JPH06101318B2 - イオンマイクロビ−ム装置 - Google Patents
イオンマイクロビ−ム装置Info
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- JPH06101318B2 JPH06101318B2 JP60228688A JP22868885A JPH06101318B2 JP H06101318 B2 JPH06101318 B2 JP H06101318B2 JP 60228688 A JP60228688 A JP 60228688A JP 22868885 A JP22868885 A JP 22868885A JP H06101318 B2 JPH06101318 B2 JP H06101318B2
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- ion
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/05—Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
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- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
-
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、イオンマイクロアナリシス、マイクロイオン
打込み、イオンビーム描画などに使用されるイオンマイ
クロビーム装置の改良に関する。
打込み、イオンビーム描画などに使用されるイオンマイ
クロビーム装置の改良に関する。
イオンマイクロビーム装置は、試料上にビーム径で１μ
ｍ前後、もしくは、それ以下に細く絞つたイオンビーム
を照射するもので、半導体素子の微細加工技術への適用
が期待されている。そのイオン源には高輝度で点状光源
を持つもの、例えば液体金属イオン源、電界電離イオン
源、デユオプラズマトロン等が用いられる。特に、合金
をイオン化物質とする液体金属イオン源等、数種のイオ
ンが得られる場合には、所望のイオン種を選択分離する
ため質量分離器を使用する必要がある。
ｍ前後、もしくは、それ以下に細く絞つたイオンビーム
を照射するもので、半導体素子の微細加工技術への適用
が期待されている。そのイオン源には高輝度で点状光源
を持つもの、例えば液体金属イオン源、電界電離イオン
源、デユオプラズマトロン等が用いられる。特に、合金
をイオン化物質とする液体金属イオン源等、数種のイオ
ンが得られる場合には、所望のイオン種を選択分離する
ため質量分離器を使用する必要がある。
イオンマイクロビーム装置における質量分離器は、不要
なイオン種を除去するために高質量分解能を持つだけで
なく、ビーム集束性能に悪影響を与えないことが要求さ
れる。一般に、この質量分離器として用いられているＥ
×Ｂマスフイルターは、光学系を直線配置可能とし、設
計や軸合せを容易にする利点があつた。しかし、Ｅ×Ｂ
マスフイルターではその色収差のため上記２つの要求を
同時に十分満足することができない問題があつた。以
下、その理由を簡単に説明する。
なイオン種を除去するために高質量分解能を持つだけで
なく、ビーム集束性能に悪影響を与えないことが要求さ
れる。一般に、この質量分離器として用いられているＥ
×Ｂマスフイルターは、光学系を直線配置可能とし、設
計や軸合せを容易にする利点があつた。しかし、Ｅ×Ｂ
マスフイルターではその色収差のため上記２つの要求を
同時に十分満足することができない問題があつた。以
下、その理由を簡単に説明する。
（Ｅ×Ｂマスフイルターを使用した例としては、石谷ら
の「液体金属イオン源を有する質量分離マイクロビーム
システム」（“Mass−Separated Microbeam System wit
h a Liquid−Metal−Ion Source"Nucl.Instr.and Meth.
218（1983）363））がある。
の「液体金属イオン源を有する質量分離マイクロビーム
システム」（“Mass−Separated Microbeam System wit
h a Liquid−Metal−Ion Source"Nucl.Instr.and Meth.
218（1983）363））がある。
まず、Ｅ×Ｂマスフイルターの動作原理を第２図を用い
て説明する。Ｅ×Ｂマスフイルターの基本構成要素は、
イオン光軸１に対し互いに垂直な方向の電場Ｅと磁場Ｂ
を発生する一対の電極8a,8bと一対の磁極9a,9b（9bは図
示されない）とからなるＥ×Ｂ偏向器12、およびその後
段の質量分離用絞り10である。加速電圧V0でイオン光軸
１から入射したイオンは、その質量が次の条件を満たす
とき直進し、質量分離絞り10の開口を通過できる。
て説明する。Ｅ×Ｂマスフイルターの基本構成要素は、
イオン光軸１に対し互いに垂直な方向の電場Ｅと磁場Ｂ
を発生する一対の電極8a,8bと一対の磁極9a,9b（9bは図
示されない）とからなるＥ×Ｂ偏向器12、およびその後
段の質量分離用絞り10である。加速電圧V0でイオン光軸
１から入射したイオンは、その質量が次の条件を満たす
とき直進し、質量分離絞り10の開口を通過できる。
（2eV0/m）12＝E/B …（１） 一方、質量がΔｍだけ異なるイオンは、絞り10上で光軸
１より電場Ｅ方向へΔxmだけ偏向される。
１より電場Ｅ方向へΔxmだけ偏向される。
Δxm＝（Δm/m）（E/V0）Lm（Ld＋Lm/2）/4 …（２） また、イオン源の初期エネルギー分布幅がΔＶあると、
質量ｍのイオンも同様にΔxc偏向される。
質量ｍのイオンも同様にΔxc偏向される。
これは、加速電圧が低い場合や、イオン源がエネルギー
幅の大きい液体金属イオン源の場合に重要となる。
幅の大きい液体金属イオン源の場合に重要となる。
Δxc＝（ΔV/V0）（E/V0）Lm（Ld＋Lm/2）/4 …（３） 上式（２）から、Ｅ×Ｂマスフイルターの質量分解能
（m/Δｍ）は次式で定義できる。
（m/Δｍ）は次式で定義できる。
（m/Δｍ）Lm/rA（E/V0）（Ld/Lm/2）/4 …（４） 但し、rAは、絞り10の開口の幅である。
また、入射イオンビームの有限な開角により、絞り10上
ではビームが幅をもつため質量分解能には上限がある、
（（４）式においてrAｄとしたとき。ｄはビーム幅）
従つて、Ｅ×Ｂマスフイルターの質量分解能は、前段の
光学系に影響を受ける。
ではビームが幅をもつため質量分解能には上限がある、
（（４）式においてrAｄとしたとき。ｄはビーム幅）
従つて、Ｅ×Ｂマスフイルターの質量分解能は、前段の
光学系に影響を受ける。
実際のイオンマイクロビーム装置内でのＥ×Ｂマスフイ
ルターの使用状態を示す第３図により、前記の問題点を
説明する。第３図（ａ），（ｂ）は夫夫、図示しない前
段のレンズにより入射イオンビーム15をＥ×Ｂ偏向器12
の中央面21上に集束した場合（ｂ）と、質量分離絞り10
上に集束した場合（ａ）である。
ルターの使用状態を示す第３図により、前記の問題点を
説明する。第３図（ａ），（ｂ）は夫夫、図示しない前
段のレンズにより入射イオンビーム15をＥ×Ｂ偏向器12
の中央面21上に集束した場合（ｂ）と、質量分離絞り10
上に集束した場合（ａ）である。
（ａ）の場合、（３）式のΔxcによりビーム16は18のよ
うにわずか拡がるが、集束点13での色収差は打消される
ためビーム集束性能に悪影響はない。（この点について
は、例えば特開昭59−7550号公報に詳述されている。）
しかし、質量分解能はかなり小さい。（ｂ）の場合、
（３）式のΔxcは集束点13,13′での色収差となり、ビ
ーム集束性能が著しく低下する。特に、Δxcが、ビーム
開角に依存しないため、レンズ４の後に絞りを入れても
除去できない。但し、質量分離絞り10上でビーム集束し
ており、ビーム径がΔxcと同程度であるため、（ａ）の
場合と比べると質量分解能は大きい。
うにわずか拡がるが、集束点13での色収差は打消される
ためビーム集束性能に悪影響はない。（この点について
は、例えば特開昭59−7550号公報に詳述されている。）
しかし、質量分解能はかなり小さい。（ｂ）の場合、
（３）式のΔxcは集束点13,13′での色収差となり、ビ
ーム集束性能が著しく低下する。特に、Δxcが、ビーム
開角に依存しないため、レンズ４の後に絞りを入れても
除去できない。但し、質量分離絞り10上でビーム集束し
ており、ビーム径がΔxcと同程度であるため、（ａ）の
場合と比べると質量分解能は大きい。
以上述べたように、従来のＥ×Ｂマスフイルターでは、
その色収差を除去し、高質量分解能と高ビーム集束性能
とを同時に充分満足することはできなかつた。
その色収差を除去し、高質量分解能と高ビーム集束性能
とを同時に充分満足することはできなかつた。
この問題点に対する一案として、４段の磁場フイルター
からなる質量分離器を採用した例がある。この方法で
は、色収差を打消すことができ、質量分離用絞り上でビ
ームを集束させることが可能で、高質量分解能を得られ
る可能性がある。しかし、イオン軌道を磁場により直線
から大きくずらしたことで、非点収差が大きくなつてい
ることや（非点補正器が前後段に必要となる。）、質量
分解能が質量分離絞りの開口の大きさだけでなくその位
置に大きく依存するため、その設定が煩雑であることが
難点となつている。また、この質量分離器では、磁場は
可変でなければならないため、小型化の難しい電磁石を
使う必要がある。
からなる質量分離器を採用した例がある。この方法で
は、色収差を打消すことができ、質量分離用絞り上でビ
ームを集束させることが可能で、高質量分解能を得られ
る可能性がある。しかし、イオン軌道を磁場により直線
から大きくずらしたことで、非点収差が大きくなつてい
ることや（非点補正器が前後段に必要となる。）、質量
分解能が質量分離絞りの開口の大きさだけでなくその位
置に大きく依存するため、その設定が煩雑であることが
難点となつている。また、この質量分離器では、磁場は
可変でなければならないため、小型化の難しい電磁石を
使う必要がある。
本発明の目的は、高質量分解能を持ち、かつビームへ与
える色収差の小さな質量分離器を備えたイオンクマイク
ロビーム装置を提供することにある。
える色収差の小さな質量分離器を備えたイオンクマイク
ロビーム装置を提供することにある。
本発明は、上記目的管を達成するために、イオンマイク
ロビーム装置において、ビーム集束系内の任意の２段の
レンズ間にＥ×Ｂ偏向器を４段配置し、上記４段のＥ×
Ｂ偏向器のうち、イオン源側から数えて２段目と３段目
のＥ×Ｂ偏向器の発生する電場および磁場を１段目のＥ
×Ｂ偏向器のそれとをそれぞれ平行で逆向きとし、かつ
４段目のＥ×Ｂ偏向器のそれと１段目のＥ×Ｂ偏向器の
それとをそれぞれ平行で同じ向きとしたものと、上記４
段のＥ×Ｂ偏向器のイオン源側から数えて２段目と３段
目のＥ×Ｂ偏向器の間の質量分離用絞りとで構成される
質量分離器を備えたことを特徴としている。
ロビーム装置において、ビーム集束系内の任意の２段の
レンズ間にＥ×Ｂ偏向器を４段配置し、上記４段のＥ×
Ｂ偏向器のうち、イオン源側から数えて２段目と３段目
のＥ×Ｂ偏向器の発生する電場および磁場を１段目のＥ
×Ｂ偏向器のそれとをそれぞれ平行で逆向きとし、かつ
４段目のＥ×Ｂ偏向器のそれと１段目のＥ×Ｂ偏向器の
それとをそれぞれ平行で同じ向きとしたものと、上記４
段のＥ×Ｂ偏向器のイオン源側から数えて２段目と３段
目のＥ×Ｂ偏向器の間の質量分離用絞りとで構成される
質量分離器を備えたことを特徴としている。
かかる本発明の特徴的な構成により、イオンマイクロビ
ーム装置における質量分離器において質量分離絞り上に
ビームを集束して質量分解能を最大にした状態で、色収
差を生じさせないことが可能となる。
ーム装置における質量分離器において質量分離絞り上に
ビームを集束して質量分解能を最大にした状態で、色収
差を生じさせないことが可能となる。
以下、本発明の原理について、第５図を用いて簡単に説
明する。
明する。
第５図は、本発明のイオンマイクロビーム装置における
質量分離器の略図である。４段のＥ×Ｂ偏向器12a,12b,
12c,12dにおいて、磁場Bn,電場Enの向きを図示の通りと
し、その大きさの関係を次のようにする。
質量分離器の略図である。４段のＥ×Ｂ偏向器12a,12b,
12c,12dにおいて、磁場Bn,電場Enの向きを図示の通りと
し、その大きさの関係を次のようにする。
これにより、イオン光軸１上を通つて本図の質量分離器
に入射した質量m,加速エネルギーｅV0のイオンは、イオ
ン光軸１上を直進し、イオン光軸１上にある質量用分離
絞り10の開口を通過する。ここで、Ｅ×Ｂ偏向器12a,12
b,12c,12dのイオン光軸１方向の長さを、それぞれL1，L
2，L3，L4とし、Ｅ×Ｂ偏向器12aと12bの中央面の間隔
をL12とし、Ｅ×Ｂ偏向器12cと12dの中央面の間隔をI34
とする。
に入射した質量m,加速エネルギーｅV0のイオンは、イオ
ン光軸１上を直進し、イオン光軸１上にある質量用分離
絞り10の開口を通過する。ここで、Ｅ×Ｂ偏向器12a,12
b,12c,12dのイオン光軸１方向の長さを、それぞれL1，L
2，L3，L4とし、Ｅ×Ｂ偏向器12aと12bの中央面の間隔
をL12とし、Ｅ×Ｂ偏向器12cと12dの中央面の間隔をI34
とする。
さらに、 E1L1＝E2L2 …（６） E3L3＝E4L4 …（７） E1L1L12＝E3L3L34 …（８） とする。
上記質量ｍのイオンとΔｍだけ質量の異なるイオンは同
一条件下で、Ｅ×Ｂ偏向器の12a,12bにより質量分離絞
り10上で電場E2の方向（向きではない。）へ、 だけ偏向されるので、質量分離絞り10により質量分離さ
れる。
一条件下で、Ｅ×Ｂ偏向器の12a,12bにより質量分離絞
り10上で電場E2の方向（向きではない。）へ、 だけ偏向されるので、質量分離絞り10により質量分離さ
れる。
一方、イオン源からの放出時の初期エネルギー分布によ
り、加速エネルギーがｅ（V0＋ΔＶ）である質量ｍのイ
オンは同一入射条件下で、Ｅ×Ｂ偏向器12a,12bにより
質量分離絞り10上で電場E2の方向へ、 だけわずかに偏向されるが、質量分離絞り10の開口をΔ
xcより大きくしておくと、このイオンは開口を通過し、
Ｅ×Ｂ偏向器12cと12dによつてイオン光軸１上に軌道が
戻される。従つて、この質量分離器の後段では、質量分
離器による色収差はない。すなわち、図示しない前後の
レンズにより、質量分離絞り10上で入射イオンビームを
集束させるとき、この質量分離器の質量分解能は最大
で、 となり、かつその色収差がなくなる。
り、加速エネルギーがｅ（V0＋ΔＶ）である質量ｍのイ
オンは同一入射条件下で、Ｅ×Ｂ偏向器12a,12bにより
質量分離絞り10上で電場E2の方向へ、 だけわずかに偏向されるが、質量分離絞り10の開口をΔ
xcより大きくしておくと、このイオンは開口を通過し、
Ｅ×Ｂ偏向器12cと12dによつてイオン光軸１上に軌道が
戻される。従つて、この質量分離器の後段では、質量分
離器による色収差はない。すなわち、図示しない前後の
レンズにより、質量分離絞り10上で入射イオンビームを
集束させるとき、この質量分離器の質量分解能は最大
で、 となり、かつその色収差がなくなる。
ｄは、この質量分離器がない場合の、質量分離分離絞り
10の位置での入射イオンビームのビーム径である。ま
た、rAは質量分離絞り10の開口の大きさである。
10の位置での入射イオンビームのビーム径である。ま
た、rAは質量分離絞り10の開口の大きさである。
以下、本発明の実施例を第４図，第５図を用いて説明す
る。
る。
〈実施例１〉 第４図は、本発明の実施例の一つで、ビーム集束系内の
２段のレンズ３および４の間に、大きさの等しい４段の
Ｅ×Ｂ偏向器12a,12b,12c,12dとイオン光軸１上に開口
を持つ質量分離絞り10とで構成される質量分離器18を備
えたイオンマイクロビーム装置を示している。
２段のレンズ３および４の間に、大きさの等しい４段の
Ｅ×Ｂ偏向器12a,12b,12c,12dとイオン光軸１上に開口
を持つ質量分離絞り10とで構成される質量分離器18を備
えたイオンマイクロビーム装置を示している。
本実施例において、レンズ３は、イオンビーム15を質量
分離絞り10上の焦点13に集束するよう調整され、またレ
ンズ４は、質量分離絞り10上の焦点13の像を試料台６上
の焦点13′に投影するよう調整されている。
分離絞り10上の焦点13に集束するよう調整され、またレ
ンズ４は、質量分離絞り10上の焦点13の像を試料台６上
の焦点13′に投影するよう調整されている。
本実施例における質量分離器18内の電場，磁場は、第５
図に示されるような向きに形成されており、E1＝E2＝E3
＝E4≡E,B1＝B2＝B3＝B4≡Ｂとなるよう調整されてい
る。ここで、磁極20a,20b,20c,20dは、全て永久磁石で
形成されており、磁場の大きさＢは固定され、イオン種
の選択は電場の大きさＥを変えることで行う。従つて、
質量が であるイオンのみを（記号の定義は（６）式に同じ）イ
オン光軸１上を直進させ、質量分解能として で質量分離することが可能である。イオン源からの放出
時の初期エネルギー分布による質量分離絞り10上での広
がりΔxcは、質量分離器を出るときには元に戻る、具体
的な数値を上げると、Ｂ＝0.5T,L1＝25mm,L12＝40mm,V0
＝100KV,ΔＶ＝20V,d＝１μｍとすると、イオン源の初
期エネルギー分布ΔＶによる質量分解絞り10でのビーム
拡がりΔxcはｍ＝71のとき、次のようになる。
図に示されるような向きに形成されており、E1＝E2＝E3
＝E4≡E,B1＝B2＝B3＝B4≡Ｂとなるよう調整されてい
る。ここで、磁極20a,20b,20c,20dは、全て永久磁石で
形成されており、磁場の大きさＢは固定され、イオン種
の選択は電場の大きさＥを変えることで行う。従つて、
質量が であるイオンのみを（記号の定義は（６）式に同じ）イ
オン光軸１上を直進させ、質量分解能として で質量分離することが可能である。イオン源からの放出
時の初期エネルギー分布による質量分離絞り10上での広
がりΔxcは、質量分離器を出るときには元に戻る、具体
的な数値を上げると、Ｂ＝0.5T,L1＝25mm,L12＝40mm,V0
＝100KV,ΔＶ＝20V,d＝１μｍとすると、イオン源の初
期エネルギー分布ΔＶによる質量分解絞り10でのビーム
拡がりΔxcはｍ＝71のとき、次のようになる。
質量分離絞り10の開口の大きさをrA＝５μｍとすると、
rA＞ｄ＋Δxcとなり質量分解能は と非常に高くなる。
rA＞ｄ＋Δxcとなり質量分解能は と非常に高くなる。
以上のように本実施例によれば、イオンマイクロビーム
装置における質量分離器を高質量分解能で色収差を生じ
ないため、ビーム集束性能向上の効果がある。また本実
施例では、質量分離装置に電磁石を使わないため質量分
離の高速制御、およびイオンマイクロビーム装置の小型
化と省電力化に効果がある。
装置における質量分離器を高質量分解能で色収差を生じ
ないため、ビーム集束性能向上の効果がある。また本実
施例では、質量分離装置に電磁石を使わないため質量分
離の高速制御、およびイオンマイクロビーム装置の小型
化と省電力化に効果がある。
本実施例においては、４段のＥ×Ｂ偏向器12a,12b,12c,
12dの大きさを同じにしたが、（６）〜（８）式の関係
を満たしていれば、大きさは４段とも違つていても効果
は同じである。
12dの大きさを同じにしたが、（６）〜（８）式の関係
を満たしていれば、大きさは４段とも違つていても効果
は同じである。
また本実施例においては、４段のＥ×Ｂ偏向器12a〜ｄ
の磁極を全て永久磁石により形成したが、電磁石で置き
換えるか、または補正用電磁石を加えても効果は同じで
ある。
の磁極を全て永久磁石により形成したが、電磁石で置き
換えるか、または補正用電磁石を加えても効果は同じで
ある。
また本実施例においては、質量分離絞り10の開口をイオ
ン光軸１に設けているが、電場E1方向に位置をわずかに
ずらしても、高質量分解能や色収差除去の効果は変わら
ない。
ン光軸１に設けているが、電場E1方向に位置をわずかに
ずらしても、高質量分解能や色収差除去の効果は変わら
ない。
本発明によれば、イオンマイクロビーム装置において、
質量分離器を高質量分解能で、かつ色収差の小さいもの
とできるため、イオンマイクロビーム装置の性能向上
（ビーム純度の向上、及びビーム集束性能の向上）に効
果がある。
質量分離器を高質量分解能で、かつ色収差の小さいもの
とできるため、イオンマイクロビーム装置の性能向上
（ビーム純度の向上、及びビーム集束性能の向上）に効
果がある。
また本発明によれば、イオンマイクロビーム装置におい
て、質量分離器に電磁石を使わないことも可能なため、
その小型化，省電力化にも効果がある。
て、質量分離器に電磁石を使わないことも可能なため、
その小型化，省電力化にも効果がある。
第１図は従来のイオンマイクロビーム装置の光学系の縦
断面図、第２図はＥ×Ｂマスフイルターの原理を示す略
図、第３図はＥ×Ｂマスフイルターの動作モードを説明
する略図、第４図は本発明のイオンマイクロビーム装置
の光学系の縦断面図、第５図は本発明の質量分離装置の
動作を説明する略図である。 １…イオン光軸、２…高輝度イオン源、３…対物静電レ
ンズ、４…集束静電レンズ、５…静電偏向器、６…試料
台、７…Ｅ×Ｂフイルター、8a,8b…電極、9a…磁極、1
0…質量分離用絞り、11…絞り、12,12a,12b,12c,12d…
Ｅ×Ｂ偏向器、13,13′…像点、14…物点、15,16,17…
イオンビーム、18…質量分離器、19a,19b,19c,19d,19
a′,19b′,19c′,19d′…電極、20a,20b,20c,20d…磁
極、21…Ｅ×Ｂ偏向器の中央面。
断面図、第２図はＥ×Ｂマスフイルターの原理を示す略
図、第３図はＥ×Ｂマスフイルターの動作モードを説明
する略図、第４図は本発明のイオンマイクロビーム装置
の光学系の縦断面図、第５図は本発明の質量分離装置の
動作を説明する略図である。 １…イオン光軸、２…高輝度イオン源、３…対物静電レ
ンズ、４…集束静電レンズ、５…静電偏向器、６…試料
台、７…Ｅ×Ｂフイルター、8a,8b…電極、9a…磁極、1
0…質量分離用絞り、11…絞り、12,12a,12b,12c,12d…
Ｅ×Ｂ偏向器、13,13′…像点、14…物点、15,16,17…
イオンビーム、18…質量分離器、19a,19b,19c,19d,19
a′,19b′,19c′,19d′…電極、20a,20b,20c,20d…磁
極、21…Ｅ×Ｂ偏向器の中央面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 一二三 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−39748（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】イオン源と、上記イオン源からの放出イオ
ンの加速，集束，質量分離，偏向を行うビーム集束系
と、試料の微動操作を行う試料台とから構成されるイオ
ンマイクロビーム装置において、 上記ビーム集束系内に少なくとも２段の集束レンズを設
け、かつ上記集束レンズのうち任意の２段のレンズの間
に、イオン光軸に対し互いに垂直な方向の電場と磁場を
発生する一対の電極と一対の磁極から構成されるＥ×Ｂ
偏向器を４段配置し、上記４段のうち前記イオン源側か
ら数えて２段目および３段目のＥ×Ｂ偏向器の発生する
電場および磁場を１段目のＥ×Ｂ偏向器の発生する電場
および磁場と夫々平行で逆向きとし、かつ４段目のＥ×
Ｂ偏向器の発生する電場および磁場は１段目のＥ×Ｂ偏
向器の発生する電場および磁場と夫々平行で同じ向きと
し、上記４段のＥ×Ｂ偏向器のイオン源側から数えて２
段目と３段目のＥ×Ｂ偏向器の間にあつて質量分離器を
備えたことを特徴とするイオンマイクロビーム装置。 - 【請求項２】上記４段のＥ×Ｂ偏向器の磁極が全て永久
磁石よりなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のイオンマイクロビーム装置。
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