JPH06202154A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH06202154A JPH06202154A JP34920292A JP34920292A JPH06202154A JP H06202154 A JPH06202154 A JP H06202154A JP 34920292 A JP34920292 A JP 34920292A JP 34920292 A JP34920292 A JP 34920292A JP H06202154 A JPH06202154 A JP H06202154A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid crystal
- display device
- crystal display
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133526—Lenses, e.g. microlenses or Fresnel lenses
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光利用効率が高くかつ生産するときの精度に
優れる。 【構成】 厚さ 5μm 以下の半導体酸化物層と該半導体
酸化物層上にマトリックス状に配置された半導体能動素
子と該半導体能動素子に電気的に接続された画素電極と
を備えたマトリックスアレイ基板と該マトリックスアレ
イ基板に接着層を介して接着されたマイクロレンズ基板
とを有する第 1の基板と、マトリックスアレイ基板の画
素電極に対向する位置に対向電極を備えた対向基板とを
第 1の基板の画素電極側と対向基板の対向電極側とを狭
間隙を有して対向させ、その間に液晶組成物を挟持す
る。
優れる。 【構成】 厚さ 5μm 以下の半導体酸化物層と該半導体
酸化物層上にマトリックス状に配置された半導体能動素
子と該半導体能動素子に電気的に接続された画素電極と
を備えたマトリックスアレイ基板と該マトリックスアレ
イ基板に接着層を介して接着されたマイクロレンズ基板
とを有する第 1の基板と、マトリックスアレイ基板の画
素電極に対向する位置に対向電極を備えた対向基板とを
第 1の基板の画素電極側と対向基板の対向電極側とを狭
間隙を有して対向させ、その間に液晶組成物を挟持す
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関し、と
くに光透過率を向上させることのできる投射型液晶表示
装置に関する。
くに光透過率を向上させることのできる投射型液晶表示
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶表示装置は、薄型、低消費電
力等の特徴を活かして、テレビあるいはグラフィックデ
ィスプレイなどの表示素子として多用されている。なか
でも、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;以
下、TFTと略称)を半導体能動素子の一つであるスイ
ッチング素子として用い、これに接続された画素電極を
有し、さらに走査線および信号線が配設されたマトリッ
クスアレイ基板と、これに対向して配置される対向電極
が形成された対向基板と、これら基板間に挟持される液
晶組成物とからその主要部分が構成されているアクティ
ブマトリックス型液晶表示装置は、高速応答性に優れ、
高精細化に適しており、ディスプレイ画面の高画質化、
大型化、カラー画像化を実現するものとして期待されて
いる。とくに、アクティブマトリックス型液晶表示装置
を用いてスクリーン上に100インチ程度のカラー大画面
を達成する投射型液晶表示装置の研究開発が進められて
いる。
力等の特徴を活かして、テレビあるいはグラフィックデ
ィスプレイなどの表示素子として多用されている。なか
でも、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;以
下、TFTと略称)を半導体能動素子の一つであるスイ
ッチング素子として用い、これに接続された画素電極を
有し、さらに走査線および信号線が配設されたマトリッ
クスアレイ基板と、これに対向して配置される対向電極
が形成された対向基板と、これら基板間に挟持される液
晶組成物とからその主要部分が構成されているアクティ
ブマトリックス型液晶表示装置は、高速応答性に優れ、
高精細化に適しており、ディスプレイ画面の高画質化、
大型化、カラー画像化を実現するものとして期待されて
いる。とくに、アクティブマトリックス型液晶表示装置
を用いてスクリーン上に100インチ程度のカラー大画面
を達成する投射型液晶表示装置の研究開発が進められて
いる。
【0003】従来、このような投射型液晶表示装置は、
光源の光を赤、青、緑の 3原色に分離し、それぞれの色
の光をそれぞれの色に対応した 3枚の液晶表示装置に入
射して透過してきた光を再び合成して投影画像とする方
式が多用されている。この際、液晶材料にツイストネマ
ティック型(TN型)液晶を用いると偏光板により透過
率が減少するとともに、高精細化による画素サイズの微
細化に伴う開口率の減少等により投影画像が暗いという
問題があった。これに対して、マイクロレンズ方式が特
開平 4-30140号公報に開示されている。このマイクロレ
ンズを用いた従来の液晶表示装置の断面図を図6に示
す。二次元上に配置されたマイクロレンズ基板101を
透明基板201側に貼合わせ対向基板200として通常
遮光層402に到達する光もマイクロレンズを用いて開
口部を透過させ、光透過率を向上させることが考えられ
ている。図6において、300は液晶組成物、400は
TFT基板、401はTFTおよびバスライン部、10
9は画素電極を表す。
光源の光を赤、青、緑の 3原色に分離し、それぞれの色
の光をそれぞれの色に対応した 3枚の液晶表示装置に入
射して透過してきた光を再び合成して投影画像とする方
式が多用されている。この際、液晶材料にツイストネマ
ティック型(TN型)液晶を用いると偏光板により透過
率が減少するとともに、高精細化による画素サイズの微
細化に伴う開口率の減少等により投影画像が暗いという
問題があった。これに対して、マイクロレンズ方式が特
開平 4-30140号公報に開示されている。このマイクロレ
ンズを用いた従来の液晶表示装置の断面図を図6に示
す。二次元上に配置されたマイクロレンズ基板101を
透明基板201側に貼合わせ対向基板200として通常
遮光層402に到達する光もマイクロレンズを用いて開
口部を透過させ、光透過率を向上させることが考えられ
ている。図6において、300は液晶組成物、400は
TFT基板、401はTFTおよびバスライン部、10
9は画素電極を表す。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
マイクロレンズを用いた投射型液晶表示装置にはつぎの
ような問題がある。マイクロレンズによる光利用効率は
基板厚さが薄いほど程効果が大きい。このため、マイク
ロレンズ基板上に直接マトリックス配線を形成すること
が考えられるが、マイクロレンズ基板が樹脂製の場合は
マトリックス配線形成時に損傷したり、また選択的イオ
ン交換法によるマイクロレンズ基板にあってはレンズ変
形が生じやすくなる等の問題がある。
マイクロレンズを用いた投射型液晶表示装置にはつぎの
ような問題がある。マイクロレンズによる光利用効率は
基板厚さが薄いほど程効果が大きい。このため、マイク
ロレンズ基板上に直接マトリックス配線を形成すること
が考えられるが、マイクロレンズ基板が樹脂製の場合は
マトリックス配線形成時に損傷したり、また選択的イオ
ン交換法によるマイクロレンズ基板にあってはレンズ変
形が生じやすくなる等の問題がある。
【0005】また、種々のマイクロレンズの製作方法が
提案されているが、最も精度がよく、かつ量産的である
選択的イオン交換法が一般的である。しかし、ガラス上
に所望のイオンを拡散・置換することにより所望の屈折
率を有するマイクロレンズを形成する選択的イオン交換
法は、ガラスが種々の金属イオンを含んでいること、石
英基板の 100〜200 倍の熱膨脹係数を有すること等のた
め、対向基板側に貼りつけると対向基板とTFTを形成
した基板との間で位置ずれが生じてしまうとの問題があ
る。
提案されているが、最も精度がよく、かつ量産的である
選択的イオン交換法が一般的である。しかし、ガラス上
に所望のイオンを拡散・置換することにより所望の屈折
率を有するマイクロレンズを形成する選択的イオン交換
法は、ガラスが種々の金属イオンを含んでいること、石
英基板の 100〜200 倍の熱膨脹係数を有すること等のた
め、対向基板側に貼りつけると対向基板とTFTを形成
した基板との間で位置ずれが生じてしまうとの問題があ
る。
【0006】さらに、投射型液晶表示装置の光学系では
マイクロレンズに入射する光が完全平行光ではなく±1
〜±5 °程度の入射角を有するため、光透過率の効率が
思ったほど向上しない。とくに画素サイズが小さくなれ
ばなるほどこの傾向が強くなるとの問題がある。
マイクロレンズに入射する光が完全平行光ではなく±1
〜±5 °程度の入射角を有するため、光透過率の効率が
思ったほど向上しない。とくに画素サイズが小さくなれ
ばなるほどこの傾向が強くなるとの問題がある。
【0007】一方、高速応答性、高精細化を目的とする
アクティブマトリックス型液晶表示装置にはつぎのよう
な問題がある。表示画面の高精細化に対応するため、T
FTの活性層はアモルファスシリコンでなく多結晶シリ
コンを通常使用する。しかし多結晶シリコンは熱処理な
どの関係でTFT基板として石英基板を必要とする。こ
のため、高輝度光源による温度上昇が 30 〜 40 ℃もあ
る投射型液晶表示装置においては、対向基板も石英基板
とほぼ同じ熱膨脹係数を持つ基板を使用しないと、熱膨
脹係数の相違により上下の基板間で位置ずれが生じてし
まうとの問題がある。
アクティブマトリックス型液晶表示装置にはつぎのよう
な問題がある。表示画面の高精細化に対応するため、T
FTの活性層はアモルファスシリコンでなく多結晶シリ
コンを通常使用する。しかし多結晶シリコンは熱処理な
どの関係でTFT基板として石英基板を必要とする。こ
のため、高輝度光源による温度上昇が 30 〜 40 ℃もあ
る投射型液晶表示装置においては、対向基板も石英基板
とほぼ同じ熱膨脹係数を持つ基板を使用しないと、熱膨
脹係数の相違により上下の基板間で位置ずれが生じてし
まうとの問題がある。
【0008】また、高精細化による画素数の増加にとも
なって走査線および信号線の本数が著しく増加すると、
それらを駆動回路と接続することが容易ではなくなる。
さらにその駆動スピードを向上させることも必要である
ことから、駆動回路をマトリックスアレイ基板上にTF
Tとして形成する駆動回路一体型液晶表示装置が知られ
ている。しかしガラスあるいは石英などの透明絶縁基板
上に半導体材料を用いてTFTを形成すると、製造工程
中の高温工程において両者間の熱膨張係数の差による応
力が集中し、その結果TFTに電極剥離不良や走査線な
どの配線に断線不良が発生するという問題がある。
なって走査線および信号線の本数が著しく増加すると、
それらを駆動回路と接続することが容易ではなくなる。
さらにその駆動スピードを向上させることも必要である
ことから、駆動回路をマトリックスアレイ基板上にTF
Tとして形成する駆動回路一体型液晶表示装置が知られ
ている。しかしガラスあるいは石英などの透明絶縁基板
上に半導体材料を用いてTFTを形成すると、製造工程
中の高温工程において両者間の熱膨張係数の差による応
力が集中し、その結果TFTに電極剥離不良や走査線な
どの配線に断線不良が発生するという問題がある。
【0009】さらに、前述のような駆動スピードを向上
させるためには、TFTを単結晶シリコン基板から形成
することが考えられるが、このような単結晶シリコンは
通常は非透光性であるため、光透過型の液晶表示装置に
用いることは困難であるという問題がある。
させるためには、TFTを単結晶シリコン基板から形成
することが考えられるが、このような単結晶シリコンは
通常は非透光性であるため、光透過型の液晶表示装置に
用いることは困難であるという問題がある。
【0010】また、従来はブラックマトリックスと呼ば
れる遮光膜を対向基板側に設けていたが、前述のような
画面の高精細化や画素の微細化等が進むにつれてその寸
法精度や画素領域に対する位置合わせなどをより高精度
化する必要があり、これを満たすべく前記の遮光膜をマ
トリックスアレイ基板側に設けることが考えられてい
る。しかしこの遮光膜を例えばクロム(Cr)のような
金属からなる膜でTFTの下層に形成することは、金属
元素のTFTの活性層へのいわゆるマイグレーションと
呼ばれる不純物混入や、TFT形成の際の高温プロセス
による遮光膜の金属の酸化などのため、実際上ほぼ不可
能であるという問題がある。
れる遮光膜を対向基板側に設けていたが、前述のような
画面の高精細化や画素の微細化等が進むにつれてその寸
法精度や画素領域に対する位置合わせなどをより高精度
化する必要があり、これを満たすべく前記の遮光膜をマ
トリックスアレイ基板側に設けることが考えられてい
る。しかしこの遮光膜を例えばクロム(Cr)のような
金属からなる膜でTFTの下層に形成することは、金属
元素のTFTの活性層へのいわゆるマイグレーションと
呼ばれる不純物混入や、TFT形成の際の高温プロセス
による遮光膜の金属の酸化などのため、実際上ほぼ不可
能であるという問題がある。
【0011】本発明は、このような問題に対処するため
になされたもので、画素サイズが微細化しても光利用効
率が高いため明るい投射画像を得ることができ、かつ生
産するときの精度に優れた駆動回路一体型の投射型液晶
表示装置を提供することを目的とする。
になされたもので、画素サイズが微細化しても光利用効
率が高いため明るい投射画像を得ることができ、かつ生
産するときの精度に優れた駆動回路一体型の投射型液晶
表示装置を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、光透過性の半導体酸化物層と該半導体酸化物層上に
マトリックス状に配置された半導体能動素子と該半導体
能動素子に電気的に接続された画素電極とを備えたマト
リックスアレイ基板と該マトリックスアレイ基板に接着
層を介して接着されたマイクロレンズ基板とを有する第
1の基板と、マトリックスアレイ基板の画素電極に対向
する位置に対向電極を備えた対向基板とを第 1の基板の
画素電極側と対向基板の対向電極側とを狭間隙を有して
対向させ、その間に液晶組成物を挟持してなることを特
徴とする。
は、光透過性の半導体酸化物層と該半導体酸化物層上に
マトリックス状に配置された半導体能動素子と該半導体
能動素子に電気的に接続された画素電極とを備えたマト
リックスアレイ基板と該マトリックスアレイ基板に接着
層を介して接着されたマイクロレンズ基板とを有する第
1の基板と、マトリックスアレイ基板の画素電極に対向
する位置に対向電極を備えた対向基板とを第 1の基板の
画素電極側と対向基板の対向電極側とを狭間隙を有して
対向させ、その間に液晶組成物を挟持してなることを特
徴とする。
【0013】本発明に係わる半導体酸化物層は、単結晶
半導体層を酸化して得られる。本発明で使用できる半導
体単結晶は、半導体の酸化物層が透光性を有するもので
あれば、単一元素または化合物の単結晶を使用すること
ができる。単一元素としてはシリコン(Si)やゲルマニ
ウム(Ge)等、化合物としてはガリウム砒素(GaAs)や
インジウム燐(InP )等が例示される。これらの中で製
造性に優れた単結晶シリコンが本発明の液晶表示装置に
とくに好ましい。酸化物層は、酸素や水蒸気などの酸化
性雰囲気中で単結晶半導体層を処理することにより得ら
れる。光透過率の効率を維持する必要があるため、この
ような酸化物層の厚みは 5μm 以下が好適である。
半導体層を酸化して得られる。本発明で使用できる半導
体単結晶は、半導体の酸化物層が透光性を有するもので
あれば、単一元素または化合物の単結晶を使用すること
ができる。単一元素としてはシリコン(Si)やゲルマニ
ウム(Ge)等、化合物としてはガリウム砒素(GaAs)や
インジウム燐(InP )等が例示される。これらの中で製
造性に優れた単結晶シリコンが本発明の液晶表示装置に
とくに好ましい。酸化物層は、酸素や水蒸気などの酸化
性雰囲気中で単結晶半導体層を処理することにより得ら
れる。光透過率の効率を維持する必要があるため、この
ような酸化物層の厚みは 5μm 以下が好適である。
【0014】また、本発明に係わる半導体能動素子は、
上述の酸化物層上に形成された活性層上に形成配置され
る。活性層としては単結晶、多結晶、非晶質半導体が使
用できる。これらのなかでも、単結晶シリコン、多結晶
シリコン、非晶質シリコンが好ましく、とくに単結晶シ
リコンが好ましい。なお、半導体能動素子とは、各画素
電極毎に使用されているスイッチイング用トランジスタ
や画素電極を駆動するための駆動回路用トランジスタ等
をいう。
上述の酸化物層上に形成された活性層上に形成配置され
る。活性層としては単結晶、多結晶、非晶質半導体が使
用できる。これらのなかでも、単結晶シリコン、多結晶
シリコン、非晶質シリコンが好ましく、とくに単結晶シ
リコンが好ましい。なお、半導体能動素子とは、各画素
電極毎に使用されているスイッチイング用トランジスタ
や画素電極を駆動するための駆動回路用トランジスタ等
をいう。
【0015】上述の半導体能動素子および画素電極を半
導体酸化物層上にマトリックス状に配置してマトリック
スアレイ基板を形成する。画素電極は酸化物層上にあれ
ば半導体能動素子と同一面でも、反対側の面でもよい。
導体酸化物層上にマトリックス状に配置してマトリック
スアレイ基板を形成する。画素電極は酸化物層上にあれ
ば半導体能動素子と同一面でも、反対側の面でもよい。
【0016】本発明に係わるマイクロレンズ基板は、ガ
ラスに所望のイオンを拡散・置換することにより所望の
屈折率を有するマイクロレンズを形成する選択的イオン
交換法、ガラス等を成型する方法、フォトリソグラフィ
技術を利用してレンズを形成する方法等で作製すること
ができる。これらのなかで厚さが均一でかつ薄いマイク
ロレンズ基板が得られる、選択的イオン交換法が好まし
い。
ラスに所望のイオンを拡散・置換することにより所望の
屈折率を有するマイクロレンズを形成する選択的イオン
交換法、ガラス等を成型する方法、フォトリソグラフィ
技術を利用してレンズを形成する方法等で作製すること
ができる。これらのなかで厚さが均一でかつ薄いマイク
ロレンズ基板が得られる、選択的イオン交換法が好まし
い。
【0017】マイクロレンズから液晶組成物までの距離
をパラメーターにして入射光の広がり角と光透過率の効
率との関係を図5に示す。なお、図5は画素サイズを6
3.5μm 角、画素内の開口サイズを40μm 角、波長は 55
0nmで計算した。図5より、投射型液晶表示装置におい
て±1 〜±5 °程度の入射光の広がり角を有している場
合においてマイクロレンズから液晶組成物までの距離が
1.1mm になると光透過率の効率が急激に低下することが
わかる。すなわち、図6に示すような従来例で対向基板
厚を1.1mm ともすると十分な効率は得られなくなる。ま
た、この図からマイクロレンズの焦点距離およびマイク
ロレンズ基板に対する接着作業性等を考慮すると0.1mm
〜0.7mm の厚さの透光性基板をマイクロレンズ基板とマ
トリックスアレイ基板との間に介在させてもよい。
をパラメーターにして入射光の広がり角と光透過率の効
率との関係を図5に示す。なお、図5は画素サイズを6
3.5μm 角、画素内の開口サイズを40μm 角、波長は 55
0nmで計算した。図5より、投射型液晶表示装置におい
て±1 〜±5 °程度の入射光の広がり角を有している場
合においてマイクロレンズから液晶組成物までの距離が
1.1mm になると光透過率の効率が急激に低下することが
わかる。すなわち、図6に示すような従来例で対向基板
厚を1.1mm ともすると十分な効率は得られなくなる。ま
た、この図からマイクロレンズの焦点距離およびマイク
ロレンズ基板に対する接着作業性等を考慮すると0.1mm
〜0.7mm の厚さの透光性基板をマイクロレンズ基板とマ
トリックスアレイ基板との間に介在させてもよい。
【0018】本発明の液晶表示装置を形成する第 1の基
板は、前述のマイクロレンズ基板とマトリックスアレイ
基板とを接着層を介して接着して形成されるが、その
際、半導体能動素子を保護する位置に遮光層を配置する
ことが好ましい。半導体能動素子を保護する位置とは、
マイクロレンズ基板とマトリックスアレイ基板との間お
よび/または半導体能動素子の対向基板側上部であっ
て、半導体能動素子が光源の光によって直接照射される
位置をいう。
板は、前述のマイクロレンズ基板とマトリックスアレイ
基板とを接着層を介して接着して形成されるが、その
際、半導体能動素子を保護する位置に遮光層を配置する
ことが好ましい。半導体能動素子を保護する位置とは、
マイクロレンズ基板とマトリックスアレイ基板との間お
よび/または半導体能動素子の対向基板側上部であっ
て、半導体能動素子が光源の光によって直接照射される
位置をいう。
【0019】本発明の液晶表示装置はこの第 1の基板と
対向基板との間に液晶組成物を挟持してなるが、投射型
として使用する場合の光源が第 1の基板側に配置されて
いることを特徴とする。これにより対向基板との位置ず
れを防止することができる。
対向基板との間に液晶組成物を挟持してなるが、投射型
として使用する場合の光源が第 1の基板側に配置されて
いることを特徴とする。これにより対向基板との位置ず
れを防止することができる。
【0020】本発明の液晶表示装置の製造方法の一例を
以下に説明する。単結晶シリコン基板の表面を酸化して
酸化シリコンからなる厚さ 5μm 以下の透明な半導体酸
化物層を形成し、この酸化物層上に単結晶シリコン膜を
活性層としてスイッチイング用トランジスタや駆動回路
用トランジスタ等を形成配置する。なお、透明な半導体
酸化物層を形成するためには、その材質にもよるが膜厚
を5μm 以下程度にすれば良い。
以下に説明する。単結晶シリコン基板の表面を酸化して
酸化シリコンからなる厚さ 5μm 以下の透明な半導体酸
化物層を形成し、この酸化物層上に単結晶シリコン膜を
活性層としてスイッチイング用トランジスタや駆動回路
用トランジスタ等を形成配置する。なお、透明な半導体
酸化物層を形成するためには、その材質にもよるが膜厚
を5μm 以下程度にすれば良い。
【0021】つぎに、酸化物層の下部にある単結晶シリ
コン基板を研磨または食刻して削除する。なお、単結晶
シリコン基板の研磨又は食刻の深さは、基板を削除して
薄くしていき、その光透過率が表示に適した値になるま
でとすることもできる。たとえば通常の単結晶シリコン
基板においては、その残った厚さが数100 オングストロ
ーム程度になって光透過率が良好になるまで研磨又は食
刻する。また、半導体基板を研磨又は食刻する際に、補
強のために半導体基板の第 1主面側に仮支持基板を溶解
が容易な接着剤で仮設し、半導体基板に研磨又は食刻を
施した後に接着剤を溶解してその仮支持基板を取り去る
ようにしてもよい。もちろん研磨装置などに半導体基板
を固定するなどして仮支持基板を省略することもでき
る。
コン基板を研磨または食刻して削除する。なお、単結晶
シリコン基板の研磨又は食刻の深さは、基板を削除して
薄くしていき、その光透過率が表示に適した値になるま
でとすることもできる。たとえば通常の単結晶シリコン
基板においては、その残った厚さが数100 オングストロ
ーム程度になって光透過率が良好になるまで研磨又は食
刻する。また、半導体基板を研磨又は食刻する際に、補
強のために半導体基板の第 1主面側に仮支持基板を溶解
が容易な接着剤で仮設し、半導体基板に研磨又は食刻を
施した後に接着剤を溶解してその仮支持基板を取り去る
ようにしてもよい。もちろん研磨装置などに半導体基板
を固定するなどして仮支持基板を省略することもでき
る。
【0022】第 1の基板は、上述の単結晶シリコン基板
を削除したシート状基板と、予めマイクロレンズを形成
してあるマイクロレンズ基板を接着層を介して接着して
も良く、またマイクロレンズが0.1mm 〜0.7mm の透明基
板に予め接着されたものを接着層を介して接着しても良
い。接着層は透光性があり、耐熱性の優れた接着剤で形
成される。好ましい接着剤としてはエポキシ系が挙げら
れる。接着する際、TFTとマイクロレンズ基板との間
に遮光層を設ける。遮光層としては、クロム(Cr)な
どの金属を使用することができる。そして、対向基板を
配置して液晶表示装置を作製するが、この際対向基板は
マイクロレンズ基板と同じ材料またはマイクロレンズ基
板と同程度の熱膨脹係数を有する材料を使用する。たと
えば、ガラス製のマイクロレンズ基板を使用した場合、
対向基板もガラス製基板とする。
を削除したシート状基板と、予めマイクロレンズを形成
してあるマイクロレンズ基板を接着層を介して接着して
も良く、またマイクロレンズが0.1mm 〜0.7mm の透明基
板に予め接着されたものを接着層を介して接着しても良
い。接着層は透光性があり、耐熱性の優れた接着剤で形
成される。好ましい接着剤としてはエポキシ系が挙げら
れる。接着する際、TFTとマイクロレンズ基板との間
に遮光層を設ける。遮光層としては、クロム(Cr)な
どの金属を使用することができる。そして、対向基板を
配置して液晶表示装置を作製するが、この際対向基板は
マイクロレンズ基板と同じ材料またはマイクロレンズ基
板と同程度の熱膨脹係数を有する材料を使用する。たと
えば、ガラス製のマイクロレンズ基板を使用した場合、
対向基板もガラス製基板とする。
【0023】
【作用】光透過性の半導体酸化物層上にマトリックス状
に形成された半導体能動素子等からなるマトリックスア
レイ基板とマイクロレンズ基板とを接着層を介して接着
すると第 1の基板を薄くすることができ、光効率を向上
させることができる。また、マイクロレンズ基板と半導
体酸化物層との間に遮光層を設けるので遮光層の位置合
わせも容易にでき、さらに温度上昇に伴う位置づれも防
げる。したがって、開口率が同一であっても1.5 〜2.0
倍の光効率向上が図れる。さらに、TFT形成の際の高
温プロセスによる酸化やその金属元素のマイグレーショ
ンなどに煩わされることなく遮光膜を形成できるので、
TFTの光リーク電流などを防止することができる。
に形成された半導体能動素子等からなるマトリックスア
レイ基板とマイクロレンズ基板とを接着層を介して接着
すると第 1の基板を薄くすることができ、光効率を向上
させることができる。また、マイクロレンズ基板と半導
体酸化物層との間に遮光層を設けるので遮光層の位置合
わせも容易にでき、さらに温度上昇に伴う位置づれも防
げる。したがって、開口率が同一であっても1.5 〜2.0
倍の光効率向上が図れる。さらに、TFT形成の際の高
温プロセスによる酸化やその金属元素のマイグレーショ
ンなどに煩わされることなく遮光膜を形成できるので、
TFTの光リーク電流などを防止することができる。
【0024】また、マトリックスアレイ基板は半導体基
板上に直接TFTを形成するので、熱膨脹係数の差に起
因するTFTの破壊や走査線などの断線不良の発生を避
けることができる。
板上に直接TFTを形成するので、熱膨脹係数の差に起
因するTFTの破壊や走査線などの断線不良の発生を避
けることができる。
【0025】さらに、液晶表示装置を例えば投射型とし
て用いる場合などには、半導体酸化物層基板にダイクロ
イックフィルタ層を形成することにより、光学系全体の
小型化や、部品取付工程の簡略化、液晶表示装置の空気
冷却の効率向上等を図ることができる。
て用いる場合などには、半導体酸化物層基板にダイクロ
イックフィルタ層を形成することにより、光学系全体の
小型化や、部品取付工程の簡略化、液晶表示装置の空気
冷却の効率向上等を図ることができる。
【0026】
【実施例】以下、本発明の液晶表示装置を、図面に基づ
いて詳細に説明する。 実施例1 図1は、本発明の液晶表示装置の構造を示す概略断面図
である。また図2および図3は第 1の基板100の製造
工程を示す図である。
いて詳細に説明する。 実施例1 図1は、本発明の液晶表示装置の構造を示す概略断面図
である。また図2および図3は第 1の基板100の製造
工程を示す図である。
【0027】図2および図3を用いて実施例1の液晶表
示装置の第 1の基板100の製造工程を説明する。ま
ず、図2(a)に示すように、単結晶シリコン基板11
の第一主面を熱酸化して厚さ約 1μmの酸化膜107を
形成し、さらにこの透明な酸化膜107上に単結晶シリ
コン膜13を積層形成する。
示装置の第 1の基板100の製造工程を説明する。ま
ず、図2(a)に示すように、単結晶シリコン基板11
の第一主面を熱酸化して厚さ約 1μmの酸化膜107を
形成し、さらにこの透明な酸化膜107上に単結晶シリ
コン膜13を積層形成する。
【0028】この単結晶シリコン基板11以外にも半導
体基板の材料としては、シリコン基板を種としたSOI
基板、もしくはゾーンメルティング法やSIMOX法で
形成した基板、シリコン基板を貼合わせ研磨したもの等
を用いることもできる。
体基板の材料としては、シリコン基板を種としたSOI
基板、もしくはゾーンメルティング法やSIMOX法で
形成した基板、シリコン基板を貼合わせ研磨したもの等
を用いることもできる。
【0029】つぎに図2(b)に示すように、単結晶シ
リコン膜13を半導体能動素子が形成される部分を避け
て厚さ2000オングストロームにわたってLOCOS法に
より酸化してLOCOS酸化膜125を形成し、このL
OCOS酸化膜125によって、各TFTの活性層12
3となるべき単結晶シリコン膜13を一素子ごとに素子
分離する。
リコン膜13を半導体能動素子が形成される部分を避け
て厚さ2000オングストロームにわたってLOCOS法に
より酸化してLOCOS酸化膜125を形成し、このL
OCOS酸化膜125によって、各TFTの活性層12
3となるべき単結晶シリコン膜13を一素子ごとに素子
分離する。
【0030】そして、図2(c)に示すように、素子分
離された部分の単結晶シリコン膜13を後工程で活性層
123とすべく用いて、その上に補助容量の誘電体とし
ても用いられるゲート絶縁膜137を形成する。このゲ
ート絶縁膜137は前記の単結晶シリコン膜13の表面
を熱酸化して形成する。その後、補助容量の下部電極と
なる部分に 5×10-13 /cm2 程度のリン(P)を不純
物としてイオン注入し、その低抵抗化を行なう。このと
き不純物濃度が高すぎると熱酸化速度が急増してゲート
絶縁膜137の厚さにばらつきが生じてしまうので、イ
オン注入は上記のドーズ量程度以下に抑えることが望ま
しい。
離された部分の単結晶シリコン膜13を後工程で活性層
123とすべく用いて、その上に補助容量の誘電体とし
ても用いられるゲート絶縁膜137を形成する。このゲ
ート絶縁膜137は前記の単結晶シリコン膜13の表面
を熱酸化して形成する。その後、補助容量の下部電極と
なる部分に 5×10-13 /cm2 程度のリン(P)を不純
物としてイオン注入し、その低抵抗化を行なう。このと
き不純物濃度が高すぎると熱酸化速度が急増してゲート
絶縁膜137の厚さにばらつきが生じてしまうので、イ
オン注入は上記のドーズ量程度以下に抑えることが望ま
しい。
【0031】つぎに走査線およびこれと一体形成のゲー
ト電極115を不純物が添加された低抵抗な多結晶シリ
コン膜から形成する。そしてゲート電極115をセルフ
アラインマスクとして用いて活性層123を形成したい
部分の単結晶シリコン膜13にイオン注入を行ない、チ
ャネル領域135、ソース領域127、ドレイン領域1
31を形成して活性層123とし、TFTを構成する。
この実施例1では走査線およびこれと一体形成のゲート
電極115を不純物が添加された多結晶シリコン膜から
形成したが、この他にも不純物添加の多結晶シリコンと
WSix もしくはMoSix のようなシリサイドとの 2
層構造としてもよく、あるいはタングステン(W)やモ
リブデン(Mo)のような金属から形成してもよい。
ト電極115を不純物が添加された低抵抗な多結晶シリ
コン膜から形成する。そしてゲート電極115をセルフ
アラインマスクとして用いて活性層123を形成したい
部分の単結晶シリコン膜13にイオン注入を行ない、チ
ャネル領域135、ソース領域127、ドレイン領域1
31を形成して活性層123とし、TFTを構成する。
この実施例1では走査線およびこれと一体形成のゲート
電極115を不純物が添加された多結晶シリコン膜から
形成したが、この他にも不純物添加の多結晶シリコンと
WSix もしくはMoSix のようなシリサイドとの 2
層構造としてもよく、あるいはタングステン(W)やモ
リブデン(Mo)のような金属から形成してもよい。
【0032】つぎに、図2(d)に示すように、ゲート
絶縁膜137上に不純物が添加された低抵抗な多結晶シ
リコン膜によって補助容量の上部電極139を形成した
後、第 1の層間絶縁膜129を形成する。そして第 1の
層間絶縁膜129およびゲート絶縁膜137にコンタク
トホールを穿設し、そのコンタクトホールを通してソー
ス領域127に接続するアルミニウム(Al)からなる
信号線117、ドレイン領域131にコンタクトホール
を通して接続し画素電極109との接続を行なうための
アルミニウム(Al)からなるドレイン電極133を形
成する。
絶縁膜137上に不純物が添加された低抵抗な多結晶シ
リコン膜によって補助容量の上部電極139を形成した
後、第 1の層間絶縁膜129を形成する。そして第 1の
層間絶縁膜129およびゲート絶縁膜137にコンタク
トホールを穿設し、そのコンタクトホールを通してソー
ス領域127に接続するアルミニウム(Al)からなる
信号線117、ドレイン領域131にコンタクトホール
を通して接続し画素電極109との接続を行なうための
アルミニウム(Al)からなるドレイン電極133を形
成する。
【0033】そして、図2(e)に示すように、第 2の
層間絶縁膜141を形成し、この上にTFTの遮光およ
び隣接画素領域の分離のためのクロム(Cr)からなる
第 1の遮光膜111を形成する。続いて、第 3の層間絶
縁膜143を形成し、ドレイン電極133に接続される
ITOからなる画素電極109を形成し、この上に接着
剤15を介して支持用仮設基板17を一旦貼着する。こ
のとき用いる接着剤15は、工程終了後に溶液で容易に
溶解し除去することができるようなものであることが望
ましい。
層間絶縁膜141を形成し、この上にTFTの遮光およ
び隣接画素領域の分離のためのクロム(Cr)からなる
第 1の遮光膜111を形成する。続いて、第 3の層間絶
縁膜143を形成し、ドレイン電極133に接続される
ITOからなる画素電極109を形成し、この上に接着
剤15を介して支持用仮設基板17を一旦貼着する。こ
のとき用いる接着剤15は、工程終了後に溶液で容易に
溶解し除去することができるようなものであることが望
ましい。
【0034】そして、支持用仮設基板17を支持して単
結晶シリコン基板11を第 2主面から研磨または食刻し
て削除する。このとき削除するのは単結晶シリコン基板
11の透光性の低い単結晶シリコンの部分だけであり、
その単結晶シリコン基板11の第 1主面側に形成された
酸化膜107や活性層123などは削除しない。そこで
例えば食刻、いわゆるエッチングにより除去する場合に
は、単結晶シリコン基板11の単結晶シリコン部分だけ
が選択的にエッチングされ、かつ酸化膜107などはエ
ッチングされないように、エッチャントやエッチング時
間などを調節する。あるいは単結晶シリコン基板11の
単結晶シリコン部分は、必ずしも全部の厚さにわたって
削除しなければならないことには限定しない。単結晶シ
リコン基板11の第 2主面側から単結晶シリコン部分の
削除を進めてゆき、第 1主面の酸化膜107に至る少し
前に削除を止めて、単結晶シリコン部分を数10〜数 100
オングストローム程度の厚さに残してもよい。このよう
に薄い単結晶シリコン膜ならば透過型の液晶表示装置の
画素として実効上十分な透光性を有するからである。こ
のように研磨または食刻する深さに若干の余裕を持たせ
ておけば、酸化膜107などを余分に削除するといった
不都合を避けることもできる。
結晶シリコン基板11を第 2主面から研磨または食刻し
て削除する。このとき削除するのは単結晶シリコン基板
11の透光性の低い単結晶シリコンの部分だけであり、
その単結晶シリコン基板11の第 1主面側に形成された
酸化膜107や活性層123などは削除しない。そこで
例えば食刻、いわゆるエッチングにより除去する場合に
は、単結晶シリコン基板11の単結晶シリコン部分だけ
が選択的にエッチングされ、かつ酸化膜107などはエ
ッチングされないように、エッチャントやエッチング時
間などを調節する。あるいは単結晶シリコン基板11の
単結晶シリコン部分は、必ずしも全部の厚さにわたって
削除しなければならないことには限定しない。単結晶シ
リコン基板11の第 2主面側から単結晶シリコン部分の
削除を進めてゆき、第 1主面の酸化膜107に至る少し
前に削除を止めて、単結晶シリコン部分を数10〜数 100
オングストローム程度の厚さに残してもよい。このよう
に薄い単結晶シリコン膜ならば透過型の液晶表示装置の
画素として実効上十分な透光性を有するからである。こ
のように研磨または食刻する深さに若干の余裕を持たせ
ておけば、酸化膜107などを余分に削除するといった
不都合を避けることもできる。
【0035】このようにして単結晶シリコン基板11を
削除した後、図3(f)に示すように露出した酸化膜1
07に対して接着層105を介して第 2の遮光膜103
が形成された透明基板102が接着されてなるマイクロ
レンズ基板101を貼着する。
削除した後、図3(f)に示すように露出した酸化膜1
07に対して接着層105を介して第 2の遮光膜103
が形成された透明基板102が接着されてなるマイクロ
レンズ基板101を貼着する。
【0036】そして、図3(g)に示すように、接着剤
15および支持用仮設基板17を除去する。そして配向
膜145をその第 1主面上に形成して第 1の基板100
を得た。
15および支持用仮設基板17を除去する。そして配向
膜145をその第 1主面上に形成して第 1の基板100
を得た。
【0037】つぎに図1に示すように、透明な基板20
1上に対向電極203を形成し、この対向電極203の
上に配向膜205を形成して、対向基板200を得る。
1上に対向電極203を形成し、この対向電極203の
上に配向膜205を形成して、対向基板200を得る。
【0038】そしてマトリックスアレイ基板100と対
向基板200とを、それぞれの配向膜145と配向膜2
05とが対向するように対向配置し、周囲を封止材で封
止して空セルを形成し、この空セルに液晶組成物300
を注入し液晶層として挟持させて、図1に示す液晶表示
装置を得た。上述の説明においては、駆動回路のTFT
の形成過程の説明はスイッチィング用TFTの形成過程
とほぼ同様であるので省略した。
向基板200とを、それぞれの配向膜145と配向膜2
05とが対向するように対向配置し、周囲を封止材で封
止して空セルを形成し、この空セルに液晶組成物300
を注入し液晶層として挟持させて、図1に示す液晶表示
装置を得た。上述の説明においては、駆動回路のTFT
の形成過程の説明はスイッチィング用TFTの形成過程
とほぼ同様であるので省略した。
【0039】上述のような製造方法によれば、導電性が
良好な単結晶シリコン膜13上に駆動回路およびスイッ
チィング用TFTを形成し、その後に透光性の低い単結
晶シリコン基板11を削除しているため、製造途中の静
電気に起因したTFTの静電破壊を避けることができ
る。
良好な単結晶シリコン膜13上に駆動回路およびスイッ
チィング用TFTを形成し、その後に透光性の低い単結
晶シリコン基板11を削除しているため、製造途中の静
電気に起因したTFTの静電破壊を避けることができ
る。
【0040】また、石英などの熱膨張係数の小さな透明
絶縁基板の上に比較的熱膨張係数の高い半導体材料でT
FTや各種配線などを形成する従来の製造方法では、熱
膨張係数の著しく異なる透明絶縁基板と半導体材料との
間に製造途中で応力が集中してTFTの破壊や電極の剥
離、配線の断線といった製造不良が生じていたものが、
本発明の製造方法によれば、製造時に用いる基板がTF
Tを形成する単結晶シリコン基板11そのものであるた
め熱膨張係数に差が小さく、熱膨張に伴う応力集中を解
消することができ、TFTの破壊や電極の剥離、配線の
断線といった製造不良を避けることができる。そして静
電破壊防止の効果とあいまって、高い製造歩留まりを実
現することができる。特に走査線などの配線の低抵抗化
のために有効な多結晶シリコンおよび金属シリサイドの
2層構造の採用に際して、WSix やMoSix などの
金属シリサイドの熱膨張係数はタングステン(W)やモ
リブデン(Mo)よりも更に 1桁程度大きいために、石
英基板上にTFTや走査線などの配線を形成する従来の
製造方法では配線に断線が生じやすいという問題があっ
たが、実施例1の製造方法によれば解決することができ
る。
絶縁基板の上に比較的熱膨張係数の高い半導体材料でT
FTや各種配線などを形成する従来の製造方法では、熱
膨張係数の著しく異なる透明絶縁基板と半導体材料との
間に製造途中で応力が集中してTFTの破壊や電極の剥
離、配線の断線といった製造不良が生じていたものが、
本発明の製造方法によれば、製造時に用いる基板がTF
Tを形成する単結晶シリコン基板11そのものであるた
め熱膨張係数に差が小さく、熱膨張に伴う応力集中を解
消することができ、TFTの破壊や電極の剥離、配線の
断線といった製造不良を避けることができる。そして静
電破壊防止の効果とあいまって、高い製造歩留まりを実
現することができる。特に走査線などの配線の低抵抗化
のために有効な多結晶シリコンおよび金属シリサイドの
2層構造の採用に際して、WSix やMoSix などの
金属シリサイドの熱膨張係数はタングステン(W)やモ
リブデン(Mo)よりも更に 1桁程度大きいために、石
英基板上にTFTや走査線などの配線を形成する従来の
製造方法では配線に断線が生じやすいという問題があっ
たが、実施例1の製造方法によれば解決することができ
る。
【0041】また、本発明によれば光透過率の低い単結
晶シリコン基板11を削除した後に、露出した酸化膜1
07の第 2主面側に、マイクロレンズ基板101を接着
しているが、TFTとは別途に第 2の遮光膜103がマ
イクロレンズ基板101の透明基板102に形成されて
いるので、TFTを形成する際の高温プロセスによる遮
光膜の酸化やその金属元素のマイグレーションなどに煩
わされることなく、第2の遮光膜103をTFTの直下
に配置することができる。したがってTFTの光リーク
電流の問題を解消することができ、また画素などの微細
化に伴なう遮光膜の位置合わせの困難さに起因した画素
部開口率の低さの問題を解消して開口率を向上すること
ができる。
晶シリコン基板11を削除した後に、露出した酸化膜1
07の第 2主面側に、マイクロレンズ基板101を接着
しているが、TFTとは別途に第 2の遮光膜103がマ
イクロレンズ基板101の透明基板102に形成されて
いるので、TFTを形成する際の高温プロセスによる遮
光膜の酸化やその金属元素のマイグレーションなどに煩
わされることなく、第2の遮光膜103をTFTの直下
に配置することができる。したがってTFTの光リーク
電流の問題を解消することができ、また画素などの微細
化に伴なう遮光膜の位置合わせの困難さに起因した画素
部開口率の低さの問題を解消して開口率を向上すること
ができる。
【0042】このように、本実施例の液晶表示装置は、
光透過型であり、TFTが単結晶シリコンから活性層が
形成されているため高速動作が可能であるとともに、第
1の遮光膜111および第 2の遮光膜103の設置が可
能なため光リーク電流も十分に解消でき、また画素等の
微細化にも対応できることから、光源の照射強度の大き
な投射型の液晶プロジェクタ等にとくに好適である。
光透過型であり、TFTが単結晶シリコンから活性層が
形成されているため高速動作が可能であるとともに、第
1の遮光膜111および第 2の遮光膜103の設置が可
能なため光リーク電流も十分に解消でき、また画素等の
微細化にも対応できることから、光源の照射強度の大き
な投射型の液晶プロジェクタ等にとくに好適である。
【0043】実施例2 つぎに、本発明に係る第 2の実施例を図4に基づいて説
明する。なお、以下の説明では実施例1との相違点を中
心に説明する。また実施例1と同一箇所には同一符号を
付して示した。
明する。なお、以下の説明では実施例1との相違点を中
心に説明する。また実施例1と同一箇所には同一符号を
付して示した。
【0044】図4は実施例2の製造工程を示す図であ
る。図4(e)に示す第 1の遮光膜111を形成するま
では、ドレイン電極133および層間絶縁膜143の形
成を除き、製造方法は実施例1と同一の方法である。
続いて、図4(f)に示すように接着剤15を介してマ
イクロレンズ基板101を接着して単結晶シリコン基板
11を実施例1と同一の方法で第 2主面から研磨または
食刻して削除する。
る。図4(e)に示す第 1の遮光膜111を形成するま
では、ドレイン電極133および層間絶縁膜143の形
成を除き、製造方法は実施例1と同一の方法である。
続いて、図4(f)に示すように接着剤15を介してマ
イクロレンズ基板101を接着して単結晶シリコン基板
11を実施例1と同一の方法で第 2主面から研磨または
食刻して削除する。
【0045】このようにして単結晶シリコン基板11を
削除した後、露出した酸化膜107の上に第 2の遮光膜
103およびその上に層間絶縁膜143を形成する。そ
して層間絶縁膜143および酸化膜107にコンタクト
ホールを穿設し、そのコンタクトホールを通して接続さ
れる画素電極109を形成する。その後、実施例1と同
一の方法で図1に示す液晶表示装置を得た。
削除した後、露出した酸化膜107の上に第 2の遮光膜
103およびその上に層間絶縁膜143を形成する。そ
して層間絶縁膜143および酸化膜107にコンタクト
ホールを穿設し、そのコンタクトホールを通して接続さ
れる画素電極109を形成する。その後、実施例1と同
一の方法で図1に示す液晶表示装置を得た。
【0046】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置は、マイクロレン
ズ基板とマトリックスアレイ基板との間に遮光層が配置
され接着固定されているので、温度上昇による位置ずれ
が生じない。また、マイクロレンズから液晶組成物まで
の距離を小さく形成できるので、入射光が完全平行光で
なくとも光透過率の効率が向上する。さらに半導体能動
素子の活性層として単結晶シリコンを使用することがで
きるので、TFTの駆動スピードが向上する。したがっ
て、画素サイズが微細化しても高速応答性に優れ、かつ
明るい投射画像を得ることができる高精細な投射型液晶
表示装置が得られる。
ズ基板とマトリックスアレイ基板との間に遮光層が配置
され接着固定されているので、温度上昇による位置ずれ
が生じない。また、マイクロレンズから液晶組成物まで
の距離を小さく形成できるので、入射光が完全平行光で
なくとも光透過率の効率が向上する。さらに半導体能動
素子の活性層として単結晶シリコンを使用することがで
きるので、TFTの駆動スピードが向上する。したがっ
て、画素サイズが微細化しても高速応答性に優れ、かつ
明るい投射画像を得ることができる高精細な投射型液晶
表示装置が得られる。
【図1】本発明の液晶表示装置の概略断面構造を示す図
である。
である。
【図2】実施例1のマトリックスアレイ基板の製造工程
を示す図である。
を示す図である。
【図3】実施例1のマトリックスアレイ基板の製造工程
(続き)を示す図である。
(続き)を示す図である。
【図4】実施例2のマトリックスアレイ基板の製造工程
を示す図である。
を示す図である。
【図5】入射光の広がり角と光透過率の効率との関係を
示すである。
示すである。
【図6】マイクロレンズを用いた従来の液晶表示装置の
概略断面構造を示す図である。
概略断面構造を示す図である。
11…単結晶シリコン基板、13…単結晶シリコン膜、
15…接着剤、17…支持用仮設基板、100…第 1の
基板、101…マイクロレンズ基板、103…第 2の遮
光膜、105…接着層、107…酸化膜、109…画素
電極、111…第 1の遮光膜、115…ゲート電極、1
17…信号線、123…活性層、125…LOCOS酸
化膜、127…ソース領域、129…第 1の層間絶縁
膜、131…ドレイン領域、133…ドレイン電極、1
35…チャネル領域、137…ゲート絶縁膜、139…
補助容量の上部電極、141…第 2の層間絶縁膜、14
3…第 3の層間絶縁膜、145…配向膜、200…対向
基板、201…透明基板、203…対向電極、205…
配向膜、300…液晶組成物、400…TFT基板、4
01…TFTおよびバスライン部、402…遮光層。
15…接着剤、17…支持用仮設基板、100…第 1の
基板、101…マイクロレンズ基板、103…第 2の遮
光膜、105…接着層、107…酸化膜、109…画素
電極、111…第 1の遮光膜、115…ゲート電極、1
17…信号線、123…活性層、125…LOCOS酸
化膜、127…ソース領域、129…第 1の層間絶縁
膜、131…ドレイン領域、133…ドレイン電極、1
35…チャネル領域、137…ゲート絶縁膜、139…
補助容量の上部電極、141…第 2の層間絶縁膜、14
3…第 3の層間絶縁膜、145…配向膜、200…対向
基板、201…透明基板、203…対向電極、205…
配向膜、300…液晶組成物、400…TFT基板、4
01…TFTおよびバスライン部、402…遮光層。
Claims (5)
- 【請求項1】 光透過性の半導体酸化物層と該半導体酸
化物層上にマトリックス状に配置された半導体能動素子
と該半導体能動素子に電気的に接続された画素電極とを
備えたマトリックスアレイ基板と該マトリックスアレイ
基板に接着層を介して接着されたマイクロレンズ基板と
を有する第 1の基板と、 前記マトリックスアレイ基板の前記画素電極に対向する
位置に対向電極を備えた対向基板と、 前記第 1の基板の前記画素電極側と前記対向基板の対向
電極側とを狭間隙を有して対向させ、その間に挟持され
た液晶組成物を備えた液晶表示装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の液晶表示装置において、
前記第 1の基板側に光源が配置されていることを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項3】 請求項1記載の液晶表示装置において、
前記マイクロレンズ基板と前記マトリックスアレイ基板
との間であって前記半導体能動素子を保護する位置に遮
光層が配置されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項4】 請求項1記載の液晶表示装置において、
前記半導体能動素子の前記対向基板側上部であって前記
半導体能動素子を保護する位置に遮光層が配置されてい
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項5】 請求項1記載の液晶表示装置において、
前記マイクロレンズ基板と前記マトリックスアレイ基板
との間に 0.1〜0.7 mmの厚さの透光性基板が介在されて
なることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34920292A JPH06202154A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34920292A JPH06202154A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06202154A true JPH06202154A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=18402165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34920292A Withdrawn JPH06202154A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06202154A (ja) |
-
1992
- 1992-12-28 JP JP34920292A patent/JPH06202154A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3526058B2 (ja) | 光弁用半導体装置 | |
KR100311340B1 (ko) | 광밸브장치 및 그 제조방법과 이를 이용한 화상프로젝션 시스템 | |
TWI243948B (en) | Electrooptical device, manufacturing method thereof, and projection display device and electronic device | |
KR100505804B1 (ko) | 반도체 기판의 제조 방법, 반도체 기판, 전기 광학 장치및 전자 기기 | |
JP4814873B2 (ja) | 可撓性電気光学装置及びその製造方法 | |
US5349453A (en) | Liquid crystal display device with microlenses on same plane as switching elements | |
KR100454515B1 (ko) | 전기 광학 장치용 기판의 제조 방법, 전기 광학 장치용기판, 전기 광학 장치 및 전자 기기 | |
JP2001337334A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
JPH1117185A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP3757658B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器 | |
JP3941401B2 (ja) | 液晶装置の製造方法 | |
JPH06202155A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
JPH06202154A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP4366953B2 (ja) | 複合半導体基板の製造方法 | |
JP3767204B2 (ja) | 電気光学装置 | |
JP4366954B2 (ja) | 複合半導体基板の製造方法 | |
JPH0980412A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
JP4701487B2 (ja) | 電気光学装置用基板の製造方法 | |
JP2000098407A (ja) | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 | |
JPH1184363A (ja) | 液晶表示パネル及びその製造方法 | |
JP4843840B2 (ja) | 電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器 | |
JP4792694B2 (ja) | 電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器 | |
KR100292974B1 (ko) | 반도체장치와그제조방법 | |
JP4366983B2 (ja) | 複合半導体基板の製造方法 | |
JP2004296487A (ja) | トランジスタの製造方法、トランジスタ、電気光学基板、電気光学装置、電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000307 |