JPH0612828B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0612828B2
JPH0612828B2 JP58119355A JP11935583A JPH0612828B2 JP H0612828 B2 JPH0612828 B2 JP H0612828B2 JP 58119355 A JP58119355 A JP 58119355A JP 11935583 A JP11935583 A JP 11935583A JP H0612828 B2 JPH0612828 B2 JP H0612828B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、たとえば電動機制御用あるいは電力制御用
に用いられる絶縁ゲート電界効果形トランジスタ（MOS
FET）等の半導体装置に関する。
〔発明の技術的背景〕
一般に、大電流，高電圧を扱うこの種の電力用MOS FET
としては、二重拡散形MOS（以下D MOSと略称する）、V
MOS、U MOS等の種々の構成のものが使用されている。第
１図は、代表的なものとしてD MOS FETの断面構成を示
している。図において、１１はN+形の高濃度シリコン基
板で、この高濃度シリコン基板１１の一方の表面上には
N-形の低濃度シリコンエピタキシャル層１２が形成さ
れ、これら高濃度シリコン基板１１と低濃度シリコンエ
ピタキシャル層１２とでドレイン領域が形成される。上
記高濃度シリコン基板１１の他方の表面上にはドレイン
電極１３が形成される。また、上記低濃度シリコンエピ
タキシャル層１２内には、チャネル部ベース領域として
Ｐ形の不純物拡散領域１４，１４が形成されるととも
に、この不純物拡散領域１４，１４内にはそれぞれソー
ス領域としてN+形の不純物拡散領域１５，１５が形成さ
れる。さらに、上記低濃度シリコンエピタキシャル層１
２上には、不純物拡散領域１４，１４および１５，１５
の一部表面上まで延設されたゲート絶縁膜１６を介して
ゲート電極層１７が形成される。上記ゲート電極層１７
上には、層間絶縁膜１８が形成され、この層間絶縁膜１
８上にソース電極層１９が形成されて、ソース電極層１
９と不純物拡散域（チャネル部ベース領域）１４，１４
および不純物拡散領域（ソース領域）１５，１５が接続
されるようになっている。
上記のような構成の等価回路を第２図に示す。MOS FET
QM1は、高濃度シリコン基板１１および低濃度シリコン
エピタキシャル層１２によってドレインＤが、N+形の不
純物拡散領域１５，１５によってソースＳが形成され、
ゲート電極層１７がゲート電極Ｇに対応している。抵抗
RBは、不純物拡散領域１５，１５下の不純物拡散領域１
４，１４の抵抗成分であり、NPN形のバイポーラトラン
ジスタQB1は、N+形の不純物拡散領域１５，１５がエミ
ッタに、Ｐ形の不純物拡散領域１４，１４がベースに、
N-形の低濃度シリコンエピタキシャル層１２がコレクタ
に対応する。また、ダイオードD1は、Ｐ形の不純物拡散
領域１４，１４がアノードに、N-形のシリコンエピタキ
シャル層１２がカソードにそれぞれ対応して寄生的に形
成される。上記第２図に示した等価回路は、他の種々の
電力用MOS FET構造（V MOS FET，U MOS FET）において
も同様である。
〔背景技術の問題点〕
ところで、たとえば電動機制御回路においては、第３図
に示すように、２個のMOS FET QM1 ，QM2 を正電源と
負電源間に直列接続し、これらMOS FET QM1 ，QM2 の
接続点と正電源間に巻線Ｌを挿接して、上記MOS FET
QM1 ，QM2 を制御信号CS1 ，CS2 によって選択的に導通
制御することにより、巻線Ｌを励磁して電動機も回動制
御する。この時、MOS FET QM2 のオン状態（MOS FET Q
M1 はオフ状態）時には、正電源から巻線ＬおよびMOS
FET QM2 を介して負電源への電流路が形成され、そ
れぞれIL，ITなる電流が流れる。一方、MOS FET QM1 は
オフ状態であるが、ダイオードD1を介してフルーホイー
ル電流IDが流れる。このように、ダイオードD1に順方向
電流（IF）を流しているときには、カソード領域（N-形
のシリコンエピタキシャル層）１２にキャリアが蓄積さ
れ、MOS FET QM2 のオン状態からオフ状態、QM1 のオフ
状態からオン状態への反転時、上記蓄積されたキャリア
がカソード領域１２からアノード領域（Ｐ形の不純物拡
散領域）１４，１４を介してソース電極層１９へ導出さ
れ、第４図に示すような逆回復電流IRが流れ。このと
き、不純物拡散領域１５，１５下のベース領域（Ｐ形の
不純物拡散領域）１４，１４の抵抗成分により電圧降下
が生じ、これによって上記寄生NPNトランジスタQB1 の
ベース・エミッタ間が順バイアスされ、このトランジス
タQB1 がオン状態となる。上記トランジスタQB1 がオン
状態となると、N+形の不純物拡散領域１５，１５下に電
流集中を生じてこの近傍の温度が上昇し、破壊に至る欠
点がある。
〔発明の目的〕
この発明は、上記のような事情に鑑みてなされたもので
その目的とするところは、MOS FETの構造に起因して発
生する破壊耐量の向上を図れるとともに、動作速度の高
速化および高効率化をも実現できるすぐれた半導体装置
を提供することである。
〔発明の概要〕
すなわち、この発明においては、第１導電型の半導体基
板と、この基板内に形成された第２導電型の第１、第２
の半導体領域と、第１の半導体領域内に形成された第１
導電型の第３の半導体領域と、基板、第１の半導体領域
および第３の半導体領域上にそれぞれに跨がり、これら
基板、第１の半導体領域および第３の半導体領とそれぞ
れ絶縁されて形成されたゲート電極と、基板と第３の半
導体領域との間の第１の半導体領域の表面上に、この第
１の半導体領域と絶縁されて形成されたゲート電極と、
第１、第２、第３の半導体領域それぞれに接続されたソ
ース電極と、基板に接続されたドレイン電極と、を具備
する。そして、ソース電極からドレイン電極へと電流を
流す際、この電流を第２の半導体領域と基板との接合に
より形成される第１のダイオードと、第１の半導体領域
と基板との接合により形成される第２のダイオードとに
それぞれ分流するように構成し、かつ第１のダイオード
の順方向降下電圧を第２のダイオードの順方向降下電圧
よりも低く設定されるようにしている。
上記構成によれば、第１のダイオードの順方向降下電圧
を第２のダイオードの順方向降下電圧よりも低くするこ
とにより、ソース電極からドレイン電極へと電流を流す
際、より多くの電流が第１のダイオードに流れるように
なる。第１のダイオードに、より多くの電流が流れるよ
うになれば、第２のダイオードを構成する第１の半導体
領域およびその近傍におけるキャリアの蓄積が低減され
る。第１の半導体領域およびその近傍におけるキャリア
の蓄積が低減されれば、基板をコレクタとし、第１の半
導体領域をベースし、第３の半導体領域をエミッタとす
るような寄生バイポーラトランジスタの導通を阻止でき
る。従って、ソースからドレインへと電流を流す際、例
えばフリーホイール動作が行われる時等に、素子の破壊
耐量が向上するものである。
また、第１のダイオードの逆方向回復時間を、第２のダ
イオードの逆方向回復時間より短くなるように構成する
ことにより、第１のダイオードは、フリーホイールダイ
オードとしてその動作が高速化され、かつ電力損失が低
減されて高能率化するものである。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明
する。第５図および第６図はそれぞれ断面構成およびそ
の等価回路を示している。図において、第１図あるいは
第２図と同一構成部には同じ符号を付してその説明は省
略する。すなわち、MOS FET QM1 のソース・ドレイン間
に順方向にダイオードD3を挿接したもので、このダイオ
ードD3は、N-形のシリコンエピタキシャル層１２内に上
記Ｐ形の不純物拡散領域１４，１４と所定間隔離間して
形成したＰ形の不純物拡散領域２０と上記シリコンエピ
タキシャル層１２とによって構成し、不純物拡散領域２
０はソース電極層１９に接続されて成る。なお、上記ダ
イオードD3の順方向降下電圧VF3 は、ダイオードD1の順
方向降下電圧VF1 より低く設定する。上記順方向降下電
圧VF3 とVF1 との差は、例えば順方向電流IFが１５Ａの
時、０．４Ｖ程度の値が効果的である。
このような構成によれば、順方向電流IFは、第６図の等
価回路に示したように寄生ダイオードD1とD3とに分流さ
れ、それぞれのダイオードD1，D3の順方向電流IF1 とI
F3 との和となる。従って、上記順方向IFが一定のもの
ではダイオードD1の順方向電流IF1 は低減されるため、
ダイオードD1に基づく逆方向回復電流IR1 が減少し、寄
生バイポーラトランジスタQB1 のベース抵抗に発生する
順バイアス電圧が低減されてこのトランジスタQB1 の動
作が阻止される。特にダイオードD1，D3の順方向降下電
圧VF1 ，VF3 を「VF1 ＞VF3 」なる関係に設定し、「V
F1 ≪VF3 」としたので、ダイオードD1によるキャリア
の蓄積を大幅に低減でき、素子の破壊を防止できるとと
もに、逆回復耐量の大幅な向上を図れる。
さらに、上記のような構成において、ダイオードD1，D3
の順方向降下電圧VF1 ，VF3 を「VF1 ＞VF3 」なる関係
に設定するとともに、ダイオードD3の逆回復時間trr3を
ダイオードD1の逆回復時間trr1より小さく設定すれば、
フリーホイールダイオード動作時の逆方向回復電流IRお
よび逆回復時間trrを減少でき、大幅な高速化と省電力
化による高能率化が実現できる。上記順方向降下電圧V
F1 とVF3 との設定は、たとえば、不純物拡散領域１
４，１４と不純物拡散領域２０との不純物濃度を変える
ことによる接触抵抗差によって設定可能である。また、
第７図に示すように、不純物拡散領域１４，１４および
１５，１５とソース電極層（アルミニウム層）１９との
間に、たとえばチタン、ポリシリコン等から成るバリヤ
ー層１０，１０を選択的に形成し、ダイオードD1の順方
向降下電圧を変えることができる。また、上記逆回復時
間trr1，trr3の設定は、たとえば不純物拡散領域２０と
その近傍の低濃度シリコンエピタキシャル層１２にpt，
Auなどのライフタイムキラーを拡散することによってキ
ャリアライフタイムを変え、MOS FET QM1 およびダイオ
ードD3がそれぞれ最良の特性を得られるよう設定でき
る。
なお、この発明は上記実施例に限定されるものではな
く、要旨を変えない範囲で種々変形が可能であり、たと
えば第８図に示すように構成しても良い。すなわち、上
記第５図におけるゲート電極層１７、ゲート絶縁膜１６
および不純物拡散領域１５の一部を削除したものであ
る。図において、前記第５図と同一構成部には同じ符号
を付してその説明は省力する。このような構成において
も上記各実施例と同様な効果が得られる。
第９図および第１０図はそれぞれ、この発明の他の実施
例を示すもので、上記各実施例ではMOS FET QM1 とダイ
オードD3とを離間して形成したのに対し、MOS FET QM1
のＰ形不純物拡散領域（チャネル部ベース領域）１４に
接した状態で、ダイオードD3のアノード領域（Ｐ形不純
物拡散領域）２０を形成したものである。第１０図にお
いては、第９図における間絶縁膜１８１を取り除いた構
成となっている。このような構成においても等価回路で
は前記第６図に示したものとなり、同様な効果が得られ
る。
なお、上記第８図から第１０図に示した構成においても
前記第７図と同様にして順方向降下電圧の設定が可能で
ある。また、上記各実施例ではＮチャネル形のMOS FET
について説明したが、Ｐチャネル形のMOS FETにも適用
可能なのはもちろんであり、この場合は、ダイオードの
極性を逆にした構成となる。さらに、D MOS FETの場合
について説明したがV MOS FET，U MOS FETなど他の種々
の構造のMOS FETであっても、ソース・ドレイン間に、
寄生ダイオードと同一方向でかつ並列にダイオードを接
続することにより同様な効果が得られる。第１１図にV
MOS FETにこの発明を適用した例を示す。図において、
２１は、N+の高濃度シリコン基板、２２はN-形の低濃度
シリコンエピタキシャル層、２３はドレイン電極層、２
４はＰ形の不純物拡散領域、２５，２５はN+形の不純物
拡散領域、２６はシリコン酸化膜、２７はポリシリコン
から成るゲート電極層、２８はアルミニウムから成るソ
ース電極層で、これらによってV MOS FETが構成され
る。このV MOS FETと離間して上記N-形のシリコンエピ
タキシャル層２２内にはＰ形の不純物拡散領域２９を形
成し、この不純物拡散領域２９上に上記ソース電極層２
８を延設する。そして上記Ｐ形の不純物拡散領域２９と
N-形の低濃度シリコンエピタキシャル層２８とでダイオ
ードを構成する。
このような構成においても、上記D MOS FETの場合と同
様な効果が得られ、同様な変形構成も可能である。また
V MOS FETやU MOS FETに限られず、MOS構造を有する四
層素子にも適用が可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明によれば、MOS FETの構造
に起因して発生する破壊耐量の向上を図れるとともに、
動作速度の高速化および高効率化をも実現できるすぐれ
た半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図はそれぞれ従来の半導体装置の断面
構成図およびその等価回路図、第３図は上記第１図およ
び第２図に示した半導体装置を電動機制御回路に使用す
る場合の回路図、第４図は上記第３図の回路の動作を説
明するための図、第５図および第６図はそれぞれこの発
明の一実施例に係る半導体装置の断面構成図およびその
等価回路図、第７図ないし第１１図はそれぞれこの発明
の他の実施例を説明するための断面構成図である。 QM1 ……MOS FET、Ｄ……ドレイン、Ｓ……ソース、Ｇ
……ゲート、D1……寄生ダイオード、D3……ダイオー
ド、１４，１４……Ｐ形の不純物拡散領域（ベース領
域）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田辺 博仁 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 東 京芝浦電気株式会社多摩川工場内 (72)発明者 三輪 行信 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 東 京芝浦電気株式会社多摩川工場内 (72)発明者 中山 善仁 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 東 京芝浦電気株式会社多摩川工場内 (56)参考文献 特開 昭55−43864（ＪＰ，Ａ)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第１導電型の半導体基板と、 前記基板内に形成された第２導電型の第１、第２の半導
    体領域と、 前記第１の半導体領域内に形成された第１導電型の第３
    の半導体領域と、 前記基板、前記第１の半導体領域および前記第３の半導
    体領域上にそれぞれに跨がり、これら基板、第１の半導
    体領域および第３の半導体領とそれぞれ絶縁されて形成
    されたゲート電極と、 前記第１、第２、第３の半導体領域それぞれに接続され
    たソース電極と、 前記基板に接続されたドレイン電極と、を具備し、 前記ソース電極から前記ドレイン電極へと電流を流す
    際、この電流が、前記第２の半導体領域と前記基板との
    接合により形成される第１のダイオードと、前記第１の
    半導体領域と前記基板との接合により形成される第２の
    ダイオードとにそれぞれ分流されるように構成され、か
    つ前記第１のダイオードの順方向降下電圧が前記第２の
    ダイオードの順方向降下電圧よりも低く設定されている
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】前記第１のダイオードの逆方向回復時間
    を、前記第２のダイオードの逆方向回復時間より短くな
    るように構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１
    項記載の半導体装置。
JP58119355A 1983-06-30 1983-06-30 半導体装置 Expired - Lifetime JPH0612828B2 (ja)

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JP58119355A JPH0612828B2 (ja) 1983-06-30 1983-06-30 半導体装置
EP84107327A EP0133642B1 (en) 1983-06-30 1984-06-26 Semiconductor device comprising a dmosfet
DE8484107327T DE3473535D1 (en) 1983-06-30 1984-06-26 Semiconductor device comprising a dmosfet

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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4737667A (en) * 1986-03-11 1988-04-12 Siemens Aktiengesellschaft Driving circuitry for a MOSFET having a source load
IT1213411B (it) * 1986-12-17 1989-12-20 Sgs Microelettronica Spa Struttura mos di potenza con dispositivo di protezione contro le sovratensioni e processo per lasua fabbricazione.
EP0293846A1 (de) * 1987-06-05 1988-12-07 Siemens Aktiengesellschaft MIS-Leistunsgstransistor
JPH0828506B2 (ja) * 1988-11-07 1996-03-21 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2600829B2 (ja) * 1988-08-04 1997-04-16 三井石油化学工業株式会社 ポリプロピレン樹脂組成物
DE68926384T2 (de) * 1988-11-29 1996-10-10 Toshiba Kawasaki Kk Lateraler Leitfähigkeitsmodulations-MOSFET
EP0409010A1 (de) * 1989-07-19 1991-01-23 Asea Brown Boveri Ag Abschaltbares Leistungshalbleiterbauelement
DE69029180T2 (de) * 1989-08-30 1997-05-22 Siliconix Inc Transistor mit Spannungsbegrenzungsanordnung
JPH03238871A (ja) * 1990-02-15 1991-10-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US5544038A (en) * 1992-09-21 1996-08-06 General Electric Company Synchronous rectifier package for high-efficiency operation
DE69617098T2 (de) * 1995-06-02 2002-04-18 Siliconix Inc Grabengate-Leistungs-MOSFET mit Schutzdioden in periodischer Anordnung
US6049108A (en) * 1995-06-02 2000-04-11 Siliconix Incorporated Trench-gated MOSFET with bidirectional voltage clamping
US6140678A (en) * 1995-06-02 2000-10-31 Siliconix Incorporated Trench-gated power MOSFET with protective diode
US5998837A (en) * 1995-06-02 1999-12-07 Siliconix Incorporated Trench-gated power MOSFET with protective diode having adjustable breakdown voltage
US5856692A (en) * 1995-06-02 1999-01-05 Siliconix Incorporated Voltage-clamped power accumulation-mode MOSFET
KR100510096B1 (ko) * 1997-10-31 2006-02-28 실리코닉스 인코퍼레이티드 트렌치-게이트형 파워 mosfet
US7279743B2 (en) 2003-12-02 2007-10-09 Vishay-Siliconix Closed cell trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor
US8183629B2 (en) 2004-05-13 2012-05-22 Vishay-Siliconix Stacked trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor device
CN101185169B (zh) 2005-04-06 2010-08-18 飞兆半导体公司 沟栅场效应晶体管及其形成方法
DE102005019860B4 (de) * 2005-04-28 2010-11-18 Siemens Ag Steuerbare Halbleiterdiode, elektronisches Bauteil und Spannungszwischenkreisumrichter
US8471390B2 (en) 2006-05-12 2013-06-25 Vishay-Siliconix Power MOSFET contact metallization
US9437729B2 (en) 2007-01-08 2016-09-06 Vishay-Siliconix High-density power MOSFET with planarized metalization
US9947770B2 (en) 2007-04-03 2018-04-17 Vishay-Siliconix Self-aligned trench MOSFET and method of manufacture
US8368126B2 (en) 2007-04-19 2013-02-05 Vishay-Siliconix Trench metal oxide semiconductor with recessed trench material and remote contacts
US9484451B2 (en) 2007-10-05 2016-11-01 Vishay-Siliconix MOSFET active area and edge termination area charge balance
US9443974B2 (en) 2009-08-27 2016-09-13 Vishay-Siliconix Super junction trench power MOSFET device fabrication
US9431530B2 (en) 2009-10-20 2016-08-30 Vishay-Siliconix Super-high density trench MOSFET
US9306056B2 (en) 2009-10-30 2016-04-05 Vishay-Siliconix Semiconductor device with trench-like feed-throughs
US9842911B2 (en) 2012-05-30 2017-12-12 Vishay-Siliconix Adaptive charge balanced edge termination
US9722041B2 (en) 2012-09-19 2017-08-01 Vishay-Siliconix Breakdown voltage blocking device
US9887259B2 (en) 2014-06-23 2018-02-06 Vishay-Siliconix Modulated super junction power MOSFET devices
CN106575666B (zh) 2014-08-19 2021-08-06 维西埃-硅化物公司 超结金属氧化物半导体场效应晶体管
WO2016028943A1 (en) 2014-08-19 2016-02-25 Vishay-Siliconix Electronic circuit

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1342130A (en) * 1971-08-31 1973-12-25 Plessey Co Ltd Solid state photodetector
JPS52132684A (en) * 1976-04-29 1977-11-07 Sony Corp Insulating gate type field effect transistor
JPS5543864A (en) * 1978-09-25 1980-03-27 Hitachi Ltd Mis semiconductor device
GB2111745B (en) * 1981-12-07 1985-06-19 Philips Electronic Associated Insulated-gate field-effect transistors

Also Published As

Publication number Publication date
EP0133642A1 (en) 1985-03-06
JPS6010781A (ja) 1985-01-19
DE3473535D1 (en) 1988-09-22
EP0133642B1 (en) 1988-08-17

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