JPH06104172A - 薄膜パターンの形成方法 - Google Patents
薄膜パターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH06104172A JPH06104172A JP24975592A JP24975592A JPH06104172A JP H06104172 A JPH06104172 A JP H06104172A JP 24975592 A JP24975592 A JP 24975592A JP 24975592 A JP24975592 A JP 24975592A JP H06104172 A JPH06104172 A JP H06104172A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- mask
- pattern
- photoresist
- organic solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は薄膜磁気ヘッドの磁極、薄膜磁気セ
ンサ等の製造に好適な薄膜パターンの形成方法に関し、
磁性薄膜をマスクを介してドライエッチング方法により
パターニングした際に、形成された磁性薄膜パターンの
側端面でのバリの発生を防止することを目的とする。 【構成】 セラミック基板11上に被着した磁性薄膜12上
にフェノール樹脂を主体とするフォトレジスト膜21を形
成し、そのフォトレジスト膜21を露光する前、若しくは
露光後に芳香族系の有機溶剤(C6H5Cl など) に浸漬し、
該有機溶剤に浸漬後に露光したォトレジスト膜21、若し
くは露光後に有機溶剤に浸漬したフォトレジスト膜を過
現像して側面にオーバーハングを有するマスク22を形成
し、該マスク22を介して前記磁性薄膜をイオンエッチン
グ方法によりエッチングして磁性薄膜パターン23を形成
するように構成する。
ンサ等の製造に好適な薄膜パターンの形成方法に関し、
磁性薄膜をマスクを介してドライエッチング方法により
パターニングした際に、形成された磁性薄膜パターンの
側端面でのバリの発生を防止することを目的とする。 【構成】 セラミック基板11上に被着した磁性薄膜12上
にフェノール樹脂を主体とするフォトレジスト膜21を形
成し、そのフォトレジスト膜21を露光する前、若しくは
露光後に芳香族系の有機溶剤(C6H5Cl など) に浸漬し、
該有機溶剤に浸漬後に露光したォトレジスト膜21、若し
くは露光後に有機溶剤に浸漬したフォトレジスト膜を過
現像して側面にオーバーハングを有するマスク22を形成
し、該マスク22を介して前記磁性薄膜をイオンエッチン
グ方法によりエッチングして磁性薄膜パターン23を形成
するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置等に用
いられる薄膜磁気ヘッドの磁極、薄膜磁気センサ等の製
造に好適な薄膜パターンの形成方法に関するものであ
る。
いられる薄膜磁気ヘッドの磁極、薄膜磁気センサ等の製
造に好適な薄膜パターンの形成方法に関するものであ
る。
【０００２】近年、磁気ディスク装置では小型化、高密
度記録化に伴い、記録再生特性の良好な小型の薄膜磁気
ヘッドが要求され、その小型化に伴って磁性薄膜を薄膜
磁気ヘッドの微細な磁極パターンを精度よく形成する方
法が必要とされる。
度記録化に伴い、記録再生特性の良好な小型の薄膜磁気
ヘッドが要求され、その小型化に伴って磁性薄膜を薄膜
磁気ヘッドの微細な磁極パターンを精度よく形成する方
法が必要とされる。
【０００３】
【従来の技術】従来の薄膜パターンの形成方法は図２
(a) に示すように、例えばセラミック基板11上に薄膜磁
気ヘッドの磁極形成用のNiFeからなる磁性薄膜12をスパ
ッタリング法、或いは真空蒸着法等により被着し、その
磁性薄膜12上にフェノール樹脂を主体とするポジフォト
レジストを塗布してフォトレジスト膜13を形成した後、
該フォトレジスト膜13をフォトリソ工程により露光・現
像を行なって図２(b) に示すように所定のエッチング用
パターンからなるマスク14を形成する。
(a) に示すように、例えばセラミック基板11上に薄膜磁
気ヘッドの磁極形成用のNiFeからなる磁性薄膜12をスパ
ッタリング法、或いは真空蒸着法等により被着し、その
磁性薄膜12上にフェノール樹脂を主体とするポジフォト
レジストを塗布してフォトレジスト膜13を形成した後、
該フォトレジスト膜13をフォトリソ工程により露光・現
像を行なって図２(b) に示すように所定のエッチング用
パターンからなるマスク14を形成する。
【０００４】次に、図２(c) に示すように該マスク14を
介して露出する磁性薄膜部分をドライエッチング法、例
えばアルゴン(Ar)などの不活性ガスを用いたイオンエッ
チング法によりエッチング除去した後、前記マスク14を
溶解除去することによって、図２(d) に示すように所定
の微細な磁極形成用の磁性薄膜パターン15を形成してい
る。
介して露出する磁性薄膜部分をドライエッチング法、例
えばアルゴン(Ar)などの不活性ガスを用いたイオンエッ
チング法によりエッチング除去した後、前記マスク14を
溶解除去することによって、図２(d) に示すように所定
の微細な磁極形成用の磁性薄膜パターン15を形成してい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の薄膜パターンの形成方法においては、図２(c)
に示すように該マスク14を介して露出する磁性薄膜部分
をアルゴン(Ar)などの不活性ガスを用いたイオンエッチ
ング法によりエッチングを行なうと、そのエッチングの
イオンによってスパッタされた飛散物が前記マスク14の
切り立った側面からそれに連続する磁性薄膜パターン15
の側面に派生的に付着し、この付着物16が前記マスク14
を除去した後に該磁性薄膜パターン15の縁端部にバリ17
として残ってしまい、該磁性薄膜パターン15の形成精度
を低下させるなど、精度の良い微細な磁極形成用の磁性
薄膜パターン15の形成を困難にするという問題があっ
た。
た従来の薄膜パターンの形成方法においては、図２(c)
に示すように該マスク14を介して露出する磁性薄膜部分
をアルゴン(Ar)などの不活性ガスを用いたイオンエッチ
ング法によりエッチングを行なうと、そのエッチングの
イオンによってスパッタされた飛散物が前記マスク14の
切り立った側面からそれに連続する磁性薄膜パターン15
の側面に派生的に付着し、この付着物16が前記マスク14
を除去した後に該磁性薄膜パターン15の縁端部にバリ17
として残ってしまい、該磁性薄膜パターン15の形成精度
を低下させるなど、精度の良い微細な磁極形成用の磁性
薄膜パターン15の形成を困難にするという問題があっ
た。
【０００６】本発明は上記した従来の問題点に鑑み、磁
性薄膜をマスクを介してドライエッチング法によりパタ
ーニングした際に、そのパターニングされた磁性薄膜パ
ターンの側端面でのバリの発生を防止した新規な薄膜パ
ターンの形成方法を提供することを目的とするものであ
る。
性薄膜をマスクを介してドライエッチング法によりパタ
ーニングした際に、そのパターニングされた磁性薄膜パ
ターンの側端面でのバリの発生を防止した新規な薄膜パ
ターンの形成方法を提供することを目的とするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基板上に薄膜を被着した後、該薄膜上に
フェノール樹脂を主体とするフォトレジストを塗布し、
そのフォトレジスト膜を露光・現像してエッチング用パ
ターンからなるマスクを形成し、該マスクより露出する
薄膜部分をドライエッチング法により除去して薄膜パタ
ーンを形成する方法において、前記薄膜上に設けたフォ
トレジスト膜を露光処理を施す前、若しくは施した後
に、クロロべンゼン(C6H5Cl)等からなる芳香族系の有機
溶剤に侵漬する工程と、前記有機溶剤に侵漬した後に露
光処理を施したフォトレジスト膜、若しくは露光処理後
に有機溶剤に侵漬したフォトレジスト膜を過現像して側
面にオーバーハングを有するマスクを形成する工程とを
含む構成とする。
達成するため、基板上に薄膜を被着した後、該薄膜上に
フェノール樹脂を主体とするフォトレジストを塗布し、
そのフォトレジスト膜を露光・現像してエッチング用パ
ターンからなるマスクを形成し、該マスクより露出する
薄膜部分をドライエッチング法により除去して薄膜パタ
ーンを形成する方法において、前記薄膜上に設けたフォ
トレジスト膜を露光処理を施す前、若しくは施した後
に、クロロべンゼン(C6H5Cl)等からなる芳香族系の有機
溶剤に侵漬する工程と、前記有機溶剤に侵漬した後に露
光処理を施したフォトレジスト膜、若しくは露光処理後
に有機溶剤に侵漬したフォトレジスト膜を過現像して側
面にオーバーハングを有するマスクを形成する工程とを
含む構成とする。
【０００８】
【作用】本発明では、基板上の薄膜面に形成したフェノ
ール樹脂を主体とするフォトレジスト膜を、露光処理
前、または露光処理後にクロロべンゼン(C6H5Cl)等の芳
香族系の有機溶剤に侵漬すると、その有機溶剤が浸透し
たレジスト部分が現像液に対して難溶性になる傾向を利
用して、該有機溶剤に侵漬した後、露光処理を施したフ
ォトレジスト膜、若しくは露光処理後に有機溶剤に侵漬
したフォトレジスト膜を過度に現像して側面がオーバー
ハング状のエッチング用パターンからなるマスクを形成
し、そのマスクを介して前記薄膜をドライエッチング法
によりパターニングすることにより、そのエッチングに
より生じる飛散物が前記マスクの側面からそれに連続す
る磁性薄膜パターンの側面に派生的に付着しても、その
付着物は前記フォトレジスト膜のオーバーハング部で途
切れて該磁性薄膜パターンの側面には極薄く付着される
程度になる。
ール樹脂を主体とするフォトレジスト膜を、露光処理
前、または露光処理後にクロロべンゼン(C6H5Cl)等の芳
香族系の有機溶剤に侵漬すると、その有機溶剤が浸透し
たレジスト部分が現像液に対して難溶性になる傾向を利
用して、該有機溶剤に侵漬した後、露光処理を施したフ
ォトレジスト膜、若しくは露光処理後に有機溶剤に侵漬
したフォトレジスト膜を過度に現像して側面がオーバー
ハング状のエッチング用パターンからなるマスクを形成
し、そのマスクを介して前記薄膜をドライエッチング法
によりパターニングすることにより、そのエッチングに
より生じる飛散物が前記マスクの側面からそれに連続す
る磁性薄膜パターンの側面に派生的に付着しても、その
付着物は前記フォトレジスト膜のオーバーハング部で途
切れて該磁性薄膜パターンの側面には極薄く付着される
程度になる。
【０００９】従って、そのような付着物は前記マスクの
除去時にその大方が同時に除去され、薄膜パターンの側
端面でのバリの発生を著しく低減され、その結果、精度
の良い微細な薄膜パターンを容易に形成することができ
る。
除去時にその大方が同時に除去され、薄膜パターンの側
端面でのバリの発生を著しく低減され、その結果、精度
の良い微細な薄膜パターンを容易に形成することができ
る。
【００１０】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例について
詳細に説明する。図１(a) 〜(d) は本発明の薄膜パター
ンの形成方法の一実施例を順に示す要部断面図である。
詳細に説明する。図１(a) 〜(d) は本発明の薄膜パター
ンの形成方法の一実施例を順に示す要部断面図である。
【００１１】先ず、図１(a) に示すように従来と同様
に、例えばセラミック基板11上に薄膜磁気ヘッドの磁極
形成用のNiFeからなる磁性薄膜12をスパッタリング法、
或いは真空蒸着法等により被着し、その磁性薄膜12上に
フェノール樹脂を主体とするポジフォトレジストを塗布
してフォトレジスト膜を形成する。
に、例えばセラミック基板11上に薄膜磁気ヘッドの磁極
形成用のNiFeからなる磁性薄膜12をスパッタリング法、
或いは真空蒸着法等により被着し、その磁性薄膜12上に
フェノール樹脂を主体とするポジフォトレジストを塗布
してフォトレジスト膜を形成する。
【００１２】次に、前記磁性薄膜12上に形成したフォト
レジスト膜をクロロべンゼン(C6H5Cl)等の芳香族系の有
機溶剤に所定時間だけ侵漬した後、そのフォトレジスト
膜21に露光処理を施し、引続き過度に現像することによ
って図１(b) に示すように前記有機溶剤が浸透したレジ
スト部分 (図中斜線で示す部分) 以外がオーバーハング
状となったエッチング用パターンからなるマスク22を形
成する。この場合、該マスク22の幅が６μｍであるのに
対して約２μｍ程度オーバーハングされている。
レジスト膜をクロロべンゼン(C6H5Cl)等の芳香族系の有
機溶剤に所定時間だけ侵漬した後、そのフォトレジスト
膜21に露光処理を施し、引続き過度に現像することによ
って図１(b) に示すように前記有機溶剤が浸透したレジ
スト部分 (図中斜線で示す部分) 以外がオーバーハング
状となったエッチング用パターンからなるマスク22を形
成する。この場合、該マスク22の幅が６μｍであるのに
対して約２μｍ程度オーバーハングされている。
【００１３】その後、図１(c) に示すように前記マスク
22を介して磁性薄膜12をアルゴン(Ar)などの不活性ガス
を用いたイオンエッチング法、或いはスパッタエッチン
グ法によりエッチングしてパターニングすることによ
り、そのエッチング時に生じる飛散物が前記マスク22の
側面から磁性薄膜パターン23の側面へ派生的に付着する
が、その付着物24は該マスク22の側面に生じたオーバー
ハング部分で途切れて該磁性薄膜パターン23の側面には
極薄く付着される程度になる。
22を介して磁性薄膜12をアルゴン(Ar)などの不活性ガス
を用いたイオンエッチング法、或いはスパッタエッチン
グ法によりエッチングしてパターニングすることによ
り、そのエッチング時に生じる飛散物が前記マスク22の
側面から磁性薄膜パターン23の側面へ派生的に付着する
が、その付着物24は該マスク22の側面に生じたオーバー
ハング部分で途切れて該磁性薄膜パターン23の側面には
極薄く付着される程度になる。
【００１４】その後、前記マスク22を溶解除去して該マ
スク22の側面に付着した付着物24も同時に除去すること
により、図１(d) に示すように縁端部でのバリの発生の
ない精度の良い微細な薄膜パターンを容易に形成するこ
とが可能となる。
スク22の側面に付着した付着物24も同時に除去すること
により、図１(d) に示すように縁端部でのバリの発生の
ない精度の良い微細な薄膜パターンを容易に形成するこ
とが可能となる。
【００１５】従って、このような形成方法によりNiFe等
からなる磁性薄膜をパターニングして薄膜磁気ヘッドの
磁極パターンを形成することにより、パターン精度の良
い微細な磁極を容易に形成することができる。
からなる磁性薄膜をパターニングして薄膜磁気ヘッドの
磁極パターンを形成することにより、パターン精度の良
い微細な磁極を容易に形成することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る薄膜パターンの形成方法によれば、パターニング
に用いるマスクの側面を容易にオーバーハング状にし、
そのマスクを介してイオンエッチング法、或いはスパッ
タエッチング法により薄膜をパターニングすることによ
り、薄膜パターンの縁端部にエッチング時の飛散物の付
着によるバリの発生を容易に防止することが可能とな
る。
に係る薄膜パターンの形成方法によれば、パターニング
に用いるマスクの側面を容易にオーバーハング状にし、
そのマスクを介してイオンエッチング法、或いはスパッ
タエッチング法により薄膜をパターニングすることによ
り、薄膜パターンの縁端部にエッチング時の飛散物の付
着によるバリの発生を容易に防止することが可能とな
る。
【００１７】従って、薄膜パターンを精度良く形成する
ことができる優れた利点を有し、薄膜磁気ヘッドの微細
な磁極パターンの形成、或いは種々の微細な金属パター
ン等の形成に適用して極めて有利であり、実用上顕著な
る効果を奏する。
ことができる優れた利点を有し、薄膜磁気ヘッドの微細
な磁極パターンの形成、或いは種々の微細な金属パター
ン等の形成に適用して極めて有利であり、実用上顕著な
る効果を奏する。
【図１】 本発明の薄膜パターンの形成方法の一実施例
を順に示す要部断面図である。
を順に示す要部断面図である。
【図２】 従来の薄膜パターンの形成方法を順に説明す
るための要部断面図である。
るための要部断面図である。
１１ セラミック基板 １２ 磁性薄膜 ２１ フォトレジスト膜 ２２ マスク ２３ 磁性薄膜パターン ２４ 付着物
Claims (1)
- 【請求項１】 基板(11)上に薄膜(12)を被着した後、該
薄膜(12)上にフェノール樹脂を主体とするフォトレジス
トを塗布し、そのフォトレジスト膜(21)を露光・現像し
てエッチング用パターンからなるマスク(22)を形成し、
該マスク(22)より露出する薄膜部分をドライエッチング
法により除去して薄膜パターン(23)を形成する方法にお
いて、 前記薄膜(12)上に設けたフォトレジスト膜(21)を露光処
理を施す前、若しくは施した後に、芳香族系の有機溶剤
に侵漬する工程と、 前記有機溶剤に侵漬した後に露光処理を施したフォトレ
ジスト膜(21)、若しくは露光処理後に有機溶剤に侵漬し
たフォトレジスト膜を過現像して側面にオーバーハング
を有するマスク(22)を形成する工程を含むことを特徴と
する薄膜パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24975592A JPH06104172A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 薄膜パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24975592A JPH06104172A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 薄膜パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104172A true JPH06104172A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17197747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24975592A Withdrawn JPH06104172A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 薄膜パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104172A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010048030A3 (en) * | 2008-10-22 | 2010-07-22 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions |
| US8535766B2 (en) | 2008-10-22 | 2013-09-17 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions |
| US8551578B2 (en) | 2008-02-12 | 2013-10-08 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions and thermal excitation |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP24975592A patent/JPH06104172A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8551578B2 (en) | 2008-02-12 | 2013-10-08 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions and thermal excitation |
| US9263078B2 (en) | 2008-02-12 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions |
| WO2010048030A3 (en) * | 2008-10-22 | 2010-07-22 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions |
| US8535766B2 (en) | 2008-10-22 | 2013-09-17 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4218532A (en) | Photolithographic technique for depositing thin films | |
| US4202914A (en) | Method of depositing thin films of small dimensions utilizing silicon nitride lift-off mask | |
| JPH01279421A (ja) | 薄膜磁気記録デイスク及びその製造方法 | |
| US4224361A (en) | High temperature lift-off technique | |
| US4174219A (en) | Method of making a negative exposure mask | |
| JPS5815942B2 (ja) | パタ−ンジヨウハクマクフチヤクホウホウ | |
| JPH076058B2 (ja) | 金属リフトオフ方法 | |
| US4375390A (en) | Thin film techniques for fabricating narrow track ferrite heads | |
| JPH06104172A (ja) | 薄膜パターンの形成方法 | |
| KR0147996B1 (ko) | 박막 헤드의 패턴 평탄화 방법 | |
| JPH0681173A (ja) | 金属膜パターン形成方法 | |
| JPS5857908B2 (ja) | 薄膜構造体の形成方法 | |
| JP2003177549A (ja) | パターン形成方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法、及び薄膜磁気ヘッド | |
| KR100256073B1 (ko) | 박막 자기헤드의 자성층 식각방법 | |
| JPH10116402A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH10312063A (ja) | リフトオフ用フォトレジストパターンの形成方法 | |
| JP2693171B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH04285710A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH03113749A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JPH036023A (ja) | 微細金属パターンの形成方法 | |
| JP2003085830A (ja) | 光ディスク基板成形用スタンパーの製造方法 | |
| JPS63122006A (ja) | 薄膜磁気ヘツドコアの製造方法 | |
| JPH05159221A (ja) | 薄膜ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPS6074532A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JPH0271412A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |