JPS61224385A - 半導体レ−ザ駆動回路 - Google Patents
半導体レ−ザ駆動回路Info
- Publication number
- JPS61224385A JPS61224385A JP60063293A JP6329385A JPS61224385A JP S61224385 A JPS61224385 A JP S61224385A JP 60063293 A JP60063293 A JP 60063293A JP 6329385 A JP6329385 A JP 6329385A JP S61224385 A JPS61224385 A JP S61224385A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- semiconductor laser
- mark rate
- drive circuit
- pulse current
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信システムにおける光送信回路、特に半導
体レーザ駆動回路に関する。
体レーザ駆動回路に関する。
光通信システムにおける光送信回路の発光素子として半
導体レーザダイオードが用いられる。この半導体レーザ
ダイオードは非線形性発光素子で、しきい値電流をもっ
ており、しかもそのしきい値は温度によって変化するた
め、半導体レーザダイオードを用いて、直接ディジタル
強度変調された出力信号光を安定に得るにはＡ Ｐ Ｃ
（ＡｕｔｏｍａｔｉｃＰｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ ）
回路、すなわち光出力制御回路が必要である。ＡＰＣ回
路は半導体レーザダイオードの出力信号光のピーク電力
が安定になるように半導体レーザダイオードの直流バイ
アス値を変更するためのものである。
導体レーザダイオードが用いられる。この半導体レーザ
ダイオードは非線形性発光素子で、しきい値電流をもっ
ており、しかもそのしきい値は温度によって変化するた
め、半導体レーザダイオードを用いて、直接ディジタル
強度変調された出力信号光を安定に得るにはＡ Ｐ Ｃ
（ＡｕｔｏｍａｔｉｃＰｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ ）
回路、すなわち光出力制御回路が必要である。ＡＰＣ回
路は半導体レーザダイオードの出力信号光のピーク電力
が安定になるように半導体レーザダイオードの直流バイ
アス値を変更するためのものである。
ＡＰＣ回路によればディジタル信号により強度変調され
た出力光の安定化のために、半導体レーザダイオード（
ＬＤ）の背面光をフォトダイオ−？ （ＰＤ）でモニタ
ーし、光電気交換により得られた電圧を基準電圧と比較
し、バイアス回路を駆動して半導体レーザダイオードの
直流バイアス値を変更するようにしている。半導体レー
ザダイオードの背面光をフォトダイオードでモニターす
る場合、フォトダイオードの出力電流は、一般にフォト
ダイオードの帯域が狭いために出力光の平均値に対応す
る電流となる。従って、この平均値電流は半導体レーザ
ダイオード駆動回路にメカされるディジタル信号のマー
ク率（一定期間における全ビット数に対する論理“１”
レベルのビット数の割合を表す）の変動に従って変化す
ることになる。このため従来のＡＰＣ回路は、第４図に
示すようにマーク率検出回路をさらに備え、ディジタル
信号のマーク率変動による光信号のピーク値の変動を防
止するようにしている。第４図において、１は半導体レ
ーザダイオード２およびフォトダイオード３よりなるレ
ーザモジュール、４はレーザダイオード２を駆動するＥ
ＣＬ （Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｌｏｇｉ
ｃ ）回路、５．６．７はＡＰＣ系を構成する増幅回路
、８はバイアス回路、９はチョークコイル、１０はフィ
ルターである。この半導体レーデダイオード駆動回路に
おいて、フィルター１０と増幅回路５とにより前述のマ
ーク率検出回路が構成される。フィルター１０は、ＥＣ
Ｌ回路４を構成する２個のトランジスタ１１．１２の一
方のトランジスタ１１のコレクタに接続された抵抗１３
の一端に接続されている。
た出力光の安定化のために、半導体レーザダイオード（
ＬＤ）の背面光をフォトダイオ−？ （ＰＤ）でモニタ
ーし、光電気交換により得られた電圧を基準電圧と比較
し、バイアス回路を駆動して半導体レーザダイオードの
直流バイアス値を変更するようにしている。半導体レー
ザダイオードの背面光をフォトダイオードでモニターす
る場合、フォトダイオードの出力電流は、一般にフォト
ダイオードの帯域が狭いために出力光の平均値に対応す
る電流となる。従って、この平均値電流は半導体レーザ
ダイオード駆動回路にメカされるディジタル信号のマー
ク率（一定期間における全ビット数に対する論理“１”
レベルのビット数の割合を表す）の変動に従って変化す
ることになる。このため従来のＡＰＣ回路は、第４図に
示すようにマーク率検出回路をさらに備え、ディジタル
信号のマーク率変動による光信号のピーク値の変動を防
止するようにしている。第４図において、１は半導体レ
ーザダイオード２およびフォトダイオード３よりなるレ
ーザモジュール、４はレーザダイオード２を駆動するＥ
ＣＬ （Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｌｏｇｉ
ｃ ）回路、５．６．７はＡＰＣ系を構成する増幅回路
、８はバイアス回路、９はチョークコイル、１０はフィ
ルターである。この半導体レーデダイオード駆動回路に
おいて、フィルター１０と増幅回路５とにより前述のマ
ーク率検出回路が構成される。フィルター１０は、ＥＣ
Ｌ回路４を構成する２個のトランジスタ１１．１２の一
方のトランジスタ１１のコレクタに接続された抵抗１３
の一端に接続されている。
以上のような構成の従来の半導体レーザダイオード駆動
回路において、ＥＣＬ回路４のトランジスタ１１．１２
のベースにそれぞれ接続されているＥＣＬ回路入力端子
１４．１５に相補ディジタル信号が入力されると、トラ
ンジスタ１１．１２のコレクタに相補パルス電流が発生
し、トランジスタ１２のパルス電流はレーザダイオード
２を流れ、レーザダイオードを発光させる。レーザダイ
オード２の出力光は、光ファイバ１６に送り出される。
回路において、ＥＣＬ回路４のトランジスタ１１．１２
のベースにそれぞれ接続されているＥＣＬ回路入力端子
１４．１５に相補ディジタル信号が入力されると、トラ
ンジスタ１１．１２のコレクタに相補パルス電流が発生
し、トランジスタ１２のパルス電流はレーザダイオード
２を流れ、レーザダイオードを発光させる。レーザダイ
オード２の出力光は、光ファイバ１６に送り出される。
レーザダイオード２の背面光はフォトダイオード３によ
りモニターされ電流に変換される。この電流は、抵抗１
７により電圧に変換されて増幅回路６に入力され増幅さ
れて、増幅回路７の一方の入力端子に供給される。前述
したように、フォトダイオード３の出力電流は、レーザ
ダイオード２の出力光の平均値を示す電流であり、従っ
て増幅回路６からはこの平均値電流に対応する平均値電
圧が出力される。
りモニターされ電流に変換される。この電流は、抵抗１
７により電圧に変換されて増幅回路６に入力され増幅さ
れて、増幅回路７の一方の入力端子に供給される。前述
したように、フォトダイオード３の出力電流は、レーザ
ダイオード２の出力光の平均値を示す電流であり、従っ
て増幅回路６からはこの平均値電流に対応する平均値電
圧が出力される。
この平均値電圧は、レーザダイオード２の温度変化によ
るしきい値の変動により変化し、さらにＥＣＬ回路４に
人力されるディジタル信号のマーク率の変動によっても
変化する。
るしきい値の変動により変化し、さらにＥＣＬ回路４に
人力されるディジタル信号のマーク率の変動によっても
変化する。
一方、ＥＣＬ回路４のトランジスタ１１のパルス電流（
レーザダイオード２を流れるパルス電流に対して相補を
なす）は抵抗１３を流れ、この抵抗１３の一端より取り
出されこのパルス電流に対応するパルス電圧がフィルタ
ー１０に供給される。フィルター１０はこのパルス電圧
を平均化し平均値電圧を増幅回路５に入力し、増幅回路
５からは増・幅された平均値電圧が出力される。この平
均値電圧は、ＥＣＬ回路４へ入力されるディジタル信号
の変動率を表しており、増幅回路７の他方の入力端子に
基準電圧として供給される。
レーザダイオード２を流れるパルス電流に対して相補を
なす）は抵抗１３を流れ、この抵抗１３の一端より取り
出されこのパルス電流に対応するパルス電圧がフィルタ
ー１０に供給される。フィルター１０はこのパルス電圧
を平均化し平均値電圧を増幅回路５に入力し、増幅回路
５からは増・幅された平均値電圧が出力される。この平
均値電圧は、ＥＣＬ回路４へ入力されるディジタル信号
の変動率を表しており、増幅回路７の他方の入力端子に
基準電圧として供給される。
増幅回路７において、増幅回路６からの平均値電圧と増
幅回路５からの平均値電圧との差をとり、直流バイアス
回路８でこの差信号に従ったバイアス電流変化を、チョ
ークコイル９を経て半導体レーザダイオード２に与え光
信号出力を一定にしている。
幅回路５からの平均値電圧との差をとり、直流バイアス
回路８でこの差信号に従ったバイアス電流変化を、チョ
ークコイル９を経て半導体レーザダイオード２に与え光
信号出力を一定にしている。
このように従来の半導体レーザダイオード駆動回路にお
いては、マーク率検出回路を設け、フォトダイオードの
平均値電流からディジタル信号のマーク率変動による変
化分を除去することによって、ディジタル信号のマーク
率変動による光信号のピーク値の変動を防ぐようにして
いる。
いては、マーク率検出回路を設け、フォトダイオードの
平均値電流からディジタル信号のマーク率変動による変
化分を除去することによって、ディジタル信号のマーク
率変動による光信号のピーク値の変動を防ぐようにして
いる。
しかしこの従来の構成では、レーザダイオード駆動用Ｅ
ＣＬ回路４のパルス電流が比較的大きいため、パルス電
流の温度特性、波形特性によりマーク率検出回路の増幅
回路５の出力である平均値電圧（Ｖ）の変動分（△■）
も大きくなり、その結果、増幅回路５の出力信号（検出
信号）のマーク率に対する直線性が劣化したり、直線性
の劣化によりさらには消光比も劣化するという問題点を
有している。
ＣＬ回路４のパルス電流が比較的大きいため、パルス電
流の温度特性、波形特性によりマーク率検出回路の増幅
回路５の出力である平均値電圧（Ｖ）の変動分（△■）
も大きくなり、その結果、増幅回路５の出力信号（検出
信号）のマーク率に対する直線性が劣化したり、直線性
の劣化によりさらには消光比も劣化するという問題点を
有している。
本発明の目的は、上述した従来の欠点を改善した半導体
レーザダイオード駆動回路を提供することにある。
レーザダイオード駆動回路を提供することにある。
本発明は、半導体レーザをオン・オフさせるパルス電流
を供給するパルス電流駆動回路と、半導体レーザのモニ
ター光を処理して得た制御信号に基づきレーザ出力光を
制御する光出力制御回路と、パルス電流駆動回路に入力
されるディジタル信号のマーク率を検出するマーク率検
出回路とを備え、光出力制御回路においてマーク率検出
回路からの検出信号を用いてマーク率変動によるレーザ
出力光のピーク値の変動を防止するようにした半導体レ
ーザ駆動回路において、マーク率検出回路が、前記ディ
ジタル信号に基づく相補信号を平均化する平均化回路と
、平均化回路の出力の差分をとる増幅回路とを有するこ
とを特徴としている。
を供給するパルス電流駆動回路と、半導体レーザのモニ
ター光を処理して得た制御信号に基づきレーザ出力光を
制御する光出力制御回路と、パルス電流駆動回路に入力
されるディジタル信号のマーク率を検出するマーク率検
出回路とを備え、光出力制御回路においてマーク率検出
回路からの検出信号を用いてマーク率変動によるレーザ
出力光のピーク値の変動を防止するようにした半導体レ
ーザ駆動回路において、マーク率検出回路が、前記ディ
ジタル信号に基づく相補信号を平均化する平均化回路と
、平均化回路の出力の差分をとる増幅回路とを有するこ
とを特徴としている。
次に本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図である。
図中、第４図の回路要素と同一の回路要素には同一の番
号を付して示す。この実施例は、ＥＣＬ回路４０入力端
子１４．１５にそれぞれ相補ディジタル信号が入力され
る場合の例であり、マーク率検出回路は入力端子１４．
１５に入力される相補ディジタル信号のそれぞれの平均
値をとるためのフィルター１８と、このフィルターから
のそれぞれの出力の差をとる増幅回路１９とから構成さ
れている。
号を付して示す。この実施例は、ＥＣＬ回路４０入力端
子１４．１５にそれぞれ相補ディジタル信号が入力され
る場合の例であり、マーク率検出回路は入力端子１４．
１５に入力される相補ディジタル信号のそれぞれの平均
値をとるためのフィルター１８と、このフィルターから
のそれぞれの出力の差をとる増幅回路１９とから構成さ
れている。
入力端子１４．１５への相補ディジタル信号Ｓ、暮に基
づいて、ＥＣＬ回路４がレーザダイオード２を駆動し、
増幅回路６から平均値電圧が出力される動作は、従来の
駆動回路の動作と同じである。
づいて、ＥＣＬ回路４がレーザダイオード２を駆動し、
増幅回路６から平均値電圧が出力される動作は、従来の
駆動回路の動作と同じである。
一方、入力端子１４．１５に入力された相補ディジタル
信号ｉ、ぎは、フィルター１８に人力され、各々の信号
の平均値電圧Ｖｓ、Ｖｓが出力される。明らかなように
、ディジタル信号のマーク率が増大すると一方の平均値
電圧は増大し、他方の平均値電圧は減少する関係にある
。これらの平均値電圧は、増幅回路１９のノーマル、イ
ンバータ両入力端子に入力され差分がとられる。平均値
電圧Ｖｓ。
信号ｉ、ぎは、フィルター１８に人力され、各々の信号
の平均値電圧Ｖｓ、Ｖｓが出力される。明らかなように
、ディジタル信号のマーク率が増大すると一方の平均値
電圧は増大し、他方の平均値電圧は減少する関係にある
。これらの平均値電圧は、増幅回路１９のノーマル、イ
ンバータ両入力端子に入力され差分がとられる。平均値
電圧Ｖｓ。
ｖｇの温度特性、波形特性による変動分をそれぞれ△Ｖ
ｓ、△Ｖｓとすれば、増幅回路１９の出力は、−ノ
〜 （Ｖｓ＋△Ｖｓ） −（Ｖ百＋△■百）＝（Ｖｓ−Ｖ百
）＋（△Ｖｓ−△ＶＮ）となる。変動分（△Ｖｓ−△■
百）は差分がとられるため小さくなり、従って増幅回路
１９の出力は温度特性、波形特性に対し安定した平均値
電圧となる。この平均値電圧はディジタル信号Ｓのマー
ク率に対応しており、その直線性は従来の駆動回路に比
べて劣化は少なくなる。増幅回路１９の出力は、マーク
率基準電圧として増幅回路７に入力され、マーク率変動
による光信号のピーク値の変動の防止が図られ、安定な
ＡＰＣ動作が行われる。
ｓ、△Ｖｓとすれば、増幅回路１９の出力は、−ノ
〜 （Ｖｓ＋△Ｖｓ） −（Ｖ百＋△■百）＝（Ｖｓ−Ｖ百
）＋（△Ｖｓ−△ＶＮ）となる。変動分（△Ｖｓ−△■
百）は差分がとられるため小さくなり、従って増幅回路
１９の出力は温度特性、波形特性に対し安定した平均値
電圧となる。この平均値電圧はディジタル信号Ｓのマー
ク率に対応しており、その直線性は従来の駆動回路に比
べて劣化は少なくなる。増幅回路１９の出力は、マーク
率基準電圧として増幅回路７に入力され、マーク率変動
による光信号のピーク値の変動の防止が図られ、安定な
ＡＰＣ動作が行われる。
第２図は、本発明の他の実施例を示す。図中、第１図の
回路要素と同一の回路要素には同一の番号を付して示す
。この実施例は、入力端子１４．１５のいずれか一方に
のみディジタル信号を入力させることによりＥＣＬ回路
を動作させる場合の例であり、入力端子１４．１５とＥ
ＣＬ回路４との間にＯＲ回路２０が設けられている。こ
のＯＲ回路は、入力端子１４または１５に人力されるデ
ィジタル信号を選択して、相補ディジタル信号を出力し
、ＥＣＬ回路４に入力させる。さらに、入力端子１４．
１５とフィルター１８との間にＯＲ回路２１が設けられ
ており、このＯＲ回路はＯＲ回路２０と同様、入力端子
１４または１５に人力されるディジタル信号を選択して
、相補ディジタル信号を出力し、フィルター１８に人力
させる。その後の動作は、第１図の実施例と同様である
。
回路要素と同一の回路要素には同一の番号を付して示す
。この実施例は、入力端子１４．１５のいずれか一方に
のみディジタル信号を入力させることによりＥＣＬ回路
を動作させる場合の例であり、入力端子１４．１５とＥ
ＣＬ回路４との間にＯＲ回路２０が設けられている。こ
のＯＲ回路は、入力端子１４または１５に人力されるデ
ィジタル信号を選択して、相補ディジタル信号を出力し
、ＥＣＬ回路４に入力させる。さらに、入力端子１４．
１５とフィルター１８との間にＯＲ回路２１が設けられ
ており、このＯＲ回路はＯＲ回路２０と同様、入力端子
１４または１５に人力されるディジタル信号を選択して
、相補ディジタル信号を出力し、フィルター１８に人力
させる。その後の動作は、第１図の実施例と同様である
。
第３図は、第２図の実施例の変形例を示す図である。こ
の実施例は、ＥＣＬ回路４の抵抗１３の一端よりパルス
電圧を取り出し、相補信号を形成する例である。相補信
号はゲート回路２２により形成され、第２図の実施例と
同様にフィルター１８に入力される。この変形例によれ
ば、第４図の従来の駆動回路と同様にＥＣＬ回路４から
比較的大きいパルス電流を取り出してはいるが増幅回路
１９においてフィルター１８の出力の差分をとるため、
増幅回路１９の出力には安定した平均値電圧が得られる
。
の実施例は、ＥＣＬ回路４の抵抗１３の一端よりパルス
電圧を取り出し、相補信号を形成する例である。相補信
号はゲート回路２２により形成され、第２図の実施例と
同様にフィルター１８に入力される。この変形例によれ
ば、第４図の従来の駆動回路と同様にＥＣＬ回路４から
比較的大きいパルス電流を取り出してはいるが増幅回路
１９においてフィルター１８の出力の差分をとるため、
増幅回路１９の出力には安定した平均値電圧が得られる
。
なお、本実施例において、入力端子１４．１５に相補信
号が入力される場合にはＯＲ回路２０は不要となる。
号が入力される場合にはＯＲ回路２０は不要となる。
以上、本発明の詳細な説明したが、本発明はこれら実施
例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の
変更、変形が可能なことは勿論である。例えば、レーザ
モジュールの発光素子としては半導体レーザダイオード
に限るものではなく、その他の半導体レーザであ呈１よ
い。また、回路要素についても実施例のものに限られず
、同等の機能を有する要素を用いることができる。
例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の
変更、変形が可能なことは勿論である。例えば、レーザ
モジュールの発光素子としては半導体レーザダイオード
に限るものではなく、その他の半導体レーザであ呈１よ
い。また、回路要素についても実施例のものに限られず
、同等の機能を有する要素を用いることができる。
以上説明したように本発明によればパルス電流の温度変
動、波形特性に関係なく、検出信号のマーク率に対する
直線性の劣化や消光比の劣化のないＡＰＣ特性が得られ
るという効果がある。
動、波形特性に関係なく、検出信号のマーク率に対する
直線性の劣化や消光比の劣化のないＡＰＣ特性が得られ
るという効果がある。
第１図は、本発明の一実施例の回路図、第２図は、他の
実施例の回路図、 第３図は、さらに他の実施例の回路図、第４図は、従来
の半導体レーザ駆動回路の回路図である。 １・・・レーザモジュール ２・・・半導体レーザダイオード ３・・・フォトダイオード ４・・・ＥＣＬ回路 ６．７．１９・・・増幅回路 ８・・・バイアス回路 ９・・・チョークコイル １１．１２・・・トランジスタ １３．１７・・・抵抗 １４．１５・・・入力端子 １６・・・光ファイバ １８・・・フィルター ２０．２１・・・ＯＲ回路 ２２・・・ゲート回路
実施例の回路図、 第３図は、さらに他の実施例の回路図、第４図は、従来
の半導体レーザ駆動回路の回路図である。 １・・・レーザモジュール ２・・・半導体レーザダイオード ３・・・フォトダイオード ４・・・ＥＣＬ回路 ６．７．１９・・・増幅回路 ８・・・バイアス回路 ９・・・チョークコイル １１．１２・・・トランジスタ １３．１７・・・抵抗 １４．１５・・・入力端子 １６・・・光ファイバ １８・・・フィルター ２０．２１・・・ＯＲ回路 ２２・・・ゲート回路
Claims (1)
- （１）半導体レーザをオン・オフさせるパルス電流を供
給するパルス電流駆動回路と、半導体レーザのモニター
光を処理して得た制御信号に基づきレーザ出力光を制御
する光出力制御回路と、パルス電流駆動回路に入力され
るディジタル信号のマーク率を検出するマーク率検出回
路とを備え、光出力制御回路においてマーク率検出回路
からの検出信号を用いてマーク率変動によるレーザ出力
光のピーク値の変動を防止するようにした半導体レーザ
駆動回路において、マーク率検出回路が、前記ディジタ
ル信号に基づく相補信号を平均化する平均化回路と、平
均化回路の出力の差分をとる増幅回路とを有することを
特徴とする半導体レーザ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60063293A JPS61224385A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60063293A JPS61224385A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61224385A true JPS61224385A (ja) | 1986-10-06 |
Family
ID=13225128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60063293A Pending JPS61224385A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61224385A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63139434A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-11 | Fujitsu Ltd | 光出力レベル変換回路 |
| JPH0191484A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-11 | Fujitsu Ltd | 発光素子駆動回路 |
| US5115147A (en) * | 1988-06-01 | 1992-05-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Driver for light emitting device for providing a stable beam output |
| US6480314B1 (en) | 1998-04-27 | 2002-11-12 | Nec Corporation | Optical transmitter |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51147984A (en) * | 1975-06-14 | 1976-12-18 | Fujitsu Ltd | Method of stabilizing the outputs of semiconductor lasers |
| JPS5615133B1 (ja) * | 1971-05-26 | 1981-04-08 | ||
| JPS59151480A (ja) * | 1983-02-17 | 1984-08-29 | Nec Corp | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP60063293A patent/JPS61224385A/ja active Pending
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