JPH0582304B2 - - Google Patents
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- JPH0582304B2 JPH0582304B2 JP23393584A JP23393584A JPH0582304B2 JP H0582304 B2 JPH0582304 B2 JP H0582304B2 JP 23393584 A JP23393584 A JP 23393584A JP 23393584 A JP23393584 A JP 23393584A JP H0582304 B2 JPH0582304 B2 JP H0582304B2
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
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- B41J2/345—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads characterised by the arrangement of resistors or conductors
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板の端面方向に発熱抵抗体を形成
するようにしたサーマルヘツドおよびその製造方
法に関するものである。
するようにしたサーマルヘツドおよびその製造方
法に関するものである。
従来、基板の端部に発熱抵抗体を形成したサー
マルヘツドとしては、例えば、特公昭40−6040号
公報および特公昭48−38265号公報などに示され
る如きサーマルヘツドが知られている。第7図は
このようなサーマルヘツドの概要を示す構成図で
ある。図に示すサーマルヘツドは、基板1の端部
に発熱抵抗体2を形成するとともに、基板1の両
面にそれぞれ発熱抵抗体2と一部が重なるように
電極層3,4を積層形成したものである。このよ
うに形成されたサーマルヘツドにおいては、発熱
抵抗体2の発熱部分が記録紙等に確実に接触する
ので、熱効率の良いサーマルヘツドを得ることが
できる。また、基板1の端部は平面部に比べて平
坦に加工することが容易であるので、複数の発熱
抵抗体2を記録紙等に均等に接触させることがで
き、高い印字品質を得ることができる。
マルヘツドとしては、例えば、特公昭40−6040号
公報および特公昭48−38265号公報などに示され
る如きサーマルヘツドが知られている。第7図は
このようなサーマルヘツドの概要を示す構成図で
ある。図に示すサーマルヘツドは、基板1の端部
に発熱抵抗体2を形成するとともに、基板1の両
面にそれぞれ発熱抵抗体2と一部が重なるように
電極層3,4を積層形成したものである。このよ
うに形成されたサーマルヘツドにおいては、発熱
抵抗体2の発熱部分が記録紙等に確実に接触する
ので、熱効率の良いサーマルヘツドを得ることが
できる。また、基板1の端部は平面部に比べて平
坦に加工することが容易であるので、複数の発熱
抵抗体2を記録紙等に均等に接触させることがで
き、高い印字品質を得ることができる。
しかしながら、このようなサーマルヘツドにお
いては、電極層3,4を基板1の両面に形成して
いるために、次のような欠点を有している。
いては、電極層3,4を基板1の両面に形成して
いるために、次のような欠点を有している。
(イ) 基板1に対して片面づつ電極層を形成しなけ
ればならないので、電極層3,4の位置合せな
どが容易ではない。
ればならないので、電極層3,4の位置合せな
どが容易ではない。
(ロ) 基板1にセラミツク基板等のスルーホール処
理の難しい基板を使用した場合には、リード配
線などの配線処理は別の基板で行なわなければ
ならず、駆動用ICその他の素子を内蔵させる
ことが難かしい。
理の難しい基板を使用した場合には、リード配
線などの配線処理は別の基板で行なわなければ
ならず、駆動用ICその他の素子を内蔵させる
ことが難かしい。
(ハ) 印字ドツトの大きさ(発熱抵抗体2の長さ)
は基板1の厚さによつて決まるので、記録の高
分解能化のためには基板1を薄くしなければな
らないが、その場合には、基板1の機械的強度
が得られなくなり、製作が難かしくなつてしま
う。
は基板1の厚さによつて決まるので、記録の高
分解能化のためには基板1を薄くしなければな
らないが、その場合には、基板1の機械的強度
が得られなくなり、製作が難かしくなつてしま
う。
(ニ) 発熱抵抗体2が基板1の端部を包むように形
成されるために、基板1のエツジ部で発熱抵抗
体2が直角に折れ曲つており、このためこのエ
ツジ部で発熱抵抗体2が断線する可能性があ
る。
成されるために、基板1のエツジ部で発熱抵抗
体2が直角に折れ曲つており、このためこのエ
ツジ部で発熱抵抗体2が断線する可能性があ
る。
本発明は、上記のような従来装置の欠点をなく
し、製作が容易であるとともに、高分解能化に適
したサーマルヘツドおよびその製造方法を実現す
ることを目的としたものである。
し、製作が容易であるとともに、高分解能化に適
したサーマルヘツドおよびその製造方法を実現す
ることを目的としたものである。
本発明のサーマルヘツドおよびその製造方法
は、それぞれ電極層が形成された2枚の基板を、
その電極層によりガラス層を挟むように対向さ
せ、このガラス層を介して接着するとともに、ガ
ラス層を含む2枚の基板をその端面に各電極層が
露出するように直線状に切断し、この端面に発熱
抵抗体を形成するようにしたものである。
は、それぞれ電極層が形成された2枚の基板を、
その電極層によりガラス層を挟むように対向さ
せ、このガラス層を介して接着するとともに、ガ
ラス層を含む2枚の基板をその端面に各電極層が
露出するように直線状に切断し、この端面に発熱
抵抗体を形成するようにしたものである。
このように、それぞれに電極層の形成された2
枚の基板を、ガラス層を挟むように対向させ、こ
のガラス層を介して接着するように構成すると、
各基板に対して、一連の製造工程により全ての電
極層を形成することができ、製作が容易であると
ともに、駆動用ICその他の素子を搭載する場合
に必要なクロスオーバ等のリード配線処理も同時
に、かつ同一基板内で行なうことができる。リー
ド配線パターンを2枚の基板で分担するようにな
るので、リードパターンの自由度が高く、ドライ
バ素子の搭載などに有利である。また、発熱抵抗
体の長さは電極層間に形成するガラス層の厚さに
より決定されるので、この厚さを調節することに
より発熱抵抗体の長さを任意に制御することがで
き、基板の強度などに影響を与えることなく、高
分解能のサーマルヘツドを実現することができ
る。さらに、基板の端部を切断し、電極層の露出
した端面に発熱抵抗体を形成するようにしている
ので、発熱抵抗体はその一つの面だけに形成され
れば良く、折れ曲りがないために、信頼性の高い
発熱抵抗体を得ることができる。
枚の基板を、ガラス層を挟むように対向させ、こ
のガラス層を介して接着するように構成すると、
各基板に対して、一連の製造工程により全ての電
極層を形成することができ、製作が容易であると
ともに、駆動用ICその他の素子を搭載する場合
に必要なクロスオーバ等のリード配線処理も同時
に、かつ同一基板内で行なうことができる。リー
ド配線パターンを2枚の基板で分担するようにな
るので、リードパターンの自由度が高く、ドライ
バ素子の搭載などに有利である。また、発熱抵抗
体の長さは電極層間に形成するガラス層の厚さに
より決定されるので、この厚さを調節することに
より発熱抵抗体の長さを任意に制御することがで
き、基板の強度などに影響を与えることなく、高
分解能のサーマルヘツドを実現することができ
る。さらに、基板の端部を切断し、電極層の露出
した端面に発熱抵抗体を形成するようにしている
ので、発熱抵抗体はその一つの面だけに形成され
れば良く、折れ曲りがないために、信頼性の高い
発熱抵抗体を得ることができる。
以下、本発明のサーマルヘツドおよびその製造
方法の一実施例を図面を使用して説明する。図に
おいて、前記第7図と同様のものは同一符号を付
して示す。
方法の一実施例を図面を使用して説明する。図に
おいて、前記第7図と同様のものは同一符号を付
して示す。
第1図〜第5図に本発明のサーマルヘツドの製
造工程の一実施例を示す。第1図において、11
はその表面に金(Au).銀パラジウム.白金.銅
などの導電体により第1の電極層3(以下、選択
電極層3という)が形成された第1の基板、12
は同様に第2の電極層4(以下、共通電極層4と
いう)が形成された第2の基板、5は高融点ガラ
ス等よりなり、選択電極層3と共通電極層4との
間に積層されて電気絶縁層および熱抵抗層となる
ガラス層である。図に示す如く、まず第1の基板
11の選択電極層3の上にガラス層5を印刷した
後、このガラス層5の上にこれを共通電極層4側
で挟み込むように第2の基板12を重ね合わせ、
ガラス層5を焼成して第1および第2の基板11,
12を一体に固着する。ここで、第1の基板11上
に形成された選択電極層3は、エツチングにより
図示の如きパターンに形成されたものであるが、
エツチングにより微細パターンの加工を行なうの
は、10本/mm以上の電極密度を得る場合であり、
これが比較的低密度の場合には、印刷により直接
図のような電極パターンを形成することも可能で
ある。なお、選択電極層3および共通電極層4の
膜厚は、一般的に3〜5μm程度である。
造工程の一実施例を示す。第1図において、11
はその表面に金(Au).銀パラジウム.白金.銅
などの導電体により第1の電極層3(以下、選択
電極層3という)が形成された第1の基板、12
は同様に第2の電極層4(以下、共通電極層4と
いう)が形成された第2の基板、5は高融点ガラ
ス等よりなり、選択電極層3と共通電極層4との
間に積層されて電気絶縁層および熱抵抗層となる
ガラス層である。図に示す如く、まず第1の基板
11の選択電極層3の上にガラス層5を印刷した
後、このガラス層5の上にこれを共通電極層4側
で挟み込むように第2の基板12を重ね合わせ、
ガラス層5を焼成して第1および第2の基板11,
12を一体に固着する。ここで、第1の基板11上
に形成された選択電極層3は、エツチングにより
図示の如きパターンに形成されたものであるが、
エツチングにより微細パターンの加工を行なうの
は、10本/mm以上の電極密度を得る場合であり、
これが比較的低密度の場合には、印刷により直接
図のような電極パターンを形成することも可能で
ある。なお、選択電極層3および共通電極層4の
膜厚は、一般的に3〜5μm程度である。
第2図はガラス層5の焼成後の状態を示すもの
で、次の工程では第1および第2の基板11,12
をその端部で、図中の線aに沿つて直線状に切断
し、発熱抵抗体2を被着すべき端面を形成する。
で、次の工程では第1および第2の基板11,12
をその端部で、図中の線aに沿つて直線状に切断
し、発熱抵抗体2を被着すべき端面を形成する。
この結果、切断された端面には、第3図に示す
如く、選択電極層3および共通電極層4が露出す
るようになり、しかも、これらの各電極層3,4
はガラス層5を介して対向している。ここで、第
2の基板12が第1の基板11に比べて短かく形成
されているのは、第1の基板11(選択電極層3)
よりのリードの取出しを容易にするためである。
如く、選択電極層3および共通電極層4が露出す
るようになり、しかも、これらの各電極層3,4
はガラス層5を介して対向している。ここで、第
2の基板12が第1の基板11に比べて短かく形成
されているのは、第1の基板11(選択電極層3)
よりのリードの取出しを容易にするためである。
本発明においては、この電極層3,4の露出し
た端面に発熱抵抗体2を形成するものであるが、
切断後の端面の表面粗度が所定の基準より低い場
合には、表面を研磨仕上げして、発熱抵抗体2の
付着を良くすることが望ましい。第4図は端面を
研磨するとともに、記録紙等との接触面積を小さ
くして、印字の全圧力を小さくするために、面取
り加工を施した場合を例示したものである。
た端面に発熱抵抗体2を形成するものであるが、
切断後の端面の表面粗度が所定の基準より低い場
合には、表面を研磨仕上げして、発熱抵抗体2の
付着を良くすることが望ましい。第4図は端面を
研磨するとともに、記録紙等との接触面積を小さ
くして、印字の全圧力を小さくするために、面取
り加工を施した場合を例示したものである。
このように形成された端面には、窒化タンタル
(Ta2N).ニクロム(Ni−Cr)などの抵抗材料
がスパツタまたは蒸着により被着され、発熱抵抗
体2を形成する。この場合の発熱抵抗体2の膜厚
は、その抵抗値との関連で決定されるものである
が、概略0.1μm程度である。
(Ta2N).ニクロム(Ni−Cr)などの抵抗材料
がスパツタまたは蒸着により被着され、発熱抵抗
体2を形成する。この場合の発熱抵抗体2の膜厚
は、その抵抗値との関連で決定されるものである
が、概略0.1μm程度である。
さて、上記の工程により、発熱抵抗体2は選択
電極3および共通電極層4の露出した端面に一様
に被着され、これらの電極と導通状態となつてい
るので、次に発熱抵抗体2を各選択電極3毎に分
離する必要がある。
電極3および共通電極層4の露出した端面に一様
に被着され、これらの電極と導通状態となつてい
るので、次に発熱抵抗体2を各選択電極3毎に分
離する必要がある。
第5図は発熱抵抗体2を選択電極3に対応した
形状に分離した状態を示すものである。図示の例
は、レーザカツトを利用して発熱抵抗体2を分離
したもので、6はレーザカツトの軌跡である。レ
ーザカツトの幅(軌跡6の線幅)はレーザビーム
のスポツト径で決まるもので、最小幅は30μm程
度まで可能であるので、高密度の発熱抵抗体形成
が容易である。
形状に分離した状態を示すものである。図示の例
は、レーザカツトを利用して発熱抵抗体2を分離
したもので、6はレーザカツトの軌跡である。レ
ーザカツトの幅(軌跡6の線幅)はレーザビーム
のスポツト径で決まるもので、最小幅は30μm程
度まで可能であるので、高密度の発熱抵抗体形成
が容易である。
上記のようにして発熱抵抗体2が分離される
と、発熱抵抗体2の保護および耐摩耗層として酸
化ケイ素(SiO2).五酸化タンタル(Ta2O5).窒
化ホウ素(BN).炭化ケイ素(SiC)などの絶縁
層がスパツタまたは蒸着により被着される。ま
た、熱伝導性を考慮すれば、酸化ケイ素などで絶
縁した後、分散メツキにより耐摩耗金属層を被着
してもよい。この場合、金属膜には主にニツケル
が使用され、分散剤として酸化アルミニウム.窒
化ホウ素.ダイヤモンドなどを添加することによ
り、熱伝導性ならびに耐摩耗性を向上させること
ができる。第6図はこの耐摩耗層7の被着状態を
示す断面図である。
と、発熱抵抗体2の保護および耐摩耗層として酸
化ケイ素(SiO2).五酸化タンタル(Ta2O5).窒
化ホウ素(BN).炭化ケイ素(SiC)などの絶縁
層がスパツタまたは蒸着により被着される。ま
た、熱伝導性を考慮すれば、酸化ケイ素などで絶
縁した後、分散メツキにより耐摩耗金属層を被着
してもよい。この場合、金属膜には主にニツケル
が使用され、分散剤として酸化アルミニウム.窒
化ホウ素.ダイヤモンドなどを添加することによ
り、熱伝導性ならびに耐摩耗性を向上させること
ができる。第6図はこの耐摩耗層7の被着状態を
示す断面図である。
また、第5図および第6図に示されるように、
発熱抵抗体2の長さは選択電極3と共通電極層4
との間に介在するガラス層5の厚さにより決まつ
ており、ガラス層5の膜厚を調節することによ
り、発熱抵抗体2の長さを任意に制御することが
できる。例えば、ガラス層5の膜厚を制御する手
段として、粒度.形状の一定した球状のアルミナ
粉末や径の一定した円柱状のフアイバグラスなど
をガラス層5に混入させて、第1および第2の基
板11,12間のスペーサとして作用させることに
より、一定の間隔を保つたままでガラス層5を焼
成することができる。
発熱抵抗体2の長さは選択電極3と共通電極層4
との間に介在するガラス層5の厚さにより決まつ
ており、ガラス層5の膜厚を調節することによ
り、発熱抵抗体2の長さを任意に制御することが
できる。例えば、ガラス層5の膜厚を制御する手
段として、粒度.形状の一定した球状のアルミナ
粉末や径の一定した円柱状のフアイバグラスなど
をガラス層5に混入させて、第1および第2の基
板11,12間のスペーサとして作用させることに
より、一定の間隔を保つたままでガラス層5を焼
成することができる。
上記のような工程により本発明のサーマルヘツ
ドが形成されるが、このようなサーマルヘツドに
おいては、それぞれ電極層3,4が形成された基
板11,12をガラス層5を介して対向させ、一体
に固着するようにしているので、製作および配線
処理が容易であるとともに、選択電極層3と共通
電極層4との間に介在するガラス層5の膜厚を調
節することにより、発熱抵抗体2の長さを任意に
制御することができ、基板11,12の厚さ等に左
右されずに、高い分解能を得ることができる。ま
た、電極層3,4の露出した端面に発熱抵抗体2
を形成するので、発熱抵抗体2はその端面のみに
被着されればよく、折れ曲りがないために、信頼
性の高い発熱抵抗体2を形成することできる。さ
らに、基板11,12の端面に発熱抵抗体2をスパ
ツタまたは蒸着する工程は、基板11,12を立
て、端面をスパツタターゲツトに対向させた状態
で行なわれるので、基板11,12をスパツタ装置
内などに数多く装顛することができ、量産化が可
能となる。
ドが形成されるが、このようなサーマルヘツドに
おいては、それぞれ電極層3,4が形成された基
板11,12をガラス層5を介して対向させ、一体
に固着するようにしているので、製作および配線
処理が容易であるとともに、選択電極層3と共通
電極層4との間に介在するガラス層5の膜厚を調
節することにより、発熱抵抗体2の長さを任意に
制御することができ、基板11,12の厚さ等に左
右されずに、高い分解能を得ることができる。ま
た、電極層3,4の露出した端面に発熱抵抗体2
を形成するので、発熱抵抗体2はその端面のみに
被着されればよく、折れ曲りがないために、信頼
性の高い発熱抵抗体2を形成することできる。さ
らに、基板11,12の端面に発熱抵抗体2をスパ
ツタまたは蒸着する工程は、基板11,12を立
て、端面をスパツタターゲツトに対向させた状態
で行なわれるので、基板11,12をスパツタ装置
内などに数多く装顛することができ、量産化が可
能となる。
なお、上記の説明においては、それぞれ基板1
1,12の表面に直接第1の電極層3および第2の
電極層4を形成する場合を例示したが、基板11,
12の表面の平滑度によつては、基板11,12と
電極層3,4の間にそれぞれガラス層を設け、電
極層3,4の下地を平滑化するようにしてもよ
い。また、発熱抵抗体2の分離手段として、レー
ザカツトを例示したが、発熱抵抗体2を分離する
手段には、この他にもフオトリソグラフによるエ
ツチングやブレードによる機械的な切断、サンド
ブラスト法などがあり、必要に応じて使い分ける
ことができるものである。さらに、発熱抵抗体2
の上に形成する耐摩耗層7は、金属膜に限られる
ものではなく、ガラス層を使用することもでき
る。また、前記第6図において、電極層3,4の
間に介在させるガラス層5の長さlを変えると、
この部分の熱伝導率が変化するので、ヘツドの熱
応答特性を任意に変化させることができる。
1,12の表面に直接第1の電極層3および第2の
電極層4を形成する場合を例示したが、基板11,
12の表面の平滑度によつては、基板11,12と
電極層3,4の間にそれぞれガラス層を設け、電
極層3,4の下地を平滑化するようにしてもよ
い。また、発熱抵抗体2の分離手段として、レー
ザカツトを例示したが、発熱抵抗体2を分離する
手段には、この他にもフオトリソグラフによるエ
ツチングやブレードによる機械的な切断、サンド
ブラスト法などがあり、必要に応じて使い分ける
ことができるものである。さらに、発熱抵抗体2
の上に形成する耐摩耗層7は、金属膜に限られる
ものではなく、ガラス層を使用することもでき
る。また、前記第6図において、電極層3,4の
間に介在させるガラス層5の長さlを変えると、
この部分の熱伝導率が変化するので、ヘツドの熱
応答特性を任意に変化させることができる。
以上説明したように、本発明のサーマルヘツド
およびその製造方法では、それぞれに電極層の形
成された2枚の基板を、電気絶縁層および熱抵抗
層となるガラス層を挟むように対向させ、このガ
ラス層を介して一体に固着するとともに、基板を
含む各層を直線状に切断し、各電極層の露出した
端面に発熱抵抗体を形成するようにしているの
で、クロスオーバ等のリード配線処理が可能であ
り、ドライバを含めたヘツドとして、小形化や共
通化による部品数の減少、接続点数の減少、さら
に、低価格と信頼性の向上が実現できる。また、
発熱抵抗体の長さの制御が容易であり、製作が容
易であるとともに、高分解能化に適したサーマル
ヘツドおよびその製造方法を実現することができ
る。
およびその製造方法では、それぞれに電極層の形
成された2枚の基板を、電気絶縁層および熱抵抗
層となるガラス層を挟むように対向させ、このガ
ラス層を介して一体に固着するとともに、基板を
含む各層を直線状に切断し、各電極層の露出した
端面に発熱抵抗体を形成するようにしているの
で、クロスオーバ等のリード配線処理が可能であ
り、ドライバを含めたヘツドとして、小形化や共
通化による部品数の減少、接続点数の減少、さら
に、低価格と信頼性の向上が実現できる。また、
発熱抵抗体の長さの制御が容易であり、製作が容
易であるとともに、高分解能化に適したサーマル
ヘツドおよびその製造方法を実現することができ
る。
第1図〜第6図は本発明のサーマルヘツドおよ
びその製造方法の実施例を示す構成図、第7図は
従来のサーマルヘツドの一例を示す構成図であ
る。 1,11,12……基板、2……発熱抵抗体、
3,……選択電極層、4……共通電極層、5……
ガラス層、6……レーザカツト、7……耐摩耗
層。
びその製造方法の実施例を示す構成図、第7図は
従来のサーマルヘツドの一例を示す構成図であ
る。 1,11,12……基板、2……発熱抵抗体、
3,……選択電極層、4……共通電極層、5……
ガラス層、6……レーザカツト、7……耐摩耗
層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 電気絶縁層および熱抵抗層となるガラス層
と、それぞれ一方の面に電極層が形成されるとと
もにこれらの電極層により前記ガラス層を挟むよ
うに対向配置された第1および第2の基板と、前
記ガラス層を含む前記第1および第2の基板の端
部の切断または研磨により第1および第2の基板
における電極層が露出した端面に形成された発熱
抵抗体とを具備してなるサーマルヘツド。 2 それぞれ一方の面に電極層が形成された2枚
の基板をガラス層を介して対向させ一体に固着す
る工程と、基板を含む各層をその端部において直
線状に切断する工程と、この切断工程により複数
の電極層が露出した端面に発熱抵抗体を形成する
工程とを含むサーマルヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23393584A JPS61110569A (ja) | 1984-11-06 | 1984-11-06 | サ−マルヘツドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23393584A JPS61110569A (ja) | 1984-11-06 | 1984-11-06 | サ−マルヘツドおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61110569A JPS61110569A (ja) | 1986-05-28 |
JPH0582304B2 true JPH0582304B2 (ja) | 1993-11-18 |
Family
ID=16962914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23393584A Granted JPS61110569A (ja) | 1984-11-06 | 1984-11-06 | サ−マルヘツドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61110569A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS635963A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-11 | Rohm Co Ltd | サ−マルヘツド |
JPH01267059A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-24 | Mitani Denshi Kogyo Kk | サーマルヘッド装置 |
JPH01163140U (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-14 |
-
1984
- 1984-11-06 JP JP23393584A patent/JPS61110569A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61110569A (ja) | 1986-05-28 |
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