JPH058567B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はホトレジストパターンの形成方法、と
くにシリコン基板上に形成された酸化シリコン膜
等の薄膜に傾斜のついた側壁を持つた開口部を形
成するために、この薄膜の上に塗布されたホトレ
ジストの開口部において、側壁が傾斜を持つホト
レジストパターンを形成する方法に関するもので
ある。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a method for forming a photoresist pattern, particularly for forming an opening having an inclined sidewall in a thin film such as a silicon oxide film formed on a silicon substrate. The present invention relates to a method of forming a photoresist pattern having sloped sidewalls in the openings of the photoresist coated on the thin film.
従来の技術
モノリシツク半導体装置において金属配線層を
形成する場合、コンタクト窓等の断差部分で金属
配線層に断切れがおこりやすい。このため、断差
部分の側壁を傾斜面とし断切れを防ぐ、所謂ステ
ツプカバレツジを良くする方法がよくとられてい
る。この側壁をを傾斜面としたコンタクト窓等を
形成するため、コンタクト窓を形成するためのレ
ジストパターン開口部の側壁を傾斜面とする方法
がよくとられている。2. Description of the Related Art When forming a metal wiring layer in a monolithic semiconductor device, breaks tend to occur in the metal wiring layer at gaps such as contact windows. For this reason, a method is often used to improve so-called step coverage by making the side walls of the difference portions sloped surfaces to prevent breakage. In order to form a contact window or the like in which the side wall is an inclined surface, a method is often adopted in which the side wall of the resist pattern opening for forming the contact window is formed into an inclined surface.
従来、側壁を傾斜面とした、この種のホトレジ
ストパターンの形成は、第２図に示すような形成
方法によつて、おこなわれていた。まず、シリコ
ン基板１を覆う酸化シリコン膜２の上の全域にホ
トレジスト膜３を形成したのち、縮小投影露光装
置を用いた露光とこれに続く現像処理を経て垂直
な側壁を持つ開口部４をホトレジストに形成して
第２図ａで示す状態を得、次いでこのホトレジス
トパターンに、所定温度で所定時間にわたる熱処
理を施す。この熱処理によりレジストにフローが
おこり、第２図ｂに示すように、側壁が傾斜面を
呈する開口部５が形成される。このように開口部
の側壁を傾斜面としたホトレジストをマスクとし
てホトレジスト膜と酸化シリコン膜に対するエツ
チングレートを等しく、かつ、異方性エツチング
の条件で反応性イオン・エツチングを施すことに
より、第３図に示すような側壁が傾斜面とされた
コンタクト窓６が酸化シリコン膜２に形成され
る。このようなコンタクト窓をもつ半導体装置に
金属配線層を形成するならば断差部が傾斜面とな
つているため断切れがなくなり、金属配線層のス
テツプカバレツジを良好に保つことができる。 Conventionally, this type of photoresist pattern having sloped side walls has been formed by a forming method as shown in FIG. First, a photoresist film 3 is formed over the entire area of a silicon oxide film 2 covering a silicon substrate 1, and then an opening 4 having vertical side walls is formed using a photoresist film through exposure using a reduction projection exposure device and subsequent development processing. This photoresist pattern is then subjected to a heat treatment at a predetermined temperature for a predetermined time. This heat treatment causes a flow in the resist, and as shown in FIG. 2b, an opening 5 having an inclined side wall is formed. By using the photoresist with the side wall of the opening as a sloped surface as a mask and performing reactive ion etching with the same etching rate for the photoresist film and the silicon oxide film and under anisotropic etching conditions, the etching process shown in FIG. A contact window 6 having a sloped sidewall as shown in FIG. 2 is formed in the silicon oxide film 2. If a metal wiring layer is formed in a semiconductor device having such a contact window, there will be no discontinuity because the difference portion is an inclined surface, and good step coverage of the metal wiring layer can be maintained.
発明が解決しようとする問題点
しかし、このような従来のホトレジストパター
ンの形成方法では、熱処理によりレジスト全体を
フローさせてパターンの形成がなされるため、側
壁の傾斜角度およびレジスト開口部の幅（パター
ン幅）を制御することが困難であつた。Problems to be Solved by the Invention However, in such conventional methods of forming photoresist patterns, the pattern is formed by causing the entire resist to flow through heat treatment. It was difficult to control the width.
因に、第４図ａに示すように、周囲の多量のレ
ジストが存在するレジスト開口部７および周囲に
少量レジストが存在するレジスト開口部８をもつ
レジスト層に熱処理を施すと、第４図ｂで示すよ
うに側壁が傾斜面を呈するレジスト開口部９およ
び１０が形成されるものの、開口部周辺のレジス
トの量により熱処理にともない開口部へ流れだす
レジストの量が異なるために、周囲に多量のレジ
ストが存在する開口部９では側壁の傾斜がゆるや
かで、パターン幅が狭くなり、一方、周囲に少量
のレジストが存在する開口部１０では側壁の傾斜
が急峻で、パターン幅はあまり変化しないレジス
トパターンとなる。またこの方法では、すべての
開口部において、レジストが流れるため、特定の
開口部の側壁のみを傾斜のついた面形状とする選
択的な加工を施すことはできなかつた。 Incidentally, when heat treatment is applied to a resist layer having a resist opening 7 with a large amount of resist surrounding it and a resist opening 8 with a small amount of resist surrounding it, as shown in FIG. 4a, the resist layer shown in FIG. Although resist openings 9 and 10 with sloped side walls are formed as shown in FIG. In the opening 9 where resist exists, the sidewall slope is gentle and the pattern width becomes narrow, whereas in the opening 10 where a small amount of resist exists around the sidewall, the sidewall slope is steep and the pattern width does not change much. becomes. Further, in this method, since the resist flows in all the openings, it is not possible to selectively process only the sidewalls of specific openings into a sloped surface shape.
問題点を解決するための手段
上記の問題点を解決するための本発明のホトレ
ジストパターンの形成方法は、基板上に形成され
たノボラツク系ホトレジスト膜に開口部を形成し
た後、少なくとも一部の端縁を含む前記開口部の
周囲近傍に位置する前記ホトレジスト膜部分を波
長が350nｍ以上450nｍ以下の紫外光で露光し、
さらに100℃以上150℃以下の温度で熱処理を施し
てホトレジストパターンを形成する方法である。Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems, the method for forming a photoresist pattern of the present invention includes forming an opening in a novolac-based photoresist film formed on a substrate, and then forming an opening in a novolak-based photoresist film formed on a substrate. exposing a portion of the photoresist film located near the periphery of the opening including the edge with ultraviolet light having a wavelength of 350 nm or more and 450 nm or less;
In this method, a photoresist pattern is formed by further performing heat treatment at a temperature of 100° C. or higher and 150° C. or lower.
作 用
この方法によれば、レジスト開口部の周辺に位
置し、紫外光で露光されたレジストのみが熱処理
によつてフローする。したがつて、紫外光による
露光に選択性をもたせるならば特定の開口部の側
壁にのみ傾斜の付与されたホトレジストパターン
を形成することができる。Effect According to this method, only the resist located around the resist opening and exposed to ultraviolet light flows due to the heat treatment. Therefore, if the exposure with ultraviolet light is made selective, it is possible to form a photoresist pattern that is sloped only on the sidewalls of specific openings.
実施例
以下に、本発明のホトレジストパターンの形成
方法の一実施例を第１図を参照して説明する。EXAMPLE An example of the method for forming a photoresist pattern of the present invention will be described below with reference to FIG.
まず、第１図ａに示すように、シリコン基板１
１上に熱酸化法を用いて酸化シリコン膜１２を成
長させ、同酸化シリコン膜１２の上に東京応化製
のノボラツク系ホトレジスト（品番OFPR800）
を塗布してホトレジスト膜１３を形成し、縮小投
影露光装置を用いた露光と、これに続く現像処理
により、ホトレジスト膜１３にレジスト開口部１
４を形成する。露光装置として縮小投影露光装置
を用いているのでレジスト開口部１４は、側壁が
垂直に近い断面形状になる。 First, as shown in FIG. 1a, a silicon substrate 1
A silicon oxide film 12 is grown on the silicon oxide film 12 using a thermal oxidation method, and a novolak-based photoresist manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd. (product number OFPR800) is grown on the silicon oxide film 12.
is applied to form a photoresist film 13, and resist openings 1 are formed in the photoresist film 13 through exposure using a reduction projection exposure device and subsequent development treatment.
form 4. Since a reduction projection exposure device is used as the exposure device, the resist opening 14 has a cross-sectional shape in which the side walls are nearly vertical.
次に第２図ｂに示すように、ホトレジスト膜１
３の上部に、レジスト開口部１４を包含し、か
つ、レジスト開口部１４より広い所定領域に対向
する領域が透明なホトマスク１５を配置し、縮小
投影露光装置により、波長が430nｍの紫外光１
６で露光を行う。ホトレジスト膜１３の中で、紫
外光で露光された部分は、非露光部に比べて耐熱
性が低下する。この後、130℃で30分間の熱処理
を施すことにより、レジスト開口部１４の周辺近
傍にあり紫外光で照射された領域のホトレジスト
が流れ出す。この結果、第１図ｃで示すように側
壁を傾斜面とされたレジスト開口部１７が形成さ
れる。 Next, as shown in FIG. 2b, the photoresist film 1
A photomask 15 that covers the resist opening 14 and has a transparent area facing a predetermined area wider than the resist opening 14 is placed on top of the resist opening 14, and a reduction projection exposure device emits ultraviolet light 1 with a wavelength of 430 nm.
Exposure is performed in Step 6. In the photoresist film 13, the portions exposed to ultraviolet light have lower heat resistance than the unexposed portions. Thereafter, by performing heat treatment at 130° C. for 30 minutes, the photoresist in the area near the periphery of the resist opening 14 and irradiated with ultraviolet light flows out. As a result, a resist opening 17 having an inclined side wall is formed as shown in FIG. 1c.
なお、上記のノボラツク系ホトレジストの紫外
光で露光されない部分は130℃で30分間の熱処理
に対しては、充分な耐熱性を持つているが、150
℃で30分間の熱処理にたいしては、耐熱性が少し
劣化し、わずかにレジストがフローし始める。一
方、紫外光で露光された部分の耐熱性は、120℃
にまで低下し、130℃で30分間の熱処理によりフ
ローする。したがつて、上記のように130℃で30
分間の熱処理条件の下では、レジスト開口部１４
周辺に位置し、紫外光で露光されたレジスト部分
のみがフローし、非露光部のレジストは熱変形し
ない。このため選択された開口部の側壁のみを傾
斜した面形状とすることができる。また、開口部
周辺にあるレジスト層の紫外光領域の広さを制御
することにより、形成される側壁面の傾斜角度と
レジスト開口部のパターン幅を高い精度で制御で
きる。 The part of the above-mentioned novolak photoresist that is not exposed to ultraviolet light has sufficient heat resistance for heat treatment at 130°C for 30 minutes;
When heat treated at ℃ for 30 minutes, the heat resistance deteriorates a little and the resist starts to flow slightly. On the other hand, the heat resistance of the part exposed to ultraviolet light is 120℃.
It flows after heat treatment at 130℃ for 30 minutes. Therefore, as mentioned above, at 130℃
Under the heat treatment condition for 1 minute, the resist opening 14
Only the resist portions located at the periphery and exposed to ultraviolet light flow, and the resist in non-exposed portions is not thermally deformed. Therefore, only the side wall of the selected opening can have an inclined surface shape. Furthermore, by controlling the width of the ultraviolet light region of the resist layer around the opening, the inclination angle of the formed sidewall surface and the pattern width of the resist opening can be controlled with high precision.
さらに、ホトマスク１５のパターンの設定によ
り特定の開口パターンの周辺のみを選択的に露光
することにより、レジストパターンの特定の開口
部の側壁のみを傾斜のついた側壁形状とすること
ができる。 Further, by selectively exposing only the periphery of a specific opening pattern by setting the pattern of the photomask 15, only the sidewall of the specific opening in the resist pattern can be formed into a sloped sidewall shape.
このようにして、開口部の側壁が傾斜面とされ
たレジストパターンを使つて反応性イオン・エツ
チング（RIE）により、ホトレジスト膜と酸化シ
リコン膜に対するエツチングレートが等しく、か
つ、異方性のエツチング処理を施すことにより、
第３図に示したようなレジストパターンと相似な
コンタクト窓を酸化シリコン膜に形成することが
できる。 In this way, by reactive ion etching (RIE) using a resist pattern in which the sidewalls of the openings are sloped, the etching rate is equal for the photoresist film and the silicon oxide film, and an anisotropic etching process is performed. By applying
A contact window similar to the resist pattern shown in FIG. 3 can be formed in the silicon oxide film.
なお、以上の説明ではノボラツク系ホトレジス
トとして東京応化製のノボラツク系ホトレジスト
（品番OFPR800）を例示したが、シプレー社製の
ノボラツク系ホトレジスト（品番AZ1350Jあるい
はAZ2400）など他の製品を用いることもできる。
実験によると、AZ1350JあるいはAZ2400では、
紫外光により露光されないレジスト部分は150℃
で30分間の熱処理によりわずかフローし始め、一
方、紫外光で露光されたレジスト部分は100℃で
30分間の熱処理によりフローし始めることが確認
された。よつて、紫外光で露光した後の熱処理温
度は、レジストの種類と側壁傾斜角度にあわせて
100℃以上150℃以下に設定するのが適当である。
なお、露光するレジスト領域が広く、熱処理温度
が高いほど、レジストは流れやすくなり側壁傾斜
角度は小さくなる傾向を示す。したがつて、側壁
傾斜角度は熱処理温度および露光する開口部周辺
のレジストの広さにより制御できる。 In the above explanation, the novolak photoresist manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd. (product number OFPR800) was used as an example of the novolak photoresist, but other products such as the novolak photoresist manufactured by Shipley (product number AZ1350J or AZ2400) can also be used.
According to experiments, in AZ1350J or AZ2400,
Resist areas not exposed to UV light at 150℃
After 30 minutes of heat treatment at
It was confirmed that the material began to flow after 30 minutes of heat treatment. Therefore, the heat treatment temperature after exposure to ultraviolet light depends on the type of resist and the sidewall inclination angle.
It is appropriate to set the temperature to 100°C or higher and 150°C or lower.
Note that the wider the exposed resist area and the higher the heat treatment temperature, the easier the resist will flow and the sidewall inclination angle will tend to become smaller. Therefore, the sidewall inclination angle can be controlled by the heat treatment temperature and the width of the resist around the exposed opening.
なお、紫外光で露光されるレジスト領域の選択
を、ホトマスクにより行う例を述べたが、紫外線
のビームで直接的にレジストに選択露光させても
よい。 Although an example has been described in which the resist regions to be exposed to ultraviolet light are selected using a photomask, the resist may be selectively exposed directly to a beam of ultraviolet light.
発明の効果
以上のように本発明のホトレジストパターンの
形成方法によれば、熱処理条件および紫外光で露
光する開口部周辺のレジスト領域の広さの制御に
より開口部周辺のレジスト量に関係なく側壁傾斜
角度およびパターン幅が高い精度で制御されたレ
ジスト開口部をもつレジストパターンを形成する
ことができる。しかも、レジストパターン中のす
べてのレジスト開口部の側壁を傾斜面とすること
は勿論のこと、特定のレジスト開口部の側壁のみ
を傾斜面とすることができるため、金属配線層の
断切れ防止をはかる必要のある箇所は側壁傾斜角
度をゆるくし、パターン幅の精度が必要な箇所
は、側壁傾斜角度を急峻にするか、あるいは、傾
斜を付けないようにしたレジストパターンを形成
することができる。Effects of the Invention As described above, according to the method for forming a photoresist pattern of the present invention, by controlling the heat treatment conditions and the width of the resist area around the opening exposed to ultraviolet light, the sidewall slope can be increased regardless of the amount of resist around the opening. A resist pattern having a resist opening whose angle and pattern width are controlled with high precision can be formed. Moreover, not only can the sidewalls of all resist openings in the resist pattern be sloped surfaces, but also only the sidewalls of specific resist openings can be sloped, which helps prevent disconnection of the metal wiring layer. A resist pattern can be formed in which the sidewall inclination angle is made gentler in areas where measurement is required, and the sidewall inclination angle is made steeper in areas where precision in pattern width is required, or where there is no inclination.
第１図は本発明のホトレジストパターンの形成
方法を説明するための処理工程図、第２図は従来
のレジストパターンの形成方法を説明するための
処理工程図、第３図は側壁が傾斜面とされたレジ
ストパターンを用いて形成した酸化シリコン膜の
コンタクト窓を表わす断面図、第４図は従来の形
成方法において、開口部周辺のレジストの量によ
り開口部のレジストパターンが変化することを説
明するための断面図である。
１１……シリコン基板、１２……酸化シリコン
膜、１３……ホトレジスト膜、１４……レジスト
開口部、１５……ホトマスク、１６……紫外光、
１７……側壁を傾斜面とされたレジスト開口部。
FIG. 1 is a process diagram for explaining the method of forming a photoresist pattern according to the present invention, FIG. 2 is a process diagram for explaining a conventional method for forming a resist pattern, and FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a contact window of a silicon oxide film formed using a resist pattern formed using a conventional method. FIG. 11...Silicon substrate, 12...Silicon oxide film, 13...Photoresist film, 14...Resist opening, 15...Photomask, 16...Ultraviolet light,
17...Resist opening whose side wall is an inclined surface.
Claims (1)
ト膜に開口部を形成した後、少なくとも一部の端
縁を含む前記開口部の周囲近傍に位置する前記ホ
トレジスト膜部分を、波長が350nｍ以上450nｍ
以下の紫外光で露光し、さらに100℃以上150℃以
下の温度で熱処理を施すことを特徴とするホトレ
ジストパターンの形成方法。1. After forming an opening in a novolac-based photoresist film formed on a substrate, a portion of the photoresist film located near the periphery of the opening, including at least a part of the edge, is heated with a wavelength of 350 nm or more and 450 nm.
A method for forming a photoresist pattern, which comprises exposing to the following ultraviolet light and further performing heat treatment at a temperature of 100°C or more and 150°C or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60006964A JPS61166130A (en) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | Formation of photoresist pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60006964A JPS61166130A (en) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | Formation of photoresist pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61166130A JPS61166130A (en) | 1986-07-26 |
| JPH058567B2 true JPH058567B2 (en) | 1993-02-02 |
Family
ID=11652888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60006964A Granted JPS61166130A (en) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | Formation of photoresist pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61166130A (en) |
Families Citing this family (7)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS63301521A (en) * | 1987-06-01 | 1988-12-08 | Nec Corp | Formation of pattern |
| JPH0427113A (en) * | 1990-04-23 | 1992-01-30 | Tadahiro Omi | Resist treatment device, resist treatment method, and resist pattern |
| US5096802A (en) * | 1990-11-09 | 1992-03-17 | Hewlett-Packard Company | Holes and spaces shrinkage |
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| WO2014127150A1 (en) * | 2013-02-15 | 2014-08-21 | Transphorm Inc. | Electrodes for semiconductor devices and methods of forming the same |
| CN106504981A (en) * | 2016-10-14 | 2017-03-15 | 电子科技大学 | A kind of method for preparing the controllable gentle slope micro structure of angle |
-
1985
- 1985-01-18 JP JP60006964A patent/JPS61166130A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61166130A (en) | 1986-07-26 |
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