JPH06112184A - Cleaning apparatus - Google Patents
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- JPH06112184A JPH06112184A JP26010592A JP26010592A JPH06112184A JP H06112184 A JPH06112184 A JP H06112184A JP 26010592 A JP26010592 A JP 26010592A JP 26010592 A JP26010592 A JP 26010592A JP H06112184 A JPH06112184 A JP H06112184A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、洗浄装置、更に詳し
くは、半導体基板（以下、「ウエハ」と称す。）を洗浄
すると共にウエハから塵埃等の異物を除去する洗浄装置
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning device, and more particularly to a cleaning device for cleaning a semiconductor substrate (hereinafter referred to as "wafer") and removing foreign matters such as dust from the wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のこの種の洗浄装置について図８〜
図１０を参照しながら説明する。図８（ａ）、（ｂ）は
ウエハを洗浄するための洗浄槽を示す図で、同図におい
て、１はウエハＷを洗浄する洗浄槽、２はこの洗浄槽１
の下面に超音波伝達媒体水３を介して配設されたメガソ
ニック振動子、４は複数のウエハＷを垂直に立てた状態
でそれぞれ保持するように予め上記洗浄槽１内に設置さ
れたウエハ受け台、５は上記洗浄槽１の上端部外側に取
り付けられ、上記洗浄槽１からオーバーフローする洗浄
液を受けるオーバーフロー槽である。そして、上記ウエ
ハ受け台４は、図９に示すように、ウエハＷを垂直に保
持する複数の保持溝４Ａが形成されている。この保持溝
４Ａは、その断面形状が略コ字状を呈し、ウエハＷの周
縁部の両側から面接触した状態でウエハＷを保持するよ
うに形成されている。2. Description of the Related Art A conventional cleaning device of this type is shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. 8A and 8B are views showing a cleaning tank for cleaning a wafer. In FIG. 8, 1 is a cleaning tank for cleaning the wafer W, and 2 is this cleaning tank 1.
A megasonic oscillator 4 disposed on the lower surface of the wafer via an ultrasonic transmission medium water 3 is a wafer previously installed in the cleaning tank 1 so as to hold a plurality of wafers W in an upright state. The cradle 5 is an overflow tank which is attached to the outside of the upper end of the cleaning tank 1 and receives the cleaning liquid overflowing from the cleaning tank 1. As shown in FIG. 9, the wafer pedestal 4 has a plurality of holding grooves 4A for holding the wafer W vertically. The holding groove 4A has a substantially U-shaped cross section, and is formed to hold the wafer W in surface contact with both sides of the peripheral edge of the wafer W.
【０００３】また、図１０は従来のウェット洗浄装置の
構成を示す模式図で、２１〜３２はそれぞれ上記ウエハ
Ｗを段階的にウェット洗浄し最後に水洗する洗浄槽、３
３は洗浄処理後のウエハＷを乾燥する乾燥用蒸気槽、３
４はこれらの洗浄槽及び乾燥用蒸気槽の温度を所定の温
度に制御する温度制御装置、３５は上記洗浄槽２１〜３
２及び乾燥用蒸気槽３３に沿ってウエハＷを搬送する搬
送ロボット、３６はこの搬送ロボット３５が往復する搬
送路、３７は最上流の洗浄槽２１の上流側に配設された
ローダー、３８は乾燥用蒸気槽３３の下流側に配設され
たアンローダーである。そして、上記各洗浄槽２１〜３
２及び乾燥用蒸気槽３３内には、図８に示す洗浄槽１が
１槽ないし複数槽設置されている。FIG. 10 is a schematic diagram showing the structure of a conventional wet cleaning apparatus. Reference numerals 21 to 32 show cleaning tanks for stepwise wet cleaning the wafer W and finally cleaning it with water, respectively.
3 is a steam tank for drying which dries the wafer W after the cleaning process, 3
4 is a temperature control device for controlling the temperatures of the cleaning tank and the drying steam tank to a predetermined temperature, and 35 is the cleaning tanks 21 to 3
2 and a transfer robot for transferring the wafer W along the drying vapor tank 33, 36 a transfer path reciprocated by the transfer robot 35, 37 a loader arranged on the upstream side of the most upstream cleaning tank 21, and 38 It is an unloader arranged on the downstream side of the drying steam tank 33. And each said washing tank 21-3
The cleaning tank 1 shown in FIG. 8 is installed in one or a plurality of tanks 2 and the steam tank 33 for drying.
【０００４】次に、動作について説明する。ローダー３
７によって洗浄槽２１の中に設置された洗浄槽１のウエ
ハ受け台４にウエハＷを持ち込み、複数のウエハＷをウ
エハ受け台４に収納した後、メガソニック振動子２を作
動させてメガソニック波を洗浄槽１に向けて照射する
と、メガソニック波は伝達媒体水３を介して洗浄槽１内
の洗浄液及びウエハＷへ伝達される。これによって洗浄
槽１内のウエハＷが洗浄液によって洗浄されると共にウ
エハＷに付着した異物粒子がメガソニック波によって除
去される。洗浄槽２１内で上述の洗浄が終了すると搬送
ロボット３５が駆動して洗浄槽２１内の洗浄槽１からウ
エハＷを取り出し、搬送ロボット３５で次の洗浄槽２２
へこれらを持ち込み同様にウエハＷを洗浄し洗浄槽３２
まで洗浄処理を繰り返し行ない、その後乾燥用蒸気槽３
３でウエハＷを乾燥し、乾燥したウエハＷをアンローダ
ー３８で取り出して次の工程へ引き渡す。Next, the operation will be described. Loader 3
The wafer W is brought into the wafer receiving table 4 of the cleaning tank 1 installed in the cleaning tank 21 by 7 and a plurality of wafers W are stored in the wafer receiving table 4, and then the megasonic oscillator 2 is operated to activate the megasonic wave. When the wave is irradiated toward the cleaning tank 1, the megasonic wave is transferred to the cleaning liquid in the cleaning tank 1 and the wafer W via the transfer medium water 3. As a result, the wafer W in the cleaning tank 1 is cleaned by the cleaning liquid and foreign particles attached to the wafer W are removed by the megasonic wave. When the above-mentioned cleaning is completed in the cleaning tank 21, the transfer robot 35 is driven to take out the wafer W from the cleaning tank 1 in the cleaning tank 21, and the transfer robot 35 moves to the next cleaning tank 22.
The wafer W is brought in to the cleaning tank 32 in the same manner as in the cleaning tank 32.
Repeat the washing process until the steam tank for drying 3
The wafer W is dried at 3, and the dried wafer W is taken out by the unloader 38 and delivered to the next step.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
洗浄装置の場合には、ウエハ受け台４の保持溝４Ａがウ
エハＷの周縁部に面接触した状態でウエハＷを保持する
ように形成されているため、洗浄過程でウエハＷの周縁
部の表面に傷が付いてしまうという課題があった。However, in the case of the conventional cleaning apparatus, the holding groove 4A of the wafer holder 4 is formed so as to hold the wafer W in surface contact with the peripheral edge of the wafer W. Therefore, there is a problem that the surface of the peripheral portion of the wafer W is scratched during the cleaning process.
【０００６】また、従来の洗浄装置の場合には、ウエハ
受け台４でウエハＷを垂直に保持し、しかもメガソニッ
ク波を洗浄槽１の下方から照射するようにしているた
め、メガソニック波がウエハ受け台４で保持されたウエ
ハＷの下方にのみ照射され、メガソニック振動子２から
遠いウエハＷの上方ではメガソニック波が減衰してウエ
ハＷの上方に付着した異物粒子を十分に除去することが
できないという課題があった。Further, in the case of the conventional cleaning apparatus, since the wafer W is held vertically by the wafer holder 4 and the megasonic wave is irradiated from below the cleaning tank 1, the megasonic wave is generated. Irradiation is applied only to the lower side of the wafer W held by the wafer pedestal 4, and the megasonic wave is attenuated above the wafer W far from the megasonic oscillator 2 to sufficiently remove foreign particles adhering to the upper side of the wafer W. There was a problem that I could not do it.
【０００７】更に、ウエハＷの大口径化に伴ってウエハ
受け台４でのウエハＷの保持間隔が大きくなって装置の
大型化を避けえないという課題があった。Further, as the diameter of the wafer W becomes larger, the holding interval of the wafer W on the wafer receiving table 4 becomes larger, and the size of the apparatus cannot be avoided.
【０００８】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、ウエハの表面を傷つけることなくウエハを
洗浄することができる洗浄装置を提供することを目的と
している。The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a cleaning apparatus capable of cleaning a wafer without damaging the surface of the wafer.
【０００９】また、本発明は、ウエハに付着した異物粒
子をムラなく確実に除去できる洗浄装置を提供すること
を目的としている。Another object of the present invention is to provide a cleaning apparatus capable of surely removing foreign matter particles attached to a wafer without unevenness.
【００１０】更に、ウエハの大口径化に対処できるコン
パクトな構造を有する洗浄装置を提供することを目的と
している。Another object of the present invention is to provide a cleaning device having a compact structure capable of coping with an increase in the diameter of a wafer.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の洗浄装置は、半導体基板をその周縁部で線接触した状
態で保持するキャリアと、このキャリアを収納した状態
で上記半導体基板をウェット洗浄する洗浄槽と、この洗
浄槽内に収納されたキャリアで保持された半導体基板へ
超音波を照射する振動子とを備えて構成されたものであ
る。According to a first aspect of the present invention, there is provided a cleaning apparatus in which a carrier for holding a semiconductor substrate in line contact with a peripheral portion of the semiconductor substrate, and the semiconductor substrate with the carrier accommodated therein are provided. A cleaning tank for wet cleaning and a vibrator for irradiating a semiconductor substrate held by a carrier housed in the cleaning tank with ultrasonic waves are configured.
【００１２】また、本発明の請求項２に記載の洗浄装置
は、請求項１に記載の発明において、キャリアは半導体
基板を傾斜保持する保持溝を有するものである。According to a second aspect of the present invention, in the cleaning apparatus according to the first aspect, the carrier has a holding groove for holding the semiconductor substrate at an inclination.
【００１３】また、本発明の請求項３に記載の洗浄装置
は、請求項２に記載の発明において、キャリアはキャリ
ア自身を回転させる回転駆動手段を有するものである。According to a third aspect of the present invention, in the cleaning apparatus according to the second aspect, the carrier has a rotation driving means for rotating the carrier itself.
【００１４】また、本発明の請求項４に記載の洗浄装置
は、請求項１ないし請求項３に記載の発明において、上
記キャリアまたは上記振動子はそれぞれ自身を可動させ
る可動手段を有するものである。The cleaning device according to claim 4 of the present invention is the cleaning device according to any one of claims 1 to 3, wherein the carrier or the vibrator has movable means for moving the carrier. .
【００１５】また、本発明の請求項５に記載の洗浄装置
は、請求項１ないし請求項４に記載の発明において、洗
浄槽を２系列並設し、両系列間に上記振動子を介在させ
たものである。According to a fifth aspect of the present invention, in the washing apparatus according to the first to fourth aspects, two washing tanks are arranged in parallel, and the vibrator is interposed between the two washing tanks. It is a thing.
【００１６】[0016]
【作用】本発明の請求項１に記載の発明によれば、半導
体基板をキャリアに線接触させて保持し、この状態で洗
浄槽内で半導体基板をウェット洗浄すると共に振動子に
よって半導体基板に超音波を照射して半導体基板から異
物粒子を除去し、洗浄後の半導体基板を搬送装置によっ
て他の各洗浄装置へ搬送して同様に洗浄することができ
る。According to the first aspect of the present invention, the semiconductor substrate is held in line contact with the carrier, and in this state, the semiconductor substrate is wet-cleaned in the cleaning tank, and the semiconductor substrate is superposed by the vibrator. It is possible to remove foreign particles from the semiconductor substrate by irradiating a sound wave, and the semiconductor device after cleaning can be transferred to other cleaning devices by the transfer device and similarly cleaned.
【００１７】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、キャリアで半導体基板を傾斜させて保持し、傾斜
した半導体基板の全面に亘って超音波を照射するとがで
きる。According to the second aspect of the present invention, it is possible to hold the semiconductor substrate in a tilted state by the carrier and irradiate ultrasonic waves over the entire surface of the tilted semiconductor substrate.
【００１８】また、本発明の請求項３に記載の発明によ
れば、回転駆動手段によってキャリアを回転させなが
ら、キャリアに傾斜保持された半導体基板の全面にムラ
なく超音波を照射することができる。According to the third aspect of the present invention, the ultrasonic wave can be uniformly applied to the entire surface of the semiconductor substrate tilted and held by the carrier while the carrier is rotated by the rotation driving means. .
【００１９】また、本発明の請求項４に記載の発明によ
れば、可動手段によってキャリアまたは振動子の位置を
変化ながら半導体基板に超音波を照射することができ
る。According to the fourth aspect of the present invention, it is possible to irradiate the semiconductor substrate with ultrasonic waves while changing the position of the carrier or the vibrator by the movable means.
【００２０】また、本発明の請求項５に記載の発明によ
れば、振動子の超音波を２系列の洗浄槽列へ照射した状
態で、２系列の洗浄槽で半導体基板を洗浄すると、半導
体基板の両側から超音波を照射し、半導体基板全面にム
ラなく超音波を照射することができる。According to the fifth aspect of the present invention, when the semiconductor substrate is cleaned in the two series of cleaning tanks in a state where the ultrasonic wave of the vibrator is applied to the two series of cleaning tanks, Ultrasonic waves can be radiated from both sides of the substrate so that the entire surface of the semiconductor substrate can be uniformly radiated with ultrasonic waves.
【００２１】[0021]
【実施例】以下、図１〜図７に示す実施例に基づいて従
来と同一または相当部分には同一符号を付して本発明の
特徴を中心にして説明する。尚、各図中、図１は本発明
の洗浄装置の一実施例の構成を示す正面図、図２は図１
に示すキャリアでウエハを保持した状態を示す図で、同
図（ａ）はその側面図、同図（ｂ）はその平面図、図３
は図２に示すキャリアの保持溝を拡大して示す側面図、
図４は本発明の洗浄装置の他の実施例の構成を示す正面
図、図５は本発明の洗浄装置の更に他の実施例の構成を
示す正面図、図６は本発明の洗浄装置の更に他の実施例
の構成を示す図で、同図（ａ）はその平面図、同図
（ｂ）はその側面図、同図（ｃ）はその正面図、図７は
図６に示すキャリアを取り出して示す図で、同図（ａ）
はその側面図、同図（ｂ）はその正面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The following is a description based on the embodiments shown in FIGS. In each drawing, FIG. 1 is a front view showing the configuration of an embodiment of the cleaning apparatus of the present invention, and FIG.
3A and 3B are diagrams showing a state in which a wafer is held by the carrier shown in FIG. 3A, a side view thereof is shown in FIG.
Is an enlarged side view showing the holding groove of the carrier shown in FIG.
FIG. 4 is a front view showing the configuration of another embodiment of the cleaning apparatus of the present invention, FIG. 5 is a front view showing the configuration of yet another embodiment of the cleaning apparatus of the present invention, and FIG. 6 is of the cleaning apparatus of the present invention. FIGS. 7A and 7B are diagrams showing the configuration of still another embodiment, in which FIG. 7A is a plan view thereof, FIG. 7B is a side view thereof, FIG. 7C is a front view thereof, and FIG. Fig. (A) of the drawing
Is a side view thereof, and FIG. 7B is a front view thereof.
【００２２】実施例１．本実施例の洗浄装置は、図１に
示すように、ウエハＷをその周縁部で線接触させて保持
するキャリア６と、このキャリア６を収納した状態で上
記ウエハＷをウェット洗浄する、縦列に配置された複数
の洗浄槽１と、各洗浄槽１内に収納されたキャリア６で
保持されたウエハＷへ超音波としてのメガソニック波を
照射するメガソニック振動子２と、このメガソニック振
動子２からのメガソニック波照射による異物粒子の除去
及び上記各洗浄槽１内での洗浄に際して上記キャリア６
を上記各洗浄槽１に沿って搬送する搬送装置としての搬
送ロボット３５とを備え、更に、縦列の上記各洗浄槽１
を２系列並設して構成されている。Example 1. As shown in FIG. 1, the cleaning apparatus of the present embodiment has a carrier 6 for holding the wafer W in line contact with the peripheral edge of the wafer W, and a wet cleaning of the wafer W in a state where the carrier 6 is housed. A plurality of cleaning tanks 1 arranged, a megasonic oscillator 2 that irradiates a wafer W held by a carrier 6 housed in each cleaning tank 1 with megasonic waves as ultrasonic waves, and the megasonic oscillator 2. In removing the foreign particles by irradiating megasonic wave from 2 and cleaning in each cleaning tank 1, the carrier 6 is used.
And a transfer robot 35 as a transfer device for transferring the cleaning tanks 1 along each of the cleaning tanks 1 and further,
2 are arranged side by side.
【００２３】そして、上記キャリア６は、図１、図２に
示すように、三角柱状に組まれた３本の保持棒６Ａと、
各第１保持棒６Ａの上下両端をそれぞれ連結する第２保
持棒６Ｂとからなっている。また、上記各第１保持棒６
Ａの内側には図３に示すようにＶ字形状の保持溝６Ｃが
上下方向等間隔に複数形成され、各保持棒６Ａによって
ウエハＷを図１、図２に示すように傾斜状態で保持でき
るように構成されている。この傾斜角は、０〜４５°の
範囲で適宜設定することが好ましい。そして、各保持溝
６Ｃは、図３に示すように、ウエハＷとその周縁で線接
触するように形成されている。また、上記キャリア６
は、その上端がギア７に連結され、図示しない駆動機構
から駆動力を得たギア７を介して回転できるように構成
されている。As shown in FIGS. 1 and 2, the carrier 6 has three holding rods 6A assembled in a triangular prism shape,
Each of the first holding rods 6A includes a second holding rod 6B that connects the upper and lower ends thereof. In addition, each of the first holding rods 6 described above
As shown in FIG. 3, a plurality of V-shaped holding grooves 6C are formed inside A at equal intervals in the vertical direction, and each holding rod 6A can hold the wafer W in an inclined state as shown in FIGS. Is configured. It is preferable that the inclination angle is appropriately set in the range of 0 to 45 °. As shown in FIG. 3, each holding groove 6C is formed so as to make a line contact with the wafer W at the peripheral edge thereof. In addition, the above carrier 6
Is connected to the gear 7 at its upper end, and is configured to be rotatable via the gear 7 which receives a driving force from a driving mechanism (not shown).
【００２４】また、上記洗浄槽１は、図１に示すよう
に、２系列の洗浄槽１、１間にメガソニック振動子２が
蛇腹８、８に支持された状態で介装されている。そし
て、上記蛇腹８内にはメガソニック波の伝達媒体水３が
封止されている。また、上記メガソニック振動子２の下
端にはこの振動子２を駆動制御するコントローラ９が連
結され、このコントローラ９によって上記メガソニック
振動子２を蛇腹８、８で保持した状態で駆動させて各洗
浄槽１、１への超音波の照射方向を変化させるように構
成されている。Further, as shown in FIG. 1, the cleaning tank 1 has a megasonic vibrator 2 interposed between two series of cleaning tanks 1 and 1 supported by bellows 8. The transmission medium water 3 for megasonic waves is sealed in the bellows 8. Further, a controller 9 for driving and controlling the vibrator 2 is connected to the lower end of the megasonic vibrator 2, and the controller 9 drives the megasonic vibrator 2 while holding it by the bellows 8, 8. The cleaning tanks 1 and 1 are configured to change the irradiation direction of ultrasonic waves.
【００２５】次に、動作について説明する。洗浄装置の
洗浄槽１内にキャリア６を持ち込み、洗浄槽１内にキャ
リア６を収納すると、ウエハＷは、図１に示すように、
４５°までの傾斜角でキャリア６で保持された状態で洗
浄槽１内の洗浄液に浸漬される。この状態で、駆動機構
を作動させると共にメガソニック振動子２を作動させる
と、キャリア２がギア７を介して洗浄槽１内で回転して
ウエハＷが洗浄されると共に、メガソニック振動子２か
らのメガソニック波が傾斜したウエハＷの表面全体に万
遍なく照射される。しかもこの時、メガソニック波はウ
エハＷの微小な凹凸にも陰を作ることなく照射されて、
ウエハＷの微小な凹凸に付着した塵埃等の異物粒子をメ
ガソニック波よって確実に除去することができる。更
に、コントローラ９を作動させてメガソニック振動子２
の向きを変化させると、メガソニック波がウエハＷに対
して平行あるいはある角度をもって万遍なく照射されて
ウエハＷの異物粒子をより確実に除去することができ
る。また、ウエハＷはキャリア６の保持溝６Ｃに対して
線接触しているため、ウエハＷの表面が傷つけられるこ
とがない。Next, the operation will be described. When the carrier 6 is brought into the cleaning tank 1 of the cleaning apparatus and the carrier 6 is housed in the cleaning tank 1, the wafer W is, as shown in FIG.
It is immersed in the cleaning liquid in the cleaning tank 1 while being held by the carrier 6 at an inclination angle of up to 45 °. In this state, when the drive mechanism is operated and the megasonic oscillator 2 is operated, the carrier 2 is rotated in the cleaning tank 1 through the gear 7 to clean the wafer W, and at the same time, the megasonic oscillator 2 is removed. The entire surface of the inclined wafer W is uniformly irradiated with the megasonic wave of. Moreover, at this time, the megasonic wave is applied to the minute unevenness of the wafer W without creating a shadow,
Foreign particles such as dust adhering to the minute irregularities of the wafer W can be reliably removed by the megasonic wave. Further, the controller 9 is operated to activate the megasonic oscillator 2
By changing the direction of, the megasonic wave is evenly irradiated to the wafer W in parallel or at a certain angle, and the foreign particles on the wafer W can be removed more reliably. Further, since the wafer W is in line contact with the holding groove 6C of the carrier 6, the surface of the wafer W is not damaged.
【００２６】以上説明したように本実施例によれば、ウ
エハＷをキャリア６で線接触した状態で保持するように
したため、ウエハＷを傷つけることなく洗浄することが
できる。また、キャリア６でウエハＷを水平あるいは傾
斜させた状態で保持するようにしたため、洗浄槽１の開
口面積を小さくして装置全体の配置に自由度を持たせて
ウエハＷの大口径化に設置面積をそれほど拡張すること
なく対処することができる。更に、キャリア６を回転さ
せ且つメガソニック振動子２を駆動するようにしたた
め、ウエハＷの微小な凹凸に付着した異物粒子を確実に
除去できる。また、洗浄槽１を２系列に配置し、系列間
にメガソニック振動子２を介装したため、洗浄槽１をＵ
ターンさせてコンパクトな装置を組むことができ、しか
もメガソニック振動子２を両系列で共用することができ
る。As described above, according to this embodiment, since the wafer W is held in line contact with the carrier 6, the wafer W can be cleaned without being damaged. Further, since the wafer W is held by the carrier 6 in a state of being horizontal or inclined, the opening area of the cleaning tank 1 is made small and the apparatus is provided with a large degree of freedom in arrangement of the entire apparatus. It can be dealt with without significantly expanding the area. Further, since the carrier 6 is rotated and the megasonic oscillator 2 is driven, the foreign particles adhered to the minute irregularities of the wafer W can be reliably removed. Further, since the cleaning tanks 1 are arranged in two series and the megasonic oscillator 2 is interposed between the series, the cleaning tanks 1 are
A compact device can be assembled by turning, and the megasonic oscillator 2 can be shared by both series.
【００２７】実施例２．本実施例の洗浄装置は、図４に
示すように、予めウエハ受け台４が設置された洗浄槽１
が２系列並設され、各系列の洗浄槽１、１間に実施例１
と同様に可動のメガソニック振動子２が介装された構造
を有している。そして、上記ウエハ受け台４は、同図に
示すように、複数のウエハＷを垂直に保持するように形
成され、また、上記ウエハ受け台４にはウエハＷが線接
触するＶ字状の保持溝（図示せず）が形成されている。Example 2. As shown in FIG. 4, the cleaning apparatus of the present embodiment has a cleaning tank 1 in which a wafer pedestal 4 is installed in advance.
2 are installed side by side, and the cleaning tanks 1 and 1 of each series are installed in the first embodiment.
Similarly to the above, it has a structure in which a movable megasonic oscillator 2 is interposed. The wafer pedestal 4 is formed so as to vertically hold a plurality of wafers W as shown in the figure, and the wafer pedestal 4 is in a V-shaped holding state in which the wafers W are in line contact with each other. A groove (not shown) is formed.
【００２８】次に、動作について説明する。まず、ウエ
ハＷを左側の洗浄槽１へ搬入してウエハ受け台４でウエ
ハＷを保持する。この時、メガソニック振動子２からメ
ガソニック波を照射すると、メガソニック波はウエハＷ
の右側に多く照射され、主としてウエハＷの右側に付着
した異物粒子を除去する。次いで、ウエハＷを左側の洗
浄槽１へ移し、同様にメガソニック波を照射すると、今
度は、ウエハＷの左側にメガソニック波が多く照射さ
れ、主としてウエハＷの左側に付着した異物粒子粒子粒
子粒子粒子粒子粒子を除去する。かかる動作の間にコン
トローラ９を動作させてメガソニック振動子２を動かし
てメガソニック波の照射方向を変化させると、ウエハＷ
の表面全体にメガソニック波が照射されて、ウエハＷか
ら異物粒子をより効率良く除去することができる。しか
も、ウエハＷは、ウエハ受け台４の保持溝に対して線接
触しているため、ウエハＷの表面が傷つけられることが
ない。Next, the operation will be described. First, the wafer W is loaded into the cleaning tank 1 on the left side, and the wafer W is held by the wafer pedestal 4. At this time, when the megasonic wave is emitted from the megasonic oscillator 2, the megasonic wave is emitted from the wafer W.
Foreign matter particles that are mostly irradiated to the right side of the wafer W and adhere to the right side of the wafer W are mainly removed. Next, the wafer W is transferred to the cleaning tank 1 on the left side and similarly irradiated with megasonic waves. This time, the left side of the wafer W is irradiated with a large amount of megasonic waves, and foreign matter particles particles mainly adhered to the left side of the wafer W. Particles Particles Particles Remove particles. During this operation, the controller 9 is operated to move the megasonic oscillator 2 to change the irradiation direction of the megasonic wave.
By irradiating the entire surface of the wafer with the megasonic wave, foreign particles can be removed from the wafer W more efficiently. Moreover, since the wafer W is in line contact with the holding groove of the wafer holder 4, the surface of the wafer W is not damaged.
【００２９】実施例３．本実施例の洗浄装置は、図５に
示すように、洗浄槽１の下面に伝達媒体水３が封入され
た蛇腹８を介してメガソニック振動子２が取り付けら
れ、このメガソニック振動子２がメガソニック波の照射
方向を変えることができるように構成されている。そし
て、上記洗浄槽１の内部にはウエハ受け台４が設置さ
れ、このウエハ受け台４には上記各実施例と同様、Ｖ字
状の保持溝（図示せず）が形成さている。Example 3. As shown in FIG. 5, in the cleaning apparatus of this embodiment, a megasonic vibrator 2 is attached to the lower surface of a cleaning tank 1 via a bellows 8 in which transmission medium water 3 is sealed. It is configured so that the irradiation direction of the megasonic wave can be changed. A wafer pedestal 4 is installed inside the cleaning tank 1, and a V-shaped holding groove (not shown) is formed in the wafer pedestal 4 as in the above embodiments.
【００３０】従って、本実施例によれば、ウエハＷの下
方からメガソニック波の照射方向を変えることによって
ウエハＷの表面のメガソニック振動子２から遠く離れた
ウエハＷの上方へもメガソニック波を照射することがで
き、またこの際、ウエハＷを傷つけることもない。Therefore, according to the present embodiment, by changing the irradiation direction of the megasonic wave from the lower side of the wafer W, the megasonic wave is also moved to the upper side of the wafer W far from the megasonic oscillator 2 on the surface of the wafer W. Can be irradiated, and at this time, the wafer W is not damaged.
【００３１】実施例４．本実施例の洗浄装置は、図６に
示すように、並設れた洗浄槽１、１間に伝達媒体水３を
介して固定されたメガソニック振動子２と、上記各洗浄
槽１、１内に懸架されるキャリア６と、このキャリア６
の懸架状態を変化させる、キャリア可動台１０とを備え
て構成されている。そして、上記キャリア可動台１０で
上記キャリア６の懸架状態を変化させることによって、
上記メガソニック振動子２からのメガソニック波がウエ
ハＷに対して平行になったり、ある角度をもって照射さ
れるように構成されている。また、上記キャリア６は、
図７に示すように、三角柱状に組まれたて水平に配置さ
れた３本の保持棒６Ａと、各第１保持棒６Ａの上下両端
をそれぞれ連結する第２保持棒６Ｂとを備え、且つ上記
各第１保持棒６Ａの内側には図３に示すＶ字形状の保持
溝６Ｃが上下方向等間隔に複数形成され、各保持棒６Ａ
によってウエハＷを垂直に保持できるように構成されて
いる。また、上記保持棒６Ａの両端から垂直に懸架用の
係合棒６Ｄがそれぞれ延設され、それぞれの延長端には
上記洗浄槽１の上端で係合するフック部６Ｅがそれぞれ
形成されている。Example 4. As shown in FIG. 6, the cleaning apparatus according to the present embodiment includes a megasonic oscillator 2 fixed between the cleaning tanks 1 and 1 arranged side by side through a transmission medium water 3 and the cleaning tanks 1 and 1 described above. Carrier 6 suspended inside, and this carrier 6
And a movable carrier base 10 for changing the suspension state of the carrier. Then, by changing the suspension state of the carrier 6 with the carrier movable table 10,
The megasonic wave from the megasonic oscillator 2 is configured to be parallel to the wafer W or irradiated at a certain angle. In addition, the carrier 6 is
As shown in FIG. 7, three holding rods 6A assembled in a triangular prism and arranged horizontally are provided, and second holding rods 6B connecting the upper and lower ends of each first holding rod 6A, respectively, and Inside each of the first holding rods 6A, a plurality of V-shaped holding grooves 6C shown in FIG. 3 are formed at equal intervals in the vertical direction.
Thus, the wafer W can be held vertically. Further, suspending engagement rods 6D are vertically extended from both ends of the holding rod 6A, and hook portions 6E that engage with the upper end of the cleaning tank 1 are formed at the respective extended ends.
【００３２】従って、本実施例によれば、ウエハＷはそ
の周縁部がキャリア６の保持溝６Ｃで線接触した状態で
保持された状態で洗浄槽１内に搬送、懸架される。この
状態で、メガソニック振動子２からメガソニック波をウ
エハＷに向けて照射すると共に、キャリア可動台１０を
作動させてキャリア６を懸架状態を変化させると、メガ
ソニック波はウエハＷに対して平行あるいはある角度を
もって入射し、ウエハＷ全面にメガソニック波を照射し
てウエハＷの全表面から効率良く異物粒子を除去するこ
とができ、またこの際、ウエハＷを傷つけることもな
い。Therefore, according to the present embodiment, the wafer W is carried and suspended in the cleaning tank 1 with its peripheral edge held in line contact with the holding groove 6C of the carrier 6. In this state, when the megasonic wave is emitted from the megasonic oscillator 2 toward the wafer W and the carrier movable base 10 is operated to change the suspended state of the carrier 6, the megasonic wave is applied to the wafer W. Foreign particles can be efficiently removed from the entire surface of the wafer W by irradiating the whole surface of the wafer W with a megasonic wave while being incident parallel or at a certain angle, and at this time, the wafer W is not damaged.
【００３３】尚、本発明は、上記各実施例に何等制限さ
れるものではない。The present invention is not limited to the above embodiments.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１に
記載の発明によれば、洗浄時にウエハをその周縁部でキ
ャリアに線接触した状態で保持するようにしたため、ウ
エハの表面を傷つけることなくウエハを洗浄することが
できる洗浄装置を提供することができる。As described above, according to the invention described in claim 1 of the present invention, since the wafer is held in line contact with the carrier at the peripheral portion thereof at the time of cleaning, the surface of the wafer is damaged. It is possible to provide a cleaning apparatus that can clean a wafer without doing so.
【００３５】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、上記キャリアは上記半導体基板を傾斜保持する保
持溝を有するため、ウエハを水平あるいは傾斜した状態
で保持してウエハ全面に超音波を入射させることがで
き、更にウエハを上下方向に積層して装置の小型化、延
いてはウエハの大口径化に設置面積をそれほど拡張する
ことなく対処することができる。According to the second aspect of the present invention, since the carrier has the holding groove for holding the semiconductor substrate in a tilted manner, the carrier is held in a horizontal or tilted state, and the whole surface of the wafer is superposed. Sound waves can be incident, and further, the wafers can be stacked in the vertical direction to reduce the size of the apparatus, and thus to increase the diameter of the wafer without increasing the installation area so much.
【００３６】また、本発明の請求項３に記載の発明によ
れば、回転駆動手段によってキャリアを回転させてウエ
ハの微小な凹凸に陰を作ることなく超音波を入射させる
ことができるため、ウエハに付着した異物粒子をムラな
く確実に除去できる洗浄装置を提供することができる。Further, according to the third aspect of the present invention, since the carrier can be rotated by the rotation driving means so that the ultrasonic waves can be incident on the wafer without forming shadows on the minute irregularities of the wafer, the wafer can be incident. It is possible to provide a cleaning device that can surely remove foreign matter particles adhering to an even surface of a particle.
【００３７】また、本発明の請求項４に記載の発明によ
れば、可動手段によってキャリアまたは振動子を駆動さ
せてウエハへの超音波の入射角を変化させてウエハの微
小な凹凸に陰を作ることなく超音波を入射させることが
できるため、ウエハに付着した異物粒子をムラなく確実
に除去できる洗浄装置を提供することができる。Further, according to the fourth aspect of the present invention, the carrier or the oscillator is driven by the movable means to change the incident angle of the ultrasonic wave to the wafer, so that minute irregularities on the wafer are shaded. Since the ultrasonic waves can be made incident without being made, it is possible to provide a cleaning apparatus that can surely remove the foreign particle attached to the wafer without unevenness.
【００３８】また、本発明の請求項５に記載の発明によ
れば、２系列の洗浄槽間に振動子を介在させるようにし
たため、洗浄槽をＵターンさせてコンパクトな装置を組
むことができ、しかも２系列のウエハの両側から超音波
を照射し、ウエハ全面にから異物粒子を確実に除去でき
る洗浄装置を提供することができる。According to the fifth aspect of the present invention, since the vibrator is interposed between the two series of cleaning tanks, the cleaning tank can be U-turned to form a compact device. Moreover, it is possible to provide a cleaning apparatus that can irradiate ultrasonic waves from both sides of the two series of wafers to reliably remove foreign particles from the entire surface of the wafer.
【図１】本発明の洗浄装置の一実施例の構成を示す正面
図である。FIG. 1 is a front view showing the configuration of an embodiment of a cleaning apparatus of the present invention.
【図２】図１に示すキャリアでウエハを保持した状態を
示す図で、同図（ａ）はその側面図、同図（ｂ）はその
平面図である。2A and 2B are diagrams showing a state where a wafer is held by the carrier shown in FIG. 1, in which FIG. 2A is a side view thereof and FIG. 2B is a plan view thereof.
【図３】図２に示すキャリアの保持溝を拡大して示す側
面図である。3 is an enlarged side view showing a holding groove of the carrier shown in FIG.
【図４】本発明の洗浄装置の他の実施例の構成を示す正
面図である。FIG. 4 is a front view showing the configuration of another embodiment of the cleaning apparatus of the present invention.
【図５】本発明の洗浄装置の更に他の実施例の構成を示
す正面図である。FIG. 5 is a front view showing the configuration of still another embodiment of the cleaning apparatus of the present invention.
【図６】本発明の洗浄装置の更に他の実施例の構成を示
す図で、同図（ａ）はその平面図、同図（ｂ）はその側
面図、同図（ｃ）はその正面図である。6A and 6B are views showing the configuration of still another embodiment of the cleaning apparatus of the present invention, wherein FIG. 6A is a plan view thereof, FIG. 6B is a side view thereof, and FIG. It is a figure.
【図７】図６に示すキャリアを取り出して示す図で、同
図（ａ）はその側面図、同図（ｂ）はその正面図であ
る。7 is a diagram showing the carrier shown in FIG. 6 taken out, where FIG. 7 (a) is a side view thereof and FIG. 7 (b) is a front view thereof.
【図８】従来の洗浄装置に用いられる洗浄槽を示す図
で、同図（ａ）はその側面図、同図（ｂ）はその正面図
である。8A and 8B are views showing a cleaning tank used in a conventional cleaning apparatus, in which FIG. 8A is a side view thereof and FIG. 8B is a front view thereof.
【図９】図８に示すキャリアの保持溝を拡大して示す側
面図である。9 is an enlarged side view showing a holding groove of the carrier shown in FIG.
【図１０】図８に示す洗浄槽を収納した洗浄槽を複数直
列に配置した洗浄装置の全体構成を示す側面図である。10 is a side view showing the overall configuration of a cleaning device in which a plurality of cleaning tanks accommodating the cleaning tank shown in FIG. 8 are arranged in series.
１ 洗浄槽 ２ メガソニック振動子（振動子） ６ キャリア ６Ｃ 保持溝 ９ コントローラ（可動手段） １０ キャリア可動台（可動手段） ３５ 搬送ロボット（搬送装置） Ｗ ウエハ（半導体基板） 1 Cleaning Tank 2 Megasonic Oscillator (Oscillator) 6 Carrier 6C Holding Groove 9 Controller (Movable Means) 10 Carrier Movable Platform (Movable Means) 35 Transfer Robot (Transfer Device) W Wafer (Semiconductor Substrate)
Claims (5)
態で保持するキャリアと、このキャリアを収納した状態
で上記半導体基板をウェット洗浄する洗浄槽と、この洗
浄槽内に収納されたキャリアで保持された半導体基板へ
超音波を照射する振動子とを備えたことを特徴とする洗
浄装置。1. A carrier for holding a semiconductor substrate in line contact with its peripheral portion, a cleaning tank for wet-cleaning the semiconductor substrate with the carrier accommodated therein, and a carrier housed in the cleaning tank. A cleaning device comprising: a vibrator for irradiating an ultrasonic wave to the held semiconductor substrate.
る保持溝を有することを特徴とする請求項１に記載の洗
浄装置。2. The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the carrier has a holding groove for holding the semiconductor substrate in an inclined manner.
転駆動手段を有することを特徴とする請求項２に記載の
洗浄装置。3. The cleaning apparatus according to claim 2, wherein the carrier has a rotation driving means for rotating the carrier itself.
可動させる可動手段を有することを特徴とする請求項１
ないし請求項３のいずれか一つに記載の洗浄装置。4. The carrier or the vibrator has movable means for moving itself, respectively.
The cleaning device according to claim 3.
子を介在させたことを特徴とする請求項１ないし請求項
４のいずれか一つに記載の洗浄装置。5. The cleaning apparatus according to claim 1, wherein two cleaning tanks are arranged in parallel, and a vibrator is interposed between the two cleaning tanks.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26010592A JPH06112184A (en) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | Cleaning apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26010592A JPH06112184A (en) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | Cleaning apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112184A true JPH06112184A (en) | 1994-04-22 |
Family
ID=17343363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26010592A Pending JPH06112184A (en) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | Cleaning apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112184A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011204893A (en) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Tokyo Electron Ltd | Substrate treatment apparatus, substrate treatment method, and storage medium storing computer program for performing the substrate treatment method |
| US8567417B2 (en) | 2009-10-05 | 2013-10-29 | Tokyo Electron Limited | Ultrasonic cleaning apparatus, ultrasonic cleaning method, and storage medium storing computer program for executing ultrasonic cleaning method |
| TWI490931B (en) * | 2009-10-05 | 2015-07-01 | Tokyo Electron Ltd | Ultrasonic cleaning device, ultrasonic cleaning method, and recording medium that records computer program for executing the ultrasonic cleaning method |
| CN107068595A (en) * | 2017-04-14 | 2017-08-18 | 常州亿晶光电科技有限公司 | Silicon chip ultrasonic wave cleaning device |
-
1992
- 1992-09-29 JP JP26010592A patent/JPH06112184A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8567417B2 (en) | 2009-10-05 | 2013-10-29 | Tokyo Electron Limited | Ultrasonic cleaning apparatus, ultrasonic cleaning method, and storage medium storing computer program for executing ultrasonic cleaning method |
| TWI490931B (en) * | 2009-10-05 | 2015-07-01 | Tokyo Electron Ltd | Ultrasonic cleaning device, ultrasonic cleaning method, and recording medium that records computer program for executing the ultrasonic cleaning method |
| JP2011204893A (en) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Tokyo Electron Ltd | Substrate treatment apparatus, substrate treatment method, and storage medium storing computer program for performing the substrate treatment method |
| CN107068595A (en) * | 2017-04-14 | 2017-08-18 | 常州亿晶光电科技有限公司 | Silicon chip ultrasonic wave cleaning device |
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