KR0137610B1 - Method for forming a pattern for alignment measurement - Google Patents
Method for forming a pattern for alignment measurementInfo
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Abstract
본 발명은 양성감광막 및 음성감광막을 이용하여, 어미자 및 상기 어미자 상에 형성되는 아들자로 이루어지는 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 기판 상에 양성감광막 또는 음성감광막 중에서 선택된 제1감광막을 도포하고 저온굽기 공정을 실시한 후, 상기 제1감광막을 어미자 영역만을 노광하기 위한 마스크를 사용하여 어미자를 이루는 제1감광막 패턴을 형성한다 다음, 상기 제1감광막 패턴을 열처리하지 않고, 양성감광막 또는 음성감광막 중에서 상기 제1감광막으로 선택되지 않은 제2감광막을 상기 기판 상에 도포하고, 저온굽기 공정을 실시한 후, 아들자 영역만을 노광하기 위한 마스크를 사용하여 아들자를 이루는 제2감광막 패턴을 형성하는 방법이다. 이에 의해, 기판을 식각하는 공정을 생략할 수 있고, 오염을 방지할 수 있는 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴을 형성할 수 있다.The present invention relates to a method of forming a photosensitive film pattern for measuring a mask alignment error consisting of a mother and a son formed on the mother using a positive photosensitive film and a negative photosensitive film, and comprising a first photosensitive film selected from a positive photosensitive film or a negative photosensitive film on a substrate. After applying a low temperature baking process, the first photoresist film is formed using a mask for exposing only the mother region, thereby forming a first photoresist pattern forming a mother film. A method of forming a second photoresist pattern of a negative photoresist by forming a second photoresist pattern of a negative photoresist by applying a second photoresist film, which is not selected as the first photoresist film, onto the substrate, performing a low temperature baking process, and then using a mask for exposing only the sonography region to be. Thereby, the process of etching a board | substrate can be skipped and the photosensitive film pattern for mask alignment error measurement which can prevent a contamination can be formed.
Description
제1A 내지 제1C도는 각각 마스크 정렬 오차를 측정하기 위한 감광막 패턴을 형성하는데 이용되는 마스크의 평면도.1A to 1C are plan views of masks used to form photoresist patterns for measuring mask alignment errors, respectively.
제2A도 내지 제 2D는 종래의 양성감광막을 이용한 마스크 정렬 오차를 측정하기 위한 감광막 패턴 형성 공정 단면도.2A to 2D are cross-sectional views of a photosensitive film pattern forming process for measuring mask alignment error using a conventional positive photosensitive film.
제3A도 내지 제3C도는 종래의 음성감광막을 이용한 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴 형성 공정 단면도.3A to 3C are cross-sectional views of a photosensitive film pattern forming process for measuring mask alignment error using a conventional voice photosensitive film.
제4A도 내지 제4C도는 기판 식각 공정을 수반하지 않는, 종래의 양성감광막을 이용한, 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴 형성 공정 단면도.4A to 4C are cross-sectional views of a photosensitive film pattern forming process for measuring mask alignment error using a conventional positive photosensitive film, which does not involve a substrate etching process.
제5A도 내지 제5C도는 기판 식각 공정을 수반하지 않는, 종래의 양성감광막을 이용한, 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴 형성 공정 단면도.5A to 5C are cross-sectional views of a photoresist pattern forming process for measuring mask alignment error using a conventional positive photoresist film, which does not involve a substrate etching process.
제6A도 내지 제6C도는 본 발명의 일실시예에 따른 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴 형성 단면도.6A to 6C are cross-sectional views of a photosensitive film pattern for measuring mask alignment error according to an embodiment of the present invention.
제7A도 및 제7C도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴 형성 공정 단면도.7A and 7C are cross-sectional views of a photosensitive film pattern forming process for measuring mask alignment error according to another embodiment of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
60, 70 : 기판,61, : 양성감광막 패턴,60, 70: substrate, 61, positive photosensitive film pattern,
62, 71 : 어미자,63 : 양성감광막,62, 71: mother, 63: positive photosensitive film,
63', 72' : 아들자, 72 : 음성감광막63 ', 72': son, 72: voice photosensitive film
본 발명은 반도체 제조 방법에 관한 것으로, 특히 에칭공정 및 고온굽기 공정이 수반되지 않는, 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴 형성 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor, and more particularly, to a method of forming a photosensitive film pattern for measuring mask alignment error, which is not accompanied by an etching process and a high temperature baking process.
첨부된 도면중 제1A도 내지 제1C도는 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴을 형성하는데 이용되는 마스크의 평면도로서, 제1A도는 어미자 패턴 형성 마스크의 평면도이고, 제1B도 및 제1C도는 각각 양성감광막 및 음성감광막에 이용되는 아들자 패턴 형성 마스크의 평면도이다.1A to 1C in the accompanying drawings are plan views of a mask used to form a photoresist pattern for measuring mask alignment error, FIG. 1A is a plan view of a mother pattern forming mask, and FIGS. 1B and 1C are positive photoresist films, respectively. And a planar pattern of the son-child pattern forming mask used for the negative photosensitive film.
종래의 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴 형성 방법은 다음과 같이 양성감광막을 이용하는 경우와 음성감광막을 이용하는 경우로 나뉘어진다.Conventional photoresist pattern formation method for mask alignment error measurement is divided into the case of using a positive photosensitive film and the case of using a negative photosensitive film as follows.
먼저, 제2A도 내지 제2D를 참조하여 종래의 양성감광막을 이용한, 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴 형성 방법을 설명한다.First, a method of forming a photoresist pattern for measuring mask alignment error using a conventional positive photoresist film will be described with reference to FIGS. 2A to 2D.
먼저, 제2A도에 도시한 바와 같이 기판(20) 상에 양성감광막을 도포하고 저온굽기(soft bake) 공정을 실시한다. 이어서, 제1A도에 도시된 것과 같이, 어미자 영역만을 노광할 수 있도록 어미자 영역을 제외한 나머지 영역에 크롬막이 형성되어 있는 어미자 패턴 형성 마스크를 이용하여 양성감광막을 노광한다. 이어서, 양성감광막을 현상하고 어미자 영역을 노출하는 양성감광막 패턴(21)을 형성한 후, 상기 양성감광막 패턴(21)을 이후의 공정에서 식각방지막으로 사용하기 위하여 고온 굽기(hard bake) 공정을 실시한다.First, as shown in FIG. 2A, a positive photoresist film is coated on a substrate 20 and a soft bake process is performed. Subsequently, as shown in FIG. 1A, the positive photosensitive film is exposed using a mother pattern forming mask in which a chromium film is formed in the remaining regions except for the mother region so that only the mother region can be exposed. Subsequently, after the positive photoresist film is developed and the positive photoresist pattern 21 is formed to expose the mother region, a high temperature bake process is performed to use the positive photoresist pattern 21 as an etch stop layer in a subsequent process. do.
다음으로, 제2B도에 도시한 바와 같이 상기 양성감광막 패턴(21)을 식각방지막으로 사용하여 상기 기판(20)의 노출된 부분을 식각하여 기판(20)에 함몰된 어미자(22)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 2B, the exposed portion of the substrate 20 is etched using the positive photoresist pattern 21 as an etch stop layer to form a mother dam 22 recessed in the substrate 20. .
다음으로, 제2C도에 도시한 바와 같이 상기 양성감광막 패턴(21)을 제거하고, 어미자(22)가 형성된 기판(20)상에 양성감광막을 도포하고 저온굽기 공정을 실시한다.Next, as shown in FIG. 2C, the positive photosensitive film pattern 21 is removed, the positive photosensitive film is coated on the substrate 20 on which the mother 22 is formed, and a low temperature baking process is performed.
이어서, 제1B도에 도시된 것과 같이 아들자 영역을 제외한 나머지 영역을 노광하기 위하여 아들자 영역에만 크롬막이 형성된 아들자 현성 마스크를 이용하여 상기 양성감광막을 노광한다. 이어서, 상기 양성감광막을 현상하여 상기 어미자 내에 아들자(23) 패턴을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 1B, the positive photosensitive film is exposed by using an sonza directional mask in which a chromium film is formed only in the son region in order to expose the remaining regions other than the son region. Subsequently, the positive photoresist film is developed to form a son-child pattern in the mother.
제3A도 내지 제3C도를 참조하여 종래의 음성감광막을 이용한 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴 형성 방법을 설명한다.A photosensitive film pattern forming method for measuring mask alignment error using a conventional voice photosensitive film will be described with reference to FIGS. 3A to 3C.
먼저, 제3A도에 도시한 바와 같이 기판(30) 상에 음성감광막을 도포하고 저온굽기 공정을 실시한다. 이어서, 제1A도에 도식된 바와 같이, 어미자 영역만을 노광할 수 있도록 어미자 영역을 제외한 나머지 영역에 크롬막이 형성되어 있는, 어미자 패턴 형성 마스크를 이용하여 음성감광막을 노광한다. 이어서 음성감광막을 현상하여 어미자 영역상에 음성감광막 패턴(31)을 형성한 후, 상기 음성감광막 패턴(31)을 이후의 공정에서 식각방지막으로 사용하기 위하여 고온굽기 공정을 실시한다.First, as shown in FIG. 3A, a negative photosensitive film is applied onto the substrate 30 and a low temperature baking process is performed. Subsequently, as shown in FIG. 1A, the negative photosensitive film is exposed using a mother pattern forming mask in which a chromium film is formed in the remaining regions except for the mother region so that only the mother region can be exposed. Subsequently, the voice photoresist film is developed to form the voice photoresist pattern 31 on the mother region, and then a high temperature baking process is performed to use the voice photoresist pattern 31 as an etch stopper in a subsequent step.
다음으로, 제2B도에 도시한 바와 같이 상기 음성감광막 패턴(31)을 식각방지막으로 사용하여 기판(30)의 어미자 영역을 제외한 나머지 부분을 시각으로 제거하여 기판으로부터 돌출된 어미자(32)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 2B, the negative photoresist pattern 31 is used as an etch barrier to remove the remaining portions of the substrate 30 except for the mother region, thereby forming the mother portion 32 protruding from the substrate. do.
다음으로, 제3C도에 도시한 바와 같이 상기 음성감광막 패턴(31)을 제거하고, 어미자(32)가 형성된 기판(30) 상에 음성감광막을 도포하고 저온굽기 공정을 실시한다.Next, as shown in FIG. 3C, the negative photosensitive film pattern 31 is removed, the negative photosensitive film is coated on the substrate 30 on which the mother cap 32 is formed, and a low temperature baking process is performed.
이어서, 제1C도에 도시된 것과 같이 아들자 영역만을 노광하기 위하여 아들자 영역을 제외한 영역에만 크롬막이 형성된 아들자 형성 마스크를 이용하여 상기 음성감광막을 노광한다. 이어서, 상기 음성감광막을 현상하에 상기 어미자 상에 아들자(33) 패턴을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 1C, the negative photosensitive film is exposed using a sonitization mask in which a chromium film is formed only in an area except the sonar area in order to expose only the sonar area. Subsequently, under the development of the negative photosensitive film, a pattern of sons 33 is formed on the mother.
상기와 같이 이루어지는 종래의 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴 형성 방법은 기판을 식각하여야 하는 공정상의 어려움이 있었다.Conventional photoresist pattern formation method for measuring the mask alignment error made as described above has a difficulty in the process of etching the substrate.
상기와 같이 종래 기술에서 수반되는 기판 식각 공정을 피하기 위한, 종래의 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴 형성 방법을 제4도 및 제5도를 참조하여 설명한다.A method of forming a photosensitive film pattern for measuring a mask alignment error according to the related art for avoiding a substrate etching process according to the related art as described above will be described with reference to FIGS. 4 and 5.
제4A도 내지 제4C도는 기판 식각 공정을 수반하지 않는, 종래의 양성감광막을 이용한, 마스크 정렬 오차 측정을 위한 고분자 매트릭스 패턴 형성 공정 단면도이다.4A to 4C are cross-sectional views of a polymer matrix pattern forming process for measuring mask alignment error using a conventional positive photoresist film, which does not involve a substrate etching process.
먼저, 제4A도에 도시한 바와 같이 기판(40)상에 양성감광막을 도포하고 저온굽기 공정을 실시한다. 이어서, 제1A도에 도시된 것과 같이, 어미자 영역만을 노광할 수 있도록 어미자 영역을 제외한 나머지 영역에 크롬막이 형성되어 있는, 어미자 영역 패턴 형성 마스크를 이용하여 상기 양성감광막을 노광한다. 이어서, 양성감광막을 현상하여 양성감광막 패턴(41)을 형성하여, 상기 양성감광막 패턴(41)으로 둘러싸이는 어미자(42)를 형성한다. 이어서, 저온굽기 공정을 실시한다.First, as shown in FIG. 4A, a positive photosensitive film is coated on a substrate 40 and a low temperature baking process is performed. Subsequently, as shown in FIG. 1A, the positive photosensitive film is exposed using a mother region pattern forming mask in which a chromium film is formed in the remaining regions except the mother region so that only the mother region can be exposed. Subsequently, the positive photoresist film is developed to form a positive photoresist film pattern 41, thereby forming a mother 42 surrounded by the positive photoresist film pattern 41. Next, a low temperature baking process is performed.
다음으로, 제4B도에 도시한 바와 같이 양성감광막 패턴(41)이 형성된 기판 상에 양성감광막(43)을 도포하고 저온굽기 공정을 실시한다. 이어서, 제1B도에 도시된 것과 같이 아들자 영역을 제외한 나머지 영역을 노광하기 위하여 아들자 영역에만 크롬막이 형성된 아들자 형성 마스크(M1)를 이용하여 상기 양성감광막(43)을 노광한다.Next, as shown in FIG. 4B, the positive photosensitive film 43 is applied onto the substrate on which the positive photosensitive film pattern 41 is formed, and a low temperature baking process is performed. Subsequently, as shown in FIG. 1B, the positive photosensitive film 43 is exposed using a son-forming mask M 1 in which a chromium film is formed only in the son-region in order to expose the remaining regions other than the son-region.
다음으로, 제4C도에 도시한 바와 같이 상기 양성감광막(43)을 현상하여 상기 어미자 내의 아들자(43') 패턴을 형성한다.Next, as shown in FIG. 4C, the positive photosensitive film 43 is developed to form a son-son 43 'pattern in the mother.
제5A도 내지 제5C도를 참조하여 기판 식각 공정을 수반하지 않는, 종래의 음성감광막을 이용한 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴 형성 방법을 설명한다.A photosensitive film pattern forming method for measuring mask alignment error using a conventional negative photosensitive film, which does not involve a substrate etching process, will be described with reference to FIGS. 5A to 5C.
먼저, 제5A도에 도시한 바와 같이 기판(50)상에 음성감광막을 도포하고 저온굽기 공정을 실시한다. 이어서, 제1A도에 도시된 것과 같이, 어미자 영역만을 노광할 수 있도록 어미자 영역을 제외한 나머지 영역에 크롬막이 형성되어 있는, 어미자 패턴 형성 마스크를 이용하여 음성감광막을 노광한다. 이어서, 음성감광막을 현상하여 어미자(51) 패턴을 형성하고 고온굽기 공정을 실시한다.First, as shown in FIG. 5A, a negative photosensitive film is coated on the substrate 50 and a low temperature baking process is performed. Subsequently, as shown in FIG. 1A, the negative photosensitive film is exposed using a mother pattern forming mask in which a chromium film is formed in the remaining regions except for the mother region so that only the mother region can be exposed. Subsequently, the negative photoresist film is developed to form a mother 51 pattern, and a high temperature baking process is performed.
다음으로, 제5B도에 도시한 바와 같이 어미자(51) 패턴이 형성된 기판(50) 상에 음성감광막(52)을 도포한다. 이어서, 제1C도에 도시된 것과 같이 아들자 영역만을 노광하기 위하여 아들자 영역을 제외한 영역에만 크롬막이 형성된 아들자 형성 마스크(M2)를 이용하여 상기 음성감광막을 노광한다.Next, as shown in FIG. 5B, the negative photosensitive film 52 is applied onto the substrate 50 on which the mother-child pattern is formed. Subsequently, as shown in FIG. 1C, the negative photosensitive film is exposed using a sonite forming mask M 2 in which a chromium film is formed only in a region except the sonar region in order to expose only the sonar region.
다음으로, 제5C도에 도시한 바와 같이 상기 음성감광막을 현상하여 상기 어미자 패턴(51)상에 아들자(52') 패턴을 형성한다.Next, as shown in FIG. 5C, the negative photosensitive film is developed to form a son 52 'pattern on the mother pattern 51.
상기와 같이 기판을 식각하지 않고 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴 형성 방법은 식각공정을 실시하지 않고 아들자를 형성할 수 있으나, 고온공정으로 인하여 오염이 발생하는 문제점이 있다.As described above, the method of forming the photoresist pattern for measuring mask alignment error without etching the substrate may form an sonza without performing an etching process, but there is a problem in that contamination occurs due to a high temperature process.
따라서, 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은 기판을 식각하는 공정을 생략할 수 있고, 또한 오염을 방지할 수 있는 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for forming a photosensitive film pattern for measuring mask alignment error that can omit the process of etching the substrate and can prevent contamination.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 어미자 및 상기 어미자 상에 형성되는 아들자로 이루어지는 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴 형성 방법에 있어서, 기판 상에 양성감광막을 도포하고 저온굽기 공정을 실시하는 단계, 상기 양성감광막을 어미자 영역만을 노광하기 위한 마스크를 사용하여 노광하는 단계, 상기 노광된 양성감광막을 현상하여 어미자 영역을 둘러싸는 제1감광막 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1감광막 패턴을 열처리하지 않고, 상기 기판상에 음성감광막을 도포하고 저온굽기 공정을 실시하는 단계, 상기 음성감광막을 아들자 영역만을 노광하기 위한 마스크를 사용하여 노광하는 단계, 및 상기 노광된 음성감광막을 현상하여 아들자를 이루는 제2감광막 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.In order to achieve the above object, the present invention, in the method for forming a photosensitive film pattern for measuring the mask alignment error consisting of the mother and the son formed on the mother, the step of applying a positive photosensitive film on the substrate and performing a low temperature baking process, Exposing the positive photosensitive film using a mask for exposing only the mother region, developing the exposed positive photosensitive film to form a first photoresist pattern surrounding the mother region, without heat-treating the first photoresist pattern, Applying a negative photoresist film on the substrate and performing a low temperature baking process; exposing the negative photoresist film using a mask for exposing only the sonar region; and developing the exposed voice photoresist film to form a second photoresist film. Forming a pattern.
또한, 어미자 및 상기 어미자 상에 형성되는 아들자로 이루어지는 마스크 정렬 오차 측정 감광막 패턴 형성 방법에 있어서, 기판 상에 음성감광막을 도포하고 저온굽기 공정을 실시하는 단계, 상기 음성감광막을 어미자 영역만을 노광하기 위한 마스크를 사용하여 노광하는 단계, 상기 노광된 음성감광막을 현상하여 어미자를 이루는 제1감광막 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1감광막 패턴을 열처리하지 않고, 상기 기판 상에 양성감광막을 도포하고 저온굽기 공정을 실시하는 단계, 상기 양성감광막을 아들자 영역을 제외한 부분을 노광하기 위한 마스크를 사용하여 노광하는 단계, 및 상기 노광된 양성감광막을 현상하여 아들자를 이루는 제2감광막 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.In addition, in the mask alignment error measurement photosensitive film pattern forming method comprising a mother and a son formed on the mother, applying a negative photosensitive film on the substrate and performing a low temperature baking process, for exposing the negative photosensitive film to only the mother region Exposing using a mask, developing the exposed negative photoresist to form a first photoresist pattern forming a mother, applying a positive photoresist on the substrate without heat-treating the first photoresist pattern, and baking at a low temperature. And exposing the positive photoresist film using a mask for exposing a portion other than the son region, and developing the exposed positive photoresist film to form a second photoresist pattern forming a son. .
이하, 첨부된 도면 제6A도 및 제6C도를 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴 형성 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of forming a photosensitive film pattern for measuring mask alignment error according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6A and 6C.
먼저, 제6A도에 도시한 바와 같이 기판(60) 상에 양성감광막을 도포하고 저온굽기 공정을 실시한다. 이어서, 제1A도에 도시된 것과 같이, 어미자 영역만을 노광할 수 있도록 어미자 영역을 제외한 나머지 영역에 크롬막이 형성되어 있는, 어미자 패턴 형성 마스크를 이용하여 상기 양성감광막을 노광한다. 이어서, 양성감광막을 현상하여 양성감광막 패턴(61)을 형성하여, 상기 양성감광막 패턴(61)으로 둘러싸이는 어미자(62)를 형성한다.First, as shown in FIG. 6A, a positive photosensitive film is coated on a substrate 60 and a low temperature baking process is performed. Subsequently, as shown in FIG. 1A, the positive photosensitive film is exposed using a mother pattern forming mask in which a chromium film is formed in the remaining regions except for the mother region so that only the mother region can be exposed. Subsequently, the positive photoresist film is developed to form a positive photoresist film pattern 61, thereby forming a mother 62 surrounded by the positive photoresist film pattern 61.
다음으로, 제6B도에 도시한 바와 같이 양성감광막 패턴(61)이 형성된 기판 상에 음성감광막(63)을 도포하고 저온굽기 공정을 실시한다. 이어서, 제1C도에 도시된 것과 같이 아들자 영역을 노광하기 위하여 아들자 영역을 제외한 영역에 크롬막이 형성된 아들자 형성 마스크(M2)를 이용하여 상기 음성감광막(63)을 노광한다.Next, as shown in FIG. 6B, the negative photosensitive film 63 is coated on the substrate on which the positive photosensitive film pattern 61 is formed, and a low temperature baking process is performed. Subsequently, as shown in FIG. 1C, the negative photosensitive film 63 is exposed by using a sonite forming mask M 2 having a chromium film formed in a region other than the sonar region in order to expose the sonar region.
여기서, 본 발명은 종래 기술과, 달리 양성감광막 패턴(61)을 형성한 후 음성감광막을 도포하고 노광해서 아들자 패턴을 형성하기 때문에 양성감광막 패턴(61) 형성후에 고온굽기 공정을 실시하지 않아도 된다. 즉, 음성감광막을 노광하기 위하여 아들자 패턴을 형성하기 위한 마스크(M2)는 양성감광막 패턴(61)이 형성된 영역에는 빛이 투과하지 않도록 크롬이 형성되어 있기 때문에 이미 형성된 양성감광막 패턴(61)이 노광으로 영향을 받는 것을 방지하기 위한 고온굽기 공정을 실시하지 않아도 된다.In the present invention, unlike the prior art, since the positive photosensitive film pattern 61 is formed, the negative photosensitive film is coated and exposed to form a son-child pattern, so that the high temperature baking process is not required after the positive photosensitive film pattern 61 is formed. That is, since the mask M 2 for forming the sonar pattern for exposing the negative photosensitive film is formed with chromium so as not to transmit light in the region where the positive photosensitive film pattern 61 is formed, the already formed positive photosensitive film pattern 61 is formed. It is not necessary to perform a high temperature baking process to prevent being affected by the exposure.
다음으로, 제6C도에 도시한 바와 같이 상기 음성감광막(63)을 현상하여 상기 어미자 내에 아들자(63') 패턴을 형성한다.Next, as shown in FIG. 6C, the negative photosensitive film 63 is developed to form a sonson 63 'pattern in the mother.
이하, 제7도 내지 제7C도를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴 형성 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of forming a photosensitive film pattern for measuring mask alignment error according to another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 to 7C.
먼저, 제7A도에 도시한 바와 같이 기판(70)상에 음성감광막을 도포하고 저온굽기 공정을 실시한다. 이어서, 제1A도에 도시된 것과 같이, 어미자 영역만을 노광할 수 있도록 어미자 영역을 제외한 나머지 영역에 크롬막이 형성되어 있는, 어미자 패턴 형성 마스크를 이용하여 음성감광막을 노광한다. 이어서, 음성감광막을 현상하여 어미자(71) 패턴을 형성한다.First, as shown in FIG. 7A, a negative photosensitive film is applied onto the substrate 70 and a low temperature baking process is performed. Subsequently, as shown in FIG. 1A, the negative photosensitive film is exposed using a mother pattern forming mask in which a chromium film is formed in the remaining regions except for the mother region so that only the mother region can be exposed. Subsequently, the negative photoresist film is developed to form a mother 71 pattern.
다음으로, 제7B도에 도시한 바와 같이 어미자(71) 패턴이 형성된 기판(70)상에 양성감광막(72)을 도포한다. 이어서, 제1B도에 도시된 것과 같이 아들자 영역을 제외한 나머지 영역을 노광하기 위하여 아들자 영역에만 크롬막이 형성된 아들자 형성 마스크(M1)를 이용하여 상기 양성감광막(72)을 노광한다.Next, as shown in FIG. 7B, the positive photosensitive film 72 is applied onto the substrate 70 on which the mother 71 pattern is formed. Subsequently, as shown in FIG. 1B, the positive photosensitive film 72 is exposed using a son-forming mask M 1 in which a chromium film is formed only in the son-region in order to expose the remaining regions other than the son-region.
여기서, 본 발명은 종래 기술과, 달리 음성감광막으로 어미자(71)를 형성한 후 양성감광막을 도포하고 노광해서 아들자 패턴을 형성하기 때문에 음성감광막으로 어미자(71) 패턴을 형성한 후에 고온굽기 공정을 실시하지 않아도 된다. 즉, 아들자 영역을 제외한 영역을 노광하기 위한 마스크(M1)를 사용하는 노광공정에서 양성감광막 하부의 어미자(71) 패턴을 이루는 음성감광막이 노광되어도 이후의 현상공정에서 제거되지 않기 때문에 노광의 영향을 피하기 위한 고온공정을 실시하지 않아도 된다.In the present invention, unlike the prior art, since the mother 71 is formed by the negative photosensitive film, the positive photosensitive film is coated and exposed to form the sonar pattern. Thus, the high temperature baking process is performed after the mother 71 pattern is formed by the negative photosensitive film. You do not have to do it. In other words, even when the negative photosensitive film forming the mother 71 pattern under the positive photosensitive film is exposed in the exposure process using the mask M 1 for exposing the region excluding the son region, it is not removed in the subsequent development process. It is not necessary to perform a high temperature step to avoid.
다음으로, 제7C도에 도시한 바와 같이 상기 양성감광막을 형성하여 상기 어미자(71) 패턴 상에 아들자(72') 패턴을 형성한다.Next, as shown in FIG. 7C, the positive photosensitive film is formed to form an sonza 72 'pattern on the mother 71 pattern.
상기와 같이 이루어지는 본 발명은 기판 식각공정을 실시하지 않고 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴을 형성함으로써 제조 비용 및 공정 시간을 줄일 수 있다. 또한, 감광막을 식각방지막으로 사용하기 위해서나 같은 감응특성을 갖는 감광막을 사용하여 어미자 및 아들자 패턴을 형성하기 위해서 수반되는 고온공정을 생략할 수 있으므로 오염의 발생을 방지할 수 있다.The present invention made as described above can reduce the manufacturing cost and processing time by forming a photosensitive film pattern for measuring the mask alignment error without performing a substrate etching process. In addition, since the high temperature process involved in forming the mother and son patterns by using the photoresist as an etch stopper or using a photoresist having the same sensitivity characteristic can be omitted, the occurrence of contamination can be prevented.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940016512A KR0137610B1 (en) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | Method for forming a pattern for alignment measurement |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019940016512A KR0137610B1 (en) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | Method for forming a pattern for alignment measurement |
Publications (1)
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| KR0137610B1 true KR0137610B1 (en) | 1998-04-28 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019940016512A KR0137610B1 (en) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | Method for forming a pattern for alignment measurement |
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1994
- 1994-07-08 KR KR1019940016512A patent/KR0137610B1/en not_active IP Right Cessation
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