JP2021118274A - 移戴基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光素子の移戴効率を改善することが可能な移戴基板を提供する。【解決手段】発光素子を一時的に保持する移戴基板であって、発光素子の端子側に接触する保持面を有し、前記保持面は、粘着性の凹凸面である、移戴基板。【選択図】図4
Description
本発明の実施形態は、移戴基板に関する。
近年、微小なサイズの発光素子を配列して構成された発光装置が種々提案されている。このような発光素子は、例えば、素子形成用基板に形成された後に、他の保持用基板に一時的に保持され、最終的には配線基板に実装される。発光素子を素子形成用基板から保持用基板に移戴(transfer)する際、一例では、吸着用冶具で発光素子を吸着し、素子形成用基板から発光素子を剥離する技術が知られている。
このような発光装置の製造工程において、ある一方の基板上の発光素子を他方の基板に移戴する際に、一方の基板からの発光素子の剥離と、他方の基板への発光素子の転写をスムースに行うことが要望されている。
本明細書では、発光素子を一時的に保持する基板の少なくとも1つを移戴基板と称する。
このような発光装置の製造工程において、ある一方の基板上の発光素子を他方の基板に移戴する際に、一方の基板からの発光素子の剥離と、他方の基板への発光素子の転写をスムースに行うことが要望されている。
本明細書では、発光素子を一時的に保持する基板の少なくとも1つを移戴基板と称する。
本実施形態の目的は、発光素子の移戴効率を改善することが可能な移戴基板を提供することにある。
本実施形態の移戴基板は、
発光素子を一時的に保持する移戴基板であって、発光素子の端子側に接触する保持面を有し、前記保持面は、粘着性の凹凸面である。
本実施形態の移戴基板は、
発光素子を一時的に保持する移戴基板であって、発光素子の端子側に接触する保持面を有し、発光素子が前記保持面に保持された状態において、前記保持面は、1つの発光素子に重畳する複数の凸部を有している。
本実施形態の移戴基板は、
発光素子を一時的に保持する移戴基板であって、発光素子の端子側に接触する保持面を有し、発光素子が前記保持面に保持された状態において、前記保持面は、1つの発光素子に重畳する複数の凹部を有している。
発光素子を一時的に保持する移戴基板であって、発光素子の端子側に接触する保持面を有し、前記保持面は、粘着性の凹凸面である。
本実施形態の移戴基板は、
発光素子を一時的に保持する移戴基板であって、発光素子の端子側に接触する保持面を有し、発光素子が前記保持面に保持された状態において、前記保持面は、1つの発光素子に重畳する複数の凸部を有している。
本実施形態の移戴基板は、
発光素子を一時的に保持する移戴基板であって、発光素子の端子側に接触する保持面を有し、発光素子が前記保持面に保持された状態において、前記保持面は、1つの発光素子に重畳する複数の凹部を有している。
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
図1は、発光装置1を説明するための図である。本実施形態で説明する発光装置1は、例えば、画像を表示する表示装置や、照明装置などである。
発光装置1は、配線基板2と、複数の発光素子3と、を備えている。配線基板2は、ガラス基板や樹脂基板等のベース基板上に、走査線、信号線、電源線などの各種配線を備えている。このような配線基板2は、発光素子3を駆動するための複数のトランジスタを有し、TFT基板やアレイ基板、バックプレーンなどと称される場合がある。発光素子3の各々は、配線基板2に実装されている。これらの発光素子3は、配線基板2の上においてマトリクス状に配列されている。発光素子3は、例えば、ミニLEDやマイクロLEDなどと称される極めて微小なサイズの発光ダイオード(LED)である。発光素子3は、略正方形の平面形状を有するものや、略長方形の平面形状を有するものなどがある。例えば、マクロLEDの一辺の長さは100μm以下であり、ミニLEDの一辺の長さは100μmより大きい。
図1に示す例では、発光素子3として、赤色に発光する赤発光素子3R、緑色に発光する緑発光素子3G、及び、青色に発光する青発光素子3Bが一方向に配列されている。
発光装置1は、配線基板2と、複数の発光素子3と、を備えている。配線基板2は、ガラス基板や樹脂基板等のベース基板上に、走査線、信号線、電源線などの各種配線を備えている。このような配線基板2は、発光素子3を駆動するための複数のトランジスタを有し、TFT基板やアレイ基板、バックプレーンなどと称される場合がある。発光素子3の各々は、配線基板2に実装されている。これらの発光素子3は、配線基板2の上においてマトリクス状に配列されている。発光素子3は、例えば、ミニLEDやマイクロLEDなどと称される極めて微小なサイズの発光ダイオード(LED)である。発光素子3は、略正方形の平面形状を有するものや、略長方形の平面形状を有するものなどがある。例えば、マクロLEDの一辺の長さは100μm以下であり、ミニLEDの一辺の長さは100μmより大きい。
図1に示す例では、発光素子3として、赤色に発光する赤発光素子3R、緑色に発光する緑発光素子3G、及び、青色に発光する青発光素子3Bが一方向に配列されている。
図2及び図3は、図1に示した発光装置1の製造方法の一例を示す図である。
まず、図2の(A)に示すように、支持体4に接着された複数の発光素子3を用意する。複数の発光素子3は、所定のピッチで配列されている。発光素子3は、アノード及びカソードに対応した端子3Tと、第1発光面3Eと、を有している。発光素子3は、端子3Tの側で支持体4に接着されている。第1発光面3Eは、端子3Tとは反対側(あるいは支持体4とは反対側)の上面側に位置している。
まず、図2の(A)に示すように、支持体4に接着された複数の発光素子3を用意する。複数の発光素子3は、所定のピッチで配列されている。発光素子3は、アノード及びカソードに対応した端子3Tと、第1発光面3Eと、を有している。発光素子3は、端子3Tの側で支持体4に接着されている。第1発光面3Eは、端子3Tとは反対側(あるいは支持体4とは反対側)の上面側に位置している。
続いて、図2の(B)に示すように、発光素子3の第1発光面3Eの側にシート部材5を接着する。つまり、発光素子3は、一時的に、支持体4とシート部材5との間に位置し、支持体4及びシート部材5の双方に接着される。なお、発光素子3にシート部材5が接着される以前に、支持体4上において発光素子3の配列ピッチが変換されてもよい。その後、発光素子3とシート部材5との接着力が発光素子3と支持体4との接着力より大きい状態で、発光素子3から支持体4を剥離する。
これにより、図2の(C)に示すように、シート部材5が発光素子3の第1発光面3Eの側に接着された状態を維持する一方で、端子3Tの側が露出する。
これにより、図2の(C)に示すように、シート部材5が発光素子3の第1発光面3Eの側に接着された状態を維持する一方で、端子3Tの側が露出する。
続いて、図2の(D)に示すように、発光素子3を移戴基板10に載置する。移戴基板10の詳細については後述するが、移戴基板10は、発光素子3の端子3Tの側に接触する粘着性の保持面10Aを有している。なお、発光素子3が移戴基板10に載置される以前に、シート部材5上において発光素子3の配列ピッチが変換されてもよい。必要に応じて、発光素子3が移戴基板10に載置された後に、発光素子3とシート部材5との接着力が低下する処理(例えば紫外線照射処理)が追加されてもよい。その後、発光素子3とシート部材5との接着力が発光素子3と移戴基板10との接着力より小さい状態で、発光素子3からシート部材5を剥離する。
これにより、図3の(E)に示すように、移戴基板10が発光素子3の端子3Tの側に接着された状態を維持する一方で、第1発光面3Eの側が露出する。
これにより、図3の(E)に示すように、移戴基板10が発光素子3の端子3Tの側に接着された状態を維持する一方で、第1発光面3Eの側が露出する。
続いて、図3の(F)に示すように、ピックアップ用の冶具100を用いて発光素子3を移戴基板10からピックアップする。冶具100は、例えば真空吸着冶具であり、発光素子3の第1発光面3Eを吸着する。そして、冶具100を移戴基板10から離間する側に移動することで、発光素子3が移戴基板10の保持面10Aから剥離される。
続いて、図3の(G)に示すように、冶具100によって吸着された発光素子3を配線基板2の上方に移動し、配線基板2の所定位置に発光素子3を実装する。実装とは、発光素子3のアノード端子及びカソード端子の各々を、配線基板2に設けられたアノード電極及びカソード電極とそれぞれ電気的に接続することに相当する。なお、図3の(F)及び(G)には、冶具100が1個の発光素子3を移戴する場合を示しているが、冶具100が一括して複数の発光素子3を移戴することも可能である。
次に、移戴基板10について説明する。
図4は、移戴基板10の一構成例を示す斜視図である。移戴基板10において、発光素子3を保持する保持面10Aは、粘着性を有する凹凸面である。図4に示す構成例では、保持面10Aは、ベース部10Bから突出した複数の凸部10Vを有している。凸部10Vの各々は、略半球状に形成されている。複数の凸部10Vは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配列されている。なお、凸部10Vの形状は図示した例に限らず、円錐状、角錐状、円錐台状、角錐台状などであってもよい。また、凸部10Vの配列は、図示した例に限らず、最密充填配列、千鳥配列、ランダム配列などであってもよい。
図中に点線で示す発光素子3が保持面10Aに保持された状態においては、1つの発光素子3は、第1方向Xに並んだ複数の凸部10V、及び、第2方向Yに並んだ複数の凸部10Vに重畳している。
図中に点線で示す発光素子3が保持面10Aに保持された状態においては、1つの発光素子3は、第1方向Xに並んだ複数の凸部10V、及び、第2方向Yに並んだ複数の凸部10Vに重畳している。
このような移戴基板10において、ベース部10Bと凸部10Vとが同一材料で形成されてもよいし、異なる材料で形成されてもよい。移戴基板10のうち、少なくとも凸部10Vは、例えば、シリコーン系、アクリル系、エポキシ系等の自己粘着性を有するとともに、弾性を有する材料を用いて形成されている。本実施形態では、移戴基板10の全体が同一材料によって形成されている。移戴基板10の作製方法としては、例えば、紫外線硬化型、熱硬化型、湿気硬化型などの材料を用いて成型する手法や、平板状の基材の表面にレーザー光を照射する手法、平板状の基材の表面をサンドブラスト加工する手法などが挙げられる。
図5は、移戴基板10の一構成例を示す断面図である。ここでは、図4に示したA−B線に沿った移戴基板10の断面を図示している。凸部10Vの断面形状は、半円形である。
まず、凸部10Vの幅Wに着目する。ここでの幅Wは、凸部10Vの第1方向Xに沿った長さに相当する。凸部10Vが図4に示したような半球状に形成されている場合、幅Wは凸部10Vを平面視した際の直径に相当する。凸部10Vの底部側(ベース部10Bに近接する側)の幅W1は、凸部10Vの頂部側(底部の反対側、あるいは、発光素子3に接する側)の幅W2より大きい(W1>W2)。凸部10Vの底部(ベース部10Bに接する部分)における幅Wは、例えば1乃至200μmである。1つの凸部10Vの幅Wは、複数の凸部10Vと1つの発光素子3とが重畳するように、発光素子3のサイズなどを考慮して設定される。例えば、発光素子3がミニLEDである場合、幅Wは、10乃至50μmであることが望ましい。また、発光素子3がマイクロLEDである場合、幅Wは、2乃至25μmであることが望ましい。
続いて、凸部10Vの高さHに着目する。ここでの高さHは、ベース部10Bから突出した部分の第3方向(ベース部10Bの法線方向)Zに沿った長さに相当する。高さHは、発光素子3の端子3Tの高さHtより大きく(H>Ht)、例えば0.5乃至50μmである。発光素子3がミニLEDである場合、高さHは、10乃至50μmであることが望ましい。また、発光素子3がマイクロLEDである場合、高さHは、0.5乃至25μmであることが望ましい。
続いて、隣接する凸部10VのピッチPに着目する。ここでのピッチPは、第1方向Xに隣接する凸部10Vの頂部間の第1方向Xに沿った長さに相当する。ピッチPは、例えば100μm以下である。ピッチPは、複数の凸部10Vと1つの発光素子3とが重畳するように、発光素子3のサイズなどを考慮して設定される。例えば、発光素子3がミニLEDである場合、ピッチPは、凸部10Vの幅W以上、100μm以下であることが望ましい。また、発光素子3がマイクロLEDである場合、ピッチPは、凸部10Vの幅W以上、50μm以下であることが望ましい。隣接する凸部10Vがそれぞれの底部で接するように並んでいる場合、ピッチPは、幅Wと同等である。
上述したような凹凸面である保持面10Aは、他の観点では、隣接する凸部10Vの間に凹部10Cを有するものとみなすことができる。
図5に示す構成例では、複数の凸部10Vがすべて同一形状を有しているが、複数の凸部10Vのうち、異なる形状を有する凸部10Vが含まれていてもよい。また、隣接する凸部10Vが異なる幅を有していたり、異なる高さを有していたりしてもよい。
図6は、移戴基板10における発光素子3の移戴工程を説明するための図である。
図6の(A)は、図2の(D)に示した工程すなわち発光素子3を移戴基板10に載置する工程を示す図である。シート部材5に接着された発光素子3を移戴基板10に押し付けると、保持面10Aにおいて凸部10Vが潰れるように変形する。これにより、発光素子3と移戴基板10との接着力が発光素子3とシート部材5との接着力より大きくなる程度に、発光素子3と保持面10Aとの接触面積が確保される。したがって、発光素子3からシート部材5を容易に剥離することができる。発光素子3と移戴基板10との接着力は、自己粘着性の保持面10Aの粘着力に加えて、発光素子3と保持面10Aとの接触面積(あるいは、発光素子3を移戴基板10に押し付ける力)によって調整することができる。
図6の(A)は、図2の(D)に示した工程すなわち発光素子3を移戴基板10に載置する工程を示す図である。シート部材5に接着された発光素子3を移戴基板10に押し付けると、保持面10Aにおいて凸部10Vが潰れるように変形する。これにより、発光素子3と移戴基板10との接着力が発光素子3とシート部材5との接着力より大きくなる程度に、発光素子3と保持面10Aとの接触面積が確保される。したがって、発光素子3からシート部材5を容易に剥離することができる。発光素子3と移戴基板10との接着力は、自己粘着性の保持面10Aの粘着力に加えて、発光素子3と保持面10Aとの接触面積(あるいは、発光素子3を移戴基板10に押し付ける力)によって調整することができる。
図6の(B)は、図3の(F)に示した工程すなわち発光素子3を移戴基板10からピックアップする工程を示す図である。発光素子3がシート部材5から移戴基板10に移戴された後には、凸部10Vの形状が復元するため、発光素子3と保持面10Aとの接触面積が低減する。つまり、発光素子3と移戴基板10との接着力が低減する。このため、冶具100を用いて発光素子3をピックアップする際に、微弱な力でピックアップすることができる。
比較例として移戴基板10の保持面10Aが平坦である場合、保持面10Aは発光素子3の端子側の面の略全体と接触する。このため、保持面10Aにおける発光素子3の接着力は、保持面10Aを構成する材料の物性に依存する。このような場合、図3の(F)に示したような発光素子3のピックアップ工程において、発光素子3と移戴基板10との接着力が強すぎた場合に、発光素子3をスムースにピックアップすることができず、冶具100の吸着力あるいは冶具100と発光素子3との接着力を増強する必要がある。
本実施形態によれば、凹凸面である保持面10Aを有する移戴基板10を適用することにより、発光素子3を移戴基板10にスムースに移戴することができ、発光素子の移戴効率を改善することができる。
次に、移戴基板10の他の構成例について説明する。
図7は、移戴基板10の他の構成例を示す断面図である。
図7の(A)は、凸部10Vの断面形状が半楕円形である移戴基板10を示している。
図7の(B)は、凸部10Vの断面形状が三角形である移戴基板10を示している。凸部10Vが円錐状あるいは角錐状に形成されている場合に、図示したような三角形の断面形状が形成される。
図7の(C)は、凸部10Vの断面形状が台形である移戴基板10を示している。凸部10Vが円錐台状あるいは角錐台状に形成されている場合に、図示したような台形の断面形状が形成される。
図7の(A)は、凸部10Vの断面形状が半楕円形である移戴基板10を示している。
図7の(B)は、凸部10Vの断面形状が三角形である移戴基板10を示している。凸部10Vが円錐状あるいは角錐状に形成されている場合に、図示したような三角形の断面形状が形成される。
図7の(C)は、凸部10Vの断面形状が台形である移戴基板10を示している。凸部10Vが円錐台状あるいは角錐台状に形成されている場合に、図示したような台形の断面形状が形成される。
図8は、移戴基板10の他の構成例を示す断面図である。図8に示す構成例は、図5に示した構成例と比較して、隣接する凸部10Vが隙間をおいて並んでいる点で相違している。このような構成例においては、隣接する凸部10VのピッチPは、凸部10Vの幅Wより大きいが、100μm以下であることが望ましい。
ここでは、凸部10Vの断面形状は半円形であるが、図7に示したように、半楕円形、三角形、台形などであってもよい。
ここでは、凸部10Vの断面形状は半円形であるが、図7に示したように、半楕円形、三角形、台形などであってもよい。
図9は、移戴基板10の他の構成例を示す斜視図である。図9に示す構成例は、図4に示した構成例と比較して、凸部10Vが一方向に延出した形状である点で相違している。ここでは、複数の凸部10Vは第1方向Xに並び、凸部10Vの各々は第2方向Yに延出している。隣接する凸部10Vは、互いに接して並んでいるが、図8に示した構成例のように隙間をおいて並んでいてもよい。また、X−Z平面において、凸部10Vの断面形状は、半円形であるが、半楕円形、三角形、台形などであってもよい。
図10は、移戴基板10の他の構成例を示す斜視図である。図4に示した構成例と同様に、移戴基板10において、発光素子3を保持する保持面10Aは、粘着性を有する凹凸面である。保持面10Aは、複数の凹部10Cを有している。凹部10Cの各々は、略半球状に形成されているが、凹部10Cの形状は図示した例に限らず、円錐状、角錐状、円錐台状、角錐台状などであってもよい。複数の凹部10Cは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配列されているが、凹部10Cの配列は図示した例に限らず、最密充填配列、千鳥配列、ランダム配列などであってもよい。
図中に点線で示す発光素子3が保持面10Aに保持された状態においては、1つの発光素子3は、第1方向Xに並んだ複数の凹部10C、及び、第2方向Yに並んだ複数の凹部10Cに重畳している。
図中に点線で示す発光素子3が保持面10Aに保持された状態においては、1つの発光素子3は、第1方向Xに並んだ複数の凹部10C、及び、第2方向Yに並んだ複数の凹部10Cに重畳している。
図11は、移戴基板10の一構成例を示す断面図である。ここでは、図10に示したC−D線に沿った移戴基板10の断面を図示している。凹部10Cの断面形状は、半円形である。
まず、凹部10Cの幅Wに着目する。ここでの幅Wは、凹部10Cの第1方向Xに沿った長さに相当する。凹部10Cが図10に示したような半球状に形成されている場合、幅Wは凹部10Cを平面視した際の直径に相当する。凹部10Cの底部側の幅W1は、凹部10Cの上部側の幅W2より小さい(W2>W1)。凹部10Cの上部における幅Wは、図5を参照して説明した凸部10Vの幅Wと同様に、例えば、1乃至200μmである。
続いて、凹部10Cの高さ(あるいは深さ)Hに着目する。ここでの高さHは、第3方向Zに沿った長さに相当する。凹部10Cの高さHは、凸部10Vの高さHと同様に、例えば、0.5乃至50μmである。
続いて、隣接する凹部10CのピッチPに着目する。ここでのピッチPは、第1方向Xに隣接する凹部10Cの底部間の第1方向Xに沿った長さに相当する。凹部10CのピッチPは、凸部10VのピッチPと同様に、例えば、凹部10Cの幅W以上、100μm以下である。
上述したような凹凸面である保持面10Aは、他の観点では、隣接する凹部10Cの間に凸部10Vを有するものとみなすことができる。
続いて、凹部10Cの高さ(あるいは深さ)Hに着目する。ここでの高さHは、第3方向Zに沿った長さに相当する。凹部10Cの高さHは、凸部10Vの高さHと同様に、例えば、0.5乃至50μmである。
続いて、隣接する凹部10CのピッチPに着目する。ここでのピッチPは、第1方向Xに隣接する凹部10Cの底部間の第1方向Xに沿った長さに相当する。凹部10CのピッチPは、凸部10VのピッチPと同様に、例えば、凹部10Cの幅W以上、100μm以下である。
上述したような凹凸面である保持面10Aは、他の観点では、隣接する凹部10Cの間に凸部10Vを有するものとみなすことができる。
図11に示す構成例では、複数の凹部10Cがすべて同一形状を有しているが、複数の凹部10Cのうち、異なる形状を有する凹部10Cが含まれていてもよい。また、隣接する凹部10Cが異なる幅を有していたり、異なる高さを有していたりしてもよい。
図12は、移戴基板10の他の構成例を示す断面図である。
図12の(A)は、凹部10Cの断面形状が半楕円形である移戴基板10を示している。
図12の(B)は、凹部10Cの断面形状が三角形である移戴基板10を示している。凹部10Cが円錐状あるいは角錐状に形成されている場合に、図示したような三角形の断面形状が形成される。
図12の(C)は、凹部10Cの断面形状が台形である移戴基板10を示している。凹部10Cが円錐台状あるいは角錐台状に形成されている場合に、図示したような台形の断面形状が形成される。
図12の(A)は、凹部10Cの断面形状が半楕円形である移戴基板10を示している。
図12の(B)は、凹部10Cの断面形状が三角形である移戴基板10を示している。凹部10Cが円錐状あるいは角錐状に形成されている場合に、図示したような三角形の断面形状が形成される。
図12の(C)は、凹部10Cの断面形状が台形である移戴基板10を示している。凹部10Cが円錐台状あるいは角錐台状に形成されている場合に、図示したような台形の断面形状が形成される。
図13は、移戴基板10の他の構成例を示す断面図である。図13に示す構成例は、図11に示した構成例と比較して、隣接する凹部10Cが隙間をおいて並んでいる点で相違している。このような構成例においては、隣接する凹部10CのピッチPは、凹部10Cの幅Wより大きいが、100μm以下であることが望ましい。
ここでは、凹部10Cの断面形状は半円形であるが、図12に示したように、半楕円形、三角形、台形などであってもよい。
ここでは、凹部10Cの断面形状は半円形であるが、図12に示したように、半楕円形、三角形、台形などであってもよい。
図14は、移戴基板10の他の構成例を示す斜視図である。図14に示す構成例は、図10に示した構成例と比較して、凹部10Cが一方向に延出した形状である点で相違している。ここでは、複数の凹部10Cは第1方向Xに並び、凹部10Cの各々は第2方向Yに延出している。隣接する凹部10Cは、互いに接して並んでいるが、図13に示した構成例のように隙間をおいて並んでいてもよい。また、X−Z平面において、凹部10Cの断面形状は、半円形であるが、半楕円形、三角形、台形などであってもよい。
上記の図7乃至図14を参照して説明した他の構成例においても、図4などに示した構成例と同様の効果が得られる。
以上説明したように、本実施形態によれば、発光素子の移戴効率を改善することが可能な移戴基板を提供することができる。
なお、この発明は、上記実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
1…発光装置 2…配線基板 3…発光素子
10…移戴基板 10A…保持面 10V…凸部 10C…凹部
10…移戴基板 10A…保持面 10V…凸部 10C…凹部
Claims (15)
- 発光素子を一時的に保持する移戴基板であって、
発光素子の端子側に接触する保持面を有し、
前記保持面は、粘着性の凹凸面である、移戴基板。 - 発光素子が前記保持面に保持された状態において、
前記保持面は、1つの発光素子に重畳する複数の凸部を有している、請求項1に記載の移戴基板。 - 前記凸部の断面において、底部側の幅は、頂部側の幅より大きい、請求項2に記載の移戴基板。
- 前記凸部の幅は、2乃至50μmである、請求項3に記載の移戴基板。
- 前記凸部の高さは、0.5乃至50μmである、請求項3に記載の移戴基板。
- 隣接する前記凸部のピッチは、100μm以下である、請求項3に記載の移戴基板。
- 前記凸部の断面形状は、半円形、半楕円形、三角形、及び、台形のいずれかである、請求項3に記載の移戴基板。
- 前記保持面が発光素子を保持した状態で、
前記保持面は、平面視において、1つの発光素子に重畳する複数の凹部を有している、請求項1に記載の移戴基板。 - 前記凹部の断面において、底部の幅は、上部の幅より小さい、請求項8に記載の移戴基板。
- 前記凹部の幅は、2乃至50μmである、請求項8に記載の移戴基板。
- 前記凹部の高さは、0.5乃至50μmである、請求項8に記載の移戴基板。
- 隣接する前記凹部のピッチは、100μm以下である、請求項8に記載の移戴基板。
- 前記凹部の断面形状は、半円形、半楕円形、三角形、及び、台形のいずれかである、請求項8に記載の移戴基板。
- 発光素子を一時的に保持する移戴基板であって、
発光素子の端子側に接触する保持面を有し、
発光素子が前記保持面に保持された状態において、
前記保持面は、1つの発光素子に重畳する複数の凸部を有している、移戴基板。 - 発光素子を一時的に保持する移戴基板であって、
発光素子の端子側に接触する保持面を有し、
発光素子が前記保持面に保持された状態において、
前記保持面は、1つの発光素子に重畳する複数の凹部を有している、移戴基板。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024063122A1 (ja) * | 2022-09-22 | 2024-03-28 | リンテック株式会社 | 電子部品又は半導体装置の製造方法 |
WO2024063127A1 (ja) * | 2022-09-22 | 2024-03-28 | リンテック株式会社 | 粘着シート、および電子部品または半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20180204973A1 (en) * | 2016-03-23 | 2018-07-19 | Korea Photonics Technology Institute | Light-emitting diode structure, transfer assembly, and transfer method using the same |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06118441A (ja) * | 1991-11-05 | 1994-04-28 | Tadanobu Kato | 表示セル |
JP3906653B2 (ja) * | 2000-07-18 | 2007-04-18 | ソニー株式会社 | 画像表示装置及びその製造方法 |
US6872635B2 (en) * | 2001-04-11 | 2005-03-29 | Sony Corporation | Device transferring method, and device arraying method and image display unit fabricating method using the same |
KR101799656B1 (ko) * | 2015-12-31 | 2017-11-20 | 한국광기술원 | Led 구조체 및 이의 이송방법 |
CN206480628U (zh) * | 2017-02-28 | 2017-09-08 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板 |
US10797027B2 (en) * | 2017-12-05 | 2020-10-06 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Displaying apparatus having light emitting device, method of manufacturing the same and method of transferring light emitting device |
-
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20180204973A1 (en) * | 2016-03-23 | 2018-07-19 | Korea Photonics Technology Institute | Light-emitting diode structure, transfer assembly, and transfer method using the same |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024063122A1 (ja) * | 2022-09-22 | 2024-03-28 | リンテック株式会社 | 電子部品又は半導体装置の製造方法 |
WO2024063127A1 (ja) * | 2022-09-22 | 2024-03-28 | リンテック株式会社 | 粘着シート、および電子部品または半導体装置の製造方法 |
WO2024063125A1 (ja) * | 2022-09-22 | 2024-03-28 | リンテック株式会社 | 粘着シートからの物体の剥離方法 |
WO2024063124A1 (ja) * | 2022-09-22 | 2024-03-28 | リンテック株式会社 | 粘着シート |
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