JPH06191864A - ガラスプレス成形型 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 ガラスをプレス成形するための成形型におい
て、成形して得ようとするガラス成形体の形状に対応す
る形状に加工した成形型基盤上の加工面に、ｉ−カーボ
ン膜と硬質炭素膜とを順次積層してなる炭素質の２層構
造膜を有することを特徴とするプレス成形型。 【効果】 本発明のプレス成形型は、ｉ−カーボン膜及
び硬質炭素膜のそれぞれの欠点を相互に補い、ｉ−カー
ボン膜の持つ基盤との高密着性、高硬度、耐酸化性の利
点と硬質炭素膜が持つ離型性の利点を合せ持っており、
ガラスプレス成形を多数回繰り返しても硬質炭素膜が剥
離しにくく、かつガラス離型性も良好なため、高品質の
ガラス成形体を長期間にわたって多数回繰り返し製造で
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ガラスプレス成形型に
係り、詳しくはガラスレンズ等のガラス成形体の製造に
用いられるガラスプレス成形型に関する。

【０００２】

【従来の技術】プレス成形によるガラスレンズの製造に
おいては、特にプレス成形後の冷間研磨を不要にしよう
とする場合には、ガラスレンズ面は高温下において成形
型の表面形状をそのまま転写している必要があり、更に
成形型表面はガラスレンズ面に必要な面精度ならびに面
粗度が確保されていなければならない。このためガラス
プレス成形型は高温下においてガラスと化学的な反応を
起こさないこと、耐酸化性及び耐熱性に優れているこ
と、硬度が高くプレス成形時に組織変化又は塑性変形し
ないこと、更には型形状の加工性が良く型表面の摩擦抵
抗が極力小さいことなどが必要とされる。

【０００３】従来、ガラスプレス成形型としてはタング
ステンカーバイト（ＷＣ）、シリコンナイトライド（Ｓ
ｉ₃ Ｎ₄ ）、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）等が用いら
れているが、これらはいずれも４００℃以上の高温プレ
スでは数回〜数十回のプレスで型表面にガラスの融着が
起こるため、これを防止するために型表面にカーボンか
らなる離型膜を設けることが知られている。カーボン離
型膜の生成手段としては、スパッター法によりスパッタ
ーガスをアルゴン、スパッターターゲットをグラファイ
トとして型表面に硬質炭素膜を形成してガラスプレス成
形型とする方法（特開平１−８３５２９号公報）や、イ
オンプレーティング法によりアノード電極とカソード電
極から成るイオン化源にて炭化水素イオンを生成して型
表面にｉ−カーボン膜を形成してガラスプレス成形型と
する方法（特開平２−１９９０３６号公報）がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来のスパッター法に
より得られる硬質炭素膜は、耐熱性及び離型性に優れる
が、非晶質のグラファイトを含んでいるために、特にプ
レス成形温度が６００℃以上の高温で多数回のプレス操
作を繰り返すと、膜の一部に剥離が生じることがある。

【０００５】またイオンプレーティング法により得られ
たｉ−カーボン膜は、耐熱性、耐酸化性及び基盤との密
着性に優れ、かつ成形時のガラスの融着も起りにくい
が、膜構造が緻密でありガラスと接する膜表面が高平滑
性を有するために、プレス成形時にガラス表面と膜表面
との間にガラス表面から放出されるガスが閉じこめられ
て被成形ガラス表面に微小な凹部が生じることがある。

【０００６】本発明の目的は、上述のようなスパッター
法により得られた硬質炭素膜からなる離型膜を有するガ
ラスプレス成形型およびイオンプレーティング法により
得られたｉ−カーボン膜からなる離型膜を有するガラス
プレス成形型において起る上記欠点を解消したガラスプ
レス成形型を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は上述の目的を達
成するためになされたものであり、ガラスをプレス成形
するための成形型において、成形して得ようとするガラ
ス成形体の形状に対応する形状に加工した成形型基盤上
の加工面に、ｉ−カーボン膜と硬質炭素膜とを順次積層
してなる炭素質の２層構造膜を有することを特徴とする
ガラスプレス成形型を要旨とする。

【０００８】以下本発明を詳細に説明する。本発明のガ
ラスプレス成形型において、基盤は成形して得ようとす
るガラス成形体の形状に対応する形状に加工されてい
る。基盤をこのような形状に加工するのは、この基盤上
に、基盤の形状にならうように薄い離型膜を設けてガラ
スプレス成形型を形成することから当然である。基盤材
料としては、シリコン（Ｓｉ）、シリコンナイトライド
（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）、タングステンカーバイド（ＷＣ）や、
アルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）とチタンカーバイト（ＴｉＣ）
のサーメット等も用いられるが、炭化珪素（ＳｉＣ）焼
結体を用いるのが好ましい。この炭化珪素焼結体は、プ
レス成形の際、ガラスと接する面にＣＶＤ法による炭化
珪素膜を有するものが特に好ましい。

【０００９】本発明のガラスプレス成形型は、上記基盤
上の加工面に、ｉ−カーボン膜と硬質炭素膜とを順次積
層してなる炭素質の２層構造膜を有する。そしてｉ−カ
ーボン膜はイオンプレーティング法により、硬質炭素膜
はスパッター法により成膜するのが好ましい。

【００１０】先ずイオンプレーティング法によるｉ−カ
ーボン膜の成膜について説明する。イオンプレーティン
グ法は、アノード電極と第１のカソード電極とガラスプ
レス成形型の基盤を保持する基盤ホルダーとを有し、更
に前記第１のカソード電極及びアノード電極を取り囲む
形で配置したリフレクターを有するイオンプレーティン
グ装置を用いて実施される。このイオンプレーティング
装置において、前記アノード電極と第１のカソード電極
との間に５０〜１５０Ｖの低電圧を印加して炭化水素イ
オンのプラズマを発生させる。この低電圧は、５０Ｖ未
満ではイオン化効率が低く非能率的であり、１５０Ｖを
超えるとプラズマが不安定となるので、前記範囲（５０
〜１５０Ｖ）が好ましい。

【００１１】また用いられる炭化水素としては、炭素原
子数と水素原子数の比率（Ｃ／Ｈ）が１／３以上である
ものが好ましく、その例としては、ベンゼン（Ｃ／Ｈ＝
６／６）、トルエン（Ｃ／Ｈ＝７／８）、キシレン（Ｃ
／Ｈ＝８／１０）等の芳香族炭化水素、アセチレン（Ｃ
／Ｈ＝２／２）、メチルアセチレン（Ｃ／Ｈ＝３／
４）、ブチン（Ｃ／Ｈ＝４／６）等の三重結合含有不飽
和炭化水素、エチレン（Ｃ／Ｈ＝２／４）、プロピレン
（Ｃ／Ｈ＝３／６）、ブテン（Ｃ／Ｈ＝４／８）等の二
重結合含有不飽和炭化水素、エタン（Ｃ／Ｈ＝２／
６）、プロパン（Ｃ／Ｈ＝３／８）、ブタン（Ｃ／Ｈ＝
４／１０）、ペンタン（Ｃ／Ｈ＝５／１２）等の飽和炭
化水素が挙げられる。これらの炭化水素は、単独で用い
ても良く、２種以上を混合して用いても良い。

【００１２】これに対して、Ｃ／Ｈが１／３未満のメタ
ン（Ｃ／Ｈ＝１／４）や、アセトン、酢酸、アルコール
類（メタノール、エタノール、プロパノール等）、ジオ
キサン、アニリン、ピリジン等の酸素や窒素を含む炭化
水素化合物は、離型膜の成膜性及びプレス成形時のプレ
ス成形品離型性の少なくともいずれか一方が不十分であ
り、使用することが不適当であることが判明している。

【００１３】また前記アノード電極に対して前記基盤ホ
ルダーが第２のカソード電極となるように０．５〜２．
５ｋＶの電圧を印加して炭化水素イオンの加速を促進す
る。この電圧範囲外では、０．５ｋＶ未満では炭化水素
イオンの加速が不十分であり、ガラスプレス成形型基盤
とｉ−カーボン膜との密着性が弱くなり、２．５ｋＶを
超えると異常放電が生じ易くなるためである。

【００１４】イオンプレーティング処理時の基盤温度は
２００〜４００℃が好ましい。その理由は、２００℃未
満で形成したｉ−カーボン膜は膜質が脆弱であり、窒素
雰囲気中における６５０℃の加熱保持テストがおいて昇
温直後にｉ−カーボン膜がフィルム状に基盤表面から浮
き上り耐熱性が劣るのに対し、２００〜４００℃では上
述と同様の加熱保持テストにおいて３０時間保持後も何
ら変化を示さないからである。

【００１５】ｉ−カーボン膜の厚さの実用範囲は５０〜
５，０００オングストロームであり、５０オングストロ
ーム未満であると均一な膜の形成が困難であり、５，０
００オングストロームを超えると、膜中の歪のために離
型を生じる。更にこのｉ−カーボン膜形成が目的とする
ところの硬質炭素膜の密着性増加及び基盤材料表面の保
護という観点からすれば、ｉ−カーボン膜の厚さは比較
的薄くて十分であり、したがって、好ましい範囲として
は１００〜１，０００オングストロームである。

【００１６】次にスパッター法による硬質炭素膜のｉ−
カーボン膜上への成膜について説明する。スパッター法
は上述のイオンプレーティング法によりｉ−カーボン膜
が形成されたプレス成形型基盤を保持する基盤ホルダー
と、これと対向するスパッターターゲットを収容するス
パッター装置を用いて実施される。このスパッター装置
において、前記基盤温度は２５０〜４５０℃が好まし
い。その理由は、４５０℃を超えると成膜された膜表面
の面粗度が急激に悪化し、また２５０℃未満では膜硬度
が低下するためにいずれも離型膜として不適当であるか
らである。このスパッタ法においては、スパッターガス
としてアルゴンガスを、スパッターターゲットとしてグ
ラファイトを用いて、高周波によってプラズマを発生さ
せて硬質炭素膜を形成するのが好ましい。

【００１７】硬質炭素膜の厚さの実用範囲は、上述のｉ
−カーボン膜と同様に５０〜５，０００オングストロー
ムであるが、ｉ−カーボン膜が硬質炭素膜との中間媒体
となっているのに対し、硬質炭素膜形成の目的はガラス
との離型性及び被成形ガラス表面の品質確保である点か
ら、必要最小限の厚さが良いため好ましい範囲としては
１００〜２，０００オングストロームである。

【００１８】なお、上述のｉ−カーボン膜及び硬質炭素
膜の成膜は、それぞれ独立したイオンプレーティング装
置及びスパッター装置にて行なっても良いが、処理時間
短縮の効率化を考えれば、イオンプレーティング法及び
スパッター法のいずれの機能をも満たした装置にて行な
うほうが好ましい。

【００１９】

【作用】本発明のガラスプレス成形型は、基盤上に、ｉ
−カーボン膜および硬質炭素膜を順次設け、炭素質の２
層構造膜を構成してなるが、このような構成により、基
盤と硬質炭素膜との間に、基盤との密着性の良いｉ−カ
ーボン膜が介在することになり、基盤と硬質炭素膜とが
強固に結合し、基板に離型膜として硬質炭素膜を直接設
けたときに起る膜の剥離が防止される。またｉ−カーボ
ン膜はガラスに直接接触しないので、離型膜がｉ−カー
ボン膜のときに起るガラス成形体の凹部形成の問題も解
消される。そして硬質炭素膜の離型膜としての特性をい
かんなく発揮させることができる。

【００２０】このように、本発明のガラスプレス成形型
は、ｉ−カーボン膜及び硬質炭素膜のそれぞれの欠点を
相互に補い、ｉ−カーボン膜の持つ基盤との高密着性、
高硬度、耐酸化性の利点と硬質炭素膜が持つ離型性の利
点を合せ持っており、ガラスプレス成形を多数回繰り返
しても硬質炭素膜が剥離しにくく、かつガラス離型性も
良好なため、高品質のガラス成形体を長期間にわたって
多数回繰り返し製造できる。

【００２１】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に説明する。 ［実施例１］ガラスプレス成形型の基盤材料として炭化
珪素（ＳｉＣ）焼結体を用い研削によりプレス成形型形
状に加工後、さらに加工面側にＣＶＤ法により炭化珪素
膜を形成し、更に研削及び研磨して製造されるべき成形
体に対応する形状に鏡面仕上げして成形型基盤を得た。
次に前記成形型基盤の炭化珪素膜上にｉ−カーボン膜を
イオンプレーティング法により成膜した。図１は、ｉ−
カーボン膜を成膜するために用いられるイオンプレーテ
ィング装置の概略図であり、図１に示すイオンプレーテ
ィング装置において真空槽１１の上部にヒーター１９を
内蔵した基盤ホルダー１２が設けられ、これに炭化珪素
膜を有する成形型基盤１３が保持されている。基盤ホル
ダー１２と対向した下部にはタンタル（Ｔａ）フィラメ
ントから成る第１のカソード電極１４とタングステン
（Ｗ）基盤から成るアノード電極１５が設置され、この
両電極１４、１５を取り囲む形で円筒形のリフレクター
１６が設けられており、これは生成されたイオンを基盤
１３の方向へ集中することを目的としている。また、図
中１７はアルゴン及びベンゼンガス導入口、１８は真空
排気のための排気口である。

【００２２】排気口１８より真空槽１１内の真空度を
５．０×１０^-6Ｔｏｒｒに排気した後、ガス導入口１７
よりアルゴンガスを導入することによって真空度を８．
０×１０^-4Ｔｏｒｒに保持し、第１のカソード電極１４
とアノード電極１５間に８０Ｖの電圧を印加し、この間
にプラズマを発生させ、第１のカソード電極１４からの
熱電子によりアルゴンガスをイオン化した。更に第２の
カソード電極である基盤ホルダー１２とアノード電極１
５間に１．５ｋＶの電圧を印加するとともに、リフレク
ター１６に８０Ｖの電圧を印加して、アルゴンイオンを
基盤１３へ集中的に加速させることで、基盤１３の表面
をイオンボンバードし清浄化した。このイオンボンバー
ド工程において成形型基盤１３の加熱は必ずしも必要で
はないが、型面の清浄効果の促進及び次に続く成膜工程
における加熱のことを考えればここで加熱しておくこと
が好ましい。

【００２３】次に再び真空槽１１の真空排気を行いガス
導入口１７によりベンゼンガスを導入することによって
真空度を２．０×１０^-3Ｔｏｒｒに保持し、第１のカソ
ード電極１４とアノード電極１５間に８０Ｖの電圧を印
加してベンゼンガスを炭化水素イオンとし、更に第２の
カソード電極である基盤ホルダー１２とアノード電極１
５間に１．５ｋＶの電圧を印加するとともにリフレクタ
ー１６に８０Ｖの電圧を印加して炭化水素イオンを成形
型基盤１３の方向に集中的に加速し、あらかじめ３００
℃に加熱しておいた成形型基盤１３の表面に膜厚７００
オングストロームのｉ−カーボン膜を形成した。

【００２４】次にこのｉ−カーボン膜上にスパッター法
により硬質炭素膜を形成するために用いられるスパッタ
ー装置の概略図を図２に示す。図２に示すスパッタ装置
において、真空槽２０の上部にはヒーターを内蔵した基
盤ホルダー２２が設けられ、すでにｉ−カーボン膜が被
覆された成形型基盤２１が保持されている。更に真空槽
２０の下部にはグラファイトから成るターゲット２３が
前記成形型基盤２１と対向するように配置されている
る。図中、２４はマグネット、２５はＲＦ電源で１３．
５６ＭＨｚの高周波であり、また２６はアルゴンガスの
導入口、２７は真空排気のための排気口である。

【００２５】排気口２７により真空槽２０内の真空度を
５．０×１０^-5Ｔｏｒｒに排気した後、ガス導入口２６
よりアルゴンガスを導入することによって真空度を５．
０×１０^-3Ｔｏｒｒに保持し、ＲＦ電源２５により高周
波電力を印加して前記グラファイトターゲット２３をス
パッターして、あらかじめ３００℃に加熱しておいた成
形型基盤２１のｉ−カーボン膜上に膜厚７００オングス
トロームの硬質炭素膜を形成した。

【００２６】このようにして、図３に示すように、所定
形状の炭化珪素焼結体１上のプレス成形面に、ＣＶＤ法
により形成された炭化珪素膜２を有し、更にこの炭化珪
素膜２上に、イオンプレーティング法によりｉ−カーボ
ン膜３を形成し、更にこのｉ−カーボン膜３上に、スパ
ッター法により硬質炭素膜４を形成した本実施例のガラ
スプレス成形型５が得られた。

【００２７】次に、本実施例で得られたガラスプレス成
形型を用いてプレス成形を行った結果を以下に示す。図
３の如く、一対のガラス成形型５、５と案内型６との間
にガラスＡ（ガラス転移点温度４７５℃）からなるガラ
ス７を配置した後、窒素雰囲気中でガラス７を温度５４
５℃（ガラス粘度１０⁹ ポアズに相当）にて５０ｋｇｆ
／ｃｍ² のプレス圧で６０秒間の成形を行い、室温まで
急冷する操作を繰り返した結果、本実施例のプレス成形
型（同一方法で得られた５個の成形型試料を用いた。以
下同様）では１０００回のプレス成形でもガラスの融着
は認められず、また硬質炭素膜の表面は何ら劣化を示さ
なかった（表１の実施例１におけるガラスＡの結果参
照）。

【００２８】また上記ガラスとは異なるガラスＢ（ガラ
ス転移点温度５４５℃）を温度６５０℃にて前記と同条
件でプレス成形を行ったところ、本実施例のプレス成形
型では、５個の成形型試料のうち２個は８９３回目と９
１５回目に硬質炭素膜の局部的な剥離跡が被成形ガラス
の表面にて確認されたが、ガラスの融着は認められずプ
レス成形の続行が可能であった。また残りの３個の成形
型試料は１０００回のプレス成形でも変化しなかった
（表１の実施例１におけるガラスＢの結果参照）。これ
に対してｉ−カーボン膜ならびに硬質炭素膜を形成して
いない成形面が炭化珪素膜である、参考例の成形型では
ガラスＡで５〜９回、ガラスＢで２〜３回でガラスの融
着が発生し、この融着部分に相当する被成形ガラスの表
面は粗れとして確認された（表１の参考例におけガラス
Ａ及びガラスＢの結果参照）。

【００２９】［実施例２］実施例１におけるｉ−カーボ
ン膜及び硬質炭素膜の各膜厚のみを変えた以外は同様の
実験を行った。すなわち、ベンゼンガスにより真空度を
２．０×１０^-3Ｔｏｒｒとし、基盤温度３００℃、アノ
ード電極と第１のカソード電極間の電圧８０Ｖ、基盤ホ
ルダー（第２のカソード電極）とアノード電極間の電圧
１．５ｋＶとして成形型基盤表面に２００オングストロ
ームのｉ−カーボン膜を形成した後、このｉ−カーボン
膜上にアルゴンガスにより真空度５．０×１０^-3Ｔｏｒ
ｒとし、基盤温度３００℃でグラファイトターゲット
を、高周波電力を印加してスパッターし２００オングス
トロームの硬質炭素膜を形成した。次に本実施例で得ら
れたガラスプレス成形型を用い実施例１におけると同様
にプレス成形を行った結果、ガラスＡの場合８３４〜９
３４回目に硬質炭素膜の局所的な剥離跡が被成形ガラス
の表面にて確認されたが、ガラスの融着は認められずプ
レス成形の続行が可能であった（表１の実施例２におけ
るガラスＡの結果参照）。またガラスＡとは別種のガラ
スＢの場合、６９３〜７８５回目にガラスＡと同様の結
果が確認された（表１の実施例２におけるガラスＢの結
果参照）。

【００３０】［実施例３］実施例１と同様に、ベンゼン
ガスにより真空度を２．０×１０^-3Ｔｏｒｒとし、基盤
温度３００℃、アノード電極と第１のカソード電極間の
電圧９０Ｖ、基盤ホルダー（第２カソード電極）とアノ
ード電極間の電圧１．５ｋＶとして成形型基盤表面に１
０００オングストロームのｉ−カーボン膜を形成した
後、このｉ−カーボン膜上に、アルゴンガスにより真空
度５．０×１０^-3Ｔｏｒｒとし、基盤温度３００℃でグ
ラファイトターゲットを、高周波電力を印加してスパッ
ターし２０００オングストロームの硬質炭素膜を形成し
た。次に本実施例で得られたガラスプレス成形型を用い
実施例１におけると同様にプレス成形を行った結果、ガ
ラスＡならびにガラスＢにて１０００回でもガラスの融
着は認められず、また硬質炭素膜の表面も何ら劣化を示
さなかった（表１の実施例３におけるガラスＡ及びガラ
スＢの結果参照）。

【００３１】［実施例４］実施例１と同様に、ベンゼン
ガスにより真空度を２．０×１０^-3Ｔｏｒｒとし、基盤
温度３００℃、アノード電極と第１のカソード電極間の
電圧９０Ｖ、基盤ホルダー（第２のカソード電極）とア
ノード電極間の電圧１．５ｋＶとして成形型基盤表面に
１００オングストロームのｉ−カーボン膜を成形した
後、このｉ−カーボン膜上に、アルゴンガスにより真空
度５．０×１０^-3Ｔｏｒｒとし、基盤温度３００℃でグ
ラファイトターゲットを、高周波電力を印加してスパッ
ターし１００オングストロームの硬質炭素膜を形成し
た。次に本実施例で得られたガラスプレス成形型を用い
実施例１におけると同様にプレス成形を行った結果、ガ
ラスＡの場合７５４〜８１５回目に、またガラスＢの場
合５４３〜５９７回目に硬質炭素膜の局部的な剥離跡が
被成形ガラス表面にて確認されたが、ガラスの融着は認
められずプレス成形の続行が可能であった（表１の実施
例４におけるガラスＡ及びガラスＢの結果参照）。

【００３２】［比較例１］基盤上にｉ−カーボン膜を有
するが、硬質炭素膜を形成していない比較成形型を用い
て実施例１との比較実験を行った。すなわち、ベンゼン
ガスにより真空度を２．０×１０^-3Ｔｏｒｒとし、基盤
温度は３００℃、アノード電極と第１のカソード電極間
の電圧８０Ｖ、基盤ホルダー（第２カソード電極）とア
ノード電極間の電圧１．５ｋＶとして成形型基盤表面に
７００オングストロームのｉ−カーボン膜を形成してガ
ラスプレス成形型を得た。次にこのガラスプレス成形型
を用い実施例１におけると同様にプレス成形を行った結
果、ガラスＡの場合、４３〜５２回目より、融着はしな
いが、成形ガラスの表面に微細な凹部が発生しているこ
とが確認された（表１の比較例１におけるガラスＡの結
果参照）。また上記ガラスとは別種のガラスＢの場合、
１９〜３４回目よりガラスＡと同様の結果が確認された
（表１の比較例１におけるガラスＢの結果参照）。

【００３３】［比較例２］基盤上に、ｉ−カーボン膜を
形成することなく、硬質炭素膜を形成した比較成形型を
用いて実施例１との比較実験を行った。すなわち、アル
ゴンガスにより真空度５．０×１０^-3Ｔｏｒｒとし、基
盤温度３００℃で、グラファイトターゲットを、高周波
電力を印加してスパッターし７００オングストロームの
硬質炭素膜を形成した。次にこのガラスプレス成形型を
用い実施例１におけると同様にプレス成形を行った結
果、ガラスＡの場合２０３〜３０２回目に、ガラスＢの
場合１５３〜２５２回目でガラスの融着が認められた
（表１の比較例２におけるガラスＡ及びガラスＢの結果
参照）。

【００３４】

【表１】

【００３５】

【発明の効果】本発明によれば、基盤上にｉ−カーボン
膜および硬質炭素膜を順次設け、炭素質の２層構造膜を
構成したこと、即ち、基盤と硬質炭素膜との間に、基盤
との密着性の良いｉ−カーボン膜を介在させたことによ
り、基盤と硬質炭素膜とが強固に結合したガラスプレス
成形型が得られる。

【００３６】本発明のガラスプレス成形型は、ｉ−カー
ボン膜及び硬質炭素膜のそれぞれの欠点を相互に補い、
ｉ−カーボン膜の持つ基盤との高密着性、高硬度、耐酸
化性の利点と硬質炭素膜が持つ離型性の利点を合せ持っ
ており、ガラスプレス成形を多数回繰り返しても硬質炭
素膜が剥離しにくく、かつガラス離型性も良好なため、
高品質のガラス成形体を長期間にわたって多数回繰り返
し製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ｉ−カーボン膜を基盤に成膜するためのイオン
プレーティング装置の概略図。

【図２】硬質炭素膜をｉ−カーボン膜上に成膜するため
のスパッタ装置の概略図。

【図３】本発明のプレス成形型を用いてガラスプレス成
形例を示す図。

【符号の説明】

１…炭化珪素焼結体、２…炭化珪素膜、３…ｉ−カーボ
ン膜、４…硬質炭素膜、５…ガラス成形型、６…案内
型、７…被成形ガラス、１１…真空槽、１２…基盤ホル
ダー、１３…ガラス成形型基盤、１４…カソード電極、
１５…アノード電極、１６…リフレクター、１７…ガス
導入口、１８…排気口、１９…ヒーター、２０…真空
槽、２１…ガラス成形型基盤、２２…基盤ホルダー、２
３…グラファイトターゲット、２４…マグネット、２５
…ＲＦ電源、２６…ガス導入口、２７…排気口。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガラスをプレス成形するための成形型に
   おいて、成形して得ようとするガラス成形体の形状に対
   応する形状に加工した成形型基盤上の加工面に、ｉ−カ
   ーボン膜と硬質炭素膜とを順次積層してなる炭素質の２
   層構造膜を有することを特徴とするガラスプレス成形
   型。
2. 【請求項２】 基盤が焼結炭化珪素母材上にＣＶＤ法に
   よる炭化珪素膜を設けてなることを特徴とする請求項１
   に記載のガラスプレス成形型。
3. 【請求項３】 ｉ−カーボン膜の膜厚が５０〜５，００
   ０オングストロームであることを特徴とする請求項１に
   記載のガラスプレス成形型。
4. 【請求項４】 硬質炭素膜の膜厚が５０〜５，０００オ
   ングストロームであることを特徴とする請求項１に記載
   のガラスプレス成形型。