JPH0582478A - ウエーハ端面のエツチング方法とその装置 - Google Patents
ウエーハ端面のエツチング方法とその装置Info
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- JPH0582478A JPH0582478A JP3270149A JP27014991A JPH0582478A JP H0582478 A JPH0582478 A JP H0582478A JP 3270149 A JP3270149 A JP 3270149A JP 27014991 A JP27014991 A JP 27014991A JP H0582478 A JPH0582478 A JP H0582478A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエーハ端面からのパーティクル発生防止の
ために行う端面の薄膜等の除去に際して、エッチング液
を使用することなく、端面の所要部位の薄膜だけを容易
にかつ完全に除去でき、必要な薄膜部に何らの影響も与
えないウエーハ端面のエッチング方法とエッチング装置
の提供。 【構成】 半導体ウエーハ１０は上下ホルダー２，３に
挟まれて支持され、その両主面が被覆されてこの円盤部
材より突出した所要の円周端面が円周状反応室２１内に
露出し、ＣＦ4ガス、ＡｒまたはＨｅガスを円周状放電
部１１に供給して高周波電圧が印加し、大気圧でグロー
プラズマを励起して活性化すると、エッチングガスとな
り円周状反応室２１に入り、該円周端面の薄膜等に作用
して所要のエッチングが行われて除去され排気ガスとと
もに排出される。
ために行う端面の薄膜等の除去に際して、エッチング液
を使用することなく、端面の所要部位の薄膜だけを容易
にかつ完全に除去でき、必要な薄膜部に何らの影響も与
えないウエーハ端面のエッチング方法とエッチング装置
の提供。 【構成】 半導体ウエーハ１０は上下ホルダー２，３に
挟まれて支持され、その両主面が被覆されてこの円盤部
材より突出した所要の円周端面が円周状反応室２１内に
露出し、ＣＦ4ガス、ＡｒまたはＨｅガスを円周状放電
部１１に供給して高周波電圧が印加し、大気圧でグロー
プラズマを励起して活性化すると、エッチングガスとな
り円周状反応室２１に入り、該円周端面の薄膜等に作用
して所要のエッチングが行われて除去され排気ガスとと
もに排出される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、シリコンウェーハな
どの半導体ウエーハに施される各種デバイスを得るため
のプロセスにおいて、ウエーハに付着するパーティクル
を低減するためのウエーハ端面のエッチング方法とその
装置に係り、フッ素化合物ガスを大気圧下でグロープラ
ズマ励起させて活性化したエッチングガスにより、ウエ
ーハ端面に成膜されたあるいは付着した絶縁材や金属な
どを完全に除去して、プロセスでの端面部の接触による
発塵を防止できるウエーハ端面のエッチング方法とその
装置に関する。
どの半導体ウエーハに施される各種デバイスを得るため
のプロセスにおいて、ウエーハに付着するパーティクル
を低減するためのウエーハ端面のエッチング方法とその
装置に係り、フッ素化合物ガスを大気圧下でグロープラ
ズマ励起させて活性化したエッチングガスにより、ウエ
ーハ端面に成膜されたあるいは付着した絶縁材や金属な
どを完全に除去して、プロセスでの端面部の接触による
発塵を防止できるウエーハ端面のエッチング方法とその
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】今日の半導体集積回路は高密度化が著し
く、すでに１μｍ以下のパターニングにて製造されるも
のが実用化されており、製造に際して基板となる半導体
ウエーハに付着するパーティクルの寸法とその個数が製
造歩留りに大きく影響する。
く、すでに１μｍ以下のパターニングにて製造されるも
のが実用化されており、製造に際して基板となる半導体
ウエーハに付着するパーティクルの寸法とその個数が製
造歩留りに大きく影響する。
【０００３】各種のデバイスにおける欠陥は、その最小
パターニング幅の１０分の１程度のパーティクルでも発
生するため、１μｍ以下のパターニングでは０．１μｍ
程度のパーティクルが付着しないように空気や水のクリ
ーン度を向上させている。
パターニング幅の１０分の１程度のパーティクルでも発
生するため、１μｍ以下のパターニングでは０．１μｍ
程度のパーティクルが付着しないように空気や水のクリ
ーン度を向上させている。
【０００４】また、今日の各種のデバイスは高集積化に
伴い多層膜配線構造が採用されるため、ウエーハ端面に
もポリシリコン 等の半導体、窒化シリコンなどの絶縁
材、アルミニウム、タングステンなどの金属膜、レジス
ト等が積層されている。
伴い多層膜配線構造が採用されるため、ウエーハ端面に
もポリシリコン 等の半導体、窒化シリコンなどの絶縁
材、アルミニウム、タングステンなどの金属膜、レジス
ト等が積層されている。
【０００５】しかし、かかるプロセスにおいて、半導体
ウエーハは研摩や成膜などを繰り返すため、キャリアケ
ースや治具などとウエーハ端面が接触して端面に積層さ
れた各種の薄膜が剥離して、パーティクルを発生してこ
れが付着して欠陥の原因となっていた。
ウエーハは研摩や成膜などを繰り返すため、キャリアケ
ースや治具などとウエーハ端面が接触して端面に積層さ
れた各種の薄膜が剥離して、パーティクルを発生してこ
れが付着して欠陥の原因となっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで、ウエーハ端面
からのパーティクルの発生を防止するため、端面の薄膜
等を除去することが行われているが、いずれもエッチン
グ液に浸漬してエッチングするかあるいはさらに液中で
研削する方法（特開昭６３−３０７２００号、特開平２
−１００３１９号、特開平２−１１４５２９号公報）が
実施されていた。
からのパーティクルの発生を防止するため、端面の薄膜
等を除去することが行われているが、いずれもエッチン
グ液に浸漬してエッチングするかあるいはさらに液中で
研削する方法（特開昭６３−３０７２００号、特開平２
−１００３１９号、特開平２−１１４５２９号公報）が
実施されていた。
【０００７】エッチング液に浸漬してエッチングするに
は、所要の端面のみを露出させて他部分をマスキングし
て行うか所要の保護膜を設けて行うなど、プロセス中で
の実施可能時が限定されて、プロセス中の必要時に任意
に実施することができず、また、マスキングを施しても
エッチング液の浸食作用や浸食に伴う界面への液の残留
により必要な多層膜を剥離させてしまう問題があった。
は、所要の端面のみを露出させて他部分をマスキングし
て行うか所要の保護膜を設けて行うなど、プロセス中で
の実施可能時が限定されて、プロセス中の必要時に任意
に実施することができず、また、マスキングを施しても
エッチング液の浸食作用や浸食に伴う界面への液の残留
により必要な多層膜を剥離させてしまう問題があった。
【０００８】この発明は、ウエーハ端面からのパーティ
クル発生防止のために行う端面の薄膜等の除去に際し
て、エッチング液を使用することなく、端面の所要部位
の薄膜だけを容易にかつ完全に除去でき、必要な薄膜部
に何らの影響も与えないウエーハ端面のエッチング方法
とエッチング装置の提供を目的としている。
クル発生防止のために行う端面の薄膜等の除去に際し
て、エッチング液を使用することなく、端面の所要部位
の薄膜だけを容易にかつ完全に除去でき、必要な薄膜部
に何らの影響も与えないウエーハ端面のエッチング方法
とエッチング装置の提供を目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、フッ素化合
物ガスを不活性ガスのキャリアガスで放電部に導入して
大気圧近傍下でグロープラズマを励起させ、活性化した
エッチングガスを、半導体ウエーハの所要端面部に移送
してエッチングすることを特徴とするウエーハ端面のエ
ッチング方法である。
物ガスを不活性ガスのキャリアガスで放電部に導入して
大気圧近傍下でグロープラズマを励起させ、活性化した
エッチングガスを、半導体ウエーハの所要端面部に移送
してエッチングすることを特徴とするウエーハ端面のエ
ッチング方法である。
【００１０】また、この発明は、半導体ウエーハの両主
面を被覆支持して所要の円周端面を円周状反応室内に露
出させるチャッキング手段と、リング状の石英板を所要
放電空隙を介して対向配置し各裏面側に電極を設けて電
源に接続した円周状放電室からなる大気圧近傍グロープ
ラズマ発生手段と、円周状放電室の外周側からフッ素化
合物ガスと不活性ガスのキャリアガスを供給し、グロー
プラズマを励起して活性化したエッチングガスをリング
状反応室に移送し、反応室内でウエーハ端面に接触させ
た後に排気するガスの給排気手段とからなることを特徴
とするウエーハ端面のエッチング装置である。
面を被覆支持して所要の円周端面を円周状反応室内に露
出させるチャッキング手段と、リング状の石英板を所要
放電空隙を介して対向配置し各裏面側に電極を設けて電
源に接続した円周状放電室からなる大気圧近傍グロープ
ラズマ発生手段と、円周状放電室の外周側からフッ素化
合物ガスと不活性ガスのキャリアガスを供給し、グロー
プラズマを励起して活性化したエッチングガスをリング
状反応室に移送し、反応室内でウエーハ端面に接触させ
た後に排気するガスの給排気手段とからなることを特徴
とするウエーハ端面のエッチング装置である。
【００１１】さらに、この発明は、半導体ウエーハの両
主面を被覆支持して所要の円周端面を円周状反応室内に
露出させるチャッキング手段と、石英製の内管と外管間
に所要放電空隙通路を設けて内管の内周面と外管の外周
面に電極を設けて電源に接続した円筒状放電室からなる
大気圧近傍グロープラズマ発生手段と、円筒状放電室の
一方側からフッ素化合物ガスと不活性ガスのキャリアガ
スを供給し、グロープラズマを励起して活性化したエッ
チングガスをリング状反応室に移送し、反応室内でウエ
ーハ端面に接触させた後に排気するガスの給排気手段と
からなることを特徴とするウエーハ端面のエッチング装
置である。
主面を被覆支持して所要の円周端面を円周状反応室内に
露出させるチャッキング手段と、石英製の内管と外管間
に所要放電空隙通路を設けて内管の内周面と外管の外周
面に電極を設けて電源に接続した円筒状放電室からなる
大気圧近傍グロープラズマ発生手段と、円筒状放電室の
一方側からフッ素化合物ガスと不活性ガスのキャリアガ
スを供給し、グロープラズマを励起して活性化したエッ
チングガスをリング状反応室に移送し、反応室内でウエ
ーハ端面に接触させた後に排気するガスの給排気手段と
からなることを特徴とするウエーハ端面のエッチング装
置である。
【００１２】
【作用】この発明は、フッ素化合物ガスを不活性ガスの
キャリアガスにて供給し、石英材を対向配置させて所要
電源を印加できる放電室でグロープラズマを励起して活
性化したエッチングガスを用いることを特徴とし、チャ
ッキングして露出させた半導体ウエーハの所要円周端面
にエッチングガスを作用させて、同部に成膜されている
種々材質からなる単層または多層の膜などを除去するも
ので、従来のエッチング液による膜除去に比較して、エ
ッチング液の残留などがなく、必要な薄膜部に何らの影
響も与えずに、不要部のみ確実に除去できる。
キャリアガスにて供給し、石英材を対向配置させて所要
電源を印加できる放電室でグロープラズマを励起して活
性化したエッチングガスを用いることを特徴とし、チャ
ッキングして露出させた半導体ウエーハの所要円周端面
にエッチングガスを作用させて、同部に成膜されている
種々材質からなる単層または多層の膜などを除去するも
ので、従来のエッチング液による膜除去に比較して、エ
ッチング液の残留などがなく、必要な薄膜部に何らの影
響も与えずに、不要部のみ確実に除去できる。
【００１３】好ましい実施態様 この発明において、放電部は、電極表面に誘電体を被着
あるいは対向させた高圧電極と接地電極間に形成される
放電空間を単数または複数配置された構成であれば、公
知のいずれの構成からなる放電装置も利用できる。例え
ば、電極形状は平行対向、円周対向等、等間隔対向であ
ればよく、誘電体材料にはセラミックス、ホーロー、ガ
ラス、雲母等が利用できるが、実施例に示す如く、エッ
チングされ難く、パーティクルの発生が少ないリング状
や筒状の高純度の石英材料が望ましい、また放電空間ギ
ャップは０．５ｍｍ〜１５ｍｍが望ましく、ガス量増大
には対向電極の積層により対処してもよい。
あるいは対向させた高圧電極と接地電極間に形成される
放電空間を単数または複数配置された構成であれば、公
知のいずれの構成からなる放電装置も利用できる。例え
ば、電極形状は平行対向、円周対向等、等間隔対向であ
ればよく、誘電体材料にはセラミックス、ホーロー、ガ
ラス、雲母等が利用できるが、実施例に示す如く、エッ
チングされ難く、パーティクルの発生が少ないリング状
や筒状の高純度の石英材料が望ましい、また放電空間ギ
ャップは０．５ｍｍ〜１５ｍｍが望ましく、ガス量増大
には対向電極の積層により対処してもよい。
【００１４】さらに、実施例に示す如く、電極に金網ま
たはカーボン繊維などの導電性材料からなる導電性網電
極、金属箔、導電性ペースト等を用いて誘電体の石英管
などに接触させる構成とすることができ、給電配線に冷
却水を通した銅管を用いて誘電体を冷却するなど、放電
部の冷却を実施することが望ましい。
たはカーボン繊維などの導電性材料からなる導電性網電
極、金属箔、導電性ペースト等を用いて誘電体の石英管
などに接触させる構成とすることができ、給電配線に冷
却水を通した銅管を用いて誘電体を冷却するなど、放電
部の冷却を実施することが望ましい。
【００１５】グロープラズマ励起に要する電源は、高電
圧の印加により行うが、印加する交流電圧は、誘電体上
に交番電圧を誘起させるためであり、数十ＨｚからＧＨ
ｚレベルの高周波電圧を用いることができ、放電空間や
ガスによって適宜選定されるが、１〜１０ｋＶ、商用周
波数〜３０ＧＨｚ、１０Ｗ〜数ｋＷの範囲が好ましく、
特にＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）、１０ｋＨｚの高周波を
使用することが望ましい。
圧の印加により行うが、印加する交流電圧は、誘電体上
に交番電圧を誘起させるためであり、数十ＨｚからＧＨ
ｚレベルの高周波電圧を用いることができ、放電空間や
ガスによって適宜選定されるが、１〜１０ｋＶ、商用周
波数〜３０ＧＨｚ、１０Ｗ〜数ｋＷの範囲が好ましく、
特にＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）、１０ｋＨｚの高周波を
使用することが望ましい。
【００１６】グロープラズマを励起して活性化させるガ
スには、ＣＦ4、ＳＦ6等のフッ素化合物ガスを使用し、
キャリアガスにはＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ等の不活性ガスの単
体または混合物を適宜用いることができ、フッ素化合物
ガスとキャリアガスの混合比は、大気圧近傍で安定した
グロー放電を維持できる範囲で要求されるエッチング能
力に応じて適宜選定される。また、この発明において、
大気圧近傍とは大気圧下、弱減圧下あるいは加圧下の雰
囲気であり、グロー放電可能な雰囲気をいい、例えば４
００Ｔｏｒｒ前後の弱減圧下、また数気圧下でも活性化
したエッチングガスを得ることができる。
スには、ＣＦ4、ＳＦ6等のフッ素化合物ガスを使用し、
キャリアガスにはＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ等の不活性ガスの単
体または混合物を適宜用いることができ、フッ素化合物
ガスとキャリアガスの混合比は、大気圧近傍で安定した
グロー放電を維持できる範囲で要求されるエッチング能
力に応じて適宜選定される。また、この発明において、
大気圧近傍とは大気圧下、弱減圧下あるいは加圧下の雰
囲気であり、グロー放電可能な雰囲気をいい、例えば４
００Ｔｏｒｒ前後の弱減圧下、また数気圧下でも活性化
したエッチングガスを得ることができる。
【００１７】この発明のエッチング装置において、半導
体ウエーハのチャッキング手段は、半導体ウエーハの両
主面を被覆支持して所要の円周端面を円周状反応室内に
露出させることができれば、いずれの構成も採用でき、
例えば所要の半径のＯリングパッキンを円周部に配置し
た円盤部材で半導体ウエーハを挟み、その内部に不活性
パージガスを流すことにより、露出させた所要の円周端
面部のみをエッチングでき、さらに上記構成で一方面側
を減圧吸着することもできる。
体ウエーハのチャッキング手段は、半導体ウエーハの両
主面を被覆支持して所要の円周端面を円周状反応室内に
露出させることができれば、いずれの構成も採用でき、
例えば所要の半径のＯリングパッキンを円周部に配置し
た円盤部材で半導体ウエーハを挟み、その内部に不活性
パージガスを流すことにより、露出させた所要の円周端
面部のみをエッチングでき、さらに上記構成で一方面側
を減圧吸着することもできる。
【００１８】この発明のエッチング装置において、大気
圧近傍グロープラズマ発生手段は、上述の各部構成を有
し、石英製誘電体間に所要放電空隙通路を設け、各誘電
体に電極を設けて電源部に接続し、円周状反応室内に連
通可能に配置した円周状や円筒状からなる放電室が好ま
しい。
圧近傍グロープラズマ発生手段は、上述の各部構成を有
し、石英製誘電体間に所要放電空隙通路を設け、各誘電
体に電極を設けて電源部に接続し、円周状反応室内に連
通可能に配置した円周状や円筒状からなる放電室が好ま
しい。
【００１９】また、この発明のエッチング装置におい
て、ガスの給排気手段は、フッ素化合物ガスとキャリア
ガスを放電室の一方側から供給し、グロープラズマを励
起して活性化したエッチングガスを反応室に移送させ、
反応室内でウエーハ端面に接触させた後に所要の排気タ
ンクへ排気できる通路構成であれば、加圧送給方式、減
圧吸気式あるいはこれらの併用式など、装置の構造や各
部の配置などに応じて適宜選定される。
て、ガスの給排気手段は、フッ素化合物ガスとキャリア
ガスを放電室の一方側から供給し、グロープラズマを励
起して活性化したエッチングガスを反応室に移送させ、
反応室内でウエーハ端面に接触させた後に所要の排気タ
ンクへ排気できる通路構成であれば、加圧送給方式、減
圧吸気式あるいはこれらの併用式など、装置の構造や各
部の配置などに応じて適宜選定される。
【００２０】
【実施例】実施例１ 図１、図２に示すエッチング装置は、円周型の大気圧近
傍グロープラズマ発生装置を装着した例である。円周型
エッチング装置１は、チャッキング手段の上下ホルダー
２，３と、これにカップ状フレーム４，５を介して周設
する円周状放電部１１と、これらの各部材間に配置され
た給排気通路から構成されている。
傍グロープラズマ発生装置を装着した例である。円周型
エッチング装置１は、チャッキング手段の上下ホルダー
２，３と、これにカップ状フレーム４，５を介して周設
する円周状放電部１１と、これらの各部材間に配置され
た給排気通路から構成されている。
【００２１】半導体ウェーハ１０を挟むチャッキング手
段の上下ホルダー２，３は、それぞれ最外周円部にフッ
素樹脂製のＯリングパッキン６，７を配置して対向させ
た円盤部材からなり、軸中心に貫通孔８，９が設けら
れ、下ホルダー３の貫通孔９は減圧ポンプＶＰに接続さ
れて半導体ウェーハ１０を吸着し、上ホルダー２の貫通
孔８にはＮ2ガス配管に接続されて半導体ウェーハ１０
表面をＮ2ガスパージする。
段の上下ホルダー２，３は、それぞれ最外周円部にフッ
素樹脂製のＯリングパッキン６，７を配置して対向させ
た円盤部材からなり、軸中心に貫通孔８，９が設けら
れ、下ホルダー３の貫通孔９は減圧ポンプＶＰに接続さ
れて半導体ウェーハ１０を吸着し、上ホルダー２の貫通
孔８にはＮ2ガス配管に接続されて半導体ウェーハ１０
表面をＮ2ガスパージする。
【００２２】上下ホルダー２，３はそれぞれカップ状フ
レーム４，５の中心孔部に着脱可能にナット部材で螺着
され、また、上下ホルダー２，３とカップ状フレーム
４，５の内周端部間には、それぞれ円周状放電部１１を
形成するリング部材１２，１３が対向配置してあり、カ
ップ状フレーム４，５に各々ボルト止めされる。リング
部材１２，１３の対向面には円周溝が設けられ、銅管１
４，１５が内蔵されて対向面にはそれぞれ石英板からな
るリング状誘電体１６，１７がパッキンを介して固着さ
れている。銅管１４，１５は電源のＲ．Ｆユニットに接
続されて１３．５６ＭＨｚの高周波電圧が印加され、ま
た、図２に図示する如く管内には冷却水配管２０により
冷却水が導入出する構成であり、さらに、リング状誘電
体１６，１７とは誘電体に塗布された導電性ペースト１
８と金属箔１９を介して電気的接続が取られている。従
って、所要の空隙を介して対向し、銅管１４，１５と接
続されてＲ．Ｆユニットの電源が印加されるリング状誘
電体１６，１７によって、円周状放電部１１が形成され
ている。
レーム４，５の中心孔部に着脱可能にナット部材で螺着
され、また、上下ホルダー２，３とカップ状フレーム
４，５の内周端部間には、それぞれ円周状放電部１１を
形成するリング部材１２，１３が対向配置してあり、カ
ップ状フレーム４，５に各々ボルト止めされる。リング
部材１２，１３の対向面には円周溝が設けられ、銅管１
４，１５が内蔵されて対向面にはそれぞれ石英板からな
るリング状誘電体１６，１７がパッキンを介して固着さ
れている。銅管１４，１５は電源のＲ．Ｆユニットに接
続されて１３．５６ＭＨｚの高周波電圧が印加され、ま
た、図２に図示する如く管内には冷却水配管２０により
冷却水が導入出する構成であり、さらに、リング状誘電
体１６，１７とは誘電体に塗布された導電性ペースト１
８と金属箔１９を介して電気的接続が取られている。従
って、所要の空隙を介して対向し、銅管１４，１５と接
続されてＲ．Ｆユニットの電源が印加されるリング状誘
電体１６，１７によって、円周状放電部１１が形成され
ている。
【００２３】円周状放電部１１への反応ガス供給は、リ
ング部材１３とカップ状フレーム５に設けた溝部を供給
路として円周状放電部１１外周側から内周側へ送られ、
上ホルダー２の外周部に固着した密封用部材により、下
側リング部材１３、下ホルダー３、カップ状フレーム５
の各外周面にて形成される反応室２１を経て、下ホルダ
ー３に設けた排気孔２２を通ってガススクラバー５０へ
導出される構成からなる。
ング部材１３とカップ状フレーム５に設けた溝部を供給
路として円周状放電部１１外周側から内周側へ送られ、
上ホルダー２の外周部に固着した密封用部材により、下
側リング部材１３、下ホルダー３、カップ状フレーム５
の各外周面にて形成される反応室２１を経て、下ホルダ
ー３に設けた排気孔２２を通ってガススクラバー５０へ
導出される構成からなる。
【００２４】半導体ウエーハ１０は上下ホルダー２，３
に挟まれて支持され、その両主面が被覆されてこの円盤
部材より突出した所要の円周端面が円周状反応室２１内
に露出する。例えば、ＣＦ4ガスをＡｒまたはＨｅガス
をキャリアガスとして円周状放電部１１に供給して高周
波電圧が印加することにより、大気圧でグロープラズマ
を励起して活性化し、エッチングガスとなり円周状反応
室２１に入り、露出した半導体ウエーハ１０の円周端面
に作用して所要のエッチングが行われ、該端面の膜等が
除去され排気ガスとともに排出される。
に挟まれて支持され、その両主面が被覆されてこの円盤
部材より突出した所要の円周端面が円周状反応室２１内
に露出する。例えば、ＣＦ4ガスをＡｒまたはＨｅガス
をキャリアガスとして円周状放電部１１に供給して高周
波電圧が印加することにより、大気圧でグロープラズマ
を励起して活性化し、エッチングガスとなり円周状反応
室２１に入り、露出した半導体ウエーハ１０の円周端面
に作用して所要のエッチングが行われ、該端面の膜等が
除去され排気ガスとともに排出される。
【００２５】実施例２ 図４、図５に示すエッチング装置は、円筒型の大気圧近
傍グロープラズマ発生装置を装着した例である。板材間
に４本の脚を立設して各部材を支持する装置枠体３０の
中央部には、半導体ウエーハ１０のチャッキング装置を
構成する下ホルダー３２が中心脚３１及び板材にて固着
してあり、また、下ホルダー３２と対をなす円盤型の上
ホルダー３３は４本脚をガイドに上下動自在にした板材
に固着してある。
傍グロープラズマ発生装置を装着した例である。板材間
に４本の脚を立設して各部材を支持する装置枠体３０の
中央部には、半導体ウエーハ１０のチャッキング装置を
構成する下ホルダー３２が中心脚３１及び板材にて固着
してあり、また、下ホルダー３２と対をなす円盤型の上
ホルダー３３は４本脚をガイドに上下動自在にした板材
に固着してある。
【００２６】下ホルダー３２は外周側にＯリングパッキ
ン３４を配置し半導体ウエーハ１０を載置するための円
盤型の中心部３５と、これに空隙を介して配置するリン
グ状の外周部３６とからなり、空隙上面が円周状の反応
室３７を形成し、中心部３５と外周部３６との間が反応
室３７に連通するガス供給通路３８を形成しており、ま
た中心部３５には半導体ウエーハ１０を載置して吸着す
るため、吸引用の減圧ポンプＶＰに接続される貫通孔３
９を設けてある。また、下ホルダー３２には反応室３４
に連通するガス排気孔４０が配設してある。
ン３４を配置し半導体ウエーハ１０を載置するための円
盤型の中心部３５と、これに空隙を介して配置するリン
グ状の外周部３６とからなり、空隙上面が円周状の反応
室３７を形成し、中心部３５と外周部３６との間が反応
室３７に連通するガス供給通路３８を形成しており、ま
た中心部３５には半導体ウエーハ１０を載置して吸着す
るため、吸引用の減圧ポンプＶＰに接続される貫通孔３
９を設けてある。また、下ホルダー３２には反応室３４
に連通するガス排気孔４０が配設してある。
【００２７】上ホルダー３３には半導体ウエーハ１０と
相似形の凹部４１を設けて残る内周端面部にはパッキン
４２を設け、下ホルダー３２に載置した半導体ウエーハ
１０の円周端面を除くウエーハ主面にパージ用Ｎ2ガス
を供給する構成からなる。
相似形の凹部４１を設けて残る内周端面部にはパッキン
４２を設け、下ホルダー３２に載置した半導体ウエーハ
１０の円周端面を除くウエーハ主面にパージ用Ｎ2ガス
を供給する構成からなる。
【００２８】下ホルダー３２の下面には石英製の内管４
３に絶縁部材４４を介して外管４５が同軸配置され、内
管４３と外管４５の上端でその円周状の空隙とガス供給
通路３８が連通し、また、外管４５の下端側で反応ガス
供給管４６と接続されている。内管４３の内周面には導
電性ペーストからなる電極４８と金網からなる電極４７
が配置され、外管４５の外周面には導電性ペーストから
なる電極４８が設けてあり、Ｒ．Ｆユニットに接続して
ある。従って、石英製誘電体からなる内管４３と外管
４，５を同軸配置して、その管間に所要の放電空隙を形
成して反応ガスを供給して、各管の電極４７，４８間に
高周波電源を印加することができる円筒状放電部４９を
形成してある。
３に絶縁部材４４を介して外管４５が同軸配置され、内
管４３と外管４５の上端でその円周状の空隙とガス供給
通路３８が連通し、また、外管４５の下端側で反応ガス
供給管４６と接続されている。内管４３の内周面には導
電性ペーストからなる電極４８と金網からなる電極４７
が配置され、外管４５の外周面には導電性ペーストから
なる電極４８が設けてあり、Ｒ．Ｆユニットに接続して
ある。従って、石英製誘電体からなる内管４３と外管
４，５を同軸配置して、その管間に所要の放電空隙を形
成して反応ガスを供給して、各管の電極４７，４８間に
高周波電源を印加することができる円筒状放電部４９を
形成してある。
【００２９】下ホルダー３２上に半導体ウエーハ１０を
載置して吸着し、さらに上ホルダー３３を載せた後、円
筒状放電部４９に反応ガス 供給管４６から、例えばＣ
Ｆ4ガスをＡｒまたはＨｅガスをキャリアガスとして供
給して高周波電圧が印加すると、大気圧でグロープラズ
マを励起して活性化し、これがエッチングガスとして上
昇し、反応室３７にて露出した半導体ウエーハ１０の円
周端面に作用して所要のエッチングを行うことにより、
該端面の膜等が除去され排気ガスとともに排出される。
載置して吸着し、さらに上ホルダー３３を載せた後、円
筒状放電部４９に反応ガス 供給管４６から、例えばＣ
Ｆ4ガスをＡｒまたはＨｅガスをキャリアガスとして供
給して高周波電圧が印加すると、大気圧でグロープラズ
マを励起して活性化し、これがエッチングガスとして上
昇し、反応室３７にて露出した半導体ウエーハ１０の円
周端面に作用して所要のエッチングを行うことにより、
該端面の膜等が除去され排気ガスとともに排出される。
【００３０】
【発明の効果】この発明は、フッ素化合物ガスを大気圧
下でグロープラズマ励起させて活性化したエッチングガ
スにより、ウエーハ端面に成膜されたあるいは付着した
絶縁材や金属などを完全に除去できるため、プロセスで
の端面部の接触による発塵を防止できる。従来のエッチ
ング 液に浸漬してウエーハ端面の膜を除去する方法に
比較して、エッチング力が強く、またエッチング液の残
留にともなう過度のエッチングがなく、さらに、デバイ
スプロセスの任意の工程で実施できるため、半導体ウエ
ーハの発塵防止に極めて有利である。
下でグロープラズマ励起させて活性化したエッチングガ
スにより、ウエーハ端面に成膜されたあるいは付着した
絶縁材や金属などを完全に除去できるため、プロセスで
の端面部の接触による発塵を防止できる。従来のエッチ
ング 液に浸漬してウエーハ端面の膜を除去する方法に
比較して、エッチング力が強く、またエッチング液の残
留にともなう過度のエッチングがなく、さらに、デバイ
スプロセスの任意の工程で実施できるため、半導体ウエ
ーハの発塵防止に極めて有利である。
【図１】この発明による円周型エッチング装置の構成を
示す縦断説明図である。
示す縦断説明図である。
【図２】この発明による円周型エッチング装置の放電部
の構成を示す一部破断斜視説明図である。
の構成を示す一部破断斜視説明図である。
【図３】この発明による円周型エッチング装置のガスの
給排気構成を示すブロック説明図である。
給排気構成を示すブロック説明図である。
【図４】この発明による円筒型エッチング装置の構成を
示す斜視説明図である。
示す斜視説明図である。
【図５】この発明による円筒型エッチング装置の要部の
構成を示す縦断説明図である。
構成を示す縦断説明図である。
１ 円周型エッチング装置 ２ 上ホルダー ３ 下ホルダー ４，５ カップ状フレーム ６，７ Ｏリングパッキン ８，９ 貫通孔 １０ 半導体ウェーハ １１ 円周状放電部 １２，１３ リング部材 １４，１５ 銅管 １６，１７ リング状誘電体 １８ 導電性ペースト １９ 金属箔 ２０ 冷却水配管 ２１ 反応室 ２２ 排気孔 ３０ 装置枠体 ３１ 中心脚 ３２ 下ホルダー ３３ 上ホルダー ３４ Ｏリングパッキン ３５ 中心部 ３６ 外周部 ３７ 反応室 ３８ ガス供給通路 ３９ 貫通孔 ４０ ガス排気孔 ４１ 凹部 ４２ パッキン ４３ 内管 ４４ 絶縁部材 ４５ 外管 ４６ 反応ガス供給管 ４７，４８ 電極 ４９ 円筒状放電部 ５０ ガススクラバー
Claims (3)
- 【請求項１】 フッ素化合物ガスを不活性ガスのキャリ
アガスで放電部に導入して大気圧近傍でグロープラズマ
を励起させ、活性化したエッチングガスを、半導体ウエ
ーハの所要端面部に移送してエッチングすることを特徴
とするウエーハ端面のエッチング方法。 - 【請求項２】 半導体ウエーハの両主面を被覆支持して
所要の円周端面を円周状反応室内に露出させるチャッキ
ング手段と、リング状の石英板を所要放電空隙を介して
対向配置し各裏面側に電極を設けて電源に接続した円周
状放電室からなる大気圧近傍グロープラズマ発生手段
と、円周状放電室の外周側からフッ素化合物ガスと不活
性ガスのキャリアガスを供給し、グロープラズマを励起
して活性化したエッチングガスをリング状反応室に移送
し、反応室内でウエーハ端面に接触させた後に排気する
ガスの給排気手段とからなることを特徴とするウエーハ
端面のエッチング装置。 - 【請求項３】 半導体ウエーハの両主面を被覆支持して
所要の円周端面を円周状反応室内に露出させるチャッキ
ング手段と、石英製の内管と外管間に所要放電空隙通路
を設けて内管の内周面と外管の外周面に電極を設けて電
源に接続した円筒状放電室からなる大気圧近傍グロープ
ラズマ発生手段と、円筒状放電室の一方側からフッ素化
合物ガスと不活性ガスのキャリアガスを供給し、グロー
プラズマを励起して活性化したエッチングガスをリング
状反応室に移送し、反応室内でウエーハ端面に接触させ
た後に排気するガスの給排気手段とからなることを特徴
とするウエーハ端面のエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27014991A JP3151014B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | ウエーハ端面のエッチング方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27014991A JP3151014B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | ウエーハ端面のエッチング方法とその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582478A true JPH0582478A (ja) | 1993-04-02 |
| JP3151014B2 JP3151014B2 (ja) | 2001-04-03 |
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ID=17482229
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP27014991A Expired - Fee Related JP3151014B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | ウエーハ端面のエッチング方法とその装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5735451A (en) * | 1993-04-05 | 1998-04-07 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for bonding using brazing material |
| US5753886A (en) * | 1995-02-07 | 1998-05-19 | Seiko Epson Corporation | Plasma treatment apparatus and method |
| US5831238A (en) * | 1993-12-09 | 1998-11-03 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for bonding using brazing material at approximately atmospheric pressure |
| US5835996A (en) * | 1995-12-18 | 1998-11-10 | Seiko Epscon Corporation | Power generation method and power generator using a piezoelectric element, and electronic device using the power |
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| JPH11317391A (ja) * | 1998-02-18 | 1999-11-16 | Sez Semiconductor Equip Zubehoer Fuer Die Halbleiterfertigung Ag | ウエ―ハを乾式エッチングする装置及びこれに所属の方法 |
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| WO2004079811A1 (ja) | 2003-03-06 | 2004-09-16 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | プラズマ処理装置及び方法 |
| JP2006287170A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-10-19 | Sekisui Chem Co Ltd | 基材外周の処理方法及び処理装置 |
| JP2007043149A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Jusung Engineering Co Ltd | プラズマエッチング装置 |
| JP2007220890A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 塗布現像処理装置における基板周縁処理方法 |
| JP2009510784A (ja) * | 2005-09-27 | 2009-03-12 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板から副生成物を除去する装置及び除去方法 |
| US7858898B2 (en) | 2007-01-26 | 2010-12-28 | Lam Research Corporation | Bevel etcher with gap control |
| US7858053B2 (en) | 2006-04-28 | 2010-12-28 | Panasonic Corporation | Etching apparatus and etching method for substrate bevel |
| US7943007B2 (en) | 2007-01-26 | 2011-05-17 | Lam Research Corporation | Configurable bevel etcher |
| US8308896B2 (en) | 2005-09-27 | 2012-11-13 | Lam Research Corporation | Methods to remove films on bevel edge and backside of wafer and apparatus thereof |
| US8580078B2 (en) | 2007-01-26 | 2013-11-12 | Lam Research Corporation | Bevel etcher with vacuum chuck |
| US10629458B2 (en) | 2007-01-26 | 2020-04-21 | Lam Research Corporation | Control of bevel etch film profile using plasma exclusion zone rings larger than the wafer diameter |
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|---|---|---|---|---|
| KR102146262B1 (ko) | 2016-06-07 | 2020-08-21 | 이래에이엠에스 주식회사 | 프레스 앤 피트 방식 체결기구 |
| KR101905093B1 (ko) | 2018-03-21 | 2018-10-05 | 영남강철 주식회사 | 이층침대 |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP27014991A patent/JP3151014B2/ja not_active Expired - Fee Related
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