１〜０.１ｐｐｍの真空
中において３００℃〜７００℃の温度で１〜２０時間の
安定した熱処理を行い、真空成膜された薄膜抵抗体の再
結晶化を制御しながら行い抵抗温度係数の調整を行なう
から、絶縁基板上に膜を生成する時に基板温度を高温に
維持する必要がなくなり、膜生成時の装置条件が緩和さ
れ大量生産が容易になる。
【００２２】このように、本願各発明によれば、抵抗温
度特性と高温安定性がきわめて優れ、高精度が要求され
る電子部品に適した薄膜抵抗器を良好な生産性のもとに
得ることができる。
度特性と高温安定性がきわめて優れ、高精度が要求され
る電子部品に適した薄膜抵抗器を良好な生産性のもとに
得ることができる。
【図１】抵抗値変化の測定結果グラフ
【図２】第１の実施例の製造工程図
【図３】第２の実施例の製造工程図
１ 薄膜抵抗器 ２ アルミナ基板 ３ 抵抗薄膜 ４ 電極層 ５ フォトレジスト膜 ６ａ，６ｂ 保護層 ７ａ，７ｂ 電極部 ８ａ，８ｂ 接続電極 ９ａ，９ｂ 金属層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年３月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】その後、酸素濃度０. ０１ｐｐｍ、温度４
３０℃で５時間熱処理を行う。続いて酸素濃度１０ｐｐ
ｍ、温度２００℃で１時間の熱処理を行う。このように
して製造した抵抗薄膜材料は、−５〜＋５ｐｐｍ／℃の
範囲の良好な抵抗温度特性を示した。また、７０℃の試
験温度において定格電圧を１. ５時間ＯＮ、０. ５時間
ＯＦＦするとの断続を１５００回行なったが、抵抗値変
化は＋０. ０１２％と良好な高温安定性を示した。この
抵抗値変化についての測定結果を図１に示す。
３０℃で５時間熱処理を行う。続いて酸素濃度１０ｐｐ
ｍ、温度２００℃で１時間の熱処理を行う。このように
して製造した抵抗薄膜材料は、−５〜＋５ｐｐｍ／℃の
範囲の良好な抵抗温度特性を示した。また、７０℃の試
験温度において定格電圧を１. ５時間ＯＮ、０. ５時間
ＯＦＦするとの断続を１５００回行なったが、抵抗値変
化は＋０. ０１２％と良好な高温安定性を示した。この
抵抗値変化についての測定結果を図１に示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】図２及び図３を用いて、本願各発明を適用
した薄膜抵抗器１の製造方法を説明する。図２に示すの
は、第１の実施例であり、電極が２層構造となってい
る。 （ａ）(1) 絶縁材料であるアルミナ基板２上にＮｉ−Ｃ
ｒ−Ａｌ−Ｓｉ４元系合金材料を蒸着・スパッタリング
あるいはイオンプレーティングにより成膜して厚さ約
０. ０２５μｍの抵抗薄膜３を形成する。 (2) アルミナ基板上に形成された抵抗薄膜３を、酸素濃
度が０. ００１〜０. １ｐｐｍの真空中において３００
℃〜７００℃の温度で１〜２０時間の熱処理を行い、抵
抗温度特性を調整する。 (3) 抵抗温度特性が調整された抵抗薄膜３を酸素濃度が
０. １〜１００ｐｐｍの真空中または不活性ガス中で２
００℃〜５００℃の温度で１〜１０時間の熱処理を行
い、高温安定性を良好にする。 (4) 抵抗薄膜３上に蒸着・スパッタリングあるいはイオ
ンプレーティングにより厚さ約０. ２μｍのＣｕからな
る電極層４を形成する。 （ｂ）フォトレジスト膜５を塗布し、フォトエッチング
を行うことにより、電極部が形成される部分のレジスト
膜を除去する。 （ｃ）レジスト膜が除去された部分に、湿式メッキ法に
よって厚さ約５μｍのＣｕ接続電極８ａ，８ｂを形成す
る。 （ｄ）レジスト膜５を除去する。 （ｅ）レジスト膜５の下の電極層４のうち４ａ，４ｂを
除く他の部分を除去することにより、電極部７ａ，７ｂ
が形成される。
した薄膜抵抗器１の製造方法を説明する。図２に示すの
は、第１の実施例であり、電極が２層構造となってい
る。 （ａ）(1) 絶縁材料であるアルミナ基板２上にＮｉ−Ｃ
ｒ−Ａｌ−Ｓｉ４元系合金材料を蒸着・スパッタリング
あるいはイオンプレーティングにより成膜して厚さ約
０. ０２５μｍの抵抗薄膜３を形成する。 (2) アルミナ基板上に形成された抵抗薄膜３を、酸素濃
度が０. ００１〜０. １ｐｐｍの真空中において３００
℃〜７００℃の温度で１〜２０時間の熱処理を行い、抵
抗温度特性を調整する。 (3) 抵抗温度特性が調整された抵抗薄膜３を酸素濃度が
０. １〜１００ｐｐｍの真空中または不活性ガス中で２
００℃〜５００℃の温度で１〜１０時間の熱処理を行
い、高温安定性を良好にする。 (4) 抵抗薄膜３上に蒸着・スパッタリングあるいはイオ
ンプレーティングにより厚さ約０. ２μｍのＣｕからな
る電極層４を形成する。 （ｂ）フォトレジスト膜５を塗布し、フォトエッチング
を行うことにより、電極部が形成される部分のレジスト
膜を除去する。 （ｃ）レジスト膜が除去された部分に、湿式メッキ法に
よって厚さ約５μｍのＣｕ接続電極８ａ，８ｂを形成す
る。 （ｄ）レジスト膜５を除去する。 （ｅ）レジスト膜５の下の電極層４のうち４ａ，４ｂを
除く他の部分を除去することにより、電極部７ａ，７ｂ
が形成される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大須賀 一行 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 佐々木 勇 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 及川 泰伸 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｃｒ対Ｎｉの比が０.１５〜０.７４、Ａ
ｌが０.４〜４.０ｗｔ％、Ｓｉが０.２〜５.０ｗｔ％、
ＡｌとＳｉの総量が１.５〜８.０ｗｔ％であることを特
徴とする抵抗薄膜材料。 - 【請求項２】 抵抗体の面積抵抗が２０〜２００Ω／□
であることを特徴とする請求項１記載の抵抗薄膜材料。 - 【請求項３】 絶縁材料基板上にＮｉ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓ
ｉ４元系合金からなる合金薄膜を生成させ、該合金薄膜
を酸素濃度０.００１〜０.１ｐｐｍ、温度３００℃〜７
００℃で１〜２０時間熱処理を行い、さらに酸素濃度
０.１〜１００ｐｐｍ、２００℃〜５００℃で１〜１０
時間熱処理を行うことを特徴とする抵抗薄膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4178659A JPH0620803A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 薄膜抵抗器及び薄膜抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4178659A JPH0620803A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 薄膜抵抗器及び薄膜抵抗器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620803A true JPH0620803A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16052330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4178659A Withdrawn JPH0620803A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 薄膜抵抗器及び薄膜抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620803A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1321206C (zh) * | 2003-11-04 | 2007-06-13 | 住友金属矿山株式会社 | 金属电阻材料、溅射靶材、电阻薄膜及其制造方法 |
| JP2012502468A (ja) * | 2008-09-05 | 2012-01-26 | ヴィシェイ デール エレクトロニクス インコーポレイテッド | 金属ストリップ抵抗器とその製造方法 |
| JP2014241451A (ja) * | 2014-09-18 | 2014-12-25 | 住友金属鉱山株式会社 | 銅導電体層付き抵抗薄膜素子 |
-
1992
- 1992-07-06 JP JP4178659A patent/JPH0620803A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1321206C (zh) * | 2003-11-04 | 2007-06-13 | 住友金属矿山株式会社 | 金属电阻材料、溅射靶材、电阻薄膜及其制造方法 |
| JP2012502468A (ja) * | 2008-09-05 | 2012-01-26 | ヴィシェイ デール エレクトロニクス インコーポレイテッド | 金属ストリップ抵抗器とその製造方法 |
| US8686828B2 (en) | 2008-09-05 | 2014-04-01 | Vishay Dale Electronics, Inc. | Resistor and method for making same |
| US9251936B2 (en) | 2008-09-05 | 2016-02-02 | Vishay Dale Electronics, Llc | Resistor and method for making same |
| US9916921B2 (en) | 2008-09-05 | 2018-03-13 | Vishay Dale Electronics, Llc | Resistor and method for making same |
| JP2014241451A (ja) * | 2014-09-18 | 2014-12-25 | 住友金属鉱山株式会社 | 銅導電体層付き抵抗薄膜素子 |
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