JPH06104172A - Formation of thin film pattern - Google Patents
Formation of thin film patternInfo
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- JPH06104172A JPH06104172A JP24975592A JP24975592A JPH06104172A JP H06104172 A JPH06104172 A JP H06104172A JP 24975592 A JP24975592 A JP 24975592A JP 24975592 A JP24975592 A JP 24975592A JP H06104172 A JPH06104172 A JP H06104172A
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- thin film
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置等に用
いられる薄膜磁気ヘッドの磁極、薄膜磁気センサ等の製
造に好適な薄膜パターンの形成方法に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a thin film pattern suitable for manufacturing a magnetic pole of a thin film magnetic head used in a magnetic disk device, a thin film magnetic sensor and the like.
【０００２】近年、磁気ディスク装置では小型化、高密
度記録化に伴い、記録再生特性の良好な小型の薄膜磁気
ヘッドが要求され、その小型化に伴って磁性薄膜を薄膜
磁気ヘッドの微細な磁極パターンを精度よく形成する方
法が必要とされる。In recent years, with the downsizing and high density recording of magnetic disk devices, a small thin film magnetic head having good recording and reproducing characteristics has been demanded. With the downsizing of the magnetic thin film, the magnetic thin film has a fine magnetic pole of the thin film magnetic head. A method for forming a pattern with high accuracy is required.
【０００３】[0003]
【従来の技術】従来の薄膜パターンの形成方法は図２
(a) に示すように、例えばセラミック基板11上に薄膜磁
気ヘッドの磁極形成用のNiFeからなる磁性薄膜12をスパ
ッタリング法、或いは真空蒸着法等により被着し、その
磁性薄膜12上にフェノール樹脂を主体とするポジフォト
レジストを塗布してフォトレジスト膜13を形成した後、
該フォトレジスト膜13をフォトリソ工程により露光・現
像を行なって図２(b) に示すように所定のエッチング用
パターンからなるマスク14を形成する。2. Description of the Related Art A conventional method for forming a thin film pattern is shown in FIG.
As shown in (a), for example, a magnetic thin film 12 made of NiFe for forming a magnetic pole of a thin film magnetic head is deposited on a ceramic substrate 11 by a sputtering method or a vacuum deposition method, and the magnetic thin film 12 is coated with phenol resin. After forming a photoresist film 13 by applying a positive photoresist mainly composed of
The photoresist film 13 is exposed and developed by a photolithography process to form a mask 14 having a predetermined etching pattern as shown in FIG. 2 (b).
【０００４】次に、図２(c) に示すように該マスク14を
介して露出する磁性薄膜部分をドライエッチング法、例
えばアルゴン(Ar)などの不活性ガスを用いたイオンエッ
チング法によりエッチング除去した後、前記マスク14を
溶解除去することによって、図２(d) に示すように所定
の微細な磁極形成用の磁性薄膜パターン15を形成してい
る。Next, as shown in FIG. 2 (c), the magnetic thin film portion exposed through the mask 14 is removed by dry etching, for example, ion etching using an inert gas such as argon (Ar). After that, the mask 14 is dissolved and removed to form a predetermined fine magnetic thin film pattern 15 for forming a magnetic pole as shown in FIG. 2 (d).
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の薄膜パターンの形成方法においては、図２(c)
に示すように該マスク14を介して露出する磁性薄膜部分
をアルゴン(Ar)などの不活性ガスを用いたイオンエッチ
ング法によりエッチングを行なうと、そのエッチングの
イオンによってスパッタされた飛散物が前記マスク14の
切り立った側面からそれに連続する磁性薄膜パターン15
の側面に派生的に付着し、この付着物16が前記マスク14
を除去した後に該磁性薄膜パターン15の縁端部にバリ17
として残ってしまい、該磁性薄膜パターン15の形成精度
を低下させるなど、精度の良い微細な磁極形成用の磁性
薄膜パターン15の形成を困難にするという問題があっ
た。However, in the above-mentioned conventional method for forming a thin film pattern, as shown in FIG.
When the magnetic thin film portion exposed through the mask 14 is etched by an ion etching method using an inert gas such as argon (Ar) as shown in, the scattered particles sputtered by the etching ions are masked. Magnetic thin film pattern 15 continuous from 14 raised sides 15
Derivatively adhered to the side surface of the
After removing the burrs 17 at the edge of the magnetic thin film pattern 15,
However, there is a problem that it is difficult to form the magnetic thin film pattern 15 for forming a fine magnetic pole with high accuracy, such as decreasing the forming accuracy of the magnetic thin film pattern 15.
【０００６】本発明は上記した従来の問題点に鑑み、磁
性薄膜をマスクを介してドライエッチング法によりパタ
ーニングした際に、そのパターニングされた磁性薄膜パ
ターンの側端面でのバリの発生を防止した新規な薄膜パ
ターンの形成方法を提供することを目的とするものであ
る。In view of the above-mentioned conventional problems, the present invention prevents the occurrence of burrs on the side end faces of the patterned magnetic thin film pattern when the magnetic thin film is patterned by a dry etching method through a mask. It is an object of the present invention to provide a method for forming a thin film pattern.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基板上に薄膜を被着した後、該薄膜上に
フェノール樹脂を主体とするフォトレジストを塗布し、
そのフォトレジスト膜を露光・現像してエッチング用パ
ターンからなるマスクを形成し、該マスクより露出する
薄膜部分をドライエッチング法により除去して薄膜パタ
ーンを形成する方法において、前記薄膜上に設けたフォ
トレジスト膜を露光処理を施す前、若しくは施した後
に、クロロべンゼン(C6H5Cl)等からなる芳香族系の有機
溶剤に侵漬する工程と、前記有機溶剤に侵漬した後に露
光処理を施したフォトレジスト膜、若しくは露光処理後
に有機溶剤に侵漬したフォトレジスト膜を過現像して側
面にオーバーハングを有するマスクを形成する工程とを
含む構成とする。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention, after depositing a thin film on a substrate, coating a photoresist mainly composed of phenol resin on the thin film,
In the method of forming a thin film pattern by exposing and developing the photoresist film to form a mask made of an etching pattern and removing the thin film portion exposed from the mask by a dry etching method, the photoresist provided on the thin film is formed. Before or after the exposure treatment of the resist film, a step of immersing in an aromatic organic solvent such as chlorobenzene (C 6 H 5 Cl), and an exposure treatment after immersing in the organic solvent Or a step of forming a mask having an overhang on the side surface by overdeveloping the photoresist film subjected to the above step or the photoresist film immersed in an organic solvent after the exposure processing.
【０００８】[0008]
【作用】本発明では、基板上の薄膜面に形成したフェノ
ール樹脂を主体とするフォトレジスト膜を、露光処理
前、または露光処理後にクロロべンゼン(C6H5Cl)等の芳
香族系の有機溶剤に侵漬すると、その有機溶剤が浸透し
たレジスト部分が現像液に対して難溶性になる傾向を利
用して、該有機溶剤に侵漬した後、露光処理を施したフ
ォトレジスト膜、若しくは露光処理後に有機溶剤に侵漬
したフォトレジスト膜を過度に現像して側面がオーバー
ハング状のエッチング用パターンからなるマスクを形成
し、そのマスクを介して前記薄膜をドライエッチング法
によりパターニングすることにより、そのエッチングに
より生じる飛散物が前記マスクの側面からそれに連続す
る磁性薄膜パターンの側面に派生的に付着しても、その
付着物は前記フォトレジスト膜のオーバーハング部で途
切れて該磁性薄膜パターンの側面には極薄く付着される
程度になる。In the present invention, the photoresist film mainly composed of the phenol resin formed on the thin film surface on the substrate is treated with an aromatic system such as chlorobenzene (C 6 H 5 Cl) before or after the exposure process. Taking advantage of the tendency that the resist portion infiltrated by the organic solvent becomes slightly soluble in the developing solution when immersed in the organic solvent, the photoresist film that has been subjected to the exposure treatment after being immersed in the organic solvent, or By over-developing the photoresist film soaked in an organic solvent after the exposure process to form a mask having an overhanging side etching pattern, and patterning the thin film by the dry etching method through the mask. , Even if scattered matter generated by the etching adheres to the side surface of the magnetic thin film pattern continuous from the side surface of the mask, the adhered matter is Made to the extent very thin deposited on the side surface of the magnetic thin film pattern interrupted by the overhanging portion of the resist film.
【０００９】従って、そのような付着物は前記マスクの
除去時にその大方が同時に除去され、薄膜パターンの側
端面でのバリの発生を著しく低減され、その結果、精度
の良い微細な薄膜パターンを容易に形成することができ
る。Therefore, most of such deposits are removed at the same time when the mask is removed, and the occurrence of burrs on the side end faces of the thin film pattern is significantly reduced. As a result, it is easy to form a fine thin film pattern with high accuracy. Can be formed.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例について
詳細に説明する。図１(a) 〜(d) は本発明の薄膜パター
ンの形成方法の一実施例を順に示す要部断面図である。Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. 1 (a) to 1 (d) are cross-sectional views of a main part showing in sequence one embodiment of a method for forming a thin film pattern of the present invention.
【００１１】先ず、図１(a) に示すように従来と同様
に、例えばセラミック基板11上に薄膜磁気ヘッドの磁極
形成用のNiFeからなる磁性薄膜12をスパッタリング法、
或いは真空蒸着法等により被着し、その磁性薄膜12上に
フェノール樹脂を主体とするポジフォトレジストを塗布
してフォトレジスト膜を形成する。First, as shown in FIG. 1A, a magnetic thin film 12 made of NiFe for forming a magnetic pole of a thin film magnetic head is sputtered on a ceramic substrate 11 as in the conventional method.
Alternatively, it is deposited by a vacuum vapor deposition method or the like, and a positive photoresist mainly containing phenol resin is applied on the magnetic thin film 12 to form a photoresist film.
【００１２】次に、前記磁性薄膜12上に形成したフォト
レジスト膜をクロロべンゼン(C6H5Cl)等の芳香族系の有
機溶剤に所定時間だけ侵漬した後、そのフォトレジスト
膜21に露光処理を施し、引続き過度に現像することによ
って図１(b) に示すように前記有機溶剤が浸透したレジ
スト部分 (図中斜線で示す部分) 以外がオーバーハング
状となったエッチング用パターンからなるマスク22を形
成する。この場合、該マスク22の幅が６μｍであるのに
対して約２μｍ程度オーバーハングされている。Next, the photoresist film formed on the magnetic thin film 12 is immersed in an aromatic organic solvent such as chlorobenzene (C 6 H 5 Cl) for a predetermined time, and then the photoresist film 21 is formed. As shown in Fig. 1 (b), the resist pattern (the shaded area in the figure) excluding the resist penetrated by the organic solvent was exposed to light and was over-developed. A mask 22 is formed. In this case, the width of the mask 22 is 6 μm, while the mask 22 is overhung by about 2 μm.
【００１３】その後、図１(c) に示すように前記マスク
22を介して磁性薄膜12をアルゴン(Ar)などの不活性ガス
を用いたイオンエッチング法、或いはスパッタエッチン
グ法によりエッチングしてパターニングすることによ
り、そのエッチング時に生じる飛散物が前記マスク22の
側面から磁性薄膜パターン23の側面へ派生的に付着する
が、その付着物24は該マスク22の側面に生じたオーバー
ハング部分で途切れて該磁性薄膜パターン23の側面には
極薄く付着される程度になる。Thereafter, as shown in FIG. 1 (c), the mask
The magnetic thin film 12 through 22 is patterned by etching by an ion etching method using an inert gas such as argon (Ar), or by a sputter etching method, and scattered matter generated at the time of etching from the side surface of the mask 22. Derivatively adheres to the side surface of the magnetic thin film pattern 23, but the adhered matter 24 is interrupted at the overhanging portion generated on the side surface of the mask 22 and becomes extremely thinly adhered to the side surface of the magnetic thin film pattern 23. .
【００１４】その後、前記マスク22を溶解除去して該マ
スク22の側面に付着した付着物24も同時に除去すること
により、図１(d) に示すように縁端部でのバリの発生の
ない精度の良い微細な薄膜パターンを容易に形成するこ
とが可能となる。Thereafter, the mask 22 is dissolved and removed, and the deposit 24 attached to the side surface of the mask 22 is also removed at the same time, so that no burr is generated at the edge portion as shown in FIG. 1 (d). It becomes possible to easily form a fine thin film pattern with high accuracy.
【００１５】従って、このような形成方法によりNiFe等
からなる磁性薄膜をパターニングして薄膜磁気ヘッドの
磁極パターンを形成することにより、パターン精度の良
い微細な磁極を容易に形成することができる。Therefore, by patterning the magnetic thin film made of NiFe or the like by such a forming method to form the magnetic pole pattern of the thin film magnetic head, it is possible to easily form a fine magnetic pole with good pattern accuracy.
【００１６】[0016]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る薄膜パターンの形成方法によれば、パターニング
に用いるマスクの側面を容易にオーバーハング状にし、
そのマスクを介してイオンエッチング法、或いはスパッ
タエッチング法により薄膜をパターニングすることによ
り、薄膜パターンの縁端部にエッチング時の飛散物の付
着によるバリの発生を容易に防止することが可能とな
る。As is apparent from the above description, according to the method for forming a thin film pattern of the present invention, the side surface of the mask used for patterning is easily overhanged,
By patterning the thin film through the mask by the ion etching method or the sputter etching method, it is possible to easily prevent the occurrence of burrs at the edge of the thin film pattern due to the attachment of scattered particles during etching.
【００１７】従って、薄膜パターンを精度良く形成する
ことができる優れた利点を有し、薄膜磁気ヘッドの微細
な磁極パターンの形成、或いは種々の微細な金属パター
ン等の形成に適用して極めて有利であり、実用上顕著な
る効果を奏する。Therefore, it has an excellent advantage that a thin film pattern can be accurately formed, and is extremely advantageous when applied to the formation of a fine magnetic pole pattern of a thin film magnetic head or the formation of various fine metal patterns. There is a significant effect in practice.
【図１】 本発明の薄膜パターンの形成方法の一実施例
を順に示す要部断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part showing in sequence one embodiment of a method for forming a thin film pattern of the present invention.
【図２】 従来の薄膜パターンの形成方法を順に説明す
るための要部断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part for sequentially explaining a conventional method of forming a thin film pattern.
１１ セラミック基板 １２ 磁性薄膜 ２１ フォトレジスト膜 ２２ マスク ２３ 磁性薄膜パターン ２４ 付着物 11 Ceramic Substrate 12 Magnetic Thin Film 21 Photoresist Film 22 Mask 23 Magnetic Thin Film Pattern 24 Adhesion
Claims (1)
薄膜(12)上にフェノール樹脂を主体とするフォトレジス
トを塗布し、そのフォトレジスト膜(21)を露光・現像し
てエッチング用パターンからなるマスク(22)を形成し、
該マスク(22)より露出する薄膜部分をドライエッチング
法により除去して薄膜パターン(23)を形成する方法にお
いて、 前記薄膜(12)上に設けたフォトレジスト膜(21)を露光処
理を施す前、若しくは施した後に、芳香族系の有機溶剤
に侵漬する工程と、 前記有機溶剤に侵漬した後に露光処理を施したフォトレ
ジスト膜(21)、若しくは露光処理後に有機溶剤に侵漬し
たフォトレジスト膜を過現像して側面にオーバーハング
を有するマスク(22)を形成する工程を含むことを特徴と
する薄膜パターンの形成方法。1. A thin film (12) is deposited on a substrate (11), a photoresist mainly composed of a phenol resin is applied on the thin film (12), and the photoresist film (21) is exposed. Develop to form a mask (22) consisting of an etching pattern,
A method of forming a thin film pattern (23) by removing a thin film portion exposed from the mask (22) by a dry etching method before exposing a photoresist film (21) provided on the thin film (12) to an exposure treatment. Or a step of immersing it in an aromatic organic solvent after applying, and a photoresist film (21) that has been subjected to an exposure treatment after being immersed in the organic solvent, or a photoresist that has been immersed in an organic solvent after the exposure treatment. A method of forming a thin film pattern, comprising the step of over-developing a resist film to form a mask (22) having an overhang on a side surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24975592A JPH06104172A (en) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | Formation of thin film pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24975592A JPH06104172A (en) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | Formation of thin film pattern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104172A true JPH06104172A (en) | 1994-04-15 |
Family
ID=17197747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24975592A Withdrawn JPH06104172A (en) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | Formation of thin film pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104172A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010048030A3 (en) * | 2008-10-22 | 2010-07-22 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions |
| US8535766B2 (en) | 2008-10-22 | 2013-09-17 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions |
| US8551578B2 (en) | 2008-02-12 | 2013-10-08 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions and thermal excitation |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP24975592A patent/JPH06104172A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8551578B2 (en) | 2008-02-12 | 2013-10-08 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions and thermal excitation |
| US9263078B2 (en) | 2008-02-12 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions |
| WO2010048030A3 (en) * | 2008-10-22 | 2010-07-22 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions |
| US8535766B2 (en) | 2008-10-22 | 2013-09-17 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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