JPH0620159B2 - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
光半導体装置の製造方法Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、素子が樹脂により封止されるホトダイオー
ド、ホトセンサ等の光半導体装置の製造方法に関する。
ド、ホトセンサ等の光半導体装置の製造方法に関する。
被検出物体からの反射光の有無を検出する光反射形ホト
センサはマークリーダ、煙感知器等に使用されている。
この光反射形ホトセンサとして、共通保持板上に発光素
子チツプと受光素子チツプとを並列配置するタイプのも
のがあるが、最近は装置の組立てを簡単にするためにリ
ードフレームに発光素子と受光素子とをマウントし樹脂
封止したものが増加している。
センサはマークリーダ、煙感知器等に使用されている。
この光反射形ホトセンサとして、共通保持板上に発光素
子チツプと受光素子チツプとを並列配置するタイプのも
のがあるが、最近は装置の組立てを簡単にするためにリ
ードフレームに発光素子と受光素子とをマウントし樹脂
封止したものが増加している。
第１図乃至第３図はそれぞれ上記のようなタイプの反射
形ホトセンサを示す斜視図、平面図およびＡＡ′線に沿
つた断面図で、遮光性樹脂２で形成された平形の遮光ケ
ースは素子間遮光壁２′によつて２つの隔室に分離され
ている。発光素子５および受光素子６はそれぞれリード
フレーム４にマウントボンデイングされ上記２つの隔室
に各々収納されている。この隔室内は透光性樹脂７が充
填され、正面の窓３，３′が光路となる。
形ホトセンサを示す斜視図、平面図およびＡＡ′線に沿
つた断面図で、遮光性樹脂２で形成された平形の遮光ケ
ースは素子間遮光壁２′によつて２つの隔室に分離され
ている。発光素子５および受光素子６はそれぞれリード
フレーム４にマウントボンデイングされ上記２つの隔室
に各々収納されている。この隔室内は透光性樹脂７が充
填され、正面の窓３，３′が光路となる。
このような樹脂ケース１を有するホトセンサは次のよう
な手順で形成される。すなわち、リードフレーム４を第
４図に示すような上金型１０上に固定し、上下金型１
０，１０′のキヤビテイ（中空部）に遮光性樹脂２を注
入し、充填、硬化させて遮光性樹脂２とリードフレーム
４とが一体となつたものを形成する。次にリードフレー
ム４の露出面の所定の部位に第２図および第３図に示す
ように発光素子５および受光素子６をマウントし、ワイ
ヤボンデイングを行なう。その後、上記遮光性樹脂２で
囲まれた部位に透光性樹脂７を充填して、樹脂ケース１
が完成する。
な手順で形成される。すなわち、リードフレーム４を第
４図に示すような上金型１０上に固定し、上下金型１
０，１０′のキヤビテイ（中空部）に遮光性樹脂２を注
入し、充填、硬化させて遮光性樹脂２とリードフレーム
４とが一体となつたものを形成する。次にリードフレー
ム４の露出面の所定の部位に第２図および第３図に示す
ように発光素子５および受光素子６をマウントし、ワイ
ヤボンデイングを行なう。その後、上記遮光性樹脂２で
囲まれた部位に透光性樹脂７を充填して、樹脂ケース１
が完成する。
ところで、上記の遮光性樹脂２の形成工程において、リ
ードフレーム４は、マウントボンデイング面側となる一
方面が金型１０，１０′と接触した状態となるように金
型１０，１０′に設置される。しかしながら、リードフ
レーム４の背面側はキヤビテイになつているため、例え
ばリードフレーム４の変形等により少しでもリードフレ
ーム４と金型との接触が悪い場合には遮光性樹脂２がリ
ードフレーム４のマウントボンデイング面（第４図のＢ
で示す）側に入り込み、リードフレーム４に樹脂バリが
形成される。この傾向は遮光性樹脂２が熱可塑性のもの
に比らべ熱硬化性のものである場合に特に顕著となる。
この樹脂バリが発生したリードフレーム４には、素子の
マウントボンデイングを行うことができないため、製品
の歩留りが悪く製造コストが高いものである。
ードフレーム４は、マウントボンデイング面側となる一
方面が金型１０，１０′と接触した状態となるように金
型１０，１０′に設置される。しかしながら、リードフ
レーム４の背面側はキヤビテイになつているため、例え
ばリードフレーム４の変形等により少しでもリードフレ
ーム４と金型との接触が悪い場合には遮光性樹脂２がリ
ードフレーム４のマウントボンデイング面（第４図のＢ
で示す）側に入り込み、リードフレーム４に樹脂バリが
形成される。この傾向は遮光性樹脂２が熱可塑性のもの
に比らべ熱硬化性のものである場合に特に顕著となる。
この樹脂バリが発生したリードフレーム４には、素子の
マウントボンデイングを行うことができないため、製品
の歩留りが悪く製造コストが高いものである。
本発明は上記のような点に鑑みなされたもので、素子が
マウントボンデイングされるリードフレーム面における
樹脂バリの発生の恐れのない光半導体装置の製造方法を
提供することを目的とする。
マウントボンデイングされるリードフレーム面における
樹脂バリの発生の恐れのない光半導体装置の製造方法を
提供することを目的とする。
すなわち本発明による光半導体装置の製造方法は、リー
ドフレームの素子のマウント・ボンディング面とその裏
面とを、第１の金型と第２の金型とによって密着させて
挟み固定する工程と、前記第１及び第２の金型に遮光性
樹脂を充填することにより、遮光壁として素子を囲む遮
光性樹脂部材を形成する工程と、前記マウント・ボンデ
ィング面に光半導体素子をマウントし、ワイヤボンディ
ングする工程と、前記光半導体素子を透光性樹脂により
封止する工程と、を具備することを特徴としている。
ドフレームの素子のマウント・ボンディング面とその裏
面とを、第１の金型と第２の金型とによって密着させて
挟み固定する工程と、前記第１及び第２の金型に遮光性
樹脂を充填することにより、遮光壁として素子を囲む遮
光性樹脂部材を形成する工程と、前記マウント・ボンデ
ィング面に光半導体素子をマウントし、ワイヤボンディ
ングする工程と、前記光半導体素子を透光性樹脂により
封止する工程と、を具備することを特徴としている。
以下図面を参照して本発明の一実施例につき製造工程と
共に説明する。まず、例えば厚さ０．２mm程度の鉄又は
銅系の合金板をエツチング或いはプレス加工して所定形
状のリードフレームを形成する。リードフレームの素子
のマウント部およびボンデイング部には銀メツキを施
す。
共に説明する。まず、例えば厚さ０．２mm程度の鉄又は
銅系の合金板をエツチング或いはプレス加工して所定形
状のリードフレームを形成する。リードフレームの素子
のマウント部およびボンデイング部には銀メツキを施
す。
しかる後に、第５図に示すようにこのリードフレーム４
４を下金型１１および上金型１１′で挾み固定する。そ
して、この金型１１，１１′内のキヤビテイに遮光性樹
脂を注入し、充填し、第６図に示すような製品の外形枠
と素子間遮光隔壁とを兼ねる遮光性樹脂部材２２を形成
する。
４を下金型１１および上金型１１′で挾み固定する。そ
して、この金型１１，１１′内のキヤビテイに遮光性樹
脂を注入し、充填し、第６図に示すような製品の外形枠
と素子間遮光隔壁とを兼ねる遮光性樹脂部材２２を形成
する。
ここで、この遮光性樹脂部材２２はリードフレーム４４
の素子配設面の裏面に貫通孔２２ａを有する形状のもの
とする。すなわち、第５図に示すように、リードフレー
ム４４の素子のマウント面およびボンデイング面は下金
型１１および上金型１１′で挾まれる。従つて素子のマ
ウント面およびボンデイング面と、金型との間に間隙が
できず、遮光性樹脂の注入によりリードフレームのマウ
ント、ボンデンイング面に樹脂バリが形成される恐れが
ない。
の素子配設面の裏面に貫通孔２２ａを有する形状のもの
とする。すなわち、第５図に示すように、リードフレー
ム４４の素子のマウント面およびボンデイング面は下金
型１１および上金型１１′で挾まれる。従つて素子のマ
ウント面およびボンデイング面と、金型との間に間隙が
できず、遮光性樹脂の注入によりリードフレームのマウ
ント、ボンデンイング面に樹脂バリが形成される恐れが
ない。
続いて、第７図（第５図とはリードフレーム４４の上下
が逆である）に示すように上記リードフレーム４４の露
出面に発光素子５および受光素子６をマウントし、所定
のワイヤボンデイングを行う。
が逆である）に示すように上記リードフレーム４４の露
出面に発光素子５および受光素子６をマウントし、所定
のワイヤボンデイングを行う。
しかる後に遮光性樹脂部材２２で囲まれた隔室内および
遮光性樹脂部材２２の貫通孔２２ａ内に遮光性樹脂部材
７７を充填して製品とする。
遮光性樹脂部材２２の貫通孔２２ａ内に遮光性樹脂部材
７７を充填して製品とする。
尚、貫通孔２２ａに充填するものとしては透光性樹脂以
外の絶縁部材を用いてもよい。
外の絶縁部材を用いてもよい。
また、遮光性樹脂部材２２の形状は、リードフレーム４
のマウンドボンデイング面の裏面側に遮光性樹脂部材２
２の及んでいない部分を有するものであればよい。従つ
て、貫通孔２２ａを有するものの以外に、例えばリード
フレーム４４のマウントボンデイング面の裏面の遮光性
樹脂部材２２がコの字状のもの等、他の形状のものであ
つてもよい。
のマウンドボンデイング面の裏面側に遮光性樹脂部材２
２の及んでいない部分を有するものであればよい。従つ
て、貫通孔２２ａを有するものの以外に、例えばリード
フレーム４４のマウントボンデイング面の裏面の遮光性
樹脂部材２２がコの字状のもの等、他の形状のものであ
つてもよい。
第８図および第８図のＣＣ′線に沿つた断面図である第
９図に本発明の変形実施例を示す。これは製品の小型化
を目的としてリードフレーム４４の両面に素子をマウン
トしたもので、本発明者が昭和５８年１０月７日に光反
射形ホトセンサとして特許出願した形式のものである。
この場合にはリードフレーム４４によりリードフレーム
の一方面側と他方面側とを遮光するようにマウントボン
デンイング面を十分に広く取つてある。このような素子
の遮光性樹脂部材２２の形成工程においても成形金型に
よりリードフレームのマウントボンデイング面を挾むこ
とによつてマウントボンデイング面への樹脂バリの発生
の恐れをなくすことができる。
９図に本発明の変形実施例を示す。これは製品の小型化
を目的としてリードフレーム４４の両面に素子をマウン
トしたもので、本発明者が昭和５８年１０月７日に光反
射形ホトセンサとして特許出願した形式のものである。
この場合にはリードフレーム４４によりリードフレーム
の一方面側と他方面側とを遮光するようにマウントボン
デンイング面を十分に広く取つてある。このような素子
の遮光性樹脂部材２２の形成工程においても成形金型に
よりリードフレームのマウントボンデイング面を挾むこ
とによつてマウントボンデイング面への樹脂バリの発生
の恐れをなくすことができる。
尚、本発明は反射形ホトセンサに限らず、例えばリード
フレーム上にマウントボンデイングされる素子の数が１
つのホトダイオード等他のものであつてもよい。
フレーム上にマウントボンデイングされる素子の数が１
つのホトダイオード等他のものであつてもよい。
以上のようにこの発明によれば、リードフレームの素子
の配設される部位を金型で挟み固定しているため、リー
ドフレームのマウントボンデイング面への樹脂バリの発
生が完全に防止された光半導体装置の製造方法を提供す
ることができ、製品のコストの低減を図ることができ
る。
の配設される部位を金型で挟み固定しているため、リー
ドフレームのマウントボンデイング面への樹脂バリの発
生が完全に防止された光半導体装置の製造方法を提供す
ることができ、製品のコストの低減を図ることができ
る。
第１図乃至第３図はそれぞれ従来の光半導体装置を示す
斜視図、平面図および断面図、第４図は従来の光半導体
装置のリードフレームの金型への設置状態を示す断面
図、第５図は本発明による光半導体装置のリードフレー
ムの金型への設置状態を示す断面図、第６図および第７
図はそれぞれ本発明による光半導体装置の一実施例を示
す斜視図および断面図、第８図および第９図はそれぞれ
本発明による光半導体装置の変形実施例を示す平面図お
よび断面図である。 ２２……遮光性樹脂部材、２２ａ……貫通孔、４４……
リードフレーム、５……発光素子、６，６′……受光素
子、７，７……透光性樹脂部材。
斜視図、平面図および断面図、第４図は従来の光半導体
装置のリードフレームの金型への設置状態を示す断面
図、第５図は本発明による光半導体装置のリードフレー
ムの金型への設置状態を示す断面図、第６図および第７
図はそれぞれ本発明による光半導体装置の一実施例を示
す斜視図および断面図、第８図および第９図はそれぞれ
本発明による光半導体装置の変形実施例を示す平面図お
よび断面図である。 ２２……遮光性樹脂部材、２２ａ……貫通孔、４４……
リードフレーム、５……発光素子、６，６′……受光素
子、７，７……透光性樹脂部材。
Claims (1)
- 【請求項１】リードフレームの素子のマウント・ボンデ
ィング面とその裏面とを、第１の金型と第２の金型とに
よって密着させて挟み固定する工程と、 前記第１及び第２の金型に遮光性樹脂を充填することに
より、遮光壁として素子を囲む遮光性樹脂部材を形成す
る工程と、 前記マウント・ボンディング面に光半導体素子をマウン
トし、ワイヤボンディングする工程と、 前記光半導体素子を透光性樹脂により封止する工程と、 を具備することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2742884A JPH0620159B2 (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2742884A JPH0620159B2 (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 光半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60170982A JPS60170982A (ja) | 1985-09-04 |
| JPH0620159B2 true JPH0620159B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=12220837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2742884A Expired - Lifetime JPH0620159B2 (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620159B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0744283B2 (ja) * | 1988-03-23 | 1995-05-15 | 株式会社精工舎 | 受光装置の製造方法 |
| TW418422B (en) * | 1998-05-20 | 2001-01-11 | Rohm Co Ltd | Reflection-type sensor |
| JP2007087991A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Rohm Co Ltd | 受光モジュール |
| WO2007135707A1 (ja) | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Nichia Corporation | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5430798A (en) * | 1977-08-12 | 1979-03-07 | Fujitsu Ltd | Manufacture of luminous display element |
| JPS5616963A (en) * | 1979-07-16 | 1981-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | Disc turning unit |
| JPS5616963U (ja) * | 1979-07-18 | 1981-02-14 | ||
| JPS615809Y2 (ja) * | 1981-03-26 | 1986-02-21 | ||
| JPS6030251B2 (ja) * | 1981-07-09 | 1985-07-15 | 井上エムテ−ピ−株式会社 | インサ−ト成形金型 |
| JPS5893388A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | New Japan Radio Co Ltd | 反射型光結合半導体装置の製造方法 |
| JPS58128829A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-01 | Sony Corp | 金型装置 |
| JPS6051419B2 (ja) * | 1982-05-24 | 1985-11-13 | カラ−フアスナ−工業株式会社 | 紐結合具の製造装置 |
-
1984
- 1984-02-16 JP JP2742884A patent/JPH0620159B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60170982A (ja) | 1985-09-04 |
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