JP2782288B2 - 電気抵抗材料 - Google Patents
電気抵抗材料Info
- Publication number
- JP2782288B2 JP2782288B2 JP3176146A JP17614691A JP2782288B2 JP 2782288 B2 JP2782288 B2 JP 2782288B2 JP 3176146 A JP3176146 A JP 3176146A JP 17614691 A JP17614691 A JP 17614691A JP 2782288 B2 JP2782288 B2 JP 2782288B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- atomic
- zirconium
- resistance
- concentration
- electric resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 23
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 37
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 20
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 11
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 241000723368 Conium Species 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 24
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 238000007651 thermal printing Methods 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910007746 Zr—O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003482 tantalum compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/06—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material including means to minimise changes in resistance with changes in temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/006—Thin film resistors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
発熱体等に用いられる電気抵抗材料に関する。
ケル・クロム合金やタンタル化合物等の薄膜抵抗材料の
比抵抗は、セラミック基板上で0.2mΩ・cm程度と
小さく、従ってこれを用いたチップ抵抗器等の小型抵抗
器では高い抵抗値を得るのが困難であった。例えば、こ
のようなチップ抵抗器の抵抗値の上限は数十〜百KΩで
あった。
の大きな薄膜材料が幾つか開発されてはいるが、その抵
抗温度係数(TCR)は数百ppm/℃と著しく大き
く、従ってこれを精密抵抗器に用いることはできない。
一例を示せば、Ta−Si−C系材料では、比抵抗は
4.2mΩ・cm程度と比較的大きいものの、抵抗温度
係数が−600ppm/℃程度と著しく大きい。
出願人によってCr−Al−B系三元合金に酸素を添加
した電気抵抗材料で非晶質構造のものが開発され(例え
ば特開平2−87501号参照)、薄膜チップ抵抗器や
熱印字素子の発熱体材料として実用化されている。しか
しながら、この電気抵抗材料が高温にさらされた場合に
は非晶質から結晶化が進行し、その電気抵抗が減少する
という点になお改善の余地があることが分かった。これ
を防止するためこれまでは、当該電気抵抗材料を高温に
さらされる熱印字素子の発熱体に用いる場合には、予め
それ以上の温度での熱処理を施し、発熱体を安定化させ
る必要があり、そのぶん工数が増える他、熱処理を経る
ことによって抵抗値が変化するので管理も大変であっ
た。
共に大きく、しかも抵抗温度係数が比較的小さい電気抵
抗材料を提供することを主たる目的とする。
は、Cr−Al−B−Zr−O系のものであり、クロム
を35〜55原子%、アルミニウムを2〜23原子%お
よびホウ素を37〜58原子%含むCr−Al−B三元
合金に対してジルコニウムを2〜25原子%(即ちZr
/Cr+Al+B+Zrが2〜25原子%)加えた四元
合金に対して、更に酸素を15〜25原子%(即ちO/
Cr+Al+B+Zr+Oが15〜25原子%)添加し
た組成を有する。
ロム,アルミニウム,ホウ素)の組成比(原子%)が、
図1に示す三成分組成図におけるA(55,7,3
8),B(40,23,37),C(35,10,5
5)およびD(40,2,58)の4点で囲まれる領域
であり、前記の四元合金は、この領域の組成に、更に2
〜25原子%のジルコニウムを加えたものと言うことも
できる。
ミニウム濃度を2〜23原子%の範囲に限定したのは、
アルミニウム濃度が2原子%未満では比抵抗が小さく、
また23原子%を越えると熱処理による電気抵抗の変化
が大きくなるためである。
〜58原子%の範囲に限定したのは、ホウ素濃度が37
原子%未満では比抵抗が小さく、また58原子%を越え
ると耐環境性が著しく低下するからである。
濃度を2〜25原子%の範囲に限定したのは、この合金
材料を薄膜にした場合の膜厚が20nmでかつジルコニ
ウム濃度が2原子%未満の場合には熱処理により電気抵
抗が著しく減少し、同じく膜厚が100nmでかつジル
コニウム濃度が25原子%を越えると熱処理により電気
抵抗が増大するためである。
5〜25原子%の範囲に限定したのは、酸素濃度が15
原子%未満では比抵抗が小さく、また25原子%を越え
ると抵抗温度係数が負方向に著しく増大するからであ
る。
ムと47原子%のホウ素とを含んだ三元合金ターゲット
の表面にジルコニウム片を並べ、疑似的に四元系とした
ターゲットを用いて、酸素を添加したアルゴンによりス
パッタリングを行い、種々の組成のCr−Al−B−Z
r−O系電気抵抗材料の薄膜をセラミック基板上に堆積
させ、Cr−Al−B三元合金に対するジルコニウムの
濃度が電気的特性に及ぼす影響を調べた。
は、ジルコニウム片の置かれたターゲットの表面に、ク
ロム、アルミニウムあるいはホウ素の粒を乗せて調整
し、この三元合金組成に対するジルコニウムの組成は、
ジルコニウム片の数を変えることにより調整した。な
お、Cr−Al−B−Zrに対する酸素濃度は、アルゴ
ンガスに添加する酸素の濃度を固定して、薄膜に取り込
まれる酸素濃度を一定に制御した。
した反応性スパッタリング法を薄膜形成手段として用い
たが、クロム、アルミニウム、ホウ素あるいはジルコニ
ウムを酸化物の状態でターゲットを構成して、純粋アル
ゴンによる通常のスパッタリング法、あるいは真空蒸着
法を用いても良い。
金の組成に対するジルコニウムの濃度が薄膜の電気的特
性とその耐熱性に及ぼす影響を示したものであり、この
ときCr−Al−B合金膜の組成比はCr:Al:B=
46+6 -3:7+1 -2:48+4 -8(原子%)であり、Cr−
Al−B−Zr四元合金に対する酸素濃度は20原子%
であった。
の増加に伴い比抵抗は減少する反面、熱処理による抵抗
値の変化率は減少した。また、図3から分かるように、
製膜後の薄膜の抵抗温度係数はジルコニウムの添加によ
りわずかに負方向に増大するものの、熱処理によるその
変化量(即ち製膜後と熱処理後間の抵抗温度係数の差)
は比抵抗の場合と同様に減少した。即ち、酸素を含んだ
Cr−Al−B系三元合金へのジルコニウムの添加は電
気的特性の耐熱性を向上させ、熱印字素子の発熱体のよ
うに高温にさらされる抵抗材料として適用し得ることが
分かった。
晶構造、組成および化学的な結合状態を、X線回折およ
びX線光電子分析により調べた。その結果、Cr−Al
−B系三元合金の結晶構造はジルコニウムを添加しても
変化せず(即ち非晶質構造のままであり)、高温にさら
した後でも、前記の三元合金に従来見られたCr−B系
化合物の結晶成長は認められなかった。しかし、高温に
なるほどジルコニウムと酸素との結合は大きくなり、ジ
ルコニウム酸化物の結晶化もわずかに認められた。即
ち、前記の三元合金に添加したジルコニウムは、高温に
さらされることにより非晶質中で微細な酸化物を形成
し、この酸化物がCr−B系化合物の結晶化を抑制する
ために、電気的特性の耐熱性も向上するものと考えられ
る。
非晶質構造を安定化するニオブやハフニウムをジルコニ
ウムの代わりに添加しても、同様の効果が得られるもの
と期待される。
と、5原子%のアルミニウムと、37原子%のホウ素
と、22原子%のジルコニウムとを含んだ四元合金ター
ゲットを用いて、スパッタリングに用いるアルゴンガス
に添加する酸素濃度を変えることより、薄膜に取り込ま
れる酸素濃度を変化させ、Cr−Al−B−Zr四元合
金に対する酸素の濃度が比抵抗および抵抗温度係数に及
ぼす影響を示したものであり、このときCr−Al−B
合金膜の組成比はCr:Al:B=49+2 -3:3±2:
48±4(原子%)であり、Cr−Al−B合金に対す
るジルコニウム濃度は14±1原子%であった。
抵抗は酸素濃度の増加に伴い著しく増大し、また図5か
ら分かるように、負の抵抗温度係数の絶対値も同様の傾
向を示した。一方、熱処理による抵抗値および抵抗温度
係数の変化は、両図から分かるように、酸素濃度の増加
と共に小さくなり、ここでもジルコニウムと酸素との結
合が、電気的特性の耐熱性を改善することが確認され
た。即ち、ジルコニウムを添加することより生じるCr
−Al−B系薄膜の比抵抗の減少は、膜中の酸素濃度を
大きくすることにより抑制され、その耐熱性も大きくな
ると言える。
て、熱処理による電気抵抗の変化率とジルコニウム濃度
との関係を示したものである。図のように、ジルコニウ
ムを添加しない場合には熱処理により電気抵抗は減少す
るが、ジルコニウム濃度の増加と共にその減少率は小さ
くなり、膜厚が20nmの場合には3〜4原子%で、ま
た膜厚が100nmの場合には14〜16原子%でそれ
ぞれ抵抗値の変化は認められなくなる。即ち、熱処理に
よる電気抵抗の変化を無くするジルコニウム濃度は薄膜
の厚さに依存し、膜厚の大きいほど添加量も多くする必
要があると言える。
の抵抗値が±10〜±20%変化した場合に寿命の終点
とされている。このことと図6に示した結果とを考え合
わせると、薄膜の膜厚が、熱印字素子に通常使われる範
囲をカバーする20〜100nmの範囲では、2〜25
原子%のジルコニウム濃度が最適であり、更に膜厚の領
域を拡大するならば、ジルコニウム濃度が1〜30原子
%の範囲でも電気的特性の耐熱性の改善に大きく寄与す
るものと考えられる。
および耐熱性が共に大きく、しかも抵抗温度係数が比較
的小さい電気抵抗材料が得られる。その結果例えば、従
来のニッケル・クロム合金薄膜を発熱体とした熱印字素
子では数百Ωが抵抗値の上限であったが、当該電気抵抗
材料を発熱体薄膜に用いることにより、数KΩの抵抗値
を得ることが可能になり、その駆動回路および電源の小
電流化・小型化が可能になる。また、ジルコニウムを添
加しないCr−Al−B三元合金を熱印字素子の発熱体
に用いた場合には、およそ500℃が発熱体の動作温度
の限界であったが、当該電気抵抗材料の適用により、そ
の動作温度をそれよりも200℃以上上昇させ得ること
になり、より高速での印字が可能になる。
の表面に薄膜化すれば、微細加工により高集積化が可能
になる他、薄膜化によってより高い抵抗値を得ることが
可能になる。
コニウムを添加する前のCr−Al−B三元合金の組成
比を示す三成分組成図である。
ウムの濃度と比抵抗との関係の一例を示す図である。
ウムの濃度と抵抗温度係数との関係の一例を示す図であ
る。
素の濃度と比抵抗との関係の一例を示す図である。
素の濃度と抵抗温度係数との関係の一例を示す図であ
る。
ウムの濃度と熱処理による電気抵抗の変化率との関係の
一例を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 クロム、アルミニウム、ホウ素およびジ
ルコニウムを含む四元合金と酸素とを含んで成る電気抵
抗材料であって、クロム、アルミニウム、ホウ素、ジル
コニウムおよび酸素の合計濃度に対する酸素の濃度が1
5ないし25原子%であり、しかも前記四元合金は、ク
ロムを35ないし55原子%、アルミニウムを2ないし
23原子%およびホウ素を37ないし58原子%含む三
元合金とジルコニウムとを含んで成り、かつクロム、ア
ルミニウム、ホウ素およびジルコニウムの合計濃度に対
するジルコニウムの濃度が2ないし25原子%である、
ことを特徴とする電気抵抗材料。 - 【請求項2】 電気絶縁性基板の表面に形成されてお
り、かつ薄膜状をしている請求項1記載の電気抵抗材
料。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3176146A JP2782288B2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 電気抵抗材料 |
TW080108053A TW223126B (ja) | 1991-06-19 | 1991-10-12 | |
US07/816,673 US5227231A (en) | 1991-06-19 | 1992-01-03 | Electrical resistive material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3176146A JP2782288B2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 電気抵抗材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04370901A JPH04370901A (ja) | 1992-12-24 |
JP2782288B2 true JP2782288B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=16008469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3176146A Expired - Fee Related JP2782288B2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 電気抵抗材料 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5227231A (ja) |
JP (1) | JP2782288B2 (ja) |
TW (1) | TW223126B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5367179A (en) * | 1990-04-25 | 1994-11-22 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin-film transistor having electrodes made of aluminum, and an active matrix panel using same |
IL122476A0 (en) * | 1997-12-07 | 1998-06-15 | Amt Ltd | Electrical heating elements and method for producing same |
TWI426826B (zh) | 2009-11-02 | 2014-02-11 | Sunonwealth Electr Mach Ind Co | 燈具之驅動控制電路 |
WO2015005934A1 (en) | 2013-07-12 | 2015-01-15 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thermal inkjet printhead stack with amorphous metal resistor |
KR102239330B1 (ko) * | 2019-06-12 | 2021-04-12 | 엘지전자 주식회사 | 제어된 산화막을 가지는 면상 발열체 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62165302A (ja) * | 1986-01-16 | 1987-07-21 | 進工業株式会社 | 高抵抗材料 |
EP0251036B1 (en) * | 1986-06-25 | 1991-05-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermal head |
JPH0287501A (ja) * | 1988-09-24 | 1990-03-28 | Susumu Kogyo Kk | 電気抵抗材料 |
-
1991
- 1991-06-19 JP JP3176146A patent/JP2782288B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-10-12 TW TW080108053A patent/TW223126B/zh not_active IP Right Cessation
-
1992
- 1992-01-03 US US07/816,673 patent/US5227231A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW223126B (ja) | 1994-05-01 |
JPH04370901A (ja) | 1992-12-24 |
US5227231A (en) | 1993-07-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3642449B2 (ja) | Cr−N基歪抵抗膜およびその製造法ならびに歪センサ | |
JP5477670B2 (ja) | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ | |
US4414274A (en) | Thin film electrical resistors and process of producing the same | |
US3899407A (en) | Method of producing thin film devices of doped vanadium oxide material | |
US4063211A (en) | Method for manufacturing stable metal thin film resistors comprising sputtered alloy of tantalum and silicon and product resulting therefrom | |
Van Den Broek et al. | Metal film precision resistors: resistive metal films and a new resistor concept | |
JP2782288B2 (ja) | 電気抵抗材料 | |
JPS5955001A (ja) | 抵抗およびその製造方法 | |
EP0227183A2 (en) | Thin film capacitors and method of making the same | |
Hur et al. | Effect of the deposition temperature on temperature coefficient of resistance in CuNi thin film resistors | |
JPH044721B2 (ja) | ||
JP2003258333A (ja) | 磁気抵抗比の温度係数が小さい磁気抵抗膜 | |
JP3852446B2 (ja) | 抵抗薄膜材料およびこれを用いた抵抗薄膜の製造方法 | |
JPH044722B2 (ja) | ||
JPH06213613A (ja) | 歪抵抗材料およびその製造方法および薄膜歪センサ | |
JPH0287501A (ja) | 電気抵抗材料 | |
JP4042714B2 (ja) | 金属抵抗体材料、スパッタリングターゲットおよび抵抗薄膜 | |
JPH0640522B2 (ja) | 薄膜抵抗体 | |
JPS63261804A (ja) | 金属薄膜の抵抗温度係数調整方法 | |
JP2000182803A (ja) | 薄膜抵抗器およびその製造方法 | |
JPS5845163B2 (ja) | 抵抗器の製造法 | |
JPS6292404A (ja) | 薄膜抵抗体 | |
JPS63229802A (ja) | 非晶質2元合金薄膜抵抗体の製造方法 | |
JPH03105901A (ja) | 薄膜抵抗体とその製造法 | |
JPS6337602A (ja) | 薄膜抵抗体の製作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080522 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090522 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090522 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100522 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100522 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110522 Year of fee payment: 13 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |