JP2004533120A - 第2の磁気素子に対して第1の磁気素子の磁化軸を配向する方法、センサを実現するための半製品、および、磁界を測定するためのセンサ - Google Patents
第2の磁気素子に対して第1の磁気素子の磁化軸を配向する方法、センサを実現するための半製品、および、磁界を測定するためのセンサ Download PDFInfo
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Abstract
Description
【0001】
本発明は、第2の磁気素子に対して第1の磁気素子の磁化軸を配向する方法に関し、第1の磁気素子および第2の磁気素子は、基板上に存在し、それぞれの磁気素子は、磁化軸を有する磁性層を少なくとも備える。
【0002】
また、本発明はセンサを実現するための半製品に関し、その半製品は、基板と、その基板上にブリッジ構造として配置された第1の磁気要素、第2の磁気要素、第3の磁気要素、および、第4の磁気要素とを備え、そのブリッジは、第1の接点と第2の接点との間に第1の磁気素子および第2の磁気素子が直列に配置された第1のブリッジ部分と、第3の磁気素子および第4の磁気素子が直列に配置された第2のブリッジ部分とを備え、磁気素子のそれぞれは、磁化軸を備えた磁性層を少なくとも備え、第1のブリッジ部分にある磁気素子の磁性層が有する磁化軸および第2のブリッジ部分にある磁気素子の磁性層が有する磁化軸は、反対方向へ延びるように配向され、それぞれの接点の近くにおいて、一方のブリッジ部分の磁気素子の磁化軸が、他方のブリッジ部分の磁気素子の磁化軸とは反対に配向される。
【0003】
また、本発明は磁界を測定するためのセンサに関し、そのセンサは、基板と、その基板上にブリッジ構造として配置された第1の磁気要素、第2の磁気要素、第3の磁気要素、および、第4の磁気要素とを備え、そのブリッジは、第1の接点と第2の接点との間に、第1の磁気素子および第2の磁気素子が直列に配置された第1のブリッジ部分と、第3の磁気素子および第4の磁気素子が直列に配置された第2のブリッジ部分とを備え、磁気素子のそれぞれは、磁化軸を備えた磁性層を少なくとも備え、第1のブリッジ部分にある磁気素子の強磁性層が有する磁化軸および第2のブリッジ部分にある磁気素子の強磁性層が有する磁化軸は、反対方向へ延びるように配向され、それぞれの接点の近くにおいて、一方のブリッジ部分の磁気素子の磁化軸が、他方のブリッジ部分の磁気素子の磁化軸とは反対に配向される。
【従来の技術】
【0004】
ヨーロッパ特許第EP0710850号に記載される方法においては、電気的な導体が第1の磁気素子の近くに設けられ、その導体は磁気素子から電気的に絶縁される。導体に数百mAの電流を流すことによって、典型的には150エルステッド(Oe)の磁界が、第1の磁気素子の磁性層の位置において、局所的に生成される。前記局所的に生成された磁界は、磁気素子の磁化軸を、生成された磁界の方向に配向し、第2の磁気素子の磁化軸はそれの元々の向きのままである。
【0005】
従来の方法の欠点は前記方法が、一般的には、異なる磁性材料の磁化軸を配向するのに使用できないことである。様々な磁性材料の磁化軸を配向するためには、典型的には、数千エルステッドの磁界が必要とされる。導体に電流を流すことによって生成することのできる磁界はきわめて小さい。さらに、限られた数の磁気素子しか同時には配向することができない。なぜなら、導体の長さは、それが長すぎれば、大きな直列抵抗となり、大きな電流においては、損失が大きくなりすぎ、導体を損傷することがあるのであまり長くなりすぎてはいけないからである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題および課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の目的は上述したような種類の方法を提供することであり、その方法は様々な磁性材料の磁化軸を容易に配向するのを可能にするものである。
【0007】
本発明によれば、本発明の目的は磁束集束手段のパターンを少なくとも第1の磁気素子の近くに提供し、その後に磁界を印加することによって、第1の磁気素子の磁性層の磁化軸を配向することによって達成される。
【0008】
磁束集束手段のパターンは、例えば、磁束伝導材料のパターンであってもよい。磁気素子は、例えば、磁気センサまたは磁気読み取りアクセス可能メモリ(MARM)の一部分であってもよい。印加された磁界中において、磁束集束手段のパターンは第1の磁気素子を通る磁束を集束する。その結果として、第1の磁気素子の磁性層を通る磁束は、第2の磁気素子の磁性層を通る磁束よりもかなり大きくなる。第2の磁気素子は、比較的に小さな磁界にしか曝されず、その結果として、第2の磁気素子の磁化方向はわずかしか影響を受けない。このように、比較的に小さな印加磁界を用いて、第2の磁気素子の磁性層の磁化軸に対して第1の磁気素子の磁性層の磁化軸を配向することができる。
【0009】
磁気素子は、磁束集束手段のパターンを備えた第1の磁気素子の磁化軸が反転し、それによって、印加された磁界の方向に延びるような温度にまで加熱されてもよい。温度を上昇させることによって、磁化軸はさらなる熱エネルギーを受け取り、その結果として、それらの磁化軸はより容易に反転する。その結果として、磁化軸を配向するのがより容易になる。いくつかの材料系においては、加熱は磁化軸を配向するのになくてはならないものである。例えば、磁性層の磁化軸の向きが、交換バイアス層によって与えられるのであれば、ブロッキング温度を超える程度にまで温度を上昇させることによって交換バイアス層と磁性層との結合を終了させ、それによって磁性層の磁化軸の向きを反転させるのを可能にする。加熱した結果として発生するかもしれない磁気素子の抵抗の変化は、同じようにしてすべての磁気素子の抵抗を変化させ、そのために、すべての磁気素子の抵抗は本質的に同じままである。これによって、ホイートストンブリッジのオフセット電圧は比較的に小さいものとなるので、磁気素子がホイートストンブリッジ構造として配置された磁気センサにとって、これはきわめて重要なことである。
【0010】
第1の磁気素子の磁性層の磁化軸を配向した後、磁化軸の向きは存在する磁界中において冷却することによって固定される。原理的には、磁化軸の配向は可逆過程である。印加された磁界中において、磁化軸は印加された磁界の向きと同じになるが、磁界を遮断すると、磁化軸はそれの元々の向きを回復する。しかしながら、ある種の条件下においては、例えば、交換バイアス結合の場合に発生するように、磁化軸は磁化軸が配向され、そして、磁界の存在下において冷却される配向過程によって与えられた向きを維持する。
【0011】
磁界を測定するためのセンサの製造においては、第3および第4の磁気素子が基板上に存在し、その第3および第4の磁気素子は第1および第2の磁気素子とともにブリッジ構造を形成する。前記ブリッジ構造は、第1の接点と第2の接点との間に、第1および第2の磁気素子が直列に配置された第1のブリッジ部分と、第3および第4の磁気素子が直列に配置された第2のブリッジ部分とを含む。第3および第4の磁気素子もまた磁化軸を有する少なくとも1つの磁性層を備える。磁気センサにおいて、磁気素子は好ましくは、ホイートストンブリッジのようなブリッジ構造として配置される。ブリッジ構造は温度変化にあまり敏感ではない。磁気センサは角度、回転速度を測定するために、また、位置を決めるために、とりわけ自動車産業において使用される。
【0012】
巨大磁気抵抗(GMR)効果またはトンネル磁気抵抗(TMR)効果に基づいた磁気素子を有するセンサの場合、ブリッジ部分に存在する磁性層の磁化軸が180°だけ回転すると都合が良い。もしそうであれば、第1および第2の接点間の印加電圧において、第1の磁気素子と第2の磁気素子との間および第3の磁気素子と第4の磁気素子との間に配置された出力接点間の出力信号は、ブリッジ回路によって達成することのできる最大信号となる。磁性層の磁化軸の向きは、一般的には、磁界中において磁性層を成膜するときに提供される。したがって、磁性層の磁化軸は、最初は、すべて同じ向きを有する。
【0013】
磁束集束手段のパターンが、少なくとも1つの磁気素子の近くに設けられ、その後に前記磁気素子の磁化軸が上述したように印加された磁界中において配向される。
【0014】
印加した磁界中において、少なくとも1つの磁気素子の近くに配置された磁束集束手段のパターンは関連する磁気素子を通る磁束を集束する。関連する磁気素子は、その他の磁気素子よりもはるかに大きな磁界に曝される。磁束を強めることは、ほとんど磁束集束手段のパターンの幅と印加された磁界の方向における磁気素子の幅とによって決まる。そのために、比較的に小さな印加磁界において個々の磁気素子の磁化を配向することが可能である。ブリッジのその他の磁気素子は比較的に小さな磁界にしか曝されず、その結果として、これらのその他の磁気素子の磁化の方向はわずかにしか影響を受けない。このようにして、少なくとも1つの磁気素子をその他の磁気素子に対して配向することができる。その後に、別の磁気素子、例えば、第2のブリッジ部分に存在する磁気素子の近くに磁束集束手段のパターンを提供することによって、同様に前記磁気素子を配向することができる。ホイートストンブリッジのようなブリッジ構造においては、ブリッジ部分に存在する磁性層の磁化軸を180°だけ回転させることができる。
【0015】
磁束集束器のさらなる利点は、印加された磁界をより小さい精度で磁気素子と整列させてもよいことである。磁束集束器のパターンは、例えば、長方形であり、例えば、磁気素子の両側において磁気素子のエッジに平行に延びる。印加された磁界を正確に磁気素子と整列させなくても、すなわち、長方形の磁束集束パターンに対して完全に直角に延びるのではなく、前記印加磁界が長方形の磁束集束パターンに対して80°の角度を含んでいても、前記長方形の磁束集束器は、確実に長方形の磁束集束器間に存在する磁束が同じように直角に磁気素子を通るようにする。磁気素子に対して印加磁界の方向がずれている場合には、長方形の磁束集束器が磁気素子のエッジに対して、整列していることが磁化軸を配向することのできる精度を決める。磁束集束器のパターンは、印加される外部磁界の方向に比べれば磁気素子に対してはるかに正確に整列させることができる。印加された磁界中において磁化軸を配向することのできる精度が改善され、かつ、より容易に整列させることができる。
【0016】
磁束集束手段のパターンを第1の接点の近くにある第1のブリッジ部分の第1の磁気素子の近くに提供することによって、また、磁束集束手段の類似するパターンを第2の接点の近くにある第2のブリッジ部分の磁気素子の近くに提供することによって、印加された磁界中において前記磁気素子の磁化の方向を同時に配向することができる。ピン止めされた磁性層の磁化軸の向きは基本的に、同時に配向される磁気素子のそれと同じである。
【0017】
パターンが実質的に垂直方向に磁気素子上に投影されるならば、それらのパターンと前記磁気素子との間に、オーバーラップは実質的に存在しない。配向された磁気素子の磁化軸は、その50%が、方向を指定された向きによって配向され、残りの50%が、180°だけ回転した元々の向きによって配向され、その結果として磁化が効率的に実質的にゼロとなることを確実にするためには、オーバーラップは50%以下でなければならない。しかしながら30%以下のオーバーラップは許容される。これはブリッジ部分に存在する2つの磁気素子の磁化軸を配向するのを可能にし、それによって、可能な限り大きな出力信号が得られる。
【0018】
第2の接点の近くにある第1のブリッジ部分の磁気素子と、第1の接点の近くにある第2のブリッジ部分の磁気素子とを遮蔽するために、磁束遮蔽手段のパターンが、それを実質的に垂直方向に磁気素子上に投影した場合、前記磁気素子を少なくとも実質的に取り囲むような形で設けられる。わずかな量の磁束しか遮蔽器の下を通らないように、遮蔽手段のパターンは、好ましくは、磁気素子よりも大きな表面積を有する。このようにして、印加された磁界中において、磁気素子の強磁性層の磁化軸の向きがそのままほとんど変わらないでいることを達成することができる。
【0019】
磁束集束パターンさらには磁束遮蔽パターンは同じ材料の層から同時に製造されることが有利である。それによって、1つの段階において磁束集束パターンおよび磁束遮蔽パターンの両方を、磁気素子に対する適切な位置に提供することができる。磁束集束手段のパターンを遮蔽器としても使用することができれば、面積の点から見て、きわめて都合が良い。
【0020】
層の材料は、好ましくは、比較的に高い透磁率を有する。好ましくは、層は電気めっきによって成長させられ、そのために、また、比較的に厚い層を容易に提供することができる。十分に導電性のある材料からなる薄膜、すなわち、めっき支持体上において、磁束伝導材料のパターンがレジストパターン間に成長させられる。その後に、レジストパターンが除去され、めっき支持体がエッチングによって除去される。
【0021】
あるいは、層は、まず最初に、電気めっきによって成長させられてもよい。標準的なリソグラフィーによって、レジストパターンが設けられる。比較的に高い透磁率を有する材料からなる層が、例えば、物理的または化学的なエッチングによってエッチングされ、その結果として磁束集束手段のパターンおよび磁束遮蔽手段のパターンの周囲にある材料が除去される。
【0022】
印加された磁界中において磁性層の磁化軸を配向した後、磁束遮蔽手段のパターンおよび磁束集束手段のパターンが取り除かれる。磁界を測定するのに都合良く使用することができるセンサが得られる。
【0023】
オプションとして、磁束集束手段のパターンが再度、それぞれの磁気素子の近くに設けられてもよい。すべての磁気素子による磁束集束の結果として、センサは比較的に小さい磁界を測定するためにより敏感なものとなった。また、ブリッジ部分のより高い感度の結果として、より小さなセンサを提供することができる。より小さいセンサは、動作中、外部磁界の勾配および温度変化にあまり敏感ではないので、センサのより小さい表面積はきわめて都合が良い。
【0024】
オプションとして、磁束遮蔽手段のパターンは、再度、それぞれの磁気素子の近くに設けられてもよい。遮蔽手段において、飽和が発生すると、一部の磁界だけが磁気素子を通過する。それにもかかわらず、比較的に大きな磁界を測定するためにこのセンサを使用することができる。
【0025】
本発明は、また、上述したような種類の半製品を提供することを目的とし、その半製品によって、正確に配向された磁化軸を備えた小型のセンサが得られる。
【0026】
本発明によるセンサを得るための半製品に関する本発明の目的は、磁束集束手段が、第1のブリッジ部分の第1の磁気素子のために、また、第1の磁気素子と同じ磁化軸の向きを有する第2のブリッジ部分の磁気素子のために存在することによって達成される。
【0027】
ブリッジ部分の磁性層の磁化軸が、180°だけ回転するのであれば、巨大磁気抵抗(GMR)効果またはトンネル磁気抵抗(TMR)効果に基づいた磁気素子を備えた最終的なセンサにとって都合の良いことである。もしそうであれば、第1の接点と第2の接点との間の印加電圧において、ブリッジ回路の第1の磁気素子と第2の磁気素子との間および第3の磁気素子と第4の磁気素子との間に配置された出力接点間の出力信号は、ブリッジによって達成することのできる最大出力信号となる。磁束集束手段によって、ブリッジ部分に存在する磁性層いわゆるピン止め層の磁化軸は、印加された磁界中において、180°だけ回転する。好ましくは、配向過程中、ブリッジにおけるその他の磁気素子は、磁束遮蔽手段によって印加磁界から遮蔽される。
【0028】
磁束遮蔽手段は、第1のブリッジ部分の第2の磁気素子のために、また、第2の磁気素子と同じ磁化軸の向きを有する第2のブリッジ部分の磁気素子のために存在する。
【0029】
磁束遮蔽手段が、ホイートストンブリッジ上にそのまま存在すれば、それらはホイートストンブリッジの一方の部分において測定されるべき磁界をほとんど遮蔽する。その結果として出力信号の1/2しかブリッジから出力されない。磁束集束手段が、ブリッジの他方の部分に配置され、その結果として、ブリッジの前記部分ははるかにより敏感なものとなる。不平衡なブリッジは、適切に使用することができないので、最終的なセンサにおいては、磁束集束手段および磁束遮蔽手段は半製品から取り除かれる。
【0030】
好ましくは、それぞれの磁気素子は少なくとも1つの磁路を備えるが、一般的には、それぞれの磁気素子は金属によって直列に接続された複数の磁路を備え、それによって、例えば、数キロオームの大きな抵抗値が得られる。これは、ブリッジ回路の出力における電子回路内に配置された増幅器の入力インピーダンスとしては都合の良い値である。磁化の方向は、好ましくは磁路と直角をなす。
【0031】
好ましくは、磁束集束手段は、いくつかの隣接して並べられたストリップを備える。これらのストリップの輪郭は、実質的に垂直方向において磁気素子上に投影した場合、それらの輪郭が磁気素子の磁路の少なくとも実質的に外側に配置されるような輪郭である。印加される磁界の方向における磁路の幅に対するストリップの幅の比は、磁束を強める度合いを決める。磁束を強める度合いは、すべての磁気素子においてどこも均一である。ストリップは、垂直方向に投影して見れば、継ぎ目なく磁路に連結し、最終的には、小型のセンサを形成するのに都合の良い構造が得られる。しかしながら、ストリップと磁路との間に、ある程度のオーバーラップが存在すれば、磁路のオーバーラップした部分は、印加される磁界中において配向されない。例えば、酸化アルミニウム、窒化珪素、または、酸化珪素のような絶縁体が磁気素子とストリップとの間に存在する。有利には、ストリップの材料の透磁率は、約1,000というきわめて高いものである。いくつかの適切な材料は、例えば、NiFe、CoNbZr、または、FeAlSiである。
【0032】
磁束遮蔽手段はいくつかの隣接して並べられたストリップを備えることが有利である。そのストリップはエッジを有し、磁束遮蔽手段を実質的に垂直方向において磁気素子上に投影した場合、磁気素子の磁路はそれらのエッジの範囲内に含まれる。磁路を覆う遮蔽ストリップは、磁路よりも大きいので、磁気素子全体にわたってより均一に遮蔽することができる。好ましくは、磁路と遮蔽手段のストリップとの距離は小さい。大きな厚さおよび高い透磁率の場合、磁束はほとんどすべてが磁束伝導ストリップを通過する。ストリップの材料は、印加された磁界中において飽和しないことが重要である。その理由は、飽和した場合、残りの磁束が磁気素子を通過するからである。とりわけ、交換バイアスによってピン止めされた層を除けば、材料に依存して、数千エルステッドという値の磁界が磁性層の磁化軸を配向するのに必要とされる。このようにして、遮蔽ストリップの材料の飽和磁化が得られ、その飽和磁化は、少なくともこの値よりもかなり大きい。
【0033】
面積の点から見れば、それぞれの磁気素子の磁路が曲がりくねった経路であり、かつ、前記曲がりくねった経路が入れ子にされていれば都合が良い。曲がりくねった経路を入れ子にすることによって、さらに、磁気素子の材料において、高い均一性が得られる。局所的な温度変化はあまり重要ではない。なぜならブリッジに存在するすべての磁気素子は実質的に同じように配置され、そのために、それらの温度は実質的に同じであるからである。好ましくは、曲がりくねった経路に平行なストリップとして実施される磁束集束手段は、第1の磁気素子のための磁束集束器および第2のブリッジ部分の第1の接点の近くにある磁気素子のための磁束遮蔽器として同時に使用されてもよい。磁気素子を配向した後、ストリップは、取り除かれる。センサは、磁界を測定する準備ができる。
【0034】
大きな利点は、入れ子によって、センサがきわめて小さい面積しか占めないことである。さらに、測定されるべき磁界中におけるセンサのオフセットおよびオフセット電圧ドリフトは減少する。
【0035】
面積の点から見れば、曲がりくねった経路がU字形となるように曲げられることはさらに都合が良い。好ましくは、曲がりくねった経路に平行なストリップの形で延びる磁束集束手段は、第1の磁気素子のための磁束集束器および第2の磁気素子のための磁束遮蔽器として同時に使用されてもよい。磁気素子を配向し、かつ、ストリップを取り除いた後、センサは最低限の表面積しか占めない。磁気素子を接触させるためには、ただ1つの構造化された導体しか必要としない。さらに、接点は、ここでは、一方の側に配置され、その結果として、センサは、例えば、ボンディングによって、さらに容易に接触させることができる。
【0036】
本発明は、さらに、上述した種類のセンサを提供することを目的とし、そのセンサは比較的に小さな磁界に対してより敏感なものである。
【0037】
センサに関する本発明の目的は、磁束集束手段が、それぞれの磁気素子のために存在することによって達成される。
【0038】
磁気集束手段は、すべての磁気素子を通る磁界を強めるので、測定されるべき磁界に対してのブリッジ部分の感度は増大する。センサは比較的に小さな磁界を大きな感度で測定することができる。
【0039】
ブリッジ部分のより大きな感度の結果として、さらに、より小さいセンサを製造することが可能である。センサのより小さい表面積はきわめて都合が良い。なぜなら、より小さいセンサは、動作中、外部磁界の勾配および温度変化に対してあまり敏感でないからである。
【0040】
特許請求の範囲を参照する場合、特許請求の範囲に記載された様々な特徴を組み合わせてもよいことに注意されたい。
【発明を実施するための最良の形態】
【0041】
本発明による方法のこれらの特徴およびその他の特徴を、以下に記載される実施形態を参照してより詳細に説明する。
【0042】
第2の磁気素子3の磁化軸に対して第1の磁気素子2の磁化軸を配向する方法においては、図1に示されるように、第1の磁気素子2および第2の磁気素子3が、基板1上に存在する。これらの磁気素子は、ハードディスクまたはテープのヘッドにおいて磁界を測定するための磁気センサの一部分であってもよく、あるいは、それらの磁気素子は、例えば、磁気メモリ(MRAM)の一部分であってもよい。
【0043】
磁気素子2および3のそれぞれは、磁化軸11を備えた磁性層10を少なくとも備える。センサの磁気素子は、スピンバルブまたは磁気トンネル接合であってもよい。GMR効果に基づいたスピンバルブ構造は以下のようにして製造されてもよい。基板1は、例えば、適切な材料構造、この場合には、(111)方位テクスチャを得ることのできる3.5nmのTa/2.0nmのPyからなるバッファ層、および、磁化軸11を備えたピン止め層としての磁性層10を連続的に備える多層構造を有し、その磁性層10は、
10nmのIr19Mn81からなる交換バイアス層および3.5nmのCo90Fe10/0.8nmのRu/3.0nmのCo90Fe10からなる人工反強磁性体と、
3nmのCuからなる非磁性スペーサ層12と、
5.0nmのPyからなる強磁性層13、すなわち、フリー層(その下には、例えば、GMR効果を強め、かつ、層間拡散を制限し、それによって大きな熱的安定性を得ることのできる1.0nmのCo90Fe10からなる薄膜が延びる)と、
を備える。その多層上に塗布された10nmのTaが保護層として使用される。
【0044】
あるいは、磁気素子は、例えば、3.5nmのTa/2.0nmのNiFeからなるバッファ層、15.0nmのIrMn/4.0nmのCoFe/0.8nmのRu/4.0nmのCoFeからなる磁性層としての交換バイアス層およびピン止め層(AAF)、2.0nmのAl2O3からなる非磁性スペーサ層、および、例えば、6.0nmのCoFeからなるフリー層としての第2の強磁性層とを備えた磁気トンネル接合であってもよい。
【0045】
これらの層は、例えば、すべての層が1回の成膜処理で提供されるような形でスパッタリングによって提供され、それによって、それぞれの磁気素子において、清浄な界面および均一性を確実に達成することができる。可能な限り、すべての素子はある程度の磁気抵抗効果と、同一の温度係数とを有する。これらの層は、印加される150エルステッドの磁界中において成膜されるので、これまでは、すべての磁気素子2および3の強磁性層10の磁化軸11は同じ方向に延びていた。
【0046】
第1の磁気素子2の磁性層10の磁化軸11は、磁束集束手段20のパターンを少なくとも第1の磁気素子2の近くに提供し、かつ、その後に、磁界Hを印加することによって、第2の磁気素子3に対して配向される。図1bは、磁束集束手段20のパターンを提供した後の中間製品の断面図である。パターンは、例えば、NiFeのような磁束伝導材料からなる構造化された層である。
【0047】
あるいは、その代わりとして、磁気素子が設けられる前に、パターン20がすでに設けられていてもよい。印加磁界H中において、第1の磁気素子2の磁化軸11が、配向される。
【0048】
図示される層構造のための磁界に要求されることは、大体において以下のようなことである。
【0049】
1.磁化の方向を回転させるために、約2,000Oe以上の磁界が必要である。
【0050】
2.磁界が、30から40Oeよりも小さければ、磁化の方向は回転しない。
【0051】
図面は、一定の比率で示されてはいないが、方法のこの実施形態においては、磁束集束手段20は磁束を約70倍に強める。印加磁界はほんの30Oeであればよいが、磁束集束手段20は2,000Oe以上の磁界を発生させる。磁束を70倍に強めることができるが、一般的にはきわめて非実用的である。なぜなら、磁束伝導体は、磁気素子の70倍の大きさでなければならないからである。その結果として小さなセンサを実現することができない。
【0052】
配向される前に、磁気素子2および3は、反強磁性材料のブロッキング温度よりも高い温度にまで加熱され、その結果として、交換結合によってピン止めされたAAF層は、反強磁性層から引き離される。温度が変化する中で良好な安定性を得るのを可能にする高いブロッキング温度(約560K)を有するので、Ir19Mn81(交換バイアス層)が交換バイアス材料として使用される。AAFピン止め層を使用することによって、小さな正味磁化によって、優れた磁気的安定性が得られる。加熱する温度は、典型的には、約560Kである。その後に、加熱された磁気素子は第1の磁気素子2の交換バイアス層の磁化方向を回転させるのに十分な磁界強度を有する磁界に曝され、第2の磁気素子3の元々の磁化方向はほとんどそのままに維持される。
【0053】
その後、それらの磁気素子は、一定磁界の存在下において室温にまで冷却される。磁気素子を配向するのに使用される磁界の典型的な値は約30Oeである。
【0054】
図1cには、きわめて都合の良い方法が示される。磁束集束手段は、また、隣接する磁気素子の磁束を遮蔽するのに使用される。破線は、垂直方向に投影して見れば、磁束集束手段と磁気素子2とのある程度のオーバーラップが存在してもよいことを示している。図2に示される実施形態においては、この方法が使用される。
【0055】
図2に示されるホイートストンブリッジ構造において、第3の磁気素子4および第4の磁気素子5が、基板1上に存在する。第1の接点6と第2の接点7との間にある第1のブリッジ部分8において、第1の磁気素子2および第2の磁気素子3は、電気的に直列に配置される。第2のブリッジ部分9において、第3の磁気素子4および第4の磁気素子5は、直列に配置される。層構造の点から見れば、第3の磁気素子4および第4の磁気素子5は、第1の磁気素子2および第2の磁気素子3と同じものである。
【0056】
このようにして得られたセンサについて説明すると、このセンサの動作はGMR素子およびTMR素子に基づくものであり、ホイートストンブリッジの出力信号は、対角関係にある2つの磁気素子の磁化軸が同一方向に配向され、さらに、他方の対角関係にある2つの磁気素子に対して、180°だけ回転していれば最大出力信号となる。磁束集束手段20のパターンが、少なくとも1つの磁気素子の近くに設けられ、その後、前記磁気素子が、印加磁界中において配向される。しかしながら、磁気素子を個々に配向することは、ブリッジ構造の対角関係にある2つの磁気素子を同時に配向することよりも手間のかかることである。図2aに示される断面図においては、磁束集束手段20のパターンは、第1の磁気素子2および対角関係にある磁気素子4の近くに設けられる。磁束集束手段20のパターンは、この構造における磁束を約4倍に強める。印加される550Oeの磁界によって、磁界は局所的に2,000Oeを超え、その結果として、温度がブロッキング温度を超えると、第1の磁気素子2および対角関係にある磁気素子4は、ブリッジ構造における他方の磁気素子3および5に対して、同時に配向される。
【0057】
他方の磁気素子3および5の磁化軸が、印加磁界中において、わずかに回転するのを防止するために、磁束遮蔽手段が、設けられる。図2bにおいては、磁束遮蔽手段は、エッジ22を備えたパターン21の形で設けられる。それを実質的に垂直方向において磁気素子上に投影した場合、前記磁気素子3および5は、少なくともこの実施形態においては、エッジ22の範囲内に完全に含まれる。印加される550Oeの磁界において、磁束は遮蔽された磁気素子3および5によって、1/15から1/20に弱められ、磁界は、30Oeよりも小さくなる。遮蔽された磁気素子3および5の磁化軸は、それらの元々の向きを維持する。
【0058】
磁束集束パターン20および磁束遮蔽パターン21は同時に製造されてもよい。レジストパターンが、標準的な光学的リソグラフィーによって、例えば66nmのNi80Fe20からなるめっき支持体上に設けられる。例えば4nmの厚さtを有するNi80Fe20の層が、電気めっきによってレジストパターン間に設けられる。その後に、レジストパターンが除去され、めっき支持体がエッチングによって除去される。Ni80Fe20は、2,000という高い透磁率を有する。
【0059】
遮蔽効果に関しては、パターン化されたNi80Fe20の反磁界Hdemが、磁気素子を配向するのに使用される印加磁界よりも大きいことが重要である。反磁界は、パターンの形状に依存し、次の近似式、Hdem=t/WBsat、によって表現され、ここで、Wは図2に示される遮蔽ストリップの幅である。Ni80Fe20は、室温において、約104エルステッドの飽和磁化Bsatを有する。図示される層構造の磁性層を配向するためには、印加される約2,000Oeの磁界が必要である。その結果として、仮定している4nmの厚さにおいて、完全な遮蔽を達成するためには、パターンは約18nmの幅Wを有する。磁束遮蔽ストリップと磁気素子との距離は、好ましくは、できる限り小さいほうがよい。図示される実施形態においては、距離は150nmである。
【0060】
ピン止め層10の磁化軸11を印加磁界中において配向した後、磁束遮蔽手段21および磁束集束手段20が取り除かれると、ブリッジの感度はかなり増大する。パターン20および21が形成されるNi80Fe20は、リン酸および過酸化水素の溶液によって、必要であれば、それにHFを添加することによって容易にエッチングすることができる。
【0061】
パターン20および21を除去した後、磁界の測定に都合良く使用することのできるセンサが得られる。
【0062】
オプションとして、感度をさらに増大させるために、磁束集束手段20のパターンが再度、それぞれの磁気素子の近くに設けられてもよい。
【0063】
図2に示される半製品においては、第1のブリッジ部分8に存在する2つの磁気素子のピン止め層10の磁化軸11、さらには、第2のブリッジ部分9に存在する2つの磁気素子のピン止め層10の磁化軸11は、反対に配向され、かつ、第1のブリッジ部分8に存在する2つの磁気素子は、第2のブリッジ部分9に存在する2つの磁気素子とは反対に配向される。この段階において、製品は、まだ、半製品と呼ばれる。なぜなら、ブリッジは、第1のブリッジ部分8の第1の磁気素子2および第1の磁気素子2と同じ磁化軸の向きを有する第2のブリッジ部分9の第4の磁気素子5のための磁束集束手段14が存在するために、平衡ではないからである。
【0064】
ブリッジの前記不平衡状態は、磁束集束手段14を取り除くことによって修正され、その後に、磁界の測定にきわめて都合良く使用することのできるセンサが得られる。センサの第1の実施形態が、図2cに示される。
【0065】
ブリッジ構造に存在する磁気素子の磁化軸11のこの向きにおいて、GMR効果およびTMR効果に基づいたセンサは接点6および7間の印加電圧における最大出力信号をもたらす。
【0066】
図2に示される半製品の実施形態においては、磁気素子2、3、4、5のそれぞれは、金属17によって直列に接続されたいくつかの磁路16を備える。前記金属は、例えば、マスクと物理的または化学的なエッチングとによってパターン化されたAlまたはCuである。
【0067】
小型センサのための半製品の図示された実施形態においては、磁束集束手段14は、いくつかの隣接して並べられたストリップ18であるように実施される。ストリップの材料は、高い透磁率および大きな飽和磁化値を有する。適切な材料は、例えば、FeおよびNiの配合物である。
【0068】
図2aは、この実施形態において、磁束集束手段14の輪郭は、その輪郭を実質的に垂直方向において磁気素子2、3、4、5上に投影した場合、磁気素子の磁路16の少なくとも実質的に外側に配置されていることを示す。図示される実施形態においては、磁束集束ストリップ18は、垂直方向において、磁気素子から約150nmの距離だけ離れている。この構成において、典型的には18μmであるストリップ18の幅と、典型的には5μmである磁気素子の幅との比は、約4である。この実施形態において、ブリッジの感度は、約4倍に増大する。
【0069】
磁束遮蔽手段15は、例えば、任意の形状を有する領域である。磁束遮蔽手段15は、第1のブリッジ部分8の第2の磁気素子3、および、第2の磁気素子3と同じ磁化軸11の向きを有する第2のブリッジ部分9の磁気素子のために存在する。図2に示される実施形態においては、磁束遮蔽手段15はいくつかの隣接して並べられたストリップ30であるように実施される。ストリップ30が、ホイートストンブリッジにそのまま存在すれば、それらのストリップ30は、ホイートストンブリッジの一方の部分において測定されるべき磁界を完全に遮蔽する。その結果として、出力信号の1/2だけがブリッジから出力される。ブリッジの他方の部分においては、磁束集束器が配置され、その結果として、図示される実施形態においては、ブリッジの前記他方の部分は、約4倍だけより敏感なものとなる。
【0070】
磁束遮蔽ストリップ30は、好ましくは、磁気素子からできる限り小さい距離で配置される。遮蔽効果は、ストリップ30を磁気素子の両側に配置することによって改善される。この実施形態においては、ストリップ30の寸法は磁束遮蔽手段15を実質的に垂直方向において磁気素子2、3、4、5上に投影した場合に磁気素子2、3、4、5の磁路16がストリップ30のエッジ31の範囲内に含まれるような寸法である。ストリップ30の材料が電気的な導体であれば、好ましくは、例えばAlOx、SiO2、または、Si3N4からなる絶縁体の薄膜が磁気素子と磁気ストリップ30との間に設けられる。磁気素子を最大限に遮蔽するために、ストリップ30の材料は、好ましくは、高い透磁率を有する。例えば、NiFe、CoNBZr、FeAlSiを用いて、2,000という値の透磁率を達成することができる。
【0071】
一般的には、領域の厚さは磁気素子の厚さよりもかなり大きく、例えば、100倍であり、それによって、印加された磁界のできるだけ多くの磁束線が、配向中に、磁気素子を通過するのではなくストリップ30を通過するのを確実にする。
【0072】
センサの第2の実施形態が図3に示される。図3において、対応する構成要素は図2に示されるものと同じ符号で示される。図3aおよび図3bにおいて、半製品の第2の実施形態が示され、それによれば、きわめて小型のセンサが製造される。半製品において、磁束集束手段14および磁束遮蔽手段15は、ストリップ18またはストリップ30であるように実施され、それらのストリップ18またはストリップ30は、好ましくは、磁路を上に延ばし(図3b)、また、下にも延ばす(図3a)。
【0073】
図3cに示されるセンサはきわめて小型であり、かつ、最小限の面積を占める。それぞれの磁気素子2、3、4、5の磁路16は曲がりくねった経路である。この曲がりくねった経路は入れ子にされている。この第2の実施形態においては、曲がりくねった経路はU字形となるように曲げられている。
【0074】
図4は、図2cに示される第1の実施形態によるGMRホイートストンブリッジ構造の出力電圧を示す。5Vのバイアス電圧において、センサは、小さな磁界に対しては20から200°Cの大きな温度範囲において線形の出力特性を有する。したがって、小さな磁界を正確に測定することができる。GMR効果は6%であり、ヒステリシスは小さく、オフセット電圧ドリフトは0.7V/Kである。
【図面の簡単な説明】
【0075】
【図1a】第2の磁気素子に対して第1の磁気素子の磁化軸を配向する方法を示す概略図であって、磁束集束手段のパターンを提供した後の中間製品の平面図である。
【図1b】磁束集束手段のパターンを提供した後の中間製品の断面図である。
【図1c】磁束集束手段のパターンを提供した後の中間製品の断面図であり、そのパターンは、また、その他の磁気素子のための磁束遮蔽手段のパターンとして適切に使用されてもよい。
【図2】本発明による半製品の第1の実施形態の平面図である。
【図2a】第1の実施形態による半製品の一部分を示す線分A−Aに沿った断面図である。
【図2b】第1の実施形態による半製品の一部分を示す線分B−Bに沿った断面図である。
【図2c】第1の実施形態による半製品から製造されたセンサの平面図である。
【図3a】本発明の第2の実施形態による半製品の平面図。
【図3b】本発明の第2の実施形態による半製品の変形の平面図。
【図3c】第2の実施形態によるセンサの平面図である。
【図4】第1の実施形態によるセンサの出力特性を示す図である。
Claims (20)
- 第1の磁気素子および第2の磁気素子が基板上に存在し、磁気素子のそれぞれが磁化軸を有する磁性層を備え、第2の磁気素子に対して第1の磁気素子の磁化軸を配向する方法であって、
磁束集束手段のパターンを少なくとも第1の磁気素子の近くに設け、かつ、その後に磁界を印加することによって、第1の磁気素子の磁性層の磁化軸が配向されることを特徴とする方法。 - 磁気素子が、第1の磁気素子の磁化軸が印加された磁界の方向に平行かつ同じ方向に延びるように配向される温度にまで加熱されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 磁界の存在下において冷却することによって、磁化軸の向きが固定されることを特徴とする、請求項2に記載の方法。
- 請求項1または3に記載の磁界を測定するためのセンサを製造する方法であって、第3の磁気素子および第4の磁気素子が基板上に存在し、その第3および第4の磁気素子が第1の磁気素子および第2の磁気素子とともにブリッジ構造を形成し、前記ブリッジ構造が、第1の接点と第2の接点との間に第1のブリッジ部分および第2のブリッジ部分を備え、前記第1のブリッジ部分には、第1の磁気素子および第2の磁気素子が直列に配置され、前記第2のブリッジ部分には、第3の磁気素子および第4の磁気素子が直列に配置され、第3の磁気素子および第4の磁気素子もまた磁化軸を有する磁性層を少なくとも備えたことを特徴とする方法。
- 磁束集束手段のパターンが、第1のブリッジ部分の第1の接点に近い第1の磁気素子の近くに設けられ、磁束集束手段の類似したパターンが、第2のブリッジ部分の第2の接点に近い磁気素子の近くに設けられ、それらのパターンを実質的に垂直方向において磁気素子上に投影した場合、前記磁気素子が実質的にオーバーラップしていないことを特徴とする、請求項4に記載の方法。
- 磁束遮蔽手段が、第1のブリッジ部分の第2の接点に近い第2の磁気素子の近くに形成され、磁束集束手段の類似したパターンが、第2のブリッジ部分の第1の接点に近い磁気素子の近くに設けられ、磁束遮蔽手段のパターンがエッジを有し、それらのパターンを実質的に垂直方向において磁気素子上に投影した場合、前記磁気素子が前記エッジの範囲内に実質的に含まれることを特徴とする、請求項4または5に記載の方法。
- 磁束集束手段のパターンおよび磁束遮蔽手段のパターンが同時に形成されることを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- パターンが比較的に高い透磁率を有する材料からなる1つの層から形成されることを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- 磁束集束手段のパターンおよび磁束遮蔽手段のパターンが、磁性層の磁化軸を印加磁界中において配向した後に取り除かれることを特徴とする、請求項8に記載の方法。
- 磁束集束手段のパターンが、それぞれの磁気素子の近くに設けられたことを特徴とする、請求項9に記載の方法。
- 磁束遮蔽手段のパターンが、それぞれの磁気素子の近くに設けられたことを特徴とする、請求項9に記載の方法。
- 磁気素子の磁化軸が、請求項5または6に記載の方法を用いることによって配向されたことを特徴とする、請求項5または6に記載の方法を用いて得られた半製品。
- 基板と、基板上にブリッジ構造として存在する第1の磁気素子、第2の磁気素子、第3の磁気素子、および、第4の磁気素子とを備え、前記ブリッジ構造は、第1の接点と第2の接点との間に、第1の磁気素子および第2の磁気素子が直列に配置された第1のブリッジ部分と、第3の磁気素子および第4の磁気素子が直列に配置された第2のブリッジ部分とを備え、磁気素子のそれぞれが、磁化軸を有する磁性層を少なくとも備え、第1のブリッジ部分に存在する磁気素子の磁性層の前記磁化軸、さらには、第2のブリッジ部分に存在する磁気素子の磁性層の前記磁化軸が、反対に配向され、それぞれの接点の近くにおいて、第1のブリッジ部分に存在する磁気素子の磁化軸が、第2のブリッジ部分に存在する磁気素子の磁化軸に対して反対に配向された、センサを得るための半製品であって、
磁束集束手段が、第1のブリッジ部分の第1の磁気素子および第1の磁気素子と同じ磁化軸の向きを有する第2のブリッジ部分の磁気素子のために存在することを特徴とする、半製品。 - 磁束遮蔽手段が、第1のブリッジ部分の第2の磁気素子および第2の磁気素子と同じ磁化軸の向きを有する第2のブリッジ部分の磁気素子のために存在することを特徴とする、請求項13に記載の半製品。
- それぞれの磁気素子が、金属によって直列に接続された少なくとも1つの磁路を備えたことを特徴とする、請求項13に記載の半製品。
- 磁束集束手段がいくつかの隣接して並べられたストリップを備え、そのストリップは、輪郭を有し、その磁束集束手段を実質的に垂直方向において磁気素子上に投影した場合、磁気素子が、実質的にオーバーラップしていないすることを特徴とする、請求項15に記載の半製品。
- 磁束遮蔽手段がいくつかの隣接して並べられたストリップを備え、そのストリップが、エッジを有し、その磁束遮蔽手段を実質的に垂直方向において磁気素子上に投影した場合、磁気素子の磁路が、エッジの範囲内に実質的に含まれることを特徴とする、請求項15または16に記載の半製品。
- それぞれの磁気素子が曲がりくねった経路を形成する磁路を有し、その曲がりくねった経路が入れ子にされたことを特徴とする、請求項15から17のいずれか一項に記載の半製品。
- 曲がりくねった経路がU字形になるように曲げられたことを特徴とする、請求項18に記載の半製品。
- 基板と、基板上にブリッジ構造として存在する第1の磁気素子、第2の磁気素子、第3の磁気素子、および、第4の磁気素子とを備え、前記ブリッジ構造は、第1の接点と第2の接点との間に、第1の磁気素子および第2の磁気素子が直列に配置された第1のブリッジ部分と、第3の磁気素子および第4の磁気素子が直列に配置された第2のブリッジ部分とを備え、磁気素子のそれぞれが、磁化軸を有する磁性層を少なくとも備え、第1のブリッジ部分に存在する磁気素子の磁性層の前記磁化軸、さらには、第2のブリッジ部分に存在する磁気素子の磁性層の前記磁化軸が、反対に配向され、それぞれの接点の近くにおいて、第1のブリッジ部分に存在する磁気素子の磁化軸が、第2のブリッジ部分に存在する磁気素子の磁化軸に対して反対に配向された、磁界を測定するためのセンサであって、
磁束集束手段が、磁気素子ごとに存在することを特徴とする、半製品。
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