JP4042714B2 - 金属抵抗体材料、スパッタリングターゲットおよび抵抗薄膜 - Google Patents
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Description
まず、電気ニッケル、電解クロム、アルミニウムメタルショット、金属シリコン、Yメタル塊(試薬)、ランタンメタル(試薬)、セリウムメタル(試薬)、ミッシュメタル(試薬)を原料とし、表1に示す組成となるようにそれぞれ秤量して、真空溶解炉により、約2kgのNi−Cr−Al−Si合金またはNi−Cr−Al−Si−希土類元素合金のインゴットを作製し、金属抵抗体材料とした。
Claims (3)
- Al:5〜15質量%、Si:0.2〜5.0質量%、希土類元素:0.01〜0.5質量%を含み、残部がCrおよびNiからなり、Cr/Ni比が質量で0.75〜1.1である金属抵抗体材料。
- Al:5〜15質量%、Si:0.2〜5.0質量%、希土類元素:0.01〜0.5質量%を含み、残部がCrおよびNiからなり、Cr/Ni比が質量で0.75〜1.1であり、請求項1に記載の金属抵抗体材料を用いた薄膜形成用のスパッタリングターゲット。
- Al:5〜15質量%、Si:0.2〜5.0質量%、希土類元素:0.01〜0.5質量%を含み、残部がCrおよびNiからなり、Cr/Ni比が質量で0.75〜1.1であり、かつ、抵抗温度係数が±15ppm/℃以内の範囲にあり、175℃×2000時間保持した場合の抵抗変化率が0.10%以下であることを特徴とする抵抗薄膜。
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