JPH057868B2 - - Google Patents

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JPH057868B2
JPH057868B2 JP62141392A JP14139287A JPH057868B2 JP H057868 B2 JPH057868 B2 JP H057868B2 JP 62141392 A JP62141392 A JP 62141392A JP 14139287 A JP14139287 A JP 14139287A JP H057868 B2 JPH057868 B2 JP H057868B2
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体集積回路(IC)チツプをパ
ツケージングしてフイルムキヤリアデバイスを形
成するためのフイルムキヤリアに係り、特にアウ
タリードおよびコンタクト部のパターンに関す
る。
(従来の技術) ICの実装密度の向上を図るためにチツプのア
センブリ形成としてフイルムキヤリア方式が広く
普及してきた。
第5図は、フイルムキヤリア51の中央部に長
さ方向に一定間隔でICチツプ52がパツケージ
ングされたフイルムキヤリアデバイス50を示し
ている。
上記フイルムキヤリア51は、ICチツプ52
が電気的に接続されると共に樹脂ポツテイングさ
れた状態(樹脂により薄くコーテイングされて封
止された状態)で配列されており、その両側縁に
沿つてそれぞれ一列にスプロケツトホール53が
形成されており、前記チツプ52の周囲に複数の
アウタリード54が形成されている。なお、55
は打ち抜き穴である。
前記フイルムキヤリアデバイス50は、第5図
中に点線で示すように、アウタリード54の各先
端部をフイルム上に残してフイルムキヤリア51
から打ち抜かれたのち使用される。
なお、第6図は、従来のテスタ用ソケツト60
の接触子パターンを示しており、前記フイルムキ
ヤリア51上のアウタリード54の各先端部に対
応する位置でコンタクト部61が一直線上に配列
されている。この場合、コンタクト部相互間に所
要の距離(長さ)の絶縁部62を確保する必要が
あることから、現在の生産技術ではコンタクト部
61のピツチP1の最小値として0.45mmより小さい
ものは実現されていない。
ところで、フイルムキヤリアデバイスの用途
(カード電卓等)が飛躍的に拡大すると共に実装
密度の向上に対する使用者の要求も非常に厳しく
なつている。これに対応して、従来はアウタリー
ド54のピツチP2を縮めることが行われてきた。
しかし、前述したようにフイルムキヤリアデバイ
ス50の打ち抜き前のテストに際して、テスタ用
ソケツトの接触子61をアウタリードの各先端部
のコンタクト部にコンタクトさせる必要があるの
で、上記アウタリード54のピツチP2をテスタ
用ソケツトの接触子61のピツチP1に合わせる
必要があつた。この場合、アウタリードのピツチ
縮小技術がソケツト接触子のピツチ縮小技術より
も先行している現状では、アウタリード54のピ
ツチP2をソケツト接触子61の現状で実現可能
な最小ピツチ0.45mmよりも小さく縮めることが不
可能であり、必らずしも実装密度の向上に対する
要求に十分応えることができないという問題点が
あつた。もし、第5図のフイルムキヤリア51に
おけるアウタリード54をそのままの形状で上記
ソケツト接触子61の最小ピツチ0.45mmよりも小
さく縮小した場合には、上記フイルムキヤリアデ
バイス50の打ち抜き前にテスタによりテストす
ることが不可能になり、出荷品質を保証できなく
なるという問題が生じる。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明は、上記したようにアウタリードのピツ
チがテスタ用ソケツト接触子の最小ピツチにより
制限されて0.45mmより小さい極小ピツチに設定す
ることができないという問題点を解決すべくなさ
れたもので、アウタリードのピツチを0.45mmより
小さい極小ピツチで実現した場合でも、フイルム
キヤリアデバイスの打ち抜き前にテスタ用ソケツ
ト接触子とのコンタクトをとつてテストすること
が可能になり、フイルムキヤリアデバイスの実装
密度を十分に向上させ、出荷品質を良好に確保す
ることが可能になるフイルムキヤリアを提供する
ことを目的とする。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) フイルムの一主表面の所定領域に配置される半
導体集積回路チツプと、前記フイルムの一主表面
上に固定されており前記半導体集積回路チツプの
接続部に一端部が各々接続され他端部がチツプ周
辺から遠方に伸びる複数のリードと、前記複数の
リードの一端部と他端部の間に位置するように設
けられた前記フイルムの開口部と、前記半導体集
積回路チツプの接続部と前記フイルムの開口部と
の間の前記半導体集積回路チツプに近い側のフイ
ルム上において前記複数のリードのうちの幾つか
にそれぞれ設けられた幅広のコンタクト部とを具
備したことを特徴とする (作用) リードピツチを0.45mmより小さくした場合で
も、チツプに近い側のフイルム上に、でなければ
リード他端部のチツプに遠い側のフイルム上に
と、リード長さ方向に所定距離をあけて設けられ
たコンタクト部によつてテスタ用ソケツト接触子
とのコンタクトをとることが可能であり、デバイ
ス打ち抜き前のテストを可能としながら実装密度
を向上させることが可能になる。
(実施例) 以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細
に説明する。
第1図はこの発明に至る改良前の例を示すもの
であり、フイルムキヤリア1の中央部に長さ方向
に一定間隔でICチツプ2がパツケージングされ
た状態のフイルムキヤリアデバイス3を示してい
る。
上記フイルムキヤリア1は、第2図に示すよう
に、幅が約35mmの絶縁フイルム10の両側縁に沿
つてそれぞれ一列にスプロケツトホール11が形
成され、中央部の長さ方向に一定間隔でチツプ配
置用穴12が形成されている。そして、この穴1
2の周辺のフイルム上にはパツケージングすべき
ICチツプとの間でボンデイング接続されるパツ
ド部13が形成され、さらにこのパツド部13に
一体的に連なつてデバイスの外部端子となるため
のアウタリード14がたとえば銅箔により形成さ
れている。上記アウタリード14のうち、ICチ
ツプに近い部分は互いに平行な並列状態に形成さ
れており、この平行リード部141のピツチP3
0.4mmに設定されている。そして、上記平行リー
ド部141の各リード先端(ICチツプから遠い側)
からテスタ用ソケツト接触子とコンタクトするた
めのコンタクト用アウタリード部142が放射状
に延長するようにフイルム上に形成されている。
そして、上記フイルム中央部のチツプ配置用穴
12にICチツプが配置され、このICチツプと前
記パツド部とがワイヤボンデイングにより電気的
に接続された後、ICチツプおよび上記接続部が
樹脂ポツテイングされる(樹脂により薄くコーテ
イングされて封止される)ことによりパツケージ
ングされている。このフイルムキヤリアデバイス
3は、第1図の状態でコンタクト用リード部14
にテスタ用ソケツト接触子がコンタクトされて
テストされ、その後、平行リード部141の各先
端部をフイルム上に残してフイルムキヤリア1か
ら打ち抜かれるものである。そして、この打ち抜
き後のデバイスの表面側、裏面側のどちらでもデ
バイス実装用ボード上にアセンブリし得るよう
に、打ち抜き予定位置を含む所定領域に対応して
フイルムキヤリア1に打ち抜き穴15が形成され
ている。但し、両面アセンブリを予定しない場合
には、上記打ち抜き穴15は必要ではない。
また、前記テスタ用ソケツト接触子のコンタク
ト時にリードに加わる力によつてリードが破損す
ることのないように、コンタクト用アウタリード
部142はフイルムキヤリア1上に固定されてい
る。
上記フイルムキヤリア1によれば、平行リード
部141のピツチP3を従来の制限値よりも小さい
0.45mm未満で現在の生産技術上可能な限り極小の
ピツチに設定したとしても、放射状のコンタクト
用リード部142のピツチをテスタ用ソケツト接
触子のピツチに合わせるように大きく設定するこ
とが可能になる。
従つて、フイルムキヤリアデバイス3の打ち抜
き前にテスタによるテストが可能になり、打ち抜
き後のデバイスとしてリードピツチが極小のもの
が得られるもので、フイルムキヤリアデバイスの
実装密度を十分に向上させ、出荷品質を良好に確
保することが可能になる。
なお、上記例のフイルムキヤリア1におけるリ
ードのパターンはリード数が少なくてリードパタ
ーン占有面積を大きくとることができる場合に適
している。また、上記例の打ち抜き予定領域をミ
ニ・フラツト・パツケージ型デバイスと同じ大き
さになるようにコンタクト用イード部142の中
間部を含む領域まで拡大し、かつ打ち抜き後のデ
バイスのリード先端部のピツチが上記ミニ・フラ
ツト・パツケージ型デバイスのそれと同じになる
ように設定しておけば、上記打ち抜き後のデバイ
スをミニ・フラツト・パツケージ型デバイスと同
様に取り扱つて実装することが可能になり、しか
も打ち抜き前のテストに際して既存のミニ・フラ
ツド・パツケージ型デバイスをテストするための
テスタ用ソケツトをそのまま使用することが可能
になる。
第3図は、さらにチツプが縮小され、高密度実
装を実現するこの発明の実施例に係るフイルムキ
ヤリアデバイス30の打ち抜き前の状態を示して
おり、このデバイス30は前記第1図に比べてフ
イルムキヤリア31の平行リード部141の所定
部分にリード幅より幅広のコンタクト部32が形
成されている点が異なり、その他は同じであるの
で第1図中と同一部分には同一符号を付してい
る。即ち、上記平行リード部141は1個置きに
選択された2群に分けられ、一方のリード群には
ICチツプ2に近い側、つまりICチツプ2の接続
部と上記打ち抜き穴33との間にコンタクト部3
2が形成され、他方のリード群にはICチツプ2
から遠い側、つまり平行リード141の先端部に
コンタクト部32が形成されており、これらのコ
ンタクト部32はフイルム上にたとえば銅箔によ
り形成されている。
なお、上記デバイス30は平行リード部141
の各先端部をフイルム上に残してフイルムキヤリ
ア31から打ち抜かれるものであり、打ち抜き予
定位置を含む平行リード部141の中間部形成領
域に対応してフイルムキヤリア31に打ち抜き穴
33が形成されている。
上記フイルムキヤリア31によれば、コンタク
ト部32がICチツプに近い側と遠い側との2群
に分かれているので、打ち抜き前のテストに際し
て第4図に示すような接触子パターンを有するテ
スタ用ソケツト40を用いることで上記テストが
可能になる。即ち、上記ソケツト40の接触子パ
ターンは、ICチツプに近い側のコンタクト部に
コンタクトする接触子41群とICチツプに遠い
側のコンタクト部にコンタクトする接触子42群
との2群に分離して形成されている。従つて、接
触子41群、接触子42群のそれぞれにおける接
触子相互間のピツチP4を前記リードピツチP3
2倍に設定できるので、リードピツチが極小にな
つても接触子相互間の絶縁部43の距離(幅)を
所要量だけ確保できる。
換言すれば、上記第3図のフイルムキヤリア3
1によれば、テスタ用ソケツト接触子のピツチ
P4を従来と同じ最小ピツチ0.45mmに設定した場
合、平行リード部141のリードピツチを従来の
制限値よりも小さい0.45mm未満の極小ピツチで現
在の生産技術上可能な限り極小のピツチに設定す
ることが可能になり、しかも、テスト用のコンタ
クト部の密集が避けられるのでテスタ用ソケツト
端子とのコンタクトに十分な信頼性が得られ、フ
イルムキヤリアデバイス30の出荷品質を確保し
つつ実装密度の大幅な向上を図ることができる。
なお、上記フイルムキヤリア31は、リードパ
ターンに前記第1図のような放射状コンタクト部
パターンを有さず、限定されたフイルム面積上に
多数のアウタリードを形成できるので、特に多ピ
ンのICチツプのパツケージングに好適である。
〔発明の効果〕
上述したように本発明のフイルムキヤリアによ
れば、アウタリードの平行リード部のうち、チツ
プの接続部とフイルムの打ち抜き穴との間に存在
するチツプに近い側のフイルム上、そうでなけれ
ばリード先端部のチツプに遠い側のフイルム上と
いうように、距離が隣り合うリードで交互に相異
なる位置にリード幅より幅広のコンタクト部を設
けたので、平行リード部のピツチ間隔を0.45mmよ
り小さい極小ピツチで実現した場合でも、フイル
ムキヤリアデバイスの打ち抜き前にテスタ用ソケ
ツトとのコンタクトをとつてテストすることが可
能になる。従つて、フイルムキヤリアデバイスの
出荷品質を良好に確保しつつ実装密度を最近の厳
しい要求に対して十分応え得る程度に向上させる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に至る改良前のフイルムキヤ
リアの例を用いたフイルムキヤリアデバイスの打
ち抜き前の状態を示す平面図、第2図は第1図中
のフイルムキヤリアを取り出して示す平面図、第
3図はこの発明のフイルムキヤリアの構成を示す
平面図、第4図は第3図のフイルムキヤリアを用
いたデバイスの打ち抜き前テストに使用するテス
タ用ソケツトの接触子パターンを示す平面図、第
5図は従来のフイルムキヤリアデバイスを示す平
面図、第6図は第5図のデバイスに対応するテス
タ用ソケツトの接触子パターンを示す平面図であ
る。 1……フイルムキヤリア、2……ICチツプ、
3……デバイス、11……スプロケツトホール、
12……チツプ配置用穴、13……パツド部、1
4……アウタリード、15……打ち抜き穴。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 フイルム一主表面の所定領域に配置される半
    導体集積回路チツプと、 前記フイルムの一主表面上に固定されており前
    記半導体集積回路チツプの接続部に一端部が各々
    接続され他端部がチツプ周辺から遠方に伸びる複
    数のリードと、 前記複数のリードの一端部と他端部の間に位置
    するように設けられた前記フイルムの開口部と、 前記半導体集積回路チツプの接続部と前記フイ
    ルムの開口部との間の前記半導体集積回路チツプ
    に近い側のフイルム上において前記複数のリード
    のうちの幾つかにそれぞれ設けられた幅広のコン
    タクト部と を具備したことを特徴とするフイルムキヤリア。 2 前記複数のリードのうち前記コンタクト部を
    設けないリードではリードの他端部における前記
    チツプに遠い側のフイルム上に幅広のコンタクト
    部が設けられていることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項に記載のフイルムキヤリア。 3 前記チツプに近い側のコンタクト部と遠い側
    のコンタクト部は交互に設けられることを特徴と
    する特許請求の範囲第2項に記載のフイルムキヤ
    リア。 4 前記コンタクト部はデバイス打ち抜き前テス
    トに際してテスタ用ソケツト端子とコンタクトす
    るために設けられていることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項乃至第3項いずれかに記載のフイ
    ルムキヤリア。
JP62141392A 1987-06-08 1987-06-08 フイルムキヤリア Granted JPS63306633A (ja)

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