JPH06112184A - 洗浄装置 - Google Patents

洗浄装置

Info

Publication number
JPH06112184A
JPH06112184A JP26010592A JP26010592A JPH06112184A JP H06112184 A JPH06112184 A JP H06112184A JP 26010592 A JP26010592 A JP 26010592A JP 26010592 A JP26010592 A JP 26010592A JP H06112184 A JPH06112184 A JP H06112184A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
cleaning
carrier
megasonic
holding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26010592A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Sasai
寛 笹井
Masashi Omori
雅司 大森
Naohiko Fujino
直彦 藤野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP26010592A priority Critical patent/JPH06112184A/ja
Publication of JPH06112184A publication Critical patent/JPH06112184A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハの表面を傷つけることなくウエハを洗
浄することができる洗浄装置を提供する。 【構成】 ウエハWをその周縁部で線接触した状態で保
持するキャリア6と、このキャリア6を収納した状態で
ウエハWを洗浄液でウェット洗浄する複数の洗浄処理槽
1と、各洗浄処理槽1内に収納されたキャリア6で保持
されたウエハWへ超音波を照射するメガソニック振動子
2とを備えて構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、洗浄装置、更に詳し
くは、半導体基板(以下、「ウエハ」と称す。)を洗浄
すると共にウエハから塵埃等の異物を除去する洗浄装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の洗浄装置について図8〜
図10を参照しながら説明する。図8(a)、(b)は
ウエハを洗浄するための洗浄槽を示す図で、同図におい
て、1はウエハWを洗浄する洗浄槽、2はこの洗浄槽1
の下面に超音波伝達媒体水3を介して配設されたメガソ
ニック振動子、4は複数のウエハWを垂直に立てた状態
でそれぞれ保持するように予め上記洗浄槽1内に設置さ
れたウエハ受け台、5は上記洗浄槽1の上端部外側に取
り付けられ、上記洗浄槽1からオーバーフローする洗浄
液を受けるオーバーフロー槽である。そして、上記ウエ
ハ受け台4は、図9に示すように、ウエハWを垂直に保
持する複数の保持溝4Aが形成されている。この保持溝
4Aは、その断面形状が略コ字状を呈し、ウエハWの周
縁部の両側から面接触した状態でウエハWを保持するよ
うに形成されている。
【0003】また、図10は従来のウェット洗浄装置の
構成を示す模式図で、21〜32はそれぞれ上記ウエハ
Wを段階的にウェット洗浄し最後に水洗する洗浄槽、3
3は洗浄処理後のウエハWを乾燥する乾燥用蒸気槽、3
4はこれらの洗浄槽及び乾燥用蒸気槽の温度を所定の温
度に制御する温度制御装置、35は上記洗浄槽21〜3
2及び乾燥用蒸気槽33に沿ってウエハWを搬送する搬
送ロボット、36はこの搬送ロボット35が往復する搬
送路、37は最上流の洗浄槽21の上流側に配設された
ローダー、38は乾燥用蒸気槽33の下流側に配設され
たアンローダーである。そして、上記各洗浄槽21〜3
2及び乾燥用蒸気槽33内には、図8に示す洗浄槽1が
1槽ないし複数槽設置されている。
【0004】次に、動作について説明する。ローダー3
7によって洗浄槽21の中に設置された洗浄槽1のウエ
ハ受け台4にウエハWを持ち込み、複数のウエハWをウ
エハ受け台4に収納した後、メガソニック振動子2を作
動させてメガソニック波を洗浄槽1に向けて照射する
と、メガソニック波は伝達媒体水3を介して洗浄槽1内
の洗浄液及びウエハWへ伝達される。これによって洗浄
槽1内のウエハWが洗浄液によって洗浄されると共にウ
エハWに付着した異物粒子がメガソニック波によって除
去される。洗浄槽21内で上述の洗浄が終了すると搬送
ロボット35が駆動して洗浄槽21内の洗浄槽1からウ
エハWを取り出し、搬送ロボット35で次の洗浄槽22
へこれらを持ち込み同様にウエハWを洗浄し洗浄槽32
まで洗浄処理を繰り返し行ない、その後乾燥用蒸気槽3
3でウエハWを乾燥し、乾燥したウエハWをアンローダ
ー38で取り出して次の工程へ引き渡す。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
洗浄装置の場合には、ウエハ受け台4の保持溝4Aがウ
エハWの周縁部に面接触した状態でウエハWを保持する
ように形成されているため、洗浄過程でウエハWの周縁
部の表面に傷が付いてしまうという課題があった。
【0006】また、従来の洗浄装置の場合には、ウエハ
受け台4でウエハWを垂直に保持し、しかもメガソニッ
ク波を洗浄槽1の下方から照射するようにしているた
め、メガソニック波がウエハ受け台4で保持されたウエ
ハWの下方にのみ照射され、メガソニック振動子2から
遠いウエハWの上方ではメガソニック波が減衰してウエ
ハWの上方に付着した異物粒子を十分に除去することが
できないという課題があった。
【0007】更に、ウエハWの大口径化に伴ってウエハ
受け台4でのウエハWの保持間隔が大きくなって装置の
大型化を避けえないという課題があった。
【0008】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、ウエハの表面を傷つけることなくウエハを
洗浄することができる洗浄装置を提供することを目的と
している。
【0009】また、本発明は、ウエハに付着した異物粒
子をムラなく確実に除去できる洗浄装置を提供すること
を目的としている。
【0010】更に、ウエハの大口径化に対処できるコン
パクトな構造を有する洗浄装置を提供することを目的と
している。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
の洗浄装置は、半導体基板をその周縁部で線接触した状
態で保持するキャリアと、このキャリアを収納した状態
で上記半導体基板をウェット洗浄する洗浄槽と、この洗
浄槽内に収納されたキャリアで保持された半導体基板へ
超音波を照射する振動子とを備えて構成されたものであ
る。
【0012】また、本発明の請求項2に記載の洗浄装置
は、請求項1に記載の発明において、キャリアは半導体
基板を傾斜保持する保持溝を有するものである。
【0013】また、本発明の請求項3に記載の洗浄装置
は、請求項2に記載の発明において、キャリアはキャリ
ア自身を回転させる回転駆動手段を有するものである。
【0014】また、本発明の請求項4に記載の洗浄装置
は、請求項1ないし請求項3に記載の発明において、上
記キャリアまたは上記振動子はそれぞれ自身を可動させ
る可動手段を有するものである。
【0015】また、本発明の請求項5に記載の洗浄装置
は、請求項1ないし請求項4に記載の発明において、洗
浄槽を2系列並設し、両系列間に上記振動子を介在させ
たものである。
【0016】
【作用】本発明の請求項1に記載の発明によれば、半導
体基板をキャリアに線接触させて保持し、この状態で洗
浄槽内で半導体基板をウェット洗浄すると共に振動子に
よって半導体基板に超音波を照射して半導体基板から異
物粒子を除去し、洗浄後の半導体基板を搬送装置によっ
て他の各洗浄装置へ搬送して同様に洗浄することができ
る。
【0017】また、本発明の請求項2に記載の発明によ
れば、キャリアで半導体基板を傾斜させて保持し、傾斜
した半導体基板の全面に亘って超音波を照射するとがで
きる。
【0018】また、本発明の請求項3に記載の発明によ
れば、回転駆動手段によってキャリアを回転させなが
ら、キャリアに傾斜保持された半導体基板の全面にムラ
なく超音波を照射することができる。
【0019】また、本発明の請求項4に記載の発明によ
れば、可動手段によってキャリアまたは振動子の位置を
変化ながら半導体基板に超音波を照射することができ
る。
【0020】また、本発明の請求項5に記載の発明によ
れば、振動子の超音波を2系列の洗浄槽列へ照射した状
態で、2系列の洗浄槽で半導体基板を洗浄すると、半導
体基板の両側から超音波を照射し、半導体基板全面にム
ラなく超音波を照射することができる。
【0021】
【実施例】以下、図1〜図7に示す実施例に基づいて従
来と同一または相当部分には同一符号を付して本発明の
特徴を中心にして説明する。尚、各図中、図1は本発明
の洗浄装置の一実施例の構成を示す正面図、図2は図1
に示すキャリアでウエハを保持した状態を示す図で、同
図(a)はその側面図、同図(b)はその平面図、図3
は図2に示すキャリアの保持溝を拡大して示す側面図、
図4は本発明の洗浄装置の他の実施例の構成を示す正面
図、図5は本発明の洗浄装置の更に他の実施例の構成を
示す正面図、図6は本発明の洗浄装置の更に他の実施例
の構成を示す図で、同図(a)はその平面図、同図
(b)はその側面図、同図(c)はその正面図、図7は
図6に示すキャリアを取り出して示す図で、同図(a)
はその側面図、同図(b)はその正面図である。
【0022】実施例1.本実施例の洗浄装置は、図1に
示すように、ウエハWをその周縁部で線接触させて保持
するキャリア6と、このキャリア6を収納した状態で上
記ウエハWをウェット洗浄する、縦列に配置された複数
の洗浄槽1と、各洗浄槽1内に収納されたキャリア6で
保持されたウエハWへ超音波としてのメガソニック波を
照射するメガソニック振動子2と、このメガソニック振
動子2からのメガソニック波照射による異物粒子の除去
及び上記各洗浄槽1内での洗浄に際して上記キャリア6
を上記各洗浄槽1に沿って搬送する搬送装置としての搬
送ロボット35とを備え、更に、縦列の上記各洗浄槽1
を2系列並設して構成されている。
【0023】そして、上記キャリア6は、図1、図2に
示すように、三角柱状に組まれた3本の保持棒6Aと、
各第1保持棒6Aの上下両端をそれぞれ連結する第2保
持棒6Bとからなっている。また、上記各第1保持棒6
Aの内側には図3に示すようにV字形状の保持溝6Cが
上下方向等間隔に複数形成され、各保持棒6Aによって
ウエハWを図1、図2に示すように傾斜状態で保持でき
るように構成されている。この傾斜角は、0〜45°の
範囲で適宜設定することが好ましい。そして、各保持溝
6Cは、図3に示すように、ウエハWとその周縁で線接
触するように形成されている。また、上記キャリア6
は、その上端がギア7に連結され、図示しない駆動機構
から駆動力を得たギア7を介して回転できるように構成
されている。
【0024】また、上記洗浄槽1は、図1に示すよう
に、2系列の洗浄槽1、1間にメガソニック振動子2が
蛇腹8、8に支持された状態で介装されている。そし
て、上記蛇腹8内にはメガソニック波の伝達媒体水3が
封止されている。また、上記メガソニック振動子2の下
端にはこの振動子2を駆動制御するコントローラ9が連
結され、このコントローラ9によって上記メガソニック
振動子2を蛇腹8、8で保持した状態で駆動させて各洗
浄槽1、1への超音波の照射方向を変化させるように構
成されている。
【0025】次に、動作について説明する。洗浄装置の
洗浄槽1内にキャリア6を持ち込み、洗浄槽1内にキャ
リア6を収納すると、ウエハWは、図1に示すように、
45°までの傾斜角でキャリア6で保持された状態で洗
浄槽1内の洗浄液に浸漬される。この状態で、駆動機構
を作動させると共にメガソニック振動子2を作動させる
と、キャリア2がギア7を介して洗浄槽1内で回転して
ウエハWが洗浄されると共に、メガソニック振動子2か
らのメガソニック波が傾斜したウエハWの表面全体に万
遍なく照射される。しかもこの時、メガソニック波はウ
エハWの微小な凹凸にも陰を作ることなく照射されて、
ウエハWの微小な凹凸に付着した塵埃等の異物粒子をメ
ガソニック波よって確実に除去することができる。更
に、コントローラ9を作動させてメガソニック振動子2
の向きを変化させると、メガソニック波がウエハWに対
して平行あるいはある角度をもって万遍なく照射されて
ウエハWの異物粒子をより確実に除去することができ
る。また、ウエハWはキャリア6の保持溝6Cに対して
線接触しているため、ウエハWの表面が傷つけられるこ
とがない。
【0026】以上説明したように本実施例によれば、ウ
エハWをキャリア6で線接触した状態で保持するように
したため、ウエハWを傷つけることなく洗浄することが
できる。また、キャリア6でウエハWを水平あるいは傾
斜させた状態で保持するようにしたため、洗浄槽1の開
口面積を小さくして装置全体の配置に自由度を持たせて
ウエハWの大口径化に設置面積をそれほど拡張すること
なく対処することができる。更に、キャリア6を回転さ
せ且つメガソニック振動子2を駆動するようにしたた
め、ウエハWの微小な凹凸に付着した異物粒子を確実に
除去できる。また、洗浄槽1を2系列に配置し、系列間
にメガソニック振動子2を介装したため、洗浄槽1をU
ターンさせてコンパクトな装置を組むことができ、しか
もメガソニック振動子2を両系列で共用することができ
る。
【0027】実施例2.本実施例の洗浄装置は、図4に
示すように、予めウエハ受け台4が設置された洗浄槽1
が2系列並設され、各系列の洗浄槽1、1間に実施例1
と同様に可動のメガソニック振動子2が介装された構造
を有している。そして、上記ウエハ受け台4は、同図に
示すように、複数のウエハWを垂直に保持するように形
成され、また、上記ウエハ受け台4にはウエハWが線接
触するV字状の保持溝(図示せず)が形成されている。
【0028】次に、動作について説明する。まず、ウエ
ハWを左側の洗浄槽1へ搬入してウエハ受け台4でウエ
ハWを保持する。この時、メガソニック振動子2からメ
ガソニック波を照射すると、メガソニック波はウエハW
の右側に多く照射され、主としてウエハWの右側に付着
した異物粒子を除去する。次いで、ウエハWを左側の洗
浄槽1へ移し、同様にメガソニック波を照射すると、今
度は、ウエハWの左側にメガソニック波が多く照射さ
れ、主としてウエハWの左側に付着した異物粒子粒子粒
子粒子粒子粒子粒子を除去する。かかる動作の間にコン
トローラ9を動作させてメガソニック振動子2を動かし
てメガソニック波の照射方向を変化させると、ウエハW
の表面全体にメガソニック波が照射されて、ウエハWか
ら異物粒子をより効率良く除去することができる。しか
も、ウエハWは、ウエハ受け台4の保持溝に対して線接
触しているため、ウエハWの表面が傷つけられることが
ない。
【0029】実施例3.本実施例の洗浄装置は、図5に
示すように、洗浄槽1の下面に伝達媒体水3が封入され
た蛇腹8を介してメガソニック振動子2が取り付けら
れ、このメガソニック振動子2がメガソニック波の照射
方向を変えることができるように構成されている。そし
て、上記洗浄槽1の内部にはウエハ受け台4が設置さ
れ、このウエハ受け台4には上記各実施例と同様、V字
状の保持溝(図示せず)が形成さている。
【0030】従って、本実施例によれば、ウエハWの下
方からメガソニック波の照射方向を変えることによって
ウエハWの表面のメガソニック振動子2から遠く離れた
ウエハWの上方へもメガソニック波を照射することがで
き、またこの際、ウエハWを傷つけることもない。
【0031】実施例4.本実施例の洗浄装置は、図6に
示すように、並設れた洗浄槽1、1間に伝達媒体水3を
介して固定されたメガソニック振動子2と、上記各洗浄
槽1、1内に懸架されるキャリア6と、このキャリア6
の懸架状態を変化させる、キャリア可動台10とを備え
て構成されている。そして、上記キャリア可動台10で
上記キャリア6の懸架状態を変化させることによって、
上記メガソニック振動子2からのメガソニック波がウエ
ハWに対して平行になったり、ある角度をもって照射さ
れるように構成されている。また、上記キャリア6は、
図7に示すように、三角柱状に組まれたて水平に配置さ
れた3本の保持棒6Aと、各第1保持棒6Aの上下両端
をそれぞれ連結する第2保持棒6Bとを備え、且つ上記
各第1保持棒6Aの内側には図3に示すV字形状の保持
溝6Cが上下方向等間隔に複数形成され、各保持棒6A
によってウエハWを垂直に保持できるように構成されて
いる。また、上記保持棒6Aの両端から垂直に懸架用の
係合棒6Dがそれぞれ延設され、それぞれの延長端には
上記洗浄槽1の上端で係合するフック部6Eがそれぞれ
形成されている。
【0032】従って、本実施例によれば、ウエハWはそ
の周縁部がキャリア6の保持溝6Cで線接触した状態で
保持された状態で洗浄槽1内に搬送、懸架される。この
状態で、メガソニック振動子2からメガソニック波をウ
エハWに向けて照射すると共に、キャリア可動台10を
作動させてキャリア6を懸架状態を変化させると、メガ
ソニック波はウエハWに対して平行あるいはある角度を
もって入射し、ウエハW全面にメガソニック波を照射し
てウエハWの全表面から効率良く異物粒子を除去するこ
とができ、またこの際、ウエハWを傷つけることもな
い。
【0033】尚、本発明は、上記各実施例に何等制限さ
れるものではない。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項1に
記載の発明によれば、洗浄時にウエハをその周縁部でキ
ャリアに線接触した状態で保持するようにしたため、ウ
エハの表面を傷つけることなくウエハを洗浄することが
できる洗浄装置を提供することができる。
【0035】また、本発明の請求項2に記載の発明によ
れば、上記キャリアは上記半導体基板を傾斜保持する保
持溝を有するため、ウエハを水平あるいは傾斜した状態
で保持してウエハ全面に超音波を入射させることがで
き、更にウエハを上下方向に積層して装置の小型化、延
いてはウエハの大口径化に設置面積をそれほど拡張する
ことなく対処することができる。
【0036】また、本発明の請求項3に記載の発明によ
れば、回転駆動手段によってキャリアを回転させてウエ
ハの微小な凹凸に陰を作ることなく超音波を入射させる
ことができるため、ウエハに付着した異物粒子をムラな
く確実に除去できる洗浄装置を提供することができる。
【0037】また、本発明の請求項4に記載の発明によ
れば、可動手段によってキャリアまたは振動子を駆動さ
せてウエハへの超音波の入射角を変化させてウエハの微
小な凹凸に陰を作ることなく超音波を入射させることが
できるため、ウエハに付着した異物粒子をムラなく確実
に除去できる洗浄装置を提供することができる。
【0038】また、本発明の請求項5に記載の発明によ
れば、2系列の洗浄槽間に振動子を介在させるようにし
たため、洗浄槽をUターンさせてコンパクトな装置を組
むことができ、しかも2系列のウエハの両側から超音波
を照射し、ウエハ全面にから異物粒子を確実に除去でき
る洗浄装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の洗浄装置の一実施例の構成を示す正面
図である。
【図2】図1に示すキャリアでウエハを保持した状態を
示す図で、同図(a)はその側面図、同図(b)はその
平面図である。
【図3】図2に示すキャリアの保持溝を拡大して示す側
面図である。
【図4】本発明の洗浄装置の他の実施例の構成を示す正
面図である。
【図5】本発明の洗浄装置の更に他の実施例の構成を示
す正面図である。
【図6】本発明の洗浄装置の更に他の実施例の構成を示
す図で、同図(a)はその平面図、同図(b)はその側
面図、同図(c)はその正面図である。
【図7】図6に示すキャリアを取り出して示す図で、同
図(a)はその側面図、同図(b)はその正面図であ
る。
【図8】従来の洗浄装置に用いられる洗浄槽を示す図
で、同図(a)はその側面図、同図(b)はその正面図
である。
【図9】図8に示すキャリアの保持溝を拡大して示す側
面図である。
【図10】図8に示す洗浄槽を収納した洗浄槽を複数直
列に配置した洗浄装置の全体構成を示す側面図である。
【符号の説明】
1 洗浄槽 2 メガソニック振動子(振動子) 6 キャリア 6C 保持溝 9 コントローラ(可動手段) 10 キャリア可動台(可動手段) 35 搬送ロボット(搬送装置) W ウエハ(半導体基板)

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体基板をその周縁部で線接触した状
    態で保持するキャリアと、このキャリアを収納した状態
    で上記半導体基板をウェット洗浄する洗浄槽と、この洗
    浄槽内に収納されたキャリアで保持された半導体基板へ
    超音波を照射する振動子とを備えたことを特徴とする洗
    浄装置。
  2. 【請求項2】 キャリアは上記半導体基板を傾斜保持す
    る保持溝を有することを特徴とする請求項1に記載の洗
    浄装置。
  3. 【請求項3】 キャリアはキャリア自身を回転させる回
    転駆動手段を有することを特徴とする請求項2に記載の
    洗浄装置。
  4. 【請求項4】 キャリアまたは振動子はそれぞれ自身を
    可動させる可動手段を有することを特徴とする請求項1
    ないし請求項3のいずれか一つに記載の洗浄装置。
  5. 【請求項5】 洗浄槽を2系列並設し、両系列間に振動
    子を介在させたことを特徴とする請求項1ないし請求項
    4のいずれか一つに記載の洗浄装置。
JP26010592A 1992-09-29 1992-09-29 洗浄装置 Pending JPH06112184A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26010592A JPH06112184A (ja) 1992-09-29 1992-09-29 洗浄装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26010592A JPH06112184A (ja) 1992-09-29 1992-09-29 洗浄装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06112184A true JPH06112184A (ja) 1994-04-22

Family

ID=17343363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26010592A Pending JPH06112184A (ja) 1992-09-29 1992-09-29 洗浄装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06112184A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011204893A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
US8567417B2 (en) 2009-10-05 2013-10-29 Tokyo Electron Limited Ultrasonic cleaning apparatus, ultrasonic cleaning method, and storage medium storing computer program for executing ultrasonic cleaning method
TWI490931B (zh) * 2009-10-05 2015-07-01 Tokyo Electron Ltd 超音波清洗裝置、超音波清洗方法、及記錄有用來執行此超音波清洗方法之電腦程式的記錄媒體
CN107068595A (zh) * 2017-04-14 2017-08-18 常州亿晶光电科技有限公司 硅片超声波清洗装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8567417B2 (en) 2009-10-05 2013-10-29 Tokyo Electron Limited Ultrasonic cleaning apparatus, ultrasonic cleaning method, and storage medium storing computer program for executing ultrasonic cleaning method
TWI490931B (zh) * 2009-10-05 2015-07-01 Tokyo Electron Ltd 超音波清洗裝置、超音波清洗方法、及記錄有用來執行此超音波清洗方法之電腦程式的記錄媒體
JP2011204893A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
CN107068595A (zh) * 2017-04-14 2017-08-18 常州亿晶光电科技有限公司 硅片超声波清洗装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5547515A (en) Method for handling or processing semiconductor wafers
US4736760A (en) Apparatus for cleaning, rinsing and drying substrates
KR101927699B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US4736759A (en) Apparatus for cleaning rinsing and drying substrates
US20070181149A1 (en) Single wafer backside wet clean
JP2004515912A (ja) 浸漬・スクラブ・乾燥システムにおける基板処理
JPH04305929A (ja) 洗浄装置および洗浄方法
JP6535187B2 (ja) 基板搬送用ハンド
WO2000027552A1 (en) Continuous cleaning megasonic tank with reduced duty cycle transducers
KR101857874B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2020167438A (ja) 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法
JP5637974B2 (ja) 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JPH07111963B2 (ja) 基板の洗浄乾燥装置
JPH06112184A (ja) 洗浄装置
KR20200009398A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JPH10223583A (ja) ブラシ式洗浄装置
JP2003197718A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP3299980B2 (ja) サブストレートを処理する方法並びに装置
CN110911302A (zh) 晶片清洗装置及清洗方法
JP2640698B2 (ja) ウエーハの自動洗浄装置
JP2000301089A (ja) 板状ワークの処理方法及び装置
JP3346823B2 (ja) 基板ウェット処理装置
JP6334449B2 (ja) 塗布液供給装置、塗布液供給装置における洗浄方法及びコンピュータ記憶媒体
JP2002075944A (ja) 液中基板浸漬装置および液中基板浸漬処理方法
JP2003203893A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法