JPH06186533A - 強誘電性液晶表示素子及びその製造方法 - Google Patents
強誘電性液晶表示素子及びその製造方法Info
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- JPH06186533A JPH06186533A JP4337648A JP33764892A JPH06186533A JP H06186533 A JPH06186533 A JP H06186533A JP 4337648 A JP4337648 A JP 4337648A JP 33764892 A JP33764892 A JP 33764892A JP H06186533 A JPH06186533 A JP H06186533A
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- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
Abstract
(57)【要約】
【目的】高速応答および階調表示が可能で、コントラス
トも良好な、かつ、耐衝撃性にもすぐれた強誘電性液晶
表示素子およびその製造方法を提供する。 【構成】ホトマスクを基板外面に接して、表示絵素部を
遮光して配置する。この状態の基板に強誘電性液晶性組
成物と光硬化性強誘電性液晶プレポリマー、および光硬
化性触媒を均一混合後注入する。次に、ホトマスクが取
り付けられた基板側から紫外光照射を行う。その際、ホ
トマスクにより、必要とする液晶ドロップレット径の分
布に対応させてＵＶ光に規則的な強弱を付ける。こうす
ると、強誘電性液晶高分子１０の壁で仕切られた強誘電
性液晶ドロップレット９が基板内面に形成される。各強
誘電性液晶ドロップレット９の大きさは基板平面方向に
沿って階調的に分布している。
トも良好な、かつ、耐衝撃性にもすぐれた強誘電性液晶
表示素子およびその製造方法を提供する。 【構成】ホトマスクを基板外面に接して、表示絵素部を
遮光して配置する。この状態の基板に強誘電性液晶性組
成物と光硬化性強誘電性液晶プレポリマー、および光硬
化性触媒を均一混合後注入する。次に、ホトマスクが取
り付けられた基板側から紫外光照射を行う。その際、ホ
トマスクにより、必要とする液晶ドロップレット径の分
布に対応させてＵＶ光に規則的な強弱を付ける。こうす
ると、強誘電性液晶高分子１０の壁で仕切られた強誘電
性液晶ドロップレット９が基板内面に形成される。各強
誘電性液晶ドロップレット９の大きさは基板平面方向に
沿って階調的に分布している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、プロジェクシ
ョンテレビ、パーソナルコンピューター等の平面ディス
プレイ装置、シャッタ効果を利用した表示板、窓、扉、
壁等に利用することができ、特に、薄型基板、フィルム
基板を利用したセルに適用できる液晶表示素子及びその
製造方法に関する。
ョンテレビ、パーソナルコンピューター等の平面ディス
プレイ装置、シャッタ効果を利用した表示板、窓、扉、
壁等に利用することができ、特に、薄型基板、フィルム
基板を利用したセルに適用できる液晶表示素子及びその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶を利用した表示素子としては、例え
ば、ネマティック型液晶の電気光学効果を利用したＴＮ
型、ＳＴＮ型の表示素子が実用化されている。これらの
液晶表示素子の性能を越えるものとして強誘電性液晶
（ＦＬＣ）を用いた強誘電性液晶表示素子が提案されて
いる。この強誘電性液晶表示素子は、高速応答性、メモ
リー性等、従来の液晶表示素子にはみられなかった特性
を有し、特に、高精細、大画面用の液晶表示素子として
期待されている。しかし、この強誘電性液晶表示素子
は、ネマティック型液晶表示素子で扱われるネマティッ
ク相より、より結晶状態に近いスメクティックＣ*相
（ＳｍＣ*相）における自発分極を利用するので、この
スメクティックＣ*相の規則的な結晶状態では衝撃に弱
く、また、大画面に均一に液晶分子を配向させるのが困
難であるという問題がある。さらに、スイッチングを相
転位の２つの状態間だけで行うので中間状態が無く、階
調表示が困難であるという問題もある。
ば、ネマティック型液晶の電気光学効果を利用したＴＮ
型、ＳＴＮ型の表示素子が実用化されている。これらの
液晶表示素子の性能を越えるものとして強誘電性液晶
（ＦＬＣ）を用いた強誘電性液晶表示素子が提案されて
いる。この強誘電性液晶表示素子は、高速応答性、メモ
リー性等、従来の液晶表示素子にはみられなかった特性
を有し、特に、高精細、大画面用の液晶表示素子として
期待されている。しかし、この強誘電性液晶表示素子
は、ネマティック型液晶表示素子で扱われるネマティッ
ク相より、より結晶状態に近いスメクティックＣ*相
（ＳｍＣ*相）における自発分極を利用するので、この
スメクティックＣ*相の規則的な結晶状態では衝撃に弱
く、また、大画面に均一に液晶分子を配向させるのが困
難であるという問題がある。さらに、スイッチングを相
転位の２つの状態間だけで行うので中間状態が無く、階
調表示が困難であるという問題もある。
【０００３】これらの内、耐衝撃性の改善を目指すもの
としては特開昭６３−２６４７２４号公報に開示された
方法がある。この方法は、強誘電性液晶を高分子中に分
散させ、このフィルムを延伸処理する。また、特開昭６
３−３１８５２６号公報においても、強誘電性化合物を
高分子の側鎖に固定して形成し、これと強誘電性液晶を
混合して用いた耐衝撃性に優れたフレキシブル強誘電性
液晶素子が開示されている。
としては特開昭６３−２６４７２４号公報に開示された
方法がある。この方法は、強誘電性液晶を高分子中に分
散させ、このフィルムを延伸処理する。また、特開昭６
３−３１８５２６号公報においても、強誘電性化合物を
高分子の側鎖に固定して形成し、これと強誘電性液晶を
混合して用いた耐衝撃性に優れたフレキシブル強誘電性
液晶素子が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記耐衝撃性
の改善を考慮した従来の強誘電性液晶素子の内、高分子
中に強誘電性液晶を分散させた分散型強誘電性液晶高分
子素子においては、強誘電性液晶と高分子の屈折率の差
により両者の界面で光の散乱が起こり、この散乱によ
り、偏光された入射光が脱偏光してコントラストが低下
するという問題がある。
の改善を考慮した従来の強誘電性液晶素子の内、高分子
中に強誘電性液晶を分散させた分散型強誘電性液晶高分
子素子においては、強誘電性液晶と高分子の屈折率の差
により両者の界面で光の散乱が起こり、この散乱によ
り、偏光された入射光が脱偏光してコントラストが低下
するという問題がある。
【０００５】また、強誘電性液晶を高分子側鎖に結合さ
せた強誘電性液晶高分子を用いる方法では、強誘電性液
晶そのものに比べて液晶分子の配列方向の変化の応答が
２桁程度遅くなるという新たな問題がある。
せた強誘電性液晶高分子を用いる方法では、強誘電性液
晶そのものに比べて液晶分子の配列方向の変化の応答が
２桁程度遅くなるという新たな問題がある。
【０００６】この強誘電性液晶高分子素子の応答速度改
善については、応答速度の速い低分子強誘電性液晶を分
散型強誘電性液晶高分子素子に添加する方法が時開平４
−５９８９０号公報に開示されているが、低分子強誘電
性液晶の添加量を増加させてゆくと低分子強誘電性液晶
の性質に近くなり耐衝撃性などに問題が起きてくる。ま
た、階調表示の問題については、面積階調方式や時分割
階調方式といった解像度を下げて階調を表示するもの
や、フレーム周波数を下げて階調を表示するものが提案
されているが、いずれも絵素の表示状態としては常に白
もしくは黒の状態の二値を表示するものでしかなく、真
に階調表示を行っているわけではない。本発明は、上記
のような課題を解決するためになされたものであり、強
誘電性液晶のすぐれた特性である高速応答性を損なうこ
となく、コントラストの良好な表示及び階調表示が可能
で、かつ、耐衝撃性にもすぐれた強誘電性液晶表示素子
及びその製造方法を提供することを目的とする。
善については、応答速度の速い低分子強誘電性液晶を分
散型強誘電性液晶高分子素子に添加する方法が時開平４
−５９８９０号公報に開示されているが、低分子強誘電
性液晶の添加量を増加させてゆくと低分子強誘電性液晶
の性質に近くなり耐衝撃性などに問題が起きてくる。ま
た、階調表示の問題については、面積階調方式や時分割
階調方式といった解像度を下げて階調を表示するもの
や、フレーム周波数を下げて階調を表示するものが提案
されているが、いずれも絵素の表示状態としては常に白
もしくは黒の状態の二値を表示するものでしかなく、真
に階調表示を行っているわけではない。本発明は、上記
のような課題を解決するためになされたものであり、強
誘電性液晶のすぐれた特性である高速応答性を損なうこ
となく、コントラストの良好な表示及び階調表示が可能
で、かつ、耐衝撃性にもすぐれた強誘電性液晶表示素子
及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の強誘電性液晶表
示素子は、対向配置された、少なくとも一方が透明であ
る一対の基板と、該一対の基板のそれぞれの内面に形成
された電極と、該一対の基板間に挟持された表示媒体
と、マトリクス状に形成された表示絵素とを有する強誘
電性液晶表示素子において、該表示媒体が、強誘電性液
晶領域と強誘電性高分子領域とに分割されている強誘電
性液晶表示素子であり、そのことにより、上記目的が達
成される。
示素子は、対向配置された、少なくとも一方が透明であ
る一対の基板と、該一対の基板のそれぞれの内面に形成
された電極と、該一対の基板間に挟持された表示媒体
と、マトリクス状に形成された表示絵素とを有する強誘
電性液晶表示素子において、該表示媒体が、強誘電性液
晶領域と強誘電性高分子領域とに分割されている強誘電
性液晶表示素子であり、そのことにより、上記目的が達
成される。
【０００８】また、好ましくは、前記強誘電性液晶領域
が長径方向が基板対向方向の液晶ドロップレットから成
り、該液晶ドロップレットの長径寸法が、前記基板の離
隔寸法以上とする。
が長径方向が基板対向方向の液晶ドロップレットから成
り、該液晶ドロップレットの長径寸法が、前記基板の離
隔寸法以上とする。
【０００９】また、好ましくは、前記表示絵素内での強
誘電性液晶と強誘電性高分子の存在比率が前記基板対向
方向に直交する方向に階調的に変化させる。
誘電性液晶と強誘電性高分子の存在比率が前記基板対向
方向に直交する方向に階調的に変化させる。
【００１０】また、好ましくは、前記電極上に配向膜を
設ける。
設ける。
【００１１】また、好ましくは、前記一対の基板のそれ
ぞれの外面に偏光板を設ける。
ぞれの外面に偏光板を設ける。
【００１２】また、好ましくは、前記強誘電性液晶中に
多色性染料を含有させる。
多色性染料を含有させる。
【００１３】また、好ましくは、前記強誘電性液晶中に
多色性染料を含有させ、前記一対の基板のいずれか一方
に偏向板を設ける。
多色性染料を含有させ、前記一対の基板のいずれか一方
に偏向板を設ける。
【００１４】本発明の強誘電性液晶表示素子の製造方法
は、少なくとも一方が透明である一対の基板のそれぞれ
に電極を形成する工程と、該電極上に配向膜を形成する
工程と、該配向膜をラビング処理する工程と、該電極形
成面が向い合うように該一対の基板を、間隔を保って対
向配置させる工程と、該一対の基板に、後に表示絵素部
となる領域が遮光されるように遮光体を配置する工程
と、該一対の基板間に、光硬化性官能基を有する強誘電
性液晶と該光硬化性官能基を有しない強誘電性液晶との
混合物を注入して該絵素を形成する工程と、該一対の基
板に遮光体側から紫外光照射を行う工程と、該遮光体を
除去する工程とを包含する強誘電性液晶表示素子の製造
方法であり、そのことにより、上記目的が達成される。
は、少なくとも一方が透明である一対の基板のそれぞれ
に電極を形成する工程と、該電極上に配向膜を形成する
工程と、該配向膜をラビング処理する工程と、該電極形
成面が向い合うように該一対の基板を、間隔を保って対
向配置させる工程と、該一対の基板に、後に表示絵素部
となる領域が遮光されるように遮光体を配置する工程
と、該一対の基板間に、光硬化性官能基を有する強誘電
性液晶と該光硬化性官能基を有しない強誘電性液晶との
混合物を注入して該絵素を形成する工程と、該一対の基
板に遮光体側から紫外光照射を行う工程と、該遮光体を
除去する工程とを包含する強誘電性液晶表示素子の製造
方法であり、そのことにより、上記目的が達成される。
【００１５】好ましくは、前記紫外光の強度が、前記絵
素内の少なくとも１０％以上の面積にわたって、かつ、
この面積内の少なくとも一箇所が元の紫外光の強度に対
し５０％以下となるようにして行う。
素内の少なくとも１０％以上の面積にわたって、かつ、
この面積内の少なくとも一箇所が元の紫外光の強度に対
し５０％以下となるようにして行う。
【００１６】また、好ましくは、前記遮光体が前記絵素
の少なくとも１０％以上の面積を覆うような規則的パタ
ーンを有するホトマスクであり、該ホトマスクを通して
紫外光照射を行う。
の少なくとも１０％以上の面積を覆うような規則的パタ
ーンを有するホトマスクであり、該ホトマスクを通して
紫外光照射を行う。
【００１７】また、好ましくは、前記ホトマスクを前記
基板に一体化する。
基板に一体化する。
【００１８】本発明の強誘電性液晶表示素子の製造方法
は、少なくとも一方が透明である一対の基板のそれぞれ
に電極を形成する工程と、該電極上に配向膜を形成する
工程と、該一対の基板の配向膜が形成された面のそれぞ
れにラビング処理を施す工程と、該一対の基板の一方の
基板上に、熱重合開始剤をパターン化する工程と、該一
対の基板の電極形成面が向い合うように間隔を保って対
向配置させる工程と、該一対の基板間に、熱硬化性官能
基を有する強誘電性液晶と該硬化性官能基を有しない強
誘電性液晶との混合物を注入する工程と、該一対の基板
を加熱して、該熱硬化性官能基を有する強誘電性液晶を
硬化させる工程とを包含する強誘電性液晶表示素子の製
造方法であり、そのことにより、上記目的が達成され
る。
は、少なくとも一方が透明である一対の基板のそれぞれ
に電極を形成する工程と、該電極上に配向膜を形成する
工程と、該一対の基板の配向膜が形成された面のそれぞ
れにラビング処理を施す工程と、該一対の基板の一方の
基板上に、熱重合開始剤をパターン化する工程と、該一
対の基板の電極形成面が向い合うように間隔を保って対
向配置させる工程と、該一対の基板間に、熱硬化性官能
基を有する強誘電性液晶と該硬化性官能基を有しない強
誘電性液晶との混合物を注入する工程と、該一対の基板
を加熱して、該熱硬化性官能基を有する強誘電性液晶を
硬化させる工程とを包含する強誘電性液晶表示素子の製
造方法であり、そのことにより、上記目的が達成され
る。
【００１９】
【作用】各絵素の少なくとも１０％以上の面積を覆うよ
うな規則的パターンのホトマスクを一対の基板の一方に
被せる。この一対の基板に、光硬化性官能基を有する強
誘電性液晶と該硬化性官能基を有しない強誘電性液晶の
混合物を注入し、紫外光をホトマスク側から照射する。
ホトマスクにより、その透過光が一表示絵素の少なくと
も１０％以上の面積にわたって、かつ、その面積の少な
くとも一箇所が元の紫外光の強度の５０％以下となる。
これにより、長径方向が基板の対向方向を向き、かつ、
その長径寸法が基板間の間隔より大きい強誘電性液晶ド
ロップレットが基板内面に、例えば、強誘電性液晶高分
子の壁で仕切られて形成されている。また、各ドロップ
レットの大きさは基板方向に沿って階調的に変化してい
る。
うな規則的パターンのホトマスクを一対の基板の一方に
被せる。この一対の基板に、光硬化性官能基を有する強
誘電性液晶と該硬化性官能基を有しない強誘電性液晶の
混合物を注入し、紫外光をホトマスク側から照射する。
ホトマスクにより、その透過光が一表示絵素の少なくと
も１０％以上の面積にわたって、かつ、その面積の少な
くとも一箇所が元の紫外光の強度の５０％以下となる。
これにより、長径方向が基板の対向方向を向き、かつ、
その長径寸法が基板間の間隔より大きい強誘電性液晶ド
ロップレットが基板内面に、例えば、強誘電性液晶高分
子の壁で仕切られて形成されている。また、各ドロップ
レットの大きさは基板方向に沿って階調的に変化してい
る。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例を示す。
【００２１】（実施例１）図１に本発明の強誘電性液晶
表示素子を示す。この強誘電性液晶表示素子は対向配置
される一組のガラス基板５、５’の間に液晶層１１を挟
持した構成をとる。それぞれのガラス基板５、５’には
複数の線状電極８、８…が平行して配設されており、両
ガラス基板５、５’の線状電極８、８…の配設方向は互
いに直交している。液晶層１１は強誘電性液晶ドロップ
レット９が強誘電性液晶高分子１０の壁で仕切られた構
造を成している。各基板５、５’の内面の線状電極８、
８…上には配向膜７が形成されており、各基板５、５’
の外面には偏向板６、６’がそれぞれ設けられている。
このような液晶セルは以下のようにして作製される。ま
ず、一組のガラス基板５、５’（１．１ｍｍ厚：コーニ
ング社製７０５９）上のそれぞれにＩＴＯ膜（酸化イン
ジュウムおよび酸化スズの混合物、５０ｎｍ）を成膜
し、パターニングして線状電極８、８…（電極幅２００
μｍ、電極間隔５０μｍ、電極数２０本）を形成する。
表示素子を示す。この強誘電性液晶表示素子は対向配置
される一組のガラス基板５、５’の間に液晶層１１を挟
持した構成をとる。それぞれのガラス基板５、５’には
複数の線状電極８、８…が平行して配設されており、両
ガラス基板５、５’の線状電極８、８…の配設方向は互
いに直交している。液晶層１１は強誘電性液晶ドロップ
レット９が強誘電性液晶高分子１０の壁で仕切られた構
造を成している。各基板５、５’の内面の線状電極８、
８…上には配向膜７が形成されており、各基板５、５’
の外面には偏向板６、６’がそれぞれ設けられている。
このような液晶セルは以下のようにして作製される。ま
ず、一組のガラス基板５、５’（１．１ｍｍ厚：コーニ
ング社製７０５９）上のそれぞれにＩＴＯ膜（酸化イン
ジュウムおよび酸化スズの混合物、５０ｎｍ）を成膜
し、パターニングして線状電極８、８…（電極幅２００
μｍ、電極間隔５０μｍ、電極数２０本）を形成する。
【００２２】続いて、両基板５、５’の線状電極８、８
…形成側の表面上にポリイミド（ＳＥ１５０：日産化学
製）をスピンコートで塗布して配向膜７を形成し、ナイ
ロン布を用いて一方向にラビング処理を行う。配向法と
しては、この他、表面張力の低い化合物を塗布する垂直
配向法、ＳiＯ2等を斜め蒸着する斜め配向法等を使用す
ることもできる。ラビング方向は、一方の基板５につい
ては、その基板５上の線状電極８、８…の配設方向と同
方向とし、他方の基板５’については、その基板５’上
の線状電極８、８…の配設方向と直角方向とする。上記
ラビング処理を行った両基板５、５’を、それぞれの基
板５、５’上の線状電極８、８…が互いに直交するよう
に電極面を対向させる。これにより、両基板５、５’組
み合わせ時の各基板５、５’のラビング方向が同一とな
る。
…形成側の表面上にポリイミド（ＳＥ１５０：日産化学
製）をスピンコートで塗布して配向膜７を形成し、ナイ
ロン布を用いて一方向にラビング処理を行う。配向法と
しては、この他、表面張力の低い化合物を塗布する垂直
配向法、ＳiＯ2等を斜め蒸着する斜め配向法等を使用す
ることもできる。ラビング方向は、一方の基板５につい
ては、その基板５上の線状電極８、８…の配設方向と同
方向とし、他方の基板５’については、その基板５’上
の線状電極８、８…の配設方向と直角方向とする。上記
ラビング処理を行った両基板５、５’を、それぞれの基
板５、５’上の線状電極８、８…が互いに直交するよう
に電極面を対向させる。これにより、両基板５、５’組
み合わせ時の各基板５、５’のラビング方向が同一とな
る。
【００２３】次に、両基板５、５’間にスペーサーを挟
んで所定の基板間隔をもたせるが、この基板間隔、すな
わち液晶層１１の層厚は均一な液晶分子の配列（スメク
ティックＣ*相の螺旋をほどいた層状構造）を維持する
ために１〜５μｍ、より好ましくは１〜３μｍとする。
本実施例では、２μｍのスペーサーを用いてセルを作製
した。
んで所定の基板間隔をもたせるが、この基板間隔、すな
わち液晶層１１の層厚は均一な液晶分子の配列（スメク
ティックＣ*相の螺旋をほどいた層状構造）を維持する
ために１〜５μｍ、より好ましくは１〜３μｍとする。
本実施例では、２μｍのスペーサーを用いてセルを作製
した。
【００２４】次に、このセルに液晶を注入し液晶層１１
を形成する。本発明で形成する液晶層１１は、液晶分子
として強誘電性液晶を用い、硬化性樹脂として強誘電性
液晶に光重合性官能基を結合させた強誘電性液晶高分子
１０を用い、強誘電性液晶ドロップレット９が強誘電性
液晶高分子１０の壁で区切られた構造をとる。このよう
な構造の液晶層１１を形成するには、高分子分散型液晶
表示素子の作製方法が利用できる。例えば、特表昭６１
−５０２１２８号公報等には、光または熱硬化性樹脂と
液晶とを混合し、樹脂を硬化させることにより液晶を析
出させ、樹脂中に液晶ドロップレットを形成させる方法
が開示されている。また、特開平３−７２３１７号公報
には液晶ドロップレット径の制御方法が開示されてい
る。本実施例１ではこれらの方法を応用するが、特開平
３−７２３１７号公報に開示されている液晶ドロップレ
ット径の制御方法では相分離を利用するので、液晶ドロ
ップレット径を精密に制御すること、および液晶ドロッ
プレットを精密に平面的に配置することは困難がある。
そこで、本実施例１では均一な液晶ドロップレットを平
面的に配置するために以下のような方法をとる。
を形成する。本発明で形成する液晶層１１は、液晶分子
として強誘電性液晶を用い、硬化性樹脂として強誘電性
液晶に光重合性官能基を結合させた強誘電性液晶高分子
１０を用い、強誘電性液晶ドロップレット９が強誘電性
液晶高分子１０の壁で区切られた構造をとる。このよう
な構造の液晶層１１を形成するには、高分子分散型液晶
表示素子の作製方法が利用できる。例えば、特表昭６１
−５０２１２８号公報等には、光または熱硬化性樹脂と
液晶とを混合し、樹脂を硬化させることにより液晶を析
出させ、樹脂中に液晶ドロップレットを形成させる方法
が開示されている。また、特開平３−７２３１７号公報
には液晶ドロップレット径の制御方法が開示されてい
る。本実施例１ではこれらの方法を応用するが、特開平
３−７２３１７号公報に開示されている液晶ドロップレ
ット径の制御方法では相分離を利用するので、液晶ドロ
ップレット径を精密に制御すること、および液晶ドロッ
プレットを精密に平面的に配置することは困難がある。
そこで、本実施例１では均一な液晶ドロップレットを平
面的に配置するために以下のような方法をとる。
【００２５】強誘電性液晶に光硬化型の樹脂を結合させ
たものにＵＶ光を照射して硬化させる場合、必要とする
液晶ドロップレット径の分布に対応させてＵＶ光の照射
強度に規則的な強弱を付ける。こうすると、強誘電性液
晶プレポリマーの官能基に規則的な光重合が起こる。こ
の時、ＵＶ光の照度の強い部分ではＵＶ光の照度の弱い
部分より重合速度が早く、また、強誘電性液晶と強誘電
性液晶高分子の相分離速度も早いので、強誘電性液晶高
分子が先に析出し、強誘電性液晶はＵＶ光の照度の低い
部分へ押しやられる。すなわち、このＵＶ光の照度の低
い部分に強誘電性液晶ドロップレット９が生成する。こ
のことを利用して、均一な強誘電性液晶ドロップレット
９を平面的に規則的に配置することができる。
たものにＵＶ光を照射して硬化させる場合、必要とする
液晶ドロップレット径の分布に対応させてＵＶ光の照射
強度に規則的な強弱を付ける。こうすると、強誘電性液
晶プレポリマーの官能基に規則的な光重合が起こる。こ
の時、ＵＶ光の照度の強い部分ではＵＶ光の照度の弱い
部分より重合速度が早く、また、強誘電性液晶と強誘電
性液晶高分子の相分離速度も早いので、強誘電性液晶高
分子が先に析出し、強誘電性液晶はＵＶ光の照度の低い
部分へ押しやられる。すなわち、このＵＶ光の照度の低
い部分に強誘電性液晶ドロップレット９が生成する。こ
のことを利用して、均一な強誘電性液晶ドロップレット
９を平面的に規則的に配置することができる。
【００２６】従って、本実施例１で採用する上記の方法
の場合には、ＵＶ光の照度分布の付け方が重要になる。
ＵＶ光の照度を分布させるにはホトマスク、マイクロレ
ンズ、干渉板などを用いて遮光し、照度に強弱を付け
る。また、階調表示を可能にするために、強誘電性液晶
ドロップレット９と強誘電性液晶高分子１０の構成比を
連続的に変化させなければならないが、そのための方法
として、ホトマスク等の遮光体のエッチング部分から電
極８、８…の形成方向に沿って遮光度を連続的に変化さ
せたり、遮光体をセル本体から故意に離したり、ＵＶ光
源として平行度が少し劣る光源を使用したりする方法が
ある。
の場合には、ＵＶ光の照度分布の付け方が重要になる。
ＵＶ光の照度を分布させるにはホトマスク、マイクロレ
ンズ、干渉板などを用いて遮光し、照度に強弱を付け
る。また、階調表示を可能にするために、強誘電性液晶
ドロップレット９と強誘電性液晶高分子１０の構成比を
連続的に変化させなければならないが、そのための方法
として、ホトマスク等の遮光体のエッチング部分から電
極８、８…の形成方向に沿って遮光度を連続的に変化さ
せたり、遮光体をセル本体から故意に離したり、ＵＶ光
源として平行度が少し劣る光源を使用したりする方法が
ある。
【００２７】本実施例１では、遮光度を連続的に変化さ
せるためにホトマスクを用いるが、このホトマスクのパ
ターンとして図２（ａ）に示すように、一絵素に対応す
るパターンを面領域と数μｍ以下の直径を有するドット
の集合領域で構成し、かつ、このドット領域のドットの
密度を、ホトマスクの面領域から遠ざかる方向に連続的
に変化させているものや、図２（ｂ）に示すように、ホ
トマスク１の端末からクサビ状に裂け目を入れているも
の等がある。
せるためにホトマスクを用いるが、このホトマスクのパ
ターンとして図２（ａ）に示すように、一絵素に対応す
るパターンを面領域と数μｍ以下の直径を有するドット
の集合領域で構成し、かつ、このドット領域のドットの
密度を、ホトマスクの面領域から遠ざかる方向に連続的
に変化させているものや、図２（ｂ）に示すように、ホ
トマスク１の端末からクサビ状に裂け目を入れているも
の等がある。
【００２８】図３に本実施例１のセルの平面構成を示
す。一方の基板内面の第１の線状電極２、２…と対向基
板内面の第２の線状電極３、３…との交差部において絵
素４、４…が形成される。この絵素４、４…のピッチに
合わせ、この絵素４、４…を遮光する形で上記のような
パターンのホトマスク１をセルのガラス基板５の外面に
被ぶせた。
す。一方の基板内面の第１の線状電極２、２…と対向基
板内面の第２の線状電極３、３…との交差部において絵
素４、４…が形成される。この絵素４、４…のピッチに
合わせ、この絵素４、４…を遮光する形で上記のような
パターンのホトマスク１をセルのガラス基板５の外面に
被ぶせた。
【００２９】次に、ホトマスク１を備えたセル中に強誘
電性液晶性組成物ＺＬＩ−４００３（メルク社製）０．
７ｇと下記化１に示す強誘電性液晶プレポリマーＣ０．
２ｇと、トリメチロールプロパントリアクリレート０．
１ｇ、２−エチルヘキシルアクリレート０．０１ｇ、お
よび光硬化性触媒Irgacure６５１（チバガイギー製）
０．０１ｇを均一混合後注入する。
電性液晶性組成物ＺＬＩ−４００３（メルク社製）０．
７ｇと下記化１に示す強誘電性液晶プレポリマーＣ０．
２ｇと、トリメチロールプロパントリアクリレート０．
１ｇ、２−エチルヘキシルアクリレート０．０１ｇ、お
よび光硬化性触媒Irgacure６５１（チバガイギー製）
０．０１ｇを均一混合後注入する。
【００３０】
【化１】
【００３１】その後、ホトマスク１が取り付けられた基
板側から、強度１０ｍＷ／ｃｍ2の高圧水銀ランプの平
行光線で４分間紫外線照射を行い、強誘電性液晶プレポ
リマーの光硬化性官能基を硬化させた。強誘電性液晶プ
レポリマーの硬化後、セルからホトマスク１を取り外し
た。
板側から、強度１０ｍＷ／ｃｍ2の高圧水銀ランプの平
行光線で４分間紫外線照射を行い、強誘電性液晶プレポ
リマーの光硬化性官能基を硬化させた。強誘電性液晶プ
レポリマーの硬化後、セルからホトマスク１を取り外し
た。
【００３２】この状態のセルを偏光顕微鏡で観察したと
ころ、ホトマスク１のドットパターンと同じ規則性（す
なわち、絵素と同じ規則性）で、かつ、同程度の大きさ
で均一に揃った強誘電性液晶ドロップレット９（テクス
チャーの異なる領域）が形成されていることが確認され
た。
ころ、ホトマスク１のドットパターンと同じ規則性（す
なわち、絵素と同じ規則性）で、かつ、同程度の大きさ
で均一に揃った強誘電性液晶ドロップレット９（テクス
チャーの異なる領域）が形成されていることが確認され
た。
【００３３】そして、作製したセルを直交ニコル下に置
き、図４に示すようにパルス幅１ｍｓの、３０Ｖと５Ｖ
の２段階メモリパルスを印加した。その結果、３０Ｖの
メモリパルスでは絵素全体がスイッチングを起こし、５
Ｖのメモリパルスでは強誘電性液晶層のみがスイッチン
グを起こしていることが確認された。そのコントラスト
特性を表１に示す。表１からも理解されるように２階調
表示が可能であることがわかる。
き、図４に示すようにパルス幅１ｍｓの、３０Ｖと５Ｖ
の２段階メモリパルスを印加した。その結果、３０Ｖの
メモリパルスでは絵素全体がスイッチングを起こし、５
Ｖのメモリパルスでは強誘電性液晶層のみがスイッチン
グを起こしていることが確認された。そのコントラスト
特性を表１に示す。表１からも理解されるように２階調
表示が可能であることがわかる。
【００３４】
【表１】
【００３５】（比較例１）また、耐衝撃性に関し、本実
施例１によって作製されたセルの基板表面に対して１ｃ
ｍ角の面積に５ｋｇ／ｃｍ2の圧力をかけ、その時の配
向の変化を調べた結果を表２に示す。本実施例１で作製
されたセルでは配向の乱れも無く、耐衝撃性を示すこと
が確認された。
施例１によって作製されたセルの基板表面に対して１ｃ
ｍ角の面積に５ｋｇ／ｃｍ2の圧力をかけ、その時の配
向の変化を調べた結果を表２に示す。本実施例１で作製
されたセルでは配向の乱れも無く、耐衝撃性を示すこと
が確認された。
【００３６】
【表２】
【００３７】上記のホトマスク等により構成される弱照
度領域については、この領域が小さ過ぎると、すなわ
ち、紫外光の照射領域が大きくなり過ぎると、各絵素内
での強誘電性液晶高分子１０の占める割合が大きくな
り、高速応答ができなくなる。
度領域については、この領域が小さ過ぎると、すなわ
ち、紫外光の照射領域が大きくなり過ぎると、各絵素内
での強誘電性液晶高分子１０の占める割合が大きくな
り、高速応答ができなくなる。
【００３８】また、絵素内での強誘電性液晶ドロップレ
ット９と強誘電性高分子１０の界面も大きくなるので、
この界面における散乱によるコントラストの低下も著し
くなる。本発明者等の検討結果によれば、弱照度領域が
絵素の面積の１０％以下のものを使用すると、生成する
液晶ドロップレット９の面積も各絵素の面積の１０％以
下となる。従って、弱照度領域は各絵素の面積の１０％
以上を覆う必要がある。
ット９と強誘電性高分子１０の界面も大きくなるので、
この界面における散乱によるコントラストの低下も著し
くなる。本発明者等の検討結果によれば、弱照度領域が
絵素の面積の１０％以下のものを使用すると、生成する
液晶ドロップレット９の面積も各絵素の面積の１０％以
下となる。従って、弱照度領域は各絵素の面積の１０％
以上を覆う必要がある。
【００３９】また、弱照度領域の形状は、ＵＶ光の強度
を局部的に低下させるものであればよく、特に限定しな
いが、円形、四角形、文字形、および、曲線、直線によ
って区切られた図形、これら図形の一部をカットしたも
の、および、これらを組み合わせた図形、さらには、こ
れらの小形図形の集合体等も有効である。
を局部的に低下させるものであればよく、特に限定しな
いが、円形、四角形、文字形、および、曲線、直線によ
って区切られた図形、これら図形の一部をカットしたも
の、および、これらを組み合わせた図形、さらには、こ
れらの小形図形の集合体等も有効である。
【００４０】さらに、この弱照度領域はそれぞれの領域
が互いに独立している必要はなく、末端部でつながって
いても差し支えない。つまり、ＵＶ光を最も効果的に遮
光する領域が上記形状、配列をもっているものであれば
よい。
が互いに独立している必要はなく、末端部でつながって
いても差し支えない。つまり、ＵＶ光を最も効果的に遮
光する領域が上記形状、配列をもっているものであれば
よい。
【００４１】また、ホトマスク１の位置は、セル内外ど
ちらでもよく、ＵＶ光に規則的なムラが形成できればよ
い。ホトマスク１をセルの外側に配置する場合には、ホ
トマスク１とセルの距離を取り過ぎるとホトマスク１上
の像がぼけ、本発明の効果が減少するので、ホトマスク
１はできるだけセルに近く配置する。また、基板の作製
時にホトマスク１を基板に一体化して作製しておいても
よい。
ちらでもよく、ＵＶ光に規則的なムラが形成できればよ
い。ホトマスク１をセルの外側に配置する場合には、ホ
トマスク１とセルの距離を取り過ぎるとホトマスク１上
の像がぼけ、本発明の効果が減少するので、ホトマスク
１はできるだけセルに近く配置する。また、基板の作製
時にホトマスク１を基板に一体化して作製しておいても
よい。
【００４２】ＵＶ光源は均一な照射ができるよう、でき
るだけ平行光線であることが望ましい。ただし、このＵ
Ｖ光源の平行度については、平行度が少し悪いと、小さ
な液晶ドロップレットが生成するので、このことを利用
して、この小さな液晶ドロップレットを絵素と同程度の
大きさの液晶ドロップレットの周囲に配置して緩衝体に
し、完成後の強誘電性液晶表示素子の耐衝撃性を大きく
することができる。それで、故意に平行度の少し悪い光
源を用いてもよい。この小さな液晶ドロップレットを形
成する方法としては、他に、ホトマスク等の遮光体のエ
ッチング部をぼかしたり、ホトマスク１を故意にセル本
体から離したりする方法がある。
るだけ平行光線であることが望ましい。ただし、このＵ
Ｖ光源の平行度については、平行度が少し悪いと、小さ
な液晶ドロップレットが生成するので、このことを利用
して、この小さな液晶ドロップレットを絵素と同程度の
大きさの液晶ドロップレットの周囲に配置して緩衝体に
し、完成後の強誘電性液晶表示素子の耐衝撃性を大きく
することができる。それで、故意に平行度の少し悪い光
源を用いてもよい。この小さな液晶ドロップレットを形
成する方法としては、他に、ホトマスク等の遮光体のエ
ッチング部をぼかしたり、ホトマスク１を故意にセル本
体から離したりする方法がある。
【００４３】本発明で用いる強誘電性液晶としては、分
子内に剛直なコア部分と光学活性部分を有する直鎖状分
子の強誘電性液晶が使用できる。さらに、これらの強誘
電性液晶材料中に多色性染料を添加してゲスト−ホスト
型液晶素子とすることにより、この素子を一枚の偏光板
と組み合わせてカラー表示が可能な液晶表示素子を構成
することができる。
子内に剛直なコア部分と光学活性部分を有する直鎖状分
子の強誘電性液晶が使用できる。さらに、これらの強誘
電性液晶材料中に多色性染料を添加してゲスト−ホスト
型液晶素子とすることにより、この素子を一枚の偏光板
と組み合わせてカラー表示が可能な液晶表示素子を構成
することができる。
【００４４】また、強誘電性液晶プレポリマーとして
は、強誘電性液晶の一部に重合性官能基を結合させた化
合物が使用でき、この重合性官能基には、アクリレー
ト、メタアクリレート、エポキシ基などが利用できる。
この強誘電性液晶プレポリマーの具体例としては、例え
ば、化２に示す具体例が特開昭６３−２８０７４２号公
報に、化３に示す具体例が特開昭６２−２７７４１２号
公報に、化４に示す具体例が特開昭６３−２６４６２９
号公報のそれぞれに開示されている。
は、強誘電性液晶の一部に重合性官能基を結合させた化
合物が使用でき、この重合性官能基には、アクリレー
ト、メタアクリレート、エポキシ基などが利用できる。
この強誘電性液晶プレポリマーの具体例としては、例え
ば、化２に示す具体例が特開昭６３−２８０７４２号公
報に、化３に示す具体例が特開昭６２−２７７４１２号
公報に、化４に示す具体例が特開昭６３−２６４６２９
号公報のそれぞれに開示されている。
【００４５】
【化２】
【００４６】
【化３】
【００４７】
【化４】
【００４８】なお、上記化２、化３、化４中の側鎖
Ｒ1、Ｒ2は化２、化３、化４のすべてにたいして共通で
ある。この側鎖Ｒ1、Ｒ2の化学式を化５に示す。
Ｒ1、Ｒ2は化２、化３、化４のすべてにたいして共通で
ある。この側鎖Ｒ1、Ｒ2の化学式を化５に示す。
【００４９】
【化５】
【００５０】さらに、液晶素子の強度を上げるために応
答速度を損なわない程度に液晶性でない硬化性樹脂を添
加してもよい。
答速度を損なわない程度に液晶性でない硬化性樹脂を添
加してもよい。
【００５１】具体的には、Ｃ３以上の長鎖アルキル基ま
たはベンゼン環を有するアクリル酸及びアクリル酸エス
テル、さらに具体的には、アクリル酸イソブチル、アク
リル酸ステアリル、アクリル酸ラウリル、アクリル酸イ
ソミル、ｎ−ブチルメタクリレート、ｎ−ラウリルメタ
クリレート、トリデシルメタクリレート、２−エチルヘ
キシルアクリレート、ｎ−ステアリルメタアクリレー
ト、シクロヘキシルマタクリレート、ベンジルメタクリ
レート、２−フェノキシエチルメタクリレート、イソボ
ルニルアクリレート、イソボルニルメタクリレートがあ
る。
たはベンゼン環を有するアクリル酸及びアクリル酸エス
テル、さらに具体的には、アクリル酸イソブチル、アク
リル酸ステアリル、アクリル酸ラウリル、アクリル酸イ
ソミル、ｎ−ブチルメタクリレート、ｎ−ラウリルメタ
クリレート、トリデシルメタクリレート、２−エチルヘ
キシルアクリレート、ｎ−ステアリルメタアクリレー
ト、シクロヘキシルマタクリレート、ベンジルメタクリ
レート、２−フェノキシエチルメタクリレート、イソボ
ルニルアクリレート、イソボルニルメタクリレートがあ
る。
【００５２】さらにポリマーの物理的強度を高めるため
に２官能以上の多官能性樹脂、例えば、ビスフェノール
Ａジメタクリレート、ビスフェノールＡジアクリレー
ト、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６
−ヘキサンジオールジメタクリレート、トリメチロール
プロパントリメタクリレート、トリメチロールプロパン
トリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアク
リレート、ネオペンチルジアクリレート、さらにより好
ましくは、これらのをモノマーをハロゲン化とくに塩素
化、及びフッ素化樹脂、例えば、２，２，３，４，４，
４−ヘキサフロロブチルメタクリレート、２，２，３，
４，４，４，−ヘキサクロロブチルメタクリレート、
２，２，３，３−テトラフロロプロピルメタクリレー
ト、２，２，３，３−テトラフロロプロピルメタクリレ
ート、パーフロロオクチルエチルメタクリレート、パー
クロロオクチルエチルメタクリレート、パーフロロオク
チルエチルアクリレート、パークロロオクチルエチルア
クリレートである。
に２官能以上の多官能性樹脂、例えば、ビスフェノール
Ａジメタクリレート、ビスフェノールＡジアクリレー
ト、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６
−ヘキサンジオールジメタクリレート、トリメチロール
プロパントリメタクリレート、トリメチロールプロパン
トリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアク
リレート、ネオペンチルジアクリレート、さらにより好
ましくは、これらのをモノマーをハロゲン化とくに塩素
化、及びフッ素化樹脂、例えば、２，２，３，４，４，
４−ヘキサフロロブチルメタクリレート、２，２，３，
４，４，４，−ヘキサクロロブチルメタクリレート、
２，２，３，３−テトラフロロプロピルメタクリレー
ト、２，２，３，３−テトラフロロプロピルメタクリレ
ート、パーフロロオクチルエチルメタクリレート、パー
クロロオクチルエチルメタクリレート、パーフロロオク
チルエチルアクリレート、パークロロオクチルエチルア
クリレートである。
【００５３】なお、本実施例１では単純マトリクス型の
セルの作製を示したが、本発明に係るセルを、ＴＦＴ、
ＭＩＭ等を用いるアクティブマトリクス型の構成として
作製し、これを駆動することも可能である。
セルの作製を示したが、本発明に係るセルを、ＴＦＴ、
ＭＩＭ等を用いるアクティブマトリクス型の構成として
作製し、これを駆動することも可能である。
【００５４】（実施例２）本実施例２では、実施例１と
同様の構成の基板を使い、図５に示すホトマスクを用い
て同様の材料、同様の方法で強誘電性液晶セルを作製し
た。作製したセルに５Ｖ、１２Ｖ、２３Ｖ、３０Ｖのメ
モリパルスを印加した時のコントラスト特性を表３に示
す。この表からも理解されるように、駆動電圧の変化に
対してコントラストも変化し、階調表示が可能になって
いる。
同様の構成の基板を使い、図５に示すホトマスクを用い
て同様の材料、同様の方法で強誘電性液晶セルを作製し
た。作製したセルに５Ｖ、１２Ｖ、２３Ｖ、３０Ｖのメ
モリパルスを印加した時のコントラスト特性を表３に示
す。この表からも理解されるように、駆動電圧の変化に
対してコントラストも変化し、階調表示が可能になって
いる。
【００５５】
【表３】
【００５６】（比較例２）実施例１と同一の基板に強誘
電性液晶組成物ＺＬＩ−４００３（メルク社製）のみを
注入して作製した強誘電性液晶セルについて、実施例１
と同様に、基板表面に対し１ｃｍ角の面積に５ｋｇ／ｃ
ｍ2の圧力をかけた。その時の配向の変化を調べた結果
を表４に示す。強誘電性液晶組成物のみから成る液晶層
を有する強誘電性液晶セルでは、配向の乱れがあり、耐
衝撃性が無いという結果が得られた。
電性液晶組成物ＺＬＩ−４００３（メルク社製）のみを
注入して作製した強誘電性液晶セルについて、実施例１
と同様に、基板表面に対し１ｃｍ角の面積に５ｋｇ／ｃ
ｍ2の圧力をかけた。その時の配向の変化を調べた結果
を表４に示す。強誘電性液晶組成物のみから成る液晶層
を有する強誘電性液晶セルでは、配向の乱れがあり、耐
衝撃性が無いという結果が得られた。
【００５７】
【表４】
【００５８】
【発明の効果】請求項１に記載の強誘電性液晶表示素子
によれば、表示媒体の構造が、強誘電性液晶層を強誘電
性液晶高分子の壁で仕切った構造であるので、表示部の
強誘電性液晶の高速応答性が損なわれず、強誘電性液晶
高分子の壁でセルの耐衝撃性が保障される。従って、表
示媒体が単に強誘電性液晶だけから成る強誘電性液晶表
示素子と異なり、耐衝撃性を併せ持った高速応答の液晶
表示素子が実現できる。
によれば、表示媒体の構造が、強誘電性液晶層を強誘電
性液晶高分子の壁で仕切った構造であるので、表示部の
強誘電性液晶の高速応答性が損なわれず、強誘電性液晶
高分子の壁でセルの耐衝撃性が保障される。従って、表
示媒体が単に強誘電性液晶だけから成る強誘電性液晶表
示素子と異なり、耐衝撃性を併せ持った高速応答の液晶
表示素子が実現できる。
【００５９】また、特に、請求項２に記載の強誘電性液
晶表示素子によれば、強誘電性液晶ドロップレットの基
板の対向方向の径の寸法が基板間隔より大きいので、液
晶層が基板の配向面と接する領域が大きく、配向処理効
果が損なわれない。
晶表示素子によれば、強誘電性液晶ドロップレットの基
板の対向方向の径の寸法が基板間隔より大きいので、液
晶層が基板の配向面と接する領域が大きく、配向処理効
果が損なわれない。
【００６０】また、強誘電性液晶と強誘電性液晶高分子
との界面が小さく、この界面での光の散乱が少なく、コ
ントラストの低下も小さい。従って、高速応答性、耐衝
撃性を備えた上にコントラストが良好で表示特性に優れ
た強誘電性液晶表示素子を得ることができる。
との界面が小さく、この界面での光の散乱が少なく、コ
ントラストの低下も小さい。従って、高速応答性、耐衝
撃性を備えた上にコントラストが良好で表示特性に優れ
た強誘電性液晶表示素子を得ることができる。
【００６１】また、特に、請求項３に記載の強誘電性液
晶表示素子によれば、一絵素内の液晶層の強誘電性液晶
と強誘電性高分子の存在比率が階調的に変化しているの
で、階調表示が可能である。
晶表示素子によれば、一絵素内の液晶層の強誘電性液晶
と強誘電性高分子の存在比率が階調的に変化しているの
で、階調表示が可能である。
【００６２】また、特に、請求項４に記載の強誘電性液
晶表示素子によれば、強誘電性液晶中に多色性染料を含
有しているので、ゲスト・ホスト効果によりカラー表示
を行うことが可能である。
晶表示素子によれば、強誘電性液晶中に多色性染料を含
有しているので、ゲスト・ホスト効果によりカラー表示
を行うことが可能である。
【００６３】また、請求項８に記載の強誘電性液晶表示
素子の製造方法によれば、一つの液晶ドロップレットが
強誘電性高分子の壁で仕切られて、一つの絵素に対応し
ている構造の液晶層を得ることができるので、コントラ
ストが良く、表示特性に優れ、かつ、高速応答性と耐衝
撃性を併せ持った強誘電性液晶表示素子を得ることがで
きる。
素子の製造方法によれば、一つの液晶ドロップレットが
強誘電性高分子の壁で仕切られて、一つの絵素に対応し
ている構造の液晶層を得ることができるので、コントラ
ストが良く、表示特性に優れ、かつ、高速応答性と耐衝
撃性を併せ持った強誘電性液晶表示素子を得ることがで
きる。
【００６４】また、特に、請求項９に記載の強誘電性液
晶表示素子の製造方法によれば、各液晶ドロップレット
の大きさを規則的に変化させて基板内面に配置できるの
で、階調表示が可能となり、表示特性にも優れ、併せて
高速応答性及び耐衝撃性も有する強誘電性液晶表示素子
を得ることができる。
晶表示素子の製造方法によれば、各液晶ドロップレット
の大きさを規則的に変化させて基板内面に配置できるの
で、階調表示が可能となり、表示特性にも優れ、併せて
高速応答性及び耐衝撃性も有する強誘電性液晶表示素子
を得ることができる。
【００６５】また、請求項１０に記載の強誘電性液晶表
示素子の製造方法によっても、各液晶ドロップレットの
大きさを規則的に変化させて基板内面に配置できるの
で、階調表示が可能となり、表示特性にも優れ、併せて
高速応答性及び耐衝撃性も有する強誘電性液晶表示素子
を得ることができる。
示素子の製造方法によっても、各液晶ドロップレットの
大きさを規則的に変化させて基板内面に配置できるの
で、階調表示が可能となり、表示特性にも優れ、併せて
高速応答性及び耐衝撃性も有する強誘電性液晶表示素子
を得ることができる。
【００６６】また、特に、請求項１１に記載の強誘電性
液晶表示素子の製造方法によれば、ホトマスクを基板と
一体化して作製するので、製造工程上の簡略化が図れ
る。
液晶表示素子の製造方法によれば、ホトマスクを基板と
一体化して作製するので、製造工程上の簡略化が図れ
る。
【図１】本発明による液晶表示素子の概略断面図。
【図２】本発明の強誘電性液晶表示素子作製に使用する
ホトマスクの一絵素に対するパターンの一例。
ホトマスクの一絵素に対するパターンの一例。
【図３】本発明の実施例１におけるホトマスクとセルの
組み合わせの一例を示す概略平面図。
組み合わせの一例を示す概略平面図。
【図４】本発明の実施例１でセルに印加するメモリパル
スの信号波形図。
スの信号波形図。
【図５】比較例２の素子作成に使用するホトマスクの一
絵素に対するパターンの一例。
絵素に対するパターンの一例。
１、４ ホトマスク ２ 第１の電極 ３ 第２の電極 ５、５’ ガラス基板 ６、６’ 偏光板 ７ 配向膜 ８ 透明電極 ９ 強誘電性液晶ドロップレット １０ 強誘電性液晶高分子
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年７月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３０】
【化１】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３９】また、弱照度領域の形状は、ＵＶ光の強度
を局部的に低下させるものであればよく、特に限定しな
いが、円形、四角形、文字形、六角形、および、曲線、
直線によって区切られた図形、これら図形の一部をカッ
トしたもの、および、これらを組み合わせた図形、さら
には、これらの小形図形の集合体等も有効である。
を局部的に低下させるものであればよく、特に限定しな
いが、円形、四角形、文字形、六角形、および、曲線、
直線によって区切られた図形、これら図形の一部をカッ
トしたもの、および、これらを組み合わせた図形、さら
には、これらの小形図形の集合体等も有効である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５２】さらにポリマーの物理的強度を高めるため
に２官能以上の多官能性化合物、例えば、ビスフェノー
ルＡジメタクリレート、ビスフェノールＡジアクリレー
ト、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６
−ヘキサンジオールジメタクリレート、トリメチロール
プロパントリメタクリレート、トリメチロールプロパン
トリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアク
リレート、ネオペンチルジアクリレート、さらにより好
ましくは、これらのをモノマーをハロゲン化とくに塩素
化、及びフッ素化化合物、例えば、２，２，３，４，
４，４−ヘキサフロロブチルメタクリレート、２，２，
３，４，４，４，−ヘキサクロロブチルメタクリレー
ト、２，２，３，３−テトラフロロプロピルメタクリレ
ート、２，２，３，３−テトラフロロプロピルメタクリ
レート、パーフロロオクチルエチルメタクリレート、パ
ークロロオクチルエチルメタクリレート、パーフロロオ
クチルエチルアクリレート、パークロロオクチルエチル
アクリレートである。
に２官能以上の多官能性化合物、例えば、ビスフェノー
ルＡジメタクリレート、ビスフェノールＡジアクリレー
ト、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６
−ヘキサンジオールジメタクリレート、トリメチロール
プロパントリメタクリレート、トリメチロールプロパン
トリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアク
リレート、ネオペンチルジアクリレート、さらにより好
ましくは、これらのをモノマーをハロゲン化とくに塩素
化、及びフッ素化化合物、例えば、２，２，３，４，
４，４−ヘキサフロロブチルメタクリレート、２，２，
３，４，４，４，−ヘキサクロロブチルメタクリレー
ト、２，２，３，３−テトラフロロプロピルメタクリレ
ート、２，２，３，３−テトラフロロプロピルメタクリ
レート、パーフロロオクチルエチルメタクリレート、パ
ークロロオクチルエチルメタクリレート、パーフロロオ
クチルエチルアクリレート、パークロロオクチルエチル
アクリレートである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
Claims (12)
- 【請求項１】対向配置された、少なくとも一方が透明で
ある一対の基板と、 該一対の基板のそれぞれの内面に形成された電極と、 該一対の基板間に挟持された表示媒体と、 マトリクス状に形成された表示絵素とを有する強誘電性
液晶表示素子において、 該表示媒体が、強誘電性液晶領域と強誘電性高分子領域
とに分割されている強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項２】前記強誘電性液晶領域が長径方向が基板対
向方向の液晶ドロップレットから成り、該液晶ドロップ
レットの長径寸法が、前記基板の離隔寸法以上である請
求項１に記載の強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項３】前記表示絵素内での強誘電性液晶と強誘電
性高分子の存在比率が前記基板対向方向に直交する方向
に階調的に変化している請求項１に記載の強誘電性液晶
表示素子。 - 【請求項４】前記電極上に配向膜を有する請求項１に記
載の強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項５】前記一対の基板のそれぞれの外面に偏光板
を有する請求項１に記載の強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項６】前記強誘電性液晶中に多色性染料を含有す
る請求項１に記載の強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項７】前記強誘電性液晶中に多色性染料を含有
し、前記一対の基板のいずれか一方に偏向板を有する請
求項６に記載の強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項８】少なくとも一方が透明である一対の基板の
それぞれに電極を形成する工程と、 該電極上に配向膜を形成する工程と、 該配向膜をラビング処理する工程と、 該電極形成面が向い合うように該一対の基板を、間隔を
保って対向配置させる工程と、 該一対の基板に、後に表示絵素部となる領域が遮光され
るように遮光体を配置する工程と、 該一対の基板間に、光硬化性官能基を有する強誘電性液
晶と該光硬化性官能基を有しない強誘電性液晶との混合
物を注入して該表示絵素を形成する工程と、 該一対の基板に遮光体側から紫外光照射を行う工程と、 該遮光体を除去する工程とを包含する強誘電性液晶表示
素子の製造方法。 - 【請求項９】前記紫外光の強度が、前記表示絵素内の少
なくとも１０％以上の面積にわたって、かつ、この面積
内の少なくとも一箇所が元の紫外光の強度の５０％以下
となるようにして、全ての表示絵素について前記紫外光
を照射する工程を行う請求項８に記載の強誘電性液晶表
示素子の製造方法。 - 【請求項１０】前記遮光体が前記表示絵素の少なくとも
１０％以上の面積を覆うような規則的パターンを有する
ホトマスクであり、該ホトマスクを通して、前記紫外光
を照射する工程を行う請求項８に記載の強誘電性液晶表
示素子の製造方法。 - 【請求項１１】前記ホトマスクが前記基板に一体化され
ており、該ホトマスクを通して、前記紫外光を照射する
請求項１０に記載の強誘電性液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項１２】少なくとも一方が透明である一対の基板
のそれぞれに電極を形成する工程と、 該電極上に配向膜を形成する工程と、 該一対の基板の配向膜が形成された面のそれぞれにラビ
ング処理を施す工程と、 該一対の基板の一方の基板上に、熱重合開始剤をパター
ン化する工程と、 該一対の基板の電極形成面が向い合うように間隔を保っ
て対向配置させる工程と、 該一対の基板間に、熱硬化性官能基を有する強誘電性液
晶と該硬化性官能基を有しない強誘電性液晶との混合物
を注入する工程と、 該一対の基板を加熱して、該熱硬化性官能基を有する強
誘電性液晶を硬化させる工程とを包含する強誘電性液晶
表示素子の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4337648A JP2831521B2 (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 強誘電性液晶表示素子及びその製造方法 |
| US08/168,986 US5638194A (en) | 1992-12-17 | 1993-12-16 | Polymer dispersed ferroelectric liquid crystal display device and a method for producing the same |
| DE4343028A DE4343028C2 (de) | 1992-12-17 | 1993-12-16 | Ferroelektrisches LCD und Verfahren zu dessen Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4337648A JP2831521B2 (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 強誘電性液晶表示素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06186533A true JPH06186533A (ja) | 1994-07-08 |
| JP2831521B2 JP2831521B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=18310637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4337648A Expired - Fee Related JP2831521B2 (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 強誘電性液晶表示素子及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2831521B2 (ja) |
| DE (1) | DE4343028C2 (ja) |
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| US6856360B1 (en) | 1997-11-28 | 2005-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrooptical device, method of manufacturing the same, and electronic equipment |
| US7227603B1 (en) | 1993-07-22 | 2007-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same |
| US8212968B2 (en) | 1993-07-22 | 2012-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same |
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- 1992-12-17 JP JP4337648A patent/JP2831521B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1993-12-16 US US08/168,986 patent/US5638194A/en not_active Expired - Fee Related
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