JP2765832B2 - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光半導体装置の製造方法、特に光を電気信
号に変換する光半導体装置の製造方法に関する。 ［従来技術］ この種の装置の製造方法の従来例を工程に添い説明す
ると次のようになる。ここに第８図は従来工程により完
成されたこの種の光半導体装置の断面図、第９図は封止
工程の断面図である。 （１）リードフレームの素子装着部１に、光を電気信号
に変換する光半導体素子４を装着材３を用いて固着す
る。 （２）リードフレームのリード部２と光半導体素子とを
金属細線５により、電気的、機械的に接続する。 （３）（１）及び（２）により構成された光半導体装置
主要部を下型12の適所に配置し、上型11を閉じる。 （４）光透過性樹脂６をランナ９及びゲート10より上型
成形キャビティ13及び下型成形キャビティ14に注入す
る。 （５）上型11及び下型12を介して熱を供給し、光透過性
樹脂６により光半導体装置主要部を封止する。 （６）上型11と下型12を取りはずす。 （７）リードフレームリード部２の露出部をメッキす
る。 （８）リードフレームリード部２の不要部を切断除去す
る。 （９）外部リードを曲げ成形する。 （10）光半導体素子光路となる光透過性樹脂６面に接着
剤８を塗布し、光フィルター７を貼りつける。 （11）熱を供給し、接着剤８を硬化する。 ［発明が解決しようとする問題点］ 以上従来工程を説明したが、次のような問題点があ
る。 （１）光フィルター７の貼り付けに使用する接着材８
は、光半導体素子４の光学的要求を満足する事が必要で
あり、且つ、温度、湿度等に対する耐久性も要求され、
選定に関して、多くの試作が必要で、費用が嵩むもので
ある。 （２）光透過性樹脂面には、成形時に離型剤が付着した
り、成形型の凹凸転写が原因となりキズ等が形成され、
これらは光透過性を阻害する一因であり、光半導体素子
光特性に悪影響を及ぼす。又これらを取り除く為に洗
浄、研磨等の工程が必要であり、製品のコストを上げる
原因となっている。 （３）光フィルタ７の張り付けにおいて、液状の接着材
を使用する為、垂直方向の位置精度を向上させることは
困難である。又、平行方向の位置精度を向上させること
も、機械的又は光学的な位置検出を必要とし、機械装置
にてこの作業を行なう時、高度な装置となり、高価な投
資が必要である。 （４）接着材中に気泡が発生すると、光透過性を阻害
し、光半導体素子の光特性に悪影響を及ぼす。 （５）第10図に示すように、光フィルター７がレンズ15
のような場合には、光透過性樹脂６との接着面が平面状
ではなくなるので、光透過性樹脂６が鋭角部16を持つこ
とがある。このような場合には、離型時に離型しにくい
ばかりか、割れ等の不良発生の一因となり、製造効率を
低下させる。 本発明の目的は、光フィルタと光透過性樹脂とを接着
材を用いることなく直接に密着させた後に両者を一体と
して成形加工することにより光半導体素子の光特性に悪
影響を及ぼすことのない、しかも製造効率の良好な光半
導体装置の製造方法を提供することにある。 ［問題点を解決するための手段］ 上記目的を達成するための手段は、光を電気信号に変
換する光半導体素子に必要な電気接続を行った光半導体
主要部と、該主要部を封止する光透過性樹脂と、該光半
導体素子の光路上に位置する光透過性部材とを具備する
光半導体装置の製造方法において、上記光透過性部材を
該光透過性部材の高さ及び形状と実質的に同じとされた
成形型の凹部の一面に光入射側となる面側の全面が密着
するように挿入配置し、次に該光透過性部材に対し上記
光半導体装置主要部を対向させ、さらに、上記光透過性
樹脂を該成形型内に注入して光透過性部材に密着させる
とともに光半導体主要部を封止することを特徴とする光
半導体装置の製造方法である。 ［作用］ 上記のとおり、本発明によれば、光透過性部材と光透
過性樹脂を接着材を用いることなく直接に接着させてい
る。従って、接着材の選定に煩わされることなく、また
その中に発生する気泡を考慮することなく更に接着材に
伴う位置決めの精度といったことも考慮する必要がな
い。 また、本発明によれば光透過性部材と光透過性樹脂と
を一体として成形加工する。従って、光透過性部材と対
面している光透過性樹脂面が成形されることはないため
成形時の離型剤が付着したり鋭角部が形成されることに
より離型が困難なことはなくなった。 特に、光透過性部材は、光透過性部材の高さ及び形状
と実質的に同じ深さ及び形状とされた凹部に配置される
ため、注入された樹脂が光透過性部材の側面に回り込む
ことがない。その結果、注入された樹脂の流れを阻害す
るあるいは妨げる要因が低減するため、より均一に樹脂
を注入することが可能となる。従って、樹脂封止された
光半導体の光特性に悪影響を及ぼす、樹脂の不均一な注
入に起因した乱反射のような現象を改善することができ
る。 このため、従来よりも光半導体装置の光特性に悪影響
を及ぼすことはなくなりかつ製造効率が向上するように
なった。 ［実施例］ 以下、本発明を、実施例により添付図面を参照して説
明する。 第１図は本発明により製造された装置の断面図、第２
図から第７図まではそれぞれ本発明の第１実施例から第
５実施例による封止工程を示す断面図である。 なお、第１図から第７図において、第１図から第３図
までと同一の構成部分には、同一の参照符号を付してい
る。 即ち、１は光半導体素子４を接着するリードフレーム
の素子装着部、２は光透過性樹脂13から成る封止部と外
部とを電気的に接続するリードフレームのリード部、３
はリードフレーム素子装着部１に光半導体素子４を接着
する接着材。 ４は、光を電気信号に変換する光半導体素子、５は、
光半導体素子４とリードフレームリード部２とを電気的
に接続する金属細線、６は、リードフレーム素子装着部
１と、リードフレームリード部２と接着材３と、光半導
体素子４と金属細線５から成る光半導体装置主要部を封
止する光透過性樹脂、７は、特定波長光をカットする光
フィルタ、９は、光透過性樹脂６を注入するキャビティ
13,14の近傍に至る通路であるランナ。10は光透過性樹
脂６を注入するキャビティ13,14に至る通路であるゲー
ト。11は、光透過性樹脂を成形する上型、12は、光透過
性樹脂を成形する下型、13は、上型キャビティ、14は下
型キャビティ、17は、キャビティに形成された凹部、18
はシリコーングリース、19は光フィルタ７を保持する凸
部である。 以下、第２図に基づいて、本発明の第１実施例を説明
する。 （１）先ず、リードフレーム素子装着部１の下面に、光
を電気信号に変換する光半導体素子４を、接着材３によ
り固着する。 （２）次に、リードフレームリード部２と光半導体素子
４の間を金属細線５により、電気的、機械的に接続す
る。この（１）と（２）により光半導体装置主要部が形
成される。 （３）光フィルタ７を、下型12のキャビティ14に形成し
た凹部17に挿入する。 （４）（１）及び（２）により構成された光半導体装置
主要部を下型12の内の上記光フィルタ７に対向する位置
に配置し、上型11を閉じる。 （５）光透過性樹脂６を、ランナ９及びゲート10から、
上型成形キャビティ13及び下型成形キャビティ14に注入
する。 （６）上型11及び下型12に熱を供給し、上記注入した光
透過性樹脂６により光半導体装置主要部を封止する。 （７）上型11と下型12を取りはずす。 （８）リードフレームリード部２の露出部をメッキす
る。 （９）リードフレームリード部２の不要部を切断除去す
る。 （10）外部リードを曲げ成形する。 以上の工程により第１図に示す光半導体装置が完成さ
れる。 上記のとおり、本発明の第１実施例によれば、従来の
ように接着材を用いることなく、又従来と異なり光透過
性樹脂と光フィルタが対になって成形される。従って、
次のような効果がある。 （１）接着材の材料コスト及び選定等の開発コスト及び
工程での工数の削減となる。 （２）キャビティ14内に注入された光透過性樹脂６は既
に配置されている光フィルタ７の上に積層される。従っ
て、光路となる光透過性樹脂面は光フィルタ７と密着し
ているので成形型により成形をされる事がない。このた
め、成形時に付着した離型剤や、凹凸転写によるキズ等
が光透過性を阻害する事がない。 （３）光フィルタ７は、下型12に配置する為、特別な位
置検出装置を使用することなく、位置決め精度が向上す
る。また型の形状により、高さ、縦、横方向の位置を任
意に決めることができるという付随的効果もある。 （４）光路に接着材層を有しない為、接着材中の気泡の
発生による光透過性の阻害も発生する事がない。 （５）レンズ等の光透過性部材を用いるために、光透過
性樹脂に鋭角部が形成されたとしても、光透過性樹脂と
レンズを対で、鋭角にて離型するので、離型時割れ等を
回避できる。 第３図は、本発明の第２実施例を示す断面図である。 本実施例によれば、光フィルタ７が、光透過性樹脂光
路面より小さい時でも、下型12に凹部17が形成されてい
るので、光フィルタ７は凹部17により位置が限定される
為、完成品での光フィルタ７の位置は、極めて高精度な
ものとなるという効果がある。 第４図は、本発明の第３実施例を示す断面図である。
本実施例によれば、凹部17の底部にシリコーングリース
18を塗付し、その上に光フィルタ７を載置せしめている
ので、下型12と光フィルタ７間に樹脂が浸入しないとい
う効果がある。 即ち、本発明における封止方法としては、一般にキャ
スティングモールド、トランスファモールド、インジェ
クションモールド等、様々な方法がある。しかし、製造
条件によっては、光フィルタ７と下型12の凹部17の間に
樹脂が浸入することがある。この時浸入した樹脂は、光
フィルタ７上に薄状に付着し、乱反射により、光透過性
の阻害となる。このような問題を防ぐ為に、第４図に示
す第３実施例は特に効果がある。 第５図は、本発明の第４実施例を示す断面図である。 本実施例によれば、下型12の底部に凸部19を設けたの
で、光フィルタ７をこの凸部19で保持することができ、
シリコーングリース18を用いても光フィルタ７の垂直方
向の位置が確定するという効果がある。 更に、この第４実施例によれば、光フィルタ７は、シ
リコーングリース18により粘着される為、光フィルタ７
を上型11に装着するような構成としても、光フィルタ７
が落下しないという効果がある。 上記第３と第４の実施例において、シリコーングリー
スを用いたが、粘性部材であれば良く、例えば、カルナ
ウバロウ等のロウ、シリコーンオイル等のオイル、シリ
コーングリース以外のグリースであっても良い。 第６図及び第７図に第５実施例を示す。本例では、第
１実施例（３）で示す光フィルタ７の片面（下型12側の
面）に粘着テープ30を付着せしめてある。すなわち、光
フィルターと下型12との界面に粘着テープ30を介在せし
める。 この粘着テープ30は第１実施例の第（７）工程の後に
光フィルター７から引き剥す。他の工程は第１実施例と
同様である。 かかる粘着テープ30を付着せしめておくと、光フィル
ター７と下型12との界面にたとえ樹脂が侵入し、バリの
発生をきたしたとしても、このバリは、光フィルター７
から粘着テープ30を剥す際に粘着テープ30とともに除去
されてしまう。 なお、粘着テープは耐熱性（樹脂注入時あるいは加熱
時には約150℃の熱にさらされるのでこの温度に耐えら
れる程度の耐熱性）を有していればよく、かかる耐熱性
を有していれば特に限定されない。粘着テープの粘着剤
としては例えば、エポキシ樹脂その他エポキシフェノー
ル系樹脂（連続でも180℃程度までの耐熱性を有す
る）、塩化ビニール樹脂あるいは、ポリイミド、ポリア
ミドイミド等を適宜使用すればよい。 また、一般的に、本発明においては、光半導体素子の
材質、受光面の分割、回路等は、光半導体装置の用途、
目的に応じ様々なものが使用されるものである。例え
ば、撮像用の面分割された、シリコン光半導体素子等で
ある。又、実施例において、光透過性樹脂上の光透過性
部材として、光フィルタ及びレンズについて記載した
が、光半導体装置の用途、目的に応じ、偏光板、凹レン
ズ等であってもよい。 本発明において、光透過性樹脂は、光半導体装置の用
途、目的に応じ、選択されるものであり、光透過性、接
着性の他、耐熱性、耐水性等の信頼性が要求される。 例えば、半導体装置の使用波長が約300μｍ〜1000μ
ｍの可視光域であり、光フィルタ７の素材がガラスであ
る時、上記光透過性、接着性、信頼性から、樹脂は、ビ
スフェノールＡタイプエポキシ樹脂の酸無水物硬化のも
のがよい。 ［発明の効果］ （１）上記の通り、本発明によれば接着材を用いていな
いので、接着材の材料コスト及び選定等の開発コスト及
び工程での工数の削減となる。 （２）キャビティ14内に注入された光透過性樹脂６は既
に配置されている光フィルタ７の上に積層される。従っ
て、光路となる光透過性樹脂面は光フィルタ７と密着し
ているので、成形時により成形される事がない。このた
め、成形時に付着した離型剤や、凹凸転写によるキズ等
が光透過性を阻害する事がない。 （３）光透過性部材７は、下型12に配置する為、特別な
位置検出装置を使用することなく、位置決め精度が向上
する。また型の形状により、高さ、縦、横方向の位置を
任意に決めることができるとういう付随的効果もある。 特に、光透過性部材は、光透過性部材の高さ及び形状
と実質的に同じ深さ及び形状とされた凹部に配置される
ため、注入された樹脂が光透過性部材の側面に回り込む
ことのを防ぐことができ、均一な樹脂モールドを行うこ
とができる。 （４）光路に接着材層を有しない為、接着材中の気泡の
発生による光透過性の阻害も発生する事がない。 （５）レンズ等の光透過性部材を用いるために、光透過
性樹脂に鋭角部が形成されたとしても、光透過性樹脂と
レンズを対で、鋭角にて離型するので、離型時割れ等を
回避できる。
号に変換する光半導体装置の製造方法に関する。 ［従来技術］ この種の装置の製造方法の従来例を工程に添い説明す
ると次のようになる。ここに第８図は従来工程により完
成されたこの種の光半導体装置の断面図、第９図は封止
工程の断面図である。 （１）リードフレームの素子装着部１に、光を電気信号
に変換する光半導体素子４を装着材３を用いて固着す
る。 （２）リードフレームのリード部２と光半導体素子とを
金属細線５により、電気的、機械的に接続する。 （３）（１）及び（２）により構成された光半導体装置
主要部を下型12の適所に配置し、上型11を閉じる。 （４）光透過性樹脂６をランナ９及びゲート10より上型
成形キャビティ13及び下型成形キャビティ14に注入す
る。 （５）上型11及び下型12を介して熱を供給し、光透過性
樹脂６により光半導体装置主要部を封止する。 （６）上型11と下型12を取りはずす。 （７）リードフレームリード部２の露出部をメッキす
る。 （８）リードフレームリード部２の不要部を切断除去す
る。 （９）外部リードを曲げ成形する。 （10）光半導体素子光路となる光透過性樹脂６面に接着
剤８を塗布し、光フィルター７を貼りつける。 （11）熱を供給し、接着剤８を硬化する。 ［発明が解決しようとする問題点］ 以上従来工程を説明したが、次のような問題点があ
る。 （１）光フィルター７の貼り付けに使用する接着材８
は、光半導体素子４の光学的要求を満足する事が必要で
あり、且つ、温度、湿度等に対する耐久性も要求され、
選定に関して、多くの試作が必要で、費用が嵩むもので
ある。 （２）光透過性樹脂面には、成形時に離型剤が付着した
り、成形型の凹凸転写が原因となりキズ等が形成され、
これらは光透過性を阻害する一因であり、光半導体素子
光特性に悪影響を及ぼす。又これらを取り除く為に洗
浄、研磨等の工程が必要であり、製品のコストを上げる
原因となっている。 （３）光フィルタ７の張り付けにおいて、液状の接着材
を使用する為、垂直方向の位置精度を向上させることは
困難である。又、平行方向の位置精度を向上させること
も、機械的又は光学的な位置検出を必要とし、機械装置
にてこの作業を行なう時、高度な装置となり、高価な投
資が必要である。 （４）接着材中に気泡が発生すると、光透過性を阻害
し、光半導体素子の光特性に悪影響を及ぼす。 （５）第10図に示すように、光フィルター７がレンズ15
のような場合には、光透過性樹脂６との接着面が平面状
ではなくなるので、光透過性樹脂６が鋭角部16を持つこ
とがある。このような場合には、離型時に離型しにくい
ばかりか、割れ等の不良発生の一因となり、製造効率を
低下させる。 本発明の目的は、光フィルタと光透過性樹脂とを接着
材を用いることなく直接に密着させた後に両者を一体と
して成形加工することにより光半導体素子の光特性に悪
影響を及ぼすことのない、しかも製造効率の良好な光半
導体装置の製造方法を提供することにある。 ［問題点を解決するための手段］ 上記目的を達成するための手段は、光を電気信号に変
換する光半導体素子に必要な電気接続を行った光半導体
主要部と、該主要部を封止する光透過性樹脂と、該光半
導体素子の光路上に位置する光透過性部材とを具備する
光半導体装置の製造方法において、上記光透過性部材を
該光透過性部材の高さ及び形状と実質的に同じとされた
成形型の凹部の一面に光入射側となる面側の全面が密着
するように挿入配置し、次に該光透過性部材に対し上記
光半導体装置主要部を対向させ、さらに、上記光透過性
樹脂を該成形型内に注入して光透過性部材に密着させる
とともに光半導体主要部を封止することを特徴とする光
半導体装置の製造方法である。 ［作用］ 上記のとおり、本発明によれば、光透過性部材と光透
過性樹脂を接着材を用いることなく直接に接着させてい
る。従って、接着材の選定に煩わされることなく、また
その中に発生する気泡を考慮することなく更に接着材に
伴う位置決めの精度といったことも考慮する必要がな
い。 また、本発明によれば光透過性部材と光透過性樹脂と
を一体として成形加工する。従って、光透過性部材と対
面している光透過性樹脂面が成形されることはないため
成形時の離型剤が付着したり鋭角部が形成されることに
より離型が困難なことはなくなった。 特に、光透過性部材は、光透過性部材の高さ及び形状
と実質的に同じ深さ及び形状とされた凹部に配置される
ため、注入された樹脂が光透過性部材の側面に回り込む
ことがない。その結果、注入された樹脂の流れを阻害す
るあるいは妨げる要因が低減するため、より均一に樹脂
を注入することが可能となる。従って、樹脂封止された
光半導体の光特性に悪影響を及ぼす、樹脂の不均一な注
入に起因した乱反射のような現象を改善することができ
る。 このため、従来よりも光半導体装置の光特性に悪影響
を及ぼすことはなくなりかつ製造効率が向上するように
なった。 ［実施例］ 以下、本発明を、実施例により添付図面を参照して説
明する。 第１図は本発明により製造された装置の断面図、第２
図から第７図まではそれぞれ本発明の第１実施例から第
５実施例による封止工程を示す断面図である。 なお、第１図から第７図において、第１図から第３図
までと同一の構成部分には、同一の参照符号を付してい
る。 即ち、１は光半導体素子４を接着するリードフレーム
の素子装着部、２は光透過性樹脂13から成る封止部と外
部とを電気的に接続するリードフレームのリード部、３
はリードフレーム素子装着部１に光半導体素子４を接着
する接着材。 ４は、光を電気信号に変換する光半導体素子、５は、
光半導体素子４とリードフレームリード部２とを電気的
に接続する金属細線、６は、リードフレーム素子装着部
１と、リードフレームリード部２と接着材３と、光半導
体素子４と金属細線５から成る光半導体装置主要部を封
止する光透過性樹脂、７は、特定波長光をカットする光
フィルタ、９は、光透過性樹脂６を注入するキャビティ
13,14の近傍に至る通路であるランナ。10は光透過性樹
脂６を注入するキャビティ13,14に至る通路であるゲー
ト。11は、光透過性樹脂を成形する上型、12は、光透過
性樹脂を成形する下型、13は、上型キャビティ、14は下
型キャビティ、17は、キャビティに形成された凹部、18
はシリコーングリース、19は光フィルタ７を保持する凸
部である。 以下、第２図に基づいて、本発明の第１実施例を説明
する。 （１）先ず、リードフレーム素子装着部１の下面に、光
を電気信号に変換する光半導体素子４を、接着材３によ
り固着する。 （２）次に、リードフレームリード部２と光半導体素子
４の間を金属細線５により、電気的、機械的に接続す
る。この（１）と（２）により光半導体装置主要部が形
成される。 （３）光フィルタ７を、下型12のキャビティ14に形成し
た凹部17に挿入する。 （４）（１）及び（２）により構成された光半導体装置
主要部を下型12の内の上記光フィルタ７に対向する位置
に配置し、上型11を閉じる。 （５）光透過性樹脂６を、ランナ９及びゲート10から、
上型成形キャビティ13及び下型成形キャビティ14に注入
する。 （６）上型11及び下型12に熱を供給し、上記注入した光
透過性樹脂６により光半導体装置主要部を封止する。 （７）上型11と下型12を取りはずす。 （８）リードフレームリード部２の露出部をメッキす
る。 （９）リードフレームリード部２の不要部を切断除去す
る。 （10）外部リードを曲げ成形する。 以上の工程により第１図に示す光半導体装置が完成さ
れる。 上記のとおり、本発明の第１実施例によれば、従来の
ように接着材を用いることなく、又従来と異なり光透過
性樹脂と光フィルタが対になって成形される。従って、
次のような効果がある。 （１）接着材の材料コスト及び選定等の開発コスト及び
工程での工数の削減となる。 （２）キャビティ14内に注入された光透過性樹脂６は既
に配置されている光フィルタ７の上に積層される。従っ
て、光路となる光透過性樹脂面は光フィルタ７と密着し
ているので成形型により成形をされる事がない。このた
め、成形時に付着した離型剤や、凹凸転写によるキズ等
が光透過性を阻害する事がない。 （３）光フィルタ７は、下型12に配置する為、特別な位
置検出装置を使用することなく、位置決め精度が向上す
る。また型の形状により、高さ、縦、横方向の位置を任
意に決めることができるという付随的効果もある。 （４）光路に接着材層を有しない為、接着材中の気泡の
発生による光透過性の阻害も発生する事がない。 （５）レンズ等の光透過性部材を用いるために、光透過
性樹脂に鋭角部が形成されたとしても、光透過性樹脂と
レンズを対で、鋭角にて離型するので、離型時割れ等を
回避できる。 第３図は、本発明の第２実施例を示す断面図である。 本実施例によれば、光フィルタ７が、光透過性樹脂光
路面より小さい時でも、下型12に凹部17が形成されてい
るので、光フィルタ７は凹部17により位置が限定される
為、完成品での光フィルタ７の位置は、極めて高精度な
ものとなるという効果がある。 第４図は、本発明の第３実施例を示す断面図である。
本実施例によれば、凹部17の底部にシリコーングリース
18を塗付し、その上に光フィルタ７を載置せしめている
ので、下型12と光フィルタ７間に樹脂が浸入しないとい
う効果がある。 即ち、本発明における封止方法としては、一般にキャ
スティングモールド、トランスファモールド、インジェ
クションモールド等、様々な方法がある。しかし、製造
条件によっては、光フィルタ７と下型12の凹部17の間に
樹脂が浸入することがある。この時浸入した樹脂は、光
フィルタ７上に薄状に付着し、乱反射により、光透過性
の阻害となる。このような問題を防ぐ為に、第４図に示
す第３実施例は特に効果がある。 第５図は、本発明の第４実施例を示す断面図である。 本実施例によれば、下型12の底部に凸部19を設けたの
で、光フィルタ７をこの凸部19で保持することができ、
シリコーングリース18を用いても光フィルタ７の垂直方
向の位置が確定するという効果がある。 更に、この第４実施例によれば、光フィルタ７は、シ
リコーングリース18により粘着される為、光フィルタ７
を上型11に装着するような構成としても、光フィルタ７
が落下しないという効果がある。 上記第３と第４の実施例において、シリコーングリー
スを用いたが、粘性部材であれば良く、例えば、カルナ
ウバロウ等のロウ、シリコーンオイル等のオイル、シリ
コーングリース以外のグリースであっても良い。 第６図及び第７図に第５実施例を示す。本例では、第
１実施例（３）で示す光フィルタ７の片面（下型12側の
面）に粘着テープ30を付着せしめてある。すなわち、光
フィルターと下型12との界面に粘着テープ30を介在せし
める。 この粘着テープ30は第１実施例の第（７）工程の後に
光フィルター７から引き剥す。他の工程は第１実施例と
同様である。 かかる粘着テープ30を付着せしめておくと、光フィル
ター７と下型12との界面にたとえ樹脂が侵入し、バリの
発生をきたしたとしても、このバリは、光フィルター７
から粘着テープ30を剥す際に粘着テープ30とともに除去
されてしまう。 なお、粘着テープは耐熱性（樹脂注入時あるいは加熱
時には約150℃の熱にさらされるのでこの温度に耐えら
れる程度の耐熱性）を有していればよく、かかる耐熱性
を有していれば特に限定されない。粘着テープの粘着剤
としては例えば、エポキシ樹脂その他エポキシフェノー
ル系樹脂（連続でも180℃程度までの耐熱性を有す
る）、塩化ビニール樹脂あるいは、ポリイミド、ポリア
ミドイミド等を適宜使用すればよい。 また、一般的に、本発明においては、光半導体素子の
材質、受光面の分割、回路等は、光半導体装置の用途、
目的に応じ様々なものが使用されるものである。例え
ば、撮像用の面分割された、シリコン光半導体素子等で
ある。又、実施例において、光透過性樹脂上の光透過性
部材として、光フィルタ及びレンズについて記載した
が、光半導体装置の用途、目的に応じ、偏光板、凹レン
ズ等であってもよい。 本発明において、光透過性樹脂は、光半導体装置の用
途、目的に応じ、選択されるものであり、光透過性、接
着性の他、耐熱性、耐水性等の信頼性が要求される。 例えば、半導体装置の使用波長が約300μｍ〜1000μ
ｍの可視光域であり、光フィルタ７の素材がガラスであ
る時、上記光透過性、接着性、信頼性から、樹脂は、ビ
スフェノールＡタイプエポキシ樹脂の酸無水物硬化のも
のがよい。 ［発明の効果］ （１）上記の通り、本発明によれば接着材を用いていな
いので、接着材の材料コスト及び選定等の開発コスト及
び工程での工数の削減となる。 （２）キャビティ14内に注入された光透過性樹脂６は既
に配置されている光フィルタ７の上に積層される。従っ
て、光路となる光透過性樹脂面は光フィルタ７と密着し
ているので、成形時により成形される事がない。このた
め、成形時に付着した離型剤や、凹凸転写によるキズ等
が光透過性を阻害する事がない。 （３）光透過性部材７は、下型12に配置する為、特別な
位置検出装置を使用することなく、位置決め精度が向上
する。また型の形状により、高さ、縦、横方向の位置を
任意に決めることができるとういう付随的効果もある。 特に、光透過性部材は、光透過性部材の高さ及び形状
と実質的に同じ深さ及び形状とされた凹部に配置される
ため、注入された樹脂が光透過性部材の側面に回り込む
ことのを防ぐことができ、均一な樹脂モールドを行うこ
とができる。 （４）光路に接着材層を有しない為、接着材中の気泡の
発生による光透過性の阻害も発生する事がない。 （５）レンズ等の光透過性部材を用いるために、光透過
性樹脂に鋭角部が形成されたとしても、光透過性樹脂と
レンズを対で、鋭角にて離型するので、離型時割れ等を
回避できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明により製造された光半導体装置の断面
図、第２図は本発明の第１実施例を示す断面図、第３図
は本発明の第２実施例を示す断面図、第４図は本発明の
第３実施例を示す断面図、第５図は本発明の第４実施例
を示す断面図、第６図及び第７図は本発明の第５実施例
を示す断面図、第８図は従来の光半導体装置の断面図、
第９図は従来の封止工程を示す断面図、第10図は従来の
光半導体装置の断面図。 １……リードフレーム素子装着部分、２……リードフレ
ームリード部、３……装着材、４……光半導体素子、５
……金属細線、６……光透過性樹脂、７……光フィル
タ、８……接着材、９……ランナ、10……ゲート、11…
…上型、12……下型、13……上型キャビティ、14……下
型キャビティ、15……レンズ、16……鋭角部、17……凹
部、18……シリコーングリース、19……凸部、30……粘
着テープ。
図、第２図は本発明の第１実施例を示す断面図、第３図
は本発明の第２実施例を示す断面図、第４図は本発明の
第３実施例を示す断面図、第５図は本発明の第４実施例
を示す断面図、第６図及び第７図は本発明の第５実施例
を示す断面図、第８図は従来の光半導体装置の断面図、
第９図は従来の封止工程を示す断面図、第10図は従来の
光半導体装置の断面図。 １……リードフレーム素子装着部分、２……リードフレ
ームリード部、３……装着材、４……光半導体素子、５
……金属細線、６……光透過性樹脂、７……光フィル
タ、８……接着材、９……ランナ、10……ゲート、11…
…上型、12……下型、13……上型キャビティ、14……下
型キャビティ、15……レンズ、16……鋭角部、17……凹
部、18……シリコーングリース、19……凸部、30……粘
着テープ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名)
H01L 31/02
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．光を電気信号に変換する光半導体素子に必要な電気
接続を行った光半導体主要部と、該主要部を封止する光
透過性樹脂と、該光半導体素子の光路上に位置する光透
過性部材とを具備する光半導体装置の製造方法におい
て、上記光透過性部材を該光透過性部材の高さ及び形状
と実質的に同じとされた成形型の凹部の一面に光入射側
となる面側の全面が密着するように挿入配置し、次に該
光透過性部材に対し上記光半導体装置主要部を対向さ
せ、さらに、上記光透過性樹脂を該成形型内に注入して
光透過性部材に密着させるとともに光半導体主要部を封
止することを特徴とする光半導体装置の製造方法。 ２．上記光透過性部材は上記凹部内に粘着物質を介して
装着されている特許請求の範囲第１項記載の光半導体装
置の製造方法。 ３．上記粘着物質がロウ、オイル、又はグリースである
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の光半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62006899A JP2765832B2 (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | 光半導体装置の製造方法 |
| EP87306304A EP0253664B1 (en) | 1986-07-16 | 1987-07-16 | Semiconductor photo-sensor and method for manufacturing the same |
| DE8787306304T DE3782201T2 (de) | 1986-07-16 | 1987-07-16 | Halbleiterphotosensor und verfahren zu dessen herstellung. |
| US08/472,110 US5583076A (en) | 1986-07-16 | 1995-06-07 | Method for manufacturing a semiconductor photo-sensor |
| US09/013,031 US5912504A (en) | 1986-07-16 | 1998-01-26 | Semiconductor photo-sensor and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62006899A JP2765832B2 (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | 光半導体装置の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=11651071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62006899A Expired - Fee Related JP2765832B2 (ja) | 1986-07-16 | 1987-01-14 | 光半導体装置の製造方法 |
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| Country | Link |
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|---|---|---|---|---|
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| WO2003098702A1 (fr) * | 2002-05-15 | 2003-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Detecteur optique, dispositif a tete optique, dispositif de traitement de donnees optiques et procede de traitement de donnees optiques |
| JP2008078455A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Denso Corp | 車載用カラーセンサおよびその製造方法 |
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1987
- 1987-01-14 JP JP62006899A patent/JP2765832B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPS63175483A (ja) | 1988-07-19 |
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|---|---|---|---|
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