JPH06118441A - 表示セル - Google Patents
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/13613—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit the semiconductor element being formed on a first substrate and thereafter transferred to the final cell substrate
Abstract
(57)【要約】
【目的】 各表示画素にＴｒを設けた大画面の表示セル
を安価に供給可能にする発明である。 【構成】 ポリイミドのような高耐熱な高分子フィルム
上に、各々独立したＴｒを密に形成し、そのＴｒを他の
転写基板に接着した後、前述の高分子フィルムをエッチ
ングで除去する、 一方で大面積用の表示基板に各Ｔｒ
を結ぶリード線を形成しておく、この表示基板のリード
線に対応する位置に、先のＴｒを電気的に接続しながら
転写する。 密なＴｒは表示ピッチに合わせて転写さ
れ、転写基板次の表示画素ピッチに合うように移動させ
る。この繰り返しで密に形成されたＴｒを大面積な表示
基板上に疎に、効率よく形成することが出来る。
を安価に供給可能にする発明である。 【構成】 ポリイミドのような高耐熱な高分子フィルム
上に、各々独立したＴｒを密に形成し、そのＴｒを他の
転写基板に接着した後、前述の高分子フィルムをエッチ
ングで除去する、 一方で大面積用の表示基板に各Ｔｒ
を結ぶリード線を形成しておく、この表示基板のリード
線に対応する位置に、先のＴｒを電気的に接続しながら
転写する。 密なＴｒは表示ピッチに合わせて転写さ
れ、転写基板次の表示画素ピッチに合うように移動させ
る。この繰り返しで密に形成されたＴｒを大面積な表示
基板上に疎に、効率よく形成することが出来る。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」本発明は液晶やＥＣ等を用いた平
面表示装置の実現に関するもので、より大型のスクリー
ンを実現する表示装置の為の表示セルである。 「発明の概要」本発明はアクティブ素子を各表示電極に
スイッチング素子として用いた表示セルにおいて、スイ
ッチング素子の形成を新しい方法により実現し、大画面
の表示装置を歩留まり良く、安価に供給可能とした表示
セルである。 「従来の技術及び問題点」従来、液晶等の表示装置の駆
動方式にはアクティブ方式とパッシプ方式があり、画質
の良さ、応答性等、表示特性は圧倒的にアクティブ方式
が優っている。しかしこれまでその製造が非常に困難な
ため大画面の表示装置を実際には市場に供給出来なかっ
た。アクティブ素子を用いて駆動をおこなう表示方式の
セルの作成は、シャープ、日立、等多くのメーカーによ
って’７０年代から半導体製造技術を基にさかんに開発
されてきた。それらの表示セルは第９図に示したように
ガラス基板１０上に、一面にａ−Ｓｉ等の半導体を積層
し、次にＩＴＯからなる各画素１３を駆動するＴｒやダ
イオード等のアクティブスイッチング素子４を各画素を
制御するための走査線１２、信号線１１に交差できる位
置にのみ形成しそれ以外の位置の半導体層はエッチング
等で除去し個々の画素を表示駆動する表示駆動基板を作
成しセルに用いる方式である。このプロセスはフォトリ
ソやエッチング、プラズマＣＶＤなど半導体の製造に使
用される技術を用いて行われる。この従来の方法では、
ガラス基板上での全てのパターンの形成は最終的に用い
る表示駆動基板の作成そのものなのでそのピッチで透明
画素電極、配線、アクティブ素子が形成されるため、大
面積の表示装置を製造しようとすると、アクティブ素子
を大面積のガラス上に、非常に疎に形成することにな
る。そのため均一な特性のアクティブ素子を欠陥なく大
面積にわたって形成しなければならず、これが製造歩留
まり向上の大きな阻害要因となり、同時にプロセスを大
型化し投資額が巨大となり、今日に至るまで大型の平面
表示パネルを商業レベルで提供できなかった理由であ
る。上記のように従来の問題点は、アクティブ素子のス
イッチング素子（以下スイッチング素子と称す）を大面
積の中に非常に疎な密度で作成しょうとしているため、
特性の均一を実現する為に歩留まりが悪くなり、しかも
大面積に対処出来る半導体プロセスが求められ製造装置
は非常に高くなり、表示基板も非常に高くなって実用的
でなかった。 「問題点を解決する為の手段と作用」上記のような問題
点を解決するために、本発明はスイッチング素子を最終
的に表示セルに使用する表示駆動基板と異なった別の基
板上に、通常の半導体素子のように非常に密にＸ，Ｙ方
向に一定のピッチで形成し、それをエッチング等により
個々に分離し、それを表示駆動基板上のスイッチング素
子の位置に合うように表示駆動基板上に転移させる。従
来、ａ−ＳｉのＴｒを形成するには、平坦なガラス基板
上に、ＩＣ製造に用いられる半導体プロセスをそのまま
用いて、かなり高温のプラズマＣＶＤ等でシラン等から
ａ−Ｓｉを形成し、それにＰ、Ｓ等をドープしていた。
しかし今日ではａ−Ｓｉの形成は４００ Ｃ以下の低温
プロセスで可能となり、一方高分子の方もポリイミドの
ように高耐熱でしかも表面の均一なものが出来るように
なってきた。そこでこれらを有効に利用すると高密度に
形成したＴｒを分離させて、大面積な基板に転移し大面
積の表示基板を作成することが可能になってきた。第１
図は本発明に用いる基板形成の説明図である。 Ａから
順にＥへとプロセスは進む。まず高耐熱のポリイミドを
フィルム状１に形成し、その上にＴｒを形成するのに必
要なＳｉＯ２等のベース層２を各画素のＴｒに必要な大
きさにマスクを用いて個々独立に、しかもＸ，Ｙ方向に
一定のピッチで密にパターニングし低温プロセスで積層
する。次に、前記個々独立のベース層上にマスクしなが
ら低温プラズマＣＶＤ等でａ−Ｓｉ３等を形成し、Ｐ、
Ｓ等をドープしＦＥＴやダイオード等、アクティブなス
イッチング素子４をフォトリソ技術、薄膜形成技術を用
いて形成する。個々のアクティブ素子４には三端子なら
三端子分の電気的接続用の接続部５ａ，５ｂ，５ｃをＡ
ｌ，Ａｕ等で積層する。二端子なら二端子分の接続部を
設ける。第２図はスイッチング素子が多数、Ｘ，Ｙ方向
に一定のピッチＰ１，Ｐ２で密に形成されたポリイミド
フィルムの部分平面図である。次にこの多数のスイッチ
ング素子（電気的接続部も形成されたもの）が密に形成
されたポリイミドフィルムをポリイミドのエッチング液
に浸積してポリイミド部を除去して各スイッチ素子を分
離独立させるが、そのまま処理すると、分離された後の
スイッチング素子を表示駆動用基板に整列させることは
不可能になるためエッチング液に浸す前に、転移用基板
Ａ７に各スイッチング素子を接着する。この転移用基板
Ａと接着剤６はポリイミドのエッチング液には侵されな
いものを用いる。上記の処理を行った後に、ポリイミド
をエッチングすると各スイッチング素子がＸ，Ｙ方向に
一定ピッチで分離独立させられる。第４図は転移用基板
Ａに保持されたスイッチング素子の断面図である。第５
図は電気的接続用の接続部５ａ，５ｂ，５ｃを表示用基
板上の必要な位置に相対するように、もう一度転移用基
板Ｂ８に転移させた場合の説明図である。接着剤９で保
持されている。次に転移用の基板Ｂ上に保持されたスイ
ッチング素子群の中で、表示駆動用基板１０のスイッチ
ング素子を必要としている位置に相対する位置にあるス
イッチング素子群を転移基板Ｂから表示駆動用基板１０
の方に転移する。第７図にこの作業の説明をしている。
表示用基板１０上のスイッチング素子を必要とする位置
に転移基板から移行させ電気的に接続をするためレーザ
ー光１４を照射して溶融接続させ、転移基板からの離脱
は接着剤９を加熱して分離させる。転移基板上の密に保
持されたスイッチング素子群は一回の転移作業で全てが
転移されない。そのため転移基板、または表示駆動用基
板を一定の距離だけＸ，Ｙの方向に移動させれば次のス
イッチング素子群の必要とされる位置に動かせる。この
作業を数回繰り返すことによって、転移基板上のスイッ
チング素子は全て表示駆動用基板上の必要な位置に転移
され表示駆動基板２０が形成される。転移基板からのス
イッチング素子の離脱は接着剤の加熱、または他の適当
な方法でなされる。このプロセスを繰り返すことにより
大面積（４”以上）の表示パネルの製造コストは飛躍的
に下がるとともに、いくらでも大きな面積の表示パネル
を作成することが可能となる。 「実施例」第１図は本発明の表示セルを形成する基本要
素である表示基板の形成ステップを示すプロセス説明図
である。ポリイミドフィルム１の上にフォトリソによっ
て個々のＴｒ用ベース層ＳｉＯ２を３０００オームスト
ロングの厚みで、７０ｕｍ角に個々の間隔を２０ｕｍ程
度に決めて多数形成する。この場合、低温プラズマＣＶ
ＤによりＳｉＯ２を直接フィルム上に積層したが、この
下にさらにフィルムとベース層との密着性を高めるため
のコート層を設けても良い。形成されたベース層２を通
常のパネル形成時のガラス基板だと捉えて、以下のプロ
セスを進める。ベース層の上に形成する半導体はａ−Ｓ
ｉだけでなくＰｏｌｙ−Ｓｉでも他の化合物半導体でも
よい。但し、基板がポリイミドであるために低温プロセ
スで形成出来るものでなければならない。上記形成され
た半導体部にアクティブなスイッチング素子を作り込む
ために、Ｐ、Ｓ等を順次ドープしてＦＥＴやダイオード
４を形成する。このアクティブ素子と信号線、走査線、
画素電極との電気的な接続用に、接合部５ａ，５ｂ，５
ｃ等がＡｕまたはＡｌで形成される。ここまで形成され
たスイッチング素子部４を個々に分離、独立させる。こ
れには高分子フィルムをエッチング液に浸して除去し、
個々のスイッチング素子のみを取り出す。この場合はポ
リイミドのエッチャントを用い、分離、独立させたスイ
ッチング素子を最終的に表示を行うガラス等からなる表
示駆動用基板１０上に転移付加して表示駆動基板２０と
しなければならない。このように形成されたスイッチン
グ素子を個々、分離独立させるためには、このままエッ
チングしてしまうと後処理が不可能になるので一部に穴
等を設けたガラス基板、または金属基板、または高分子
フィルムの素子位置にエッチングに侵されない一定の温
度で溶解する接着剤６を設け各素子を接着しておく。こ
のあと高分子フィルム１のエッチング液で形成基板を除
去する。ここで始めて各スイッチング素子はそれぞれか
ら独立する。第１図の方式で作成された場合、第５図の
ようにもう一度転移用基板Ｂにスイッチング素子を転移
させ電気的接続部５ａ、５ｂ，５ｃを表示駆動用基板の
相対する面に合わさなければならない。この後は表示駆
動基板２０のスイッチング素子のピッチが１４０ｕｍで
あれば一回の転移では全てのスイッチング素子の転移は
出来ないためもう一度７０ｕｍ移動させてお互いの位置
を合わせて転移する。この場合表示駆動用基板１０上に
は、予め信号線１１、走査線１２、ＩＴＯ画素電極１３
が形成されている。第６図は表示駆動用基板の部分平面
図である。１１は信号線、１２は走査線、１３は画素電
極である。この時、各Ｔｒと配線との電気的接続はＹＡ
Ｇレーザーによる加熱によって行った。さらにこのＴｒ
を固定剤１７で固定することによって表示駆動基板２０
は出来上がる。パネルの面積が大きいときには、この転
移の作業を繰り返す事によって、十分大きなパネルも製
造可能となる。この様にして形成された表示駆動基板２
０と対向電極１６及びカラーフィルターの形成された対
向基板１５の間に液晶を封じて表示セルが出来上がる。
第１０図は本発明の表示セルの部分断面図である。この
プロセスでは２回の転移を必要としたが電気的接続部の
位置を逆にするトランジスタ、ダイオードなどの形成に
より、一回の転移で済ませればより効率的な製造が可能
となる。上記の説明ではフィルム基板をポリイミドとし
てきたが、他の高耐熱高分子フィルムでも良い。 「発明の効果」上記のようにして表示セルを製作するこ
とにより従来不可能であった対角２０”以上の大面積平
面表示装置を容易にしかも安価に作成することが可能と
なり、文化的、経済的意義は非常に大きい。
面表示装置の実現に関するもので、より大型のスクリー
ンを実現する表示装置の為の表示セルである。 「発明の概要」本発明はアクティブ素子を各表示電極に
スイッチング素子として用いた表示セルにおいて、スイ
ッチング素子の形成を新しい方法により実現し、大画面
の表示装置を歩留まり良く、安価に供給可能とした表示
セルである。 「従来の技術及び問題点」従来、液晶等の表示装置の駆
動方式にはアクティブ方式とパッシプ方式があり、画質
の良さ、応答性等、表示特性は圧倒的にアクティブ方式
が優っている。しかしこれまでその製造が非常に困難な
ため大画面の表示装置を実際には市場に供給出来なかっ
た。アクティブ素子を用いて駆動をおこなう表示方式の
セルの作成は、シャープ、日立、等多くのメーカーによ
って’７０年代から半導体製造技術を基にさかんに開発
されてきた。それらの表示セルは第９図に示したように
ガラス基板１０上に、一面にａ−Ｓｉ等の半導体を積層
し、次にＩＴＯからなる各画素１３を駆動するＴｒやダ
イオード等のアクティブスイッチング素子４を各画素を
制御するための走査線１２、信号線１１に交差できる位
置にのみ形成しそれ以外の位置の半導体層はエッチング
等で除去し個々の画素を表示駆動する表示駆動基板を作
成しセルに用いる方式である。このプロセスはフォトリ
ソやエッチング、プラズマＣＶＤなど半導体の製造に使
用される技術を用いて行われる。この従来の方法では、
ガラス基板上での全てのパターンの形成は最終的に用い
る表示駆動基板の作成そのものなのでそのピッチで透明
画素電極、配線、アクティブ素子が形成されるため、大
面積の表示装置を製造しようとすると、アクティブ素子
を大面積のガラス上に、非常に疎に形成することにな
る。そのため均一な特性のアクティブ素子を欠陥なく大
面積にわたって形成しなければならず、これが製造歩留
まり向上の大きな阻害要因となり、同時にプロセスを大
型化し投資額が巨大となり、今日に至るまで大型の平面
表示パネルを商業レベルで提供できなかった理由であ
る。上記のように従来の問題点は、アクティブ素子のス
イッチング素子（以下スイッチング素子と称す）を大面
積の中に非常に疎な密度で作成しょうとしているため、
特性の均一を実現する為に歩留まりが悪くなり、しかも
大面積に対処出来る半導体プロセスが求められ製造装置
は非常に高くなり、表示基板も非常に高くなって実用的
でなかった。 「問題点を解決する為の手段と作用」上記のような問題
点を解決するために、本発明はスイッチング素子を最終
的に表示セルに使用する表示駆動基板と異なった別の基
板上に、通常の半導体素子のように非常に密にＸ，Ｙ方
向に一定のピッチで形成し、それをエッチング等により
個々に分離し、それを表示駆動基板上のスイッチング素
子の位置に合うように表示駆動基板上に転移させる。従
来、ａ−ＳｉのＴｒを形成するには、平坦なガラス基板
上に、ＩＣ製造に用いられる半導体プロセスをそのまま
用いて、かなり高温のプラズマＣＶＤ等でシラン等から
ａ−Ｓｉを形成し、それにＰ、Ｓ等をドープしていた。
しかし今日ではａ−Ｓｉの形成は４００ Ｃ以下の低温
プロセスで可能となり、一方高分子の方もポリイミドの
ように高耐熱でしかも表面の均一なものが出来るように
なってきた。そこでこれらを有効に利用すると高密度に
形成したＴｒを分離させて、大面積な基板に転移し大面
積の表示基板を作成することが可能になってきた。第１
図は本発明に用いる基板形成の説明図である。 Ａから
順にＥへとプロセスは進む。まず高耐熱のポリイミドを
フィルム状１に形成し、その上にＴｒを形成するのに必
要なＳｉＯ２等のベース層２を各画素のＴｒに必要な大
きさにマスクを用いて個々独立に、しかもＸ，Ｙ方向に
一定のピッチで密にパターニングし低温プロセスで積層
する。次に、前記個々独立のベース層上にマスクしなが
ら低温プラズマＣＶＤ等でａ−Ｓｉ３等を形成し、Ｐ、
Ｓ等をドープしＦＥＴやダイオード等、アクティブなス
イッチング素子４をフォトリソ技術、薄膜形成技術を用
いて形成する。個々のアクティブ素子４には三端子なら
三端子分の電気的接続用の接続部５ａ，５ｂ，５ｃをＡ
ｌ，Ａｕ等で積層する。二端子なら二端子分の接続部を
設ける。第２図はスイッチング素子が多数、Ｘ，Ｙ方向
に一定のピッチＰ１，Ｐ２で密に形成されたポリイミド
フィルムの部分平面図である。次にこの多数のスイッチ
ング素子（電気的接続部も形成されたもの）が密に形成
されたポリイミドフィルムをポリイミドのエッチング液
に浸積してポリイミド部を除去して各スイッチ素子を分
離独立させるが、そのまま処理すると、分離された後の
スイッチング素子を表示駆動用基板に整列させることは
不可能になるためエッチング液に浸す前に、転移用基板
Ａ７に各スイッチング素子を接着する。この転移用基板
Ａと接着剤６はポリイミドのエッチング液には侵されな
いものを用いる。上記の処理を行った後に、ポリイミド
をエッチングすると各スイッチング素子がＸ，Ｙ方向に
一定ピッチで分離独立させられる。第４図は転移用基板
Ａに保持されたスイッチング素子の断面図である。第５
図は電気的接続用の接続部５ａ，５ｂ，５ｃを表示用基
板上の必要な位置に相対するように、もう一度転移用基
板Ｂ８に転移させた場合の説明図である。接着剤９で保
持されている。次に転移用の基板Ｂ上に保持されたスイ
ッチング素子群の中で、表示駆動用基板１０のスイッチ
ング素子を必要としている位置に相対する位置にあるス
イッチング素子群を転移基板Ｂから表示駆動用基板１０
の方に転移する。第７図にこの作業の説明をしている。
表示用基板１０上のスイッチング素子を必要とする位置
に転移基板から移行させ電気的に接続をするためレーザ
ー光１４を照射して溶融接続させ、転移基板からの離脱
は接着剤９を加熱して分離させる。転移基板上の密に保
持されたスイッチング素子群は一回の転移作業で全てが
転移されない。そのため転移基板、または表示駆動用基
板を一定の距離だけＸ，Ｙの方向に移動させれば次のス
イッチング素子群の必要とされる位置に動かせる。この
作業を数回繰り返すことによって、転移基板上のスイッ
チング素子は全て表示駆動用基板上の必要な位置に転移
され表示駆動基板２０が形成される。転移基板からのス
イッチング素子の離脱は接着剤の加熱、または他の適当
な方法でなされる。このプロセスを繰り返すことにより
大面積（４”以上）の表示パネルの製造コストは飛躍的
に下がるとともに、いくらでも大きな面積の表示パネル
を作成することが可能となる。 「実施例」第１図は本発明の表示セルを形成する基本要
素である表示基板の形成ステップを示すプロセス説明図
である。ポリイミドフィルム１の上にフォトリソによっ
て個々のＴｒ用ベース層ＳｉＯ２を３０００オームスト
ロングの厚みで、７０ｕｍ角に個々の間隔を２０ｕｍ程
度に決めて多数形成する。この場合、低温プラズマＣＶ
ＤによりＳｉＯ２を直接フィルム上に積層したが、この
下にさらにフィルムとベース層との密着性を高めるため
のコート層を設けても良い。形成されたベース層２を通
常のパネル形成時のガラス基板だと捉えて、以下のプロ
セスを進める。ベース層の上に形成する半導体はａ−Ｓ
ｉだけでなくＰｏｌｙ−Ｓｉでも他の化合物半導体でも
よい。但し、基板がポリイミドであるために低温プロセ
スで形成出来るものでなければならない。上記形成され
た半導体部にアクティブなスイッチング素子を作り込む
ために、Ｐ、Ｓ等を順次ドープしてＦＥＴやダイオード
４を形成する。このアクティブ素子と信号線、走査線、
画素電極との電気的な接続用に、接合部５ａ，５ｂ，５
ｃ等がＡｕまたはＡｌで形成される。ここまで形成され
たスイッチング素子部４を個々に分離、独立させる。こ
れには高分子フィルムをエッチング液に浸して除去し、
個々のスイッチング素子のみを取り出す。この場合はポ
リイミドのエッチャントを用い、分離、独立させたスイ
ッチング素子を最終的に表示を行うガラス等からなる表
示駆動用基板１０上に転移付加して表示駆動基板２０と
しなければならない。このように形成されたスイッチン
グ素子を個々、分離独立させるためには、このままエッ
チングしてしまうと後処理が不可能になるので一部に穴
等を設けたガラス基板、または金属基板、または高分子
フィルムの素子位置にエッチングに侵されない一定の温
度で溶解する接着剤６を設け各素子を接着しておく。こ
のあと高分子フィルム１のエッチング液で形成基板を除
去する。ここで始めて各スイッチング素子はそれぞれか
ら独立する。第１図の方式で作成された場合、第５図の
ようにもう一度転移用基板Ｂにスイッチング素子を転移
させ電気的接続部５ａ、５ｂ，５ｃを表示駆動用基板の
相対する面に合わさなければならない。この後は表示駆
動基板２０のスイッチング素子のピッチが１４０ｕｍで
あれば一回の転移では全てのスイッチング素子の転移は
出来ないためもう一度７０ｕｍ移動させてお互いの位置
を合わせて転移する。この場合表示駆動用基板１０上に
は、予め信号線１１、走査線１２、ＩＴＯ画素電極１３
が形成されている。第６図は表示駆動用基板の部分平面
図である。１１は信号線、１２は走査線、１３は画素電
極である。この時、各Ｔｒと配線との電気的接続はＹＡ
Ｇレーザーによる加熱によって行った。さらにこのＴｒ
を固定剤１７で固定することによって表示駆動基板２０
は出来上がる。パネルの面積が大きいときには、この転
移の作業を繰り返す事によって、十分大きなパネルも製
造可能となる。この様にして形成された表示駆動基板２
０と対向電極１６及びカラーフィルターの形成された対
向基板１５の間に液晶を封じて表示セルが出来上がる。
第１０図は本発明の表示セルの部分断面図である。この
プロセスでは２回の転移を必要としたが電気的接続部の
位置を逆にするトランジスタ、ダイオードなどの形成に
より、一回の転移で済ませればより効率的な製造が可能
となる。上記の説明ではフィルム基板をポリイミドとし
てきたが、他の高耐熱高分子フィルムでも良い。 「発明の効果」上記のようにして表示セルを製作するこ
とにより従来不可能であった対角２０”以上の大面積平
面表示装置を容易にしかも安価に作成することが可能と
なり、文化的、経済的意義は非常に大きい。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の表示セル形成の主要プロセス説明図で
あり、第２図はスイッチング素子を定ピッチで形成した
基板の部分平面図であり、第３図は転移用基板Ａに保持
した時の断面図であり、第４図は転移用基板Ａに分離保
持されたスイッチング素子群の断面図であり、第５図は
転移用基板Ｂに分離保持されたスイッチング素子群の断
面図であり、第６図は表示駆動用基板の部分平面図であ
り、第７図は表示駆動用基板へのスイッチング素子の転
移説明図であり、第８図は一度転移作業をした後の転移
用基板Ｂの断面図であり、第９図は本発明の表示駆動基
板の部分平面図であり、第１０図は本発明の表示セルの
部分断面図である。 １ 高分子フィルム ２ ベース層 ３ 半導体層 ４ スイッチング素子部 ６ 接着剤 ７ 転移用基板Ａ １０ 表示駆動用基板 １１ 信号線 １２ 走査線 １３ 画素電極
あり、第２図はスイッチング素子を定ピッチで形成した
基板の部分平面図であり、第３図は転移用基板Ａに保持
した時の断面図であり、第４図は転移用基板Ａに分離保
持されたスイッチング素子群の断面図であり、第５図は
転移用基板Ｂに分離保持されたスイッチング素子群の断
面図であり、第６図は表示駆動用基板の部分平面図であ
り、第７図は表示駆動用基板へのスイッチング素子の転
移説明図であり、第８図は一度転移作業をした後の転移
用基板Ｂの断面図であり、第９図は本発明の表示駆動基
板の部分平面図であり、第１０図は本発明の表示セルの
部分断面図である。 １ 高分子フィルム ２ ベース層 ３ 半導体層 ４ スイッチング素子部 ６ 接着剤 ７ 転移用基板Ａ １０ 表示駆動用基板 １１ 信号線 １２ 走査線 １３ 画素電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）液晶、ＥＣ等、光の透過、屈折、吸収等の特性を
電気的に制御出来る物質を対向する電極を設けた基板間
に封じ、 該基板の一方にはトランジスタ、ダイオード等のアクテ
ィブ素子を各画素毎に形成し、各画素を電気的に駆動す
る表示駆動基板を用いて表示を行う表示セルにおいて、 前記アクティブ素子を、 予め表示信号、制御信号用の配線や、各画素透明電極の
形成されている表示駆動用基板とは別の基板上に密に形
成し、 該基板から前記アクティブ素子を個々に分離独立させ、 前記表示駆動用基板上の各画素用アクティブ素子の位置
に転移し、 各画素に該アクティブ素子を電気的に接続付加して表示
駆動基板とした表示セル。 （２）前記アクティブ素子はポリイミド等の高耐熱性高
分子基板上に、プラズマＣＶＤ等の低温プロセスを用い
て、ＳｉＯ２等のベース層を、個々のアクティブ素子に
必要な面積単位にかつ、Ｘ、Ｙ方向に一定のピッチで密
に形成し、 該ベース層の上に、ａ−Ｓｉ等の半導体層を積層し、 該半導体層にＰ，Ｓ等を注入し、ＦＥＴ，ダイオード等
のアクティブ素子を形成し、 さらに該素子と信号線、あるいは信号線、走査線、透明
画素電極等と電気的に接続するためのＡｌ，Ａｕ等を用
いた接続部を形成しスイッチング素子部とし、 該、Ｘ，Ｙ方向に一定ピッチで密に形成されたスイッチ
ング素子部をエッチング液によって犯され無い接着材、
転移基板（フィルム）によって各スイッチング素子部を
保持した後、 ポリイミド等のスイッチング素子部を形成した基板をエ
ッチングして除去し、 転移基板上に各スイッチング部を分離、独立させ保持
し、 表示駆動用基板のスイッチング素子を必要とする位置と
前記基板上のスイッチング素子部を合わせて、 合致する位置のスイッチング素子部を表示駆動用基板上
に転移し、電気的に接続し、 順次、表示駆動用基板上のスイッチング素子の位置と、
転移用基板上のスイッチング素子部との位置を合わせ
て、表示駆動用基板上にスイッチング素子を転移形成し
た表示駆動基板を用いた特許請求の範囲第一項に記載の
表示セル。
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