JPH0620159B2 - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
光半導体装置の製造方法Info
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、素子が樹脂により封止されるホトダイオー
ド、ホトセンサ等の光半導体装置の製造方法に関する。
ド、ホトセンサ等の光半導体装置の製造方法に関する。
被検出物体からの反射光の有無を検出する光反射形ホト
センサはマークリーダ、煙感知器等に使用されている。
この光反射形ホトセンサとして、共通保持板上に発光素
子チツプと受光素子チツプとを並列配置するタイプのも
のがあるが、最近は装置の組立てを簡単にするためにリ
ードフレームに発光素子と受光素子とをマウントし樹脂
封止したものが増加している。
センサはマークリーダ、煙感知器等に使用されている。
この光反射形ホトセンサとして、共通保持板上に発光素
子チツプと受光素子チツプとを並列配置するタイプのも
のがあるが、最近は装置の組立てを簡単にするためにリ
ードフレームに発光素子と受光素子とをマウントし樹脂
封止したものが増加している。
第1図乃至第3図はそれぞれ上記のようなタイプの反射
形ホトセンサを示す斜視図、平面図およびAA′線に沿
つた断面図で、遮光性樹脂2で形成された平形の遮光ケ
ースは素子間遮光壁2′によつて2つの隔室に分離され
ている。発光素子5および受光素子6はそれぞれリード
フレーム4にマウントボンデイングされ上記2つの隔室
に各々収納されている。この隔室内は透光性樹脂7が充
填され、正面の窓3,3′が光路となる。
形ホトセンサを示す斜視図、平面図およびAA′線に沿
つた断面図で、遮光性樹脂2で形成された平形の遮光ケ
ースは素子間遮光壁2′によつて2つの隔室に分離され
ている。発光素子5および受光素子6はそれぞれリード
フレーム4にマウントボンデイングされ上記2つの隔室
に各々収納されている。この隔室内は透光性樹脂7が充
填され、正面の窓3,3′が光路となる。
このような樹脂ケース1を有するホトセンサは次のよう
な手順で形成される。すなわち、リードフレーム4を第
4図に示すような上金型10上に固定し、上下金型1
0,10′のキヤビテイ(中空部)に遮光性樹脂2を注
入し、充填、硬化させて遮光性樹脂2とリードフレーム
4とが一体となつたものを形成する。次にリードフレー
ム4の露出面の所定の部位に第2図および第3図に示す
ように発光素子5および受光素子6をマウントし、ワイ
ヤボンデイングを行なう。その後、上記遮光性樹脂2で
囲まれた部位に透光性樹脂7を充填して、樹脂ケース1
が完成する。
な手順で形成される。すなわち、リードフレーム4を第
4図に示すような上金型10上に固定し、上下金型1
0,10′のキヤビテイ(中空部)に遮光性樹脂2を注
入し、充填、硬化させて遮光性樹脂2とリードフレーム
4とが一体となつたものを形成する。次にリードフレー
ム4の露出面の所定の部位に第2図および第3図に示す
ように発光素子5および受光素子6をマウントし、ワイ
ヤボンデイングを行なう。その後、上記遮光性樹脂2で
囲まれた部位に透光性樹脂7を充填して、樹脂ケース1
が完成する。
ところで、上記の遮光性樹脂2の形成工程において、リ
ードフレーム4は、マウントボンデイング面側となる一
方面が金型10,10′と接触した状態となるように金
型10,10′に設置される。しかしながら、リードフ
レーム4の背面側はキヤビテイになつているため、例え
ばリードフレーム4の変形等により少しでもリードフレ
ーム4と金型との接触が悪い場合には遮光性樹脂2がリ
ードフレーム4のマウントボンデイング面(第4図のB
で示す)側に入り込み、リードフレーム4に樹脂バリが
形成される。この傾向は遮光性樹脂2が熱可塑性のもの
に比らべ熱硬化性のものである場合に特に顕著となる。
この樹脂バリが発生したリードフレーム4には、素子の
マウントボンデイングを行うことができないため、製品
の歩留りが悪く製造コストが高いものである。
ードフレーム4は、マウントボンデイング面側となる一
方面が金型10,10′と接触した状態となるように金
型10,10′に設置される。しかしながら、リードフ
レーム4の背面側はキヤビテイになつているため、例え
ばリードフレーム4の変形等により少しでもリードフレ
ーム4と金型との接触が悪い場合には遮光性樹脂2がリ
ードフレーム4のマウントボンデイング面(第4図のB
で示す)側に入り込み、リードフレーム4に樹脂バリが
形成される。この傾向は遮光性樹脂2が熱可塑性のもの
に比らべ熱硬化性のものである場合に特に顕著となる。
この樹脂バリが発生したリードフレーム4には、素子の
マウントボンデイングを行うことができないため、製品
の歩留りが悪く製造コストが高いものである。
本発明は上記のような点に鑑みなされたもので、素子が
マウントボンデイングされるリードフレーム面における
樹脂バリの発生の恐れのない光半導体装置の製造方法を
提供することを目的とする。
マウントボンデイングされるリードフレーム面における
樹脂バリの発生の恐れのない光半導体装置の製造方法を
提供することを目的とする。
すなわち本発明による光半導体装置の製造方法は、リー
ドフレームの素子のマウント・ボンディング面とその裏
面とを、第1の金型と第2の金型とによって密着させて
挟み固定する工程と、前記第1及び第2の金型に遮光性
樹脂を充填することにより、遮光壁として素子を囲む遮
光性樹脂部材を形成する工程と、前記マウント・ボンデ
ィング面に光半導体素子をマウントし、ワイヤボンディ
ングする工程と、前記光半導体素子を透光性樹脂により
封止する工程と、を具備することを特徴としている。
ドフレームの素子のマウント・ボンディング面とその裏
面とを、第1の金型と第2の金型とによって密着させて
挟み固定する工程と、前記第1及び第2の金型に遮光性
樹脂を充填することにより、遮光壁として素子を囲む遮
光性樹脂部材を形成する工程と、前記マウント・ボンデ
ィング面に光半導体素子をマウントし、ワイヤボンディ
ングする工程と、前記光半導体素子を透光性樹脂により
封止する工程と、を具備することを特徴としている。
以下図面を参照して本発明の一実施例につき製造工程と
共に説明する。まず、例えば厚さ0.2mm程度の鉄又は
銅系の合金板をエツチング或いはプレス加工して所定形
状のリードフレームを形成する。リードフレームの素子
のマウント部およびボンデイング部には銀メツキを施
す。
共に説明する。まず、例えば厚さ0.2mm程度の鉄又は
銅系の合金板をエツチング或いはプレス加工して所定形
状のリードフレームを形成する。リードフレームの素子
のマウント部およびボンデイング部には銀メツキを施
す。
しかる後に、第5図に示すようにこのリードフレーム4
4を下金型11および上金型11′で挾み固定する。そ
して、この金型11,11′内のキヤビテイに遮光性樹
脂を注入し、充填し、第6図に示すような製品の外形枠
と素子間遮光隔壁とを兼ねる遮光性樹脂部材22を形成
する。
4を下金型11および上金型11′で挾み固定する。そ
して、この金型11,11′内のキヤビテイに遮光性樹
脂を注入し、充填し、第6図に示すような製品の外形枠
と素子間遮光隔壁とを兼ねる遮光性樹脂部材22を形成
する。
ここで、この遮光性樹脂部材22はリードフレーム44
の素子配設面の裏面に貫通孔22aを有する形状のもの
とする。すなわち、第5図に示すように、リードフレー
ム44の素子のマウント面およびボンデイング面は下金
型11および上金型11′で挾まれる。従つて素子のマ
ウント面およびボンデイング面と、金型との間に間隙が
できず、遮光性樹脂の注入によりリードフレームのマウ
ント、ボンデンイング面に樹脂バリが形成される恐れが
ない。
の素子配設面の裏面に貫通孔22aを有する形状のもの
とする。すなわち、第5図に示すように、リードフレー
ム44の素子のマウント面およびボンデイング面は下金
型11および上金型11′で挾まれる。従つて素子のマ
ウント面およびボンデイング面と、金型との間に間隙が
できず、遮光性樹脂の注入によりリードフレームのマウ
ント、ボンデンイング面に樹脂バリが形成される恐れが
ない。
続いて、第7図(第5図とはリードフレーム44の上下
が逆である)に示すように上記リードフレーム44の露
出面に発光素子5および受光素子6をマウントし、所定
のワイヤボンデイングを行う。
が逆である)に示すように上記リードフレーム44の露
出面に発光素子5および受光素子6をマウントし、所定
のワイヤボンデイングを行う。
しかる後に遮光性樹脂部材22で囲まれた隔室内および
遮光性樹脂部材22の貫通孔22a内に遮光性樹脂部材
77を充填して製品とする。
遮光性樹脂部材22の貫通孔22a内に遮光性樹脂部材
77を充填して製品とする。
尚、貫通孔22aに充填するものとしては透光性樹脂以
外の絶縁部材を用いてもよい。
外の絶縁部材を用いてもよい。
また、遮光性樹脂部材22の形状は、リードフレーム4
のマウンドボンデイング面の裏面側に遮光性樹脂部材2
2の及んでいない部分を有するものであればよい。従つ
て、貫通孔22aを有するものの以外に、例えばリード
フレーム44のマウントボンデイング面の裏面の遮光性
樹脂部材22がコの字状のもの等、他の形状のものであ
つてもよい。
のマウンドボンデイング面の裏面側に遮光性樹脂部材2
2の及んでいない部分を有するものであればよい。従つ
て、貫通孔22aを有するものの以外に、例えばリード
フレーム44のマウントボンデイング面の裏面の遮光性
樹脂部材22がコの字状のもの等、他の形状のものであ
つてもよい。
第8図および第8図のCC′線に沿つた断面図である第
9図に本発明の変形実施例を示す。これは製品の小型化
を目的としてリードフレーム44の両面に素子をマウン
トしたもので、本発明者が昭和58年10月7日に光反
射形ホトセンサとして特許出願した形式のものである。
この場合にはリードフレーム44によりリードフレーム
の一方面側と他方面側とを遮光するようにマウントボン
デンイング面を十分に広く取つてある。このような素子
の遮光性樹脂部材22の形成工程においても成形金型に
よりリードフレームのマウントボンデイング面を挾むこ
とによつてマウントボンデイング面への樹脂バリの発生
の恐れをなくすことができる。
9図に本発明の変形実施例を示す。これは製品の小型化
を目的としてリードフレーム44の両面に素子をマウン
トしたもので、本発明者が昭和58年10月7日に光反
射形ホトセンサとして特許出願した形式のものである。
この場合にはリードフレーム44によりリードフレーム
の一方面側と他方面側とを遮光するようにマウントボン
デンイング面を十分に広く取つてある。このような素子
の遮光性樹脂部材22の形成工程においても成形金型に
よりリードフレームのマウントボンデイング面を挾むこ
とによつてマウントボンデイング面への樹脂バリの発生
の恐れをなくすことができる。
尚、本発明は反射形ホトセンサに限らず、例えばリード
フレーム上にマウントボンデイングされる素子の数が1
つのホトダイオード等他のものであつてもよい。
フレーム上にマウントボンデイングされる素子の数が1
つのホトダイオード等他のものであつてもよい。
以上のようにこの発明によれば、リードフレームの素子
の配設される部位を金型で挟み固定しているため、リー
ドフレームのマウントボンデイング面への樹脂バリの発
生が完全に防止された光半導体装置の製造方法を提供す
ることができ、製品のコストの低減を図ることができ
る。
の配設される部位を金型で挟み固定しているため、リー
ドフレームのマウントボンデイング面への樹脂バリの発
生が完全に防止された光半導体装置の製造方法を提供す
ることができ、製品のコストの低減を図ることができ
る。
第1図乃至第3図はそれぞれ従来の光半導体装置を示す
斜視図、平面図および断面図、第4図は従来の光半導体
装置のリードフレームの金型への設置状態を示す断面
図、第5図は本発明による光半導体装置のリードフレー
ムの金型への設置状態を示す断面図、第6図および第7
図はそれぞれ本発明による光半導体装置の一実施例を示
す斜視図および断面図、第8図および第9図はそれぞれ
本発明による光半導体装置の変形実施例を示す平面図お
よび断面図である。 22……遮光性樹脂部材、22a……貫通孔、44……
リードフレーム、5……発光素子、6,6′……受光素
子、7,7……透光性樹脂部材。
斜視図、平面図および断面図、第4図は従来の光半導体
装置のリードフレームの金型への設置状態を示す断面
図、第5図は本発明による光半導体装置のリードフレー
ムの金型への設置状態を示す断面図、第6図および第7
図はそれぞれ本発明による光半導体装置の一実施例を示
す斜視図および断面図、第8図および第9図はそれぞれ
本発明による光半導体装置の変形実施例を示す平面図お
よび断面図である。 22……遮光性樹脂部材、22a……貫通孔、44……
リードフレーム、5……発光素子、6,6′……受光素
子、7,7……透光性樹脂部材。
Claims (1)
- 【請求項1】リードフレームの素子のマウント・ボンデ
ィング面とその裏面とを、第1の金型と第2の金型とに
よって密着させて挟み固定する工程と、 前記第1及び第2の金型に遮光性樹脂を充填することに
より、遮光壁として素子を囲む遮光性樹脂部材を形成す
る工程と、 前記マウント・ボンディング面に光半導体素子をマウン
トし、ワイヤボンディングする工程と、 前記光半導体素子を透光性樹脂により封止する工程と、 を具備することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2742884A JPH0620159B2 (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2742884A JPH0620159B2 (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 光半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60170982A JPS60170982A (ja) | 1985-09-04 |
JPH0620159B2 true JPH0620159B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=12220837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2742884A Expired - Lifetime JPH0620159B2 (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0620159B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0744283B2 (ja) * | 1988-03-23 | 1995-05-15 | 株式会社精工舎 | 受光装置の製造方法 |
TW418422B (en) * | 1998-05-20 | 2001-01-11 | Rohm Co Ltd | Reflection-type sensor |
JP2007087991A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Rohm Co Ltd | 受光モジュール |
WO2007135707A1 (ja) | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Nichia Corporation | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5430798A (en) * | 1977-08-12 | 1979-03-07 | Fujitsu Ltd | Manufacture of luminous display element |
JPS5616963A (en) * | 1979-07-16 | 1981-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | Disc turning unit |
JPS5616963U (ja) * | 1979-07-18 | 1981-02-14 | ||
JPS615809Y2 (ja) * | 1981-03-26 | 1986-02-21 | ||
JPS6030251B2 (ja) * | 1981-07-09 | 1985-07-15 | 井上エムテ−ピ−株式会社 | インサ−ト成形金型 |
JPS5893388A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | New Japan Radio Co Ltd | 反射型光結合半導体装置の製造方法 |
JPS58128829A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-01 | Sony Corp | 金型装置 |
JPS6051419B2 (ja) * | 1982-05-24 | 1985-11-13 | カラ−フアスナ−工業株式会社 | 紐結合具の製造装置 |
-
1984
- 1984-02-16 JP JP2742884A patent/JPH0620159B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60170982A (ja) | 1985-09-04 |
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