JPH0612467U - ストリップの連続酸洗ライン - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】塩酸酸洗後の良好な表面性状を確保し、塩酸酸
洗以上に酸洗の高速化を図る。 【構成】タンデム配置のたとえば３つの酸洗槽を有し、
熱間圧延後のストリップＳを前記３つの酸洗槽を連続的
に通過させ、前記ストリップＳ表面に形成されたスケー
ルを酸洗によって除去する連続酸洗ラインにおいて、前
記３つの酸洗槽は、第１槽ならびに第３槽を塩酸酸洗槽
とし、第２槽を硫酸酸洗槽とした。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、熱間圧延後のストリップ表面に形成されたスケールを除去するスト リップの連続酸洗ラインに関する。

【０００２】

【従来の技術】

熱間圧延後のストリップに表面処理を行う場合、その前処理として、ストリッ プ表面に形成されたスケールを除去し、ストリップ表面を清浄化し、表面処理層 の密着性、均一性、使用性能の向上を図る必要がある。 そこで、熱間圧延後のストリップをタンデム配置の複数の酸洗槽を有する連続 酸洗ラインを通過させて、前記ストリップ表面に形成されたスケールを酸洗によ って除去する連続酸洗が実施されている。

【０００３】 一方、近年のバッチ式酸洗から連続酸洗への移行に伴い、硫酸酸洗に代わって 塩酸酸洗が主流となり、現在、国内における酸洗ラインのうち約４０％が塩酸酸 洗である。これは、塩酸による酸洗特性が硫酸より優れているためであり、具体 的には、 （１）塩酸酸洗の方が、硫酸酸洗に比べ酸洗速度が速いこと（図４参照）。 （２）塩酸酸洗の方が、酸洗後のストリップ表面が滑らかで、かつ光沢があるこ と。 等が挙げられる。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】

しかし、塩酸酸洗には、次のような欠点もある。すなわち、 （１）塩酸酸洗の方が硫酸酸洗より腐食減量が少ないため、内層スケール（FeO) の脱スケール速度は硫酸酸洗よりも遅いこと。 （２）塩酸は、硫酸に比べ高価であること。 （３）塩酸酸洗は、温度よりも濃度に依存するため、図４に示すように、酸温度 上昇による脱スケール性の効果はあまりなく、しかもヒュームロスが大きいこと 。 等である。

【０００５】 そこで、本考案の主たる課題は、塩酸酸洗後の良好な表面性状を確保し、塩酸 酸洗以上に酸洗の高速化を図ることにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】

前述のような塩酸と硫酸との酸洗特性の相違は、スケールに対する溶解能の差 に起因するもので、図２に示すように、硫酸（H₂SO₄)は、スケール内に存在する クラック（図示しない）から浸透して下層の比較的溶解性の良好な内層スケール （FeO)および地鉄（Fe）と反応して溶解を促進するとともに、地鉄（Fe）から発 生する水素のガス圧力あるいはスケール中に内在する応力によってスケールを剥 離するものである。これに対し、塩酸（HCl)は、スケールを外層から順次溶解し てゆく特徴がある。

【０００７】 そこで、上記のような塩酸と硫酸の特徴を踏まえて、本考案を以下の構成とし た。 すなわち、本考案は、タンデム配置の複数の酸洗槽を有し、熱間圧延後のスト リップを前記複数の酸洗槽を連続的に通過させて、前記ストリップ表面に形成さ れたスケールを酸洗によって除去する連続酸洗ラインにおいて、 前記複数の酸洗槽は、第１槽ならびに最終槽を塩酸酸洗槽とし、それらの中間 槽に少なくとも１槽以上の硫酸酸洗槽を設けたものである。

【０００８】

【作用】

本考案では、ストリップの酸洗ラインにおいて、タンデム配置の複数の酸洗槽 は、第１槽ならびに最終槽を塩酸酸洗槽とし、それらの中間槽に少なくとも１槽 以上の硫酸酸洗槽を設けた。 したがって、熱間圧延後のストリップが上記酸洗ラインを通過する過程におい て、第１槽の塩酸浴中にて、塩酸により外層スケールの溶解が行われ、次いで次 槽の硫酸酸洗槽において、硫酸により内層スケールの溶解が行われるため、従来 の塩酸酸洗と比較した場合、内層スケールの溶解に関しては、硫酸酸洗の効果が 現出し、脱スケール時間の短縮が可能となる。また、比較的安価な硫酸を用いる ため、酸液使用のコストも低減できる。前述のように、硫酸酸洗後のストリップ の表面性状は決して良好ではないが、最終槽の塩酸酸洗槽において、再び塩酸酸 洗が行われ、最終的なスケールの溶解が行われるため、最終的には滑らかな表面 性状を得ることが可能となる。

【０００９】

【実施例】

以下、本発明を図面に示す実施例によりさらに具体的に説明する。 前述のように、塩酸酸洗の方が硫酸酸洗に比べ脱スケール速度が速いのは、図 ２に示すように、塩酸（HCl)は、外層スケール（Fe₂O₃ ，Fe₃O₄)との反応が良好 で、外層より順次スケールが溶解することによるものである。一方、硫酸（H₂SO₄ )は、内層スケール（FeO)および地鉄（Fe）との反応は良好であるが、外層スケ ール（Fe₂O₃ ，Fe₃O₄)との反応が極めて悪い。この脱スケール機構を利用したの が本考案であり、本考案の一実施例を図１に示す。

【００１０】 図１に示すように、タンデム配置のたとえば３つの酸洗槽すなわち第１槽１、 第２槽２および第３槽３を有し、第１槽１ならびに第３槽３は塩酸酸洗槽とされ 、第２槽は硫酸酸洗槽とされている。 また、前記各槽内の入側および出側には、浸漬ロール４，４が配設され、スト リップＳを各槽内の酸液に浸漬するようになっている。この場合、各槽内におけ る浸漬ロール４，４のうち少なくとも一方が昇降自在とする（図３参照）のが望 ましく、浸漬ロール４の昇降によって浸漬時間の調整を行い、オーバーピックル を防止して、地鉄を荒らすことがないようにされている。

【００１１】 さらに、第１槽１と第２槽２の間および第２槽２と第３槽３の間には、リンガ ーロール５が配設されており、次槽への酸液持込みを最小限に抑え、次槽におけ る酸洗を良好に行わせるようになっている。なお、リンガーロール５はガイドロ ールを兼ねている。

【００１２】 かかる連続酸洗ラインでは、ストリップＳの通過過程において、第１槽１の塩 酸浴中にて、塩酸により外層スケール（Fe₂O₃ ，Fe₃O₄)の溶解が行われた後、次 の第２槽２において、硫酸による内層スケール（FeO)の溶解が行われる。ここで 、従来の塩酸酸洗と比較した場合、内層スケールの溶解に関しては、硫酸酸洗の 効果が現出し、これにより、脱スケール時間の短縮あるいは槽長の短縮が可能と なる。また、塩酸酸洗によって外層より順次脱スケールを行った後に硫酸酸洗を 行うため、硫酸酸洗に効果のあるスケールブレーキングレベラの必要性もなくな る。 そして、第２槽２で硫酸酸洗が行われた後、最終第３槽３において、滑らかな 表面性状を得るため、塩酸酸洗が行われる。 したがって、本考案では、塩酸酸洗後の良好な表面性状を確保することができ るとともに、塩酸酸洗以上に酸洗の高速化を図ることができる。しかも、低コス トで脱スケールを行うことができる。

【００１３】

【考案の効果】

以上の通り、本考案によれば、酸洗後の良好な表面性状が得られるとともに、 脱スケール時間の短縮を図ることができる。また、酸液使用のコストも低減でき る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の一実施例を示す概要図である。

【図２】塩酸と硫酸のスケールに対する溶解能を説明す
る図である。

【図３】オーバーピックル防止策を説明する図である。

【図４】酸濃度、酸温度と酸洗時間の関係を示す図であ
る。

【符号の説明】

１…第１槽（塩酸酸洗槽）、２…第２槽（硫酸酸洗
槽）、３…第３槽（塩酸酸洗槽）、４…浸漬ロール、５
…リンガーロール、Ｓ…ストリップ。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】タンデム配置の複数の酸洗槽を有し、熱間
   圧延後のストリップを前記複数の酸洗槽を連続的に通過
   させて、前記ストリップ表面に形成されたスケールを酸
   洗によって除去する連続酸洗ラインにおいて、 前記複数の酸洗槽は、第１槽ならびに最終槽を塩酸酸洗
   槽とし、それらの中間槽に少なくとも１槽以上の硫酸酸
   洗槽を設けたことを特徴とするストリップの連続酸洗ラ
   イン。