JPH0575357A - 低雑音増幅器 - Google Patents
低雑音増幅器Info
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- JPH0575357A JPH0575357A JP26115391A JP26115391A JPH0575357A JP H0575357 A JPH0575357 A JP H0575357A JP 26115391 A JP26115391 A JP 26115391A JP 26115391 A JP26115391 A JP 26115391A JP H0575357 A JPH0575357 A JP H0575357A
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- Japan
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- low noise
- noise amplifier
- fet
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 使用周波数帯域を変えた場合にＦＥＴ部分の
雑音の最適整合を行うことができる低雑音増幅器を得る
こと。 【構成】 ＦＥＴ９のソース電極と接地との間に直列接
続したマイクロストリップ線路１０及び可変容量ダイオ
ード１４と、それらと並列に接続したＲＦチョークコイ
ル１５とを設けた可変周波数帯域整合回路１９を備えた
ので、使用周波数帯域を変えた場合に可変周波数帯域整
合回路１９のインピーダンスを可変することができ、Ｆ
ＥＴ９の雑音の最適整合を行うことができる。
雑音の最適整合を行うことができる低雑音増幅器を得る
こと。 【構成】 ＦＥＴ９のソース電極と接地との間に直列接
続したマイクロストリップ線路１０及び可変容量ダイオ
ード１４と、それらと並列に接続したＲＦチョークコイ
ル１５とを設けた可変周波数帯域整合回路１９を備えた
ので、使用周波数帯域を変えた場合に可変周波数帯域整
合回路１９のインピーダンスを可変することができ、Ｆ
ＥＴ９の雑音の最適整合を行うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、入力マイクロ波信号
を増幅する低雑音増幅器に関し、特に電界効果トランジ
スタ（以下ＦＥＴと称す）の最適電源インピーダンスに
対する整合を可変とするとともに、使用周波数帯域も可
変する低雑音増幅器に関するものである。
を増幅する低雑音増幅器に関し、特に電界効果トランジ
スタ（以下ＦＥＴと称す）の最適電源インピーダンスに
対する整合を可変とするとともに、使用周波数帯域も可
変する低雑音増幅器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４はＦＥＴのソース電極と接地との間
にマイクロストリップ線路を接続した整合回路と，マイ
クロストリップ線路と可変容量とを直列接続したスタブ
を含む整合回路とを組み合わせた従来の低雑音増幅器を
示す等価回路図であり、図において、６はマイクロスト
リップ線路、７はマイクロストリップ線路６に直列に接
続された可変容量、８はこれらを含む入力側の可変周波
数帯域整合回路、１３は同様に構成された出力側の可変
周波数帯域整合回路である。９は入力されたマイクロ波
信号を増幅するＦＥＴ、１０はこのＦＥＴ９のソース電
極と接地との間に接続されたマイクロストリップ線路で
ある。図３はＦＥＴの最適電源インピーダンスと入力イ
ンピーダンスとの周波数特性を８〜１２ＧＨｚにおいて
シミュレートしたスミスチャート図である。
にマイクロストリップ線路を接続した整合回路と，マイ
クロストリップ線路と可変容量とを直列接続したスタブ
を含む整合回路とを組み合わせた従来の低雑音増幅器を
示す等価回路図であり、図において、６はマイクロスト
リップ線路、７はマイクロストリップ線路６に直列に接
続された可変容量、８はこれらを含む入力側の可変周波
数帯域整合回路、１３は同様に構成された出力側の可変
周波数帯域整合回路である。９は入力されたマイクロ波
信号を増幅するＦＥＴ、１０はこのＦＥＴ９のソース電
極と接地との間に接続されたマイクロストリップ線路で
ある。図３はＦＥＴの最適電源インピーダンスと入力イ
ンピーダンスとの周波数特性を８〜１２ＧＨｚにおいて
シミュレートしたスミスチャート図である。
【０００３】次に動作について説明する。ＦＥＴ９のソ
ース電極と接地との間にマイクロストリップ線路１０を
接続すると、ソース電極を直接接地する場合に比べてＦ
ＥＴ９の入力インピーダンスと最適電源インピーダンス
との値が近づき、雑音指数が最小となる最適電源インピ
ーダンスに整合させるように入力側の可変周波数帯域整
合回路８を設計した場合、ＦＥＴ９のソース電極を直接
接地した場合より、入力側の反射を小さくすることがで
きる。しかし、図３に示すように使用する周波数よりず
れると、入力インピーダンスと最適電源インピーダンス
とは離れてしまう。
ース電極と接地との間にマイクロストリップ線路１０を
接続すると、ソース電極を直接接地する場合に比べてＦ
ＥＴ９の入力インピーダンスと最適電源インピーダンス
との値が近づき、雑音指数が最小となる最適電源インピ
ーダンスに整合させるように入力側の可変周波数帯域整
合回路８を設計した場合、ＦＥＴ９のソース電極を直接
接地した場合より、入力側の反射を小さくすることがで
きる。しかし、図３に示すように使用する周波数よりず
れると、入力インピーダンスと最適電源インピーダンス
とは離れてしまう。
【０００４】また、雑音指数に関して最適電源インピー
ダンスがあるように利得に対しても最適な整合点があ
る。多段の低雑音増幅器の設計においては、雑音特性を
決定するのは初段の増幅器の雑音指数であり、２段目以
後は利得整合することにより、低雑音，高利得増幅器を
実現させることができる。
ダンスがあるように利得に対しても最適な整合点があ
る。多段の低雑音増幅器の設計においては、雑音特性を
決定するのは初段の増幅器の雑音指数であり、２段目以
後は利得整合することにより、低雑音，高利得増幅器を
実現させることができる。
【０００５】上記入力側の可変周波数整合回路８におい
ては、変化した周波数に対するＦＥＴ９の入力インピー
ダンスへ整合をとるようになっているため、雑音や利得
に対する最適な整合点、最適電源インピーダンスからは
ずれている。
ては、変化した周波数に対するＦＥＴ９の入力インピー
ダンスへ整合をとるようになっているため、雑音や利得
に対する最適な整合点、最適電源インピーダンスからは
ずれている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の低雑音増幅器は
以上のように構成されているので、使用周波数に対して
は最適な雑音整合を行っており、多段化する場合、ある
いは他の周波数で使用する場合は、それぞれＦＥＴのソ
ース電極と接地面との間のマイクロストリップ線路を最
適化する必要があるという問題点があった。
以上のように構成されているので、使用周波数に対して
は最適な雑音整合を行っており、多段化する場合、ある
いは他の周波数で使用する場合は、それぞれＦＥＴのソ
ース電極と接地面との間のマイクロストリップ線路を最
適化する必要があるという問題点があった。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、同一周波数においてＦＥＴの入
力インピーダンスと利得の最適整合点とを近づけること
が可能であり、さらに周波数を可変した場合にもＦＥＴ
の入力インピーダンスと最適電源インピーダンス，利得
整合点へとそれぞれ近づけることが可能とすることで、
同一の回路で周波数可変とするとともに、その周波数に
おいて雑音整合や利得整合への調整も可能とする低雑音
増幅器を得ることを目的とする。
ためになされたもので、同一周波数においてＦＥＴの入
力インピーダンスと利得の最適整合点とを近づけること
が可能であり、さらに周波数を可変した場合にもＦＥＴ
の入力インピーダンスと最適電源インピーダンス，利得
整合点へとそれぞれ近づけることが可能とすることで、
同一の回路で周波数可変とするとともに、その周波数に
おいて雑音整合や利得整合への調整も可能とする低雑音
増幅器を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る低雑音増
幅器は、ＦＥＴのソース電極と接地との間に接続したマ
イクロストリップ線路に直列接続した可変容量の設定値
により、可変周波数帯域整合回路のインピーダンスを変
化させるようにしたものである。
幅器は、ＦＥＴのソース電極と接地との間に接続したマ
イクロストリップ線路に直列接続した可変容量の設定値
により、可変周波数帯域整合回路のインピーダンスを変
化させるようにしたものである。
【０００９】
【作用】この発明においては、ＦＥＴのソース電極と接
地との間に接続したマイクロストリップ線路に直列接続
した可変容量の設定値により、可変周波数帯域整合回路
のインピーダンスを変化させ、最適電源インピーダンス
と入力インピーダンスとを近づけることができる。
地との間に接続したマイクロストリップ線路に直列接続
した可変容量の設定値により、可変周波数帯域整合回路
のインピーダンスを変化させ、最適電源インピーダンス
と入力インピーダンスとを近づけることができる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は本発明の一実施例による低雑音増幅器のブ
ロック構成を示す図であり、図において、１４はＦＥＴ
９のソース電極と接地との間に接続されたマイクロスト
リップ線路１０に直列に接続された可変容量ダイオー
ド、１５はこれらに並列に接続された、ソースと接地と
の間に直流電流を流すためのＲＦチョークコイル、１６
はダイオードのバイアス端子である。
する。図１は本発明の一実施例による低雑音増幅器のブ
ロック構成を示す図であり、図において、１４はＦＥＴ
９のソース電極と接地との間に接続されたマイクロスト
リップ線路１０に直列に接続された可変容量ダイオー
ド、１５はこれらに並列に接続された、ソースと接地と
の間に直流電流を流すためのＲＦチョークコイル、１６
はダイオードのバイアス端子である。
【００１１】また図３は従来のＦＥＴ９のソース電極と
接地との間にマイクロストリップ線路１０と可変容量１
４を直列接続した場合の最適電源インピーダンスと入力
インピーダンスとの周波数特性を８〜１２ＧＨｚにおい
てシミュレート上で比較したスミスチャート図である。
接地との間にマイクロストリップ線路１０と可変容量１
４を直列接続した場合の最適電源インピーダンスと入力
インピーダンスとの周波数特性を８〜１２ＧＨｚにおい
てシミュレート上で比較したスミスチャート図である。
【００１２】次に動作について説明する。マイクロスト
リップ線路１０に直列に可変容量ダイオード１４を接続
した可変周波数帯域整合回路１９において、バイアス端
子１０に電圧を印加し、ダイオード１４の容量値を変化
させると可変周波数帯域整合回路１９のインピーダンス
が変化する。この容量の設定値により、この可変周波数
帯域整合回路１９をＦＥＴ９のソース電極と接地との間
に接続した場合、使用周波数帯域が変わっても、最適電
源インピーダンスと入力インピーダンスとを近づけるこ
とが可能である。
リップ線路１０に直列に可変容量ダイオード１４を接続
した可変周波数帯域整合回路１９において、バイアス端
子１０に電圧を印加し、ダイオード１４の容量値を変化
させると可変周波数帯域整合回路１９のインピーダンス
が変化する。この容量の設定値により、この可変周波数
帯域整合回路１９をＦＥＴ９のソース電極と接地との間
に接続した場合、使用周波数帯域が変わっても、最適電
源インピーダンスと入力インピーダンスとを近づけるこ
とが可能である。
【００１３】例えば、図３に示すように従来の容量値を
０．５ｐＦと１ｐＦとに設定した場合について、容量値
が０．５ｐＦの場合は１１ＧＨｚで、容量値が１ｐＦの
場合は１０ＧＨｚで両インピーダンスが最も近づいてい
る。
０．５ｐＦと１ｐＦとに設定した場合について、容量値
が０．５ｐＦの場合は１１ＧＨｚで、容量値が１ｐＦの
場合は１０ＧＨｚで両インピーダンスが最も近づいてい
る。
【００１４】また図２は本発明の他の実施例による低雑
増幅器のブロック構成を示す図であり、図において、１
７は可変容量として用いるＦＥＴ、１８はＦＥＴ１７の
バイアス端子である。
増幅器のブロック構成を示す図であり、図において、１
７は可変容量として用いるＦＥＴ、１８はＦＥＴ１７の
バイアス端子である。
【００１５】次に動作について説明する。マイクロスト
リップ線路１０に直列に可変容量ＦＥＴ１７を接続した
可変周波数帯域整合回路１９ａにおいて、バイアス端子
１０に電圧を印加し、ダイオード１４の容量値を変化さ
せると可変周波数帯域整合回路１９ａのインピーダンス
が変化する。この容量の設定値により、この可変周波数
帯域整合回路１９ａをＦＥＴ９のソース電極と接地との
間に接続した場合、使用周波数帯域が変わっても、最適
電源インピーダンスと入力インピーダンスとを近づける
ことが可能である。
リップ線路１０に直列に可変容量ＦＥＴ１７を接続した
可変周波数帯域整合回路１９ａにおいて、バイアス端子
１０に電圧を印加し、ダイオード１４の容量値を変化さ
せると可変周波数帯域整合回路１９ａのインピーダンス
が変化する。この容量の設定値により、この可変周波数
帯域整合回路１９ａをＦＥＴ９のソース電極と接地との
間に接続した場合、使用周波数帯域が変わっても、最適
電源インピーダンスと入力インピーダンスとを近づける
ことが可能である。
【００１６】このような２つの本実施例では、ＦＥＴ９
のソース電極と接地との間にマイクロストリップ線路１
０及び可変容量ダイオード１４，あるいはマイクロスト
リップ線路１０及びＦＥＴ１７を直列に接続し、それら
にＲＦチョークコイル１５を並列に接続したので、使用
周波数帯域が変わっても、可変周波数帯域整合回路１９
のインピーダンスを変化させることができ、最適電源イ
ンピーダンスと入力インピーダンスとを近づけることが
できる。
のソース電極と接地との間にマイクロストリップ線路１
０及び可変容量ダイオード１４，あるいはマイクロスト
リップ線路１０及びＦＥＴ１７を直列に接続し、それら
にＲＦチョークコイル１５を並列に接続したので、使用
周波数帯域が変わっても、可変周波数帯域整合回路１９
のインピーダンスを変化させることができ、最適電源イ
ンピーダンスと入力インピーダンスとを近づけることが
できる。
【００１７】なお上記実施例では、可変容量に接続する
線路をマイクロストリップ線路１０を例にとって説明し
たが、コプレーナ線路でもよく、上記実施例と同様の効
果を奏する。
線路をマイクロストリップ線路１０を例にとって説明し
たが、コプレーナ線路でもよく、上記実施例と同様の効
果を奏する。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る低雑音増
幅器によれば、ＦＥＴのソース電極と接地との間に接続
したマイクロストリップ線路に直列接続した可変容量の
設定値により、可変周波数帯域整合回路のインピーダン
スを変化させるようにしたので、周波数を変えてもＦＥ
Ｔの最適電源インピーダンスと入力インピーダンスとを
近づけることができ、したがって使用周波数帯域を変化
させる場合に、整合をとりやすい状態にしてから入力
側，出力側の整合をとることが可能となり、周波数を変
化させても特性の最適化された低雑音増幅器を得ること
ができる効果がある。
幅器によれば、ＦＥＴのソース電極と接地との間に接続
したマイクロストリップ線路に直列接続した可変容量の
設定値により、可変周波数帯域整合回路のインピーダン
スを変化させるようにしたので、周波数を変えてもＦＥ
Ｔの最適電源インピーダンスと入力インピーダンスとを
近づけることができ、したがって使用周波数帯域を変化
させる場合に、整合をとりやすい状態にしてから入力
側，出力側の整合をとることが可能となり、周波数を変
化させても特性の最適化された低雑音増幅器を得ること
ができる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による低雑音増幅器の等価
回路を示す等価回路図である。
回路を示す等価回路図である。
【図２】この発明の他の実施例による低雑音増幅器の等
価回路を示す等価回路図である。
価回路を示す等価回路図である。
【図３】この発明の直列帰還部を含んだＦＥＴの入力イ
ンピーダンスと最適電源インピーダンスとのシミュレー
ションによるスミスチャート図である。
ンピーダンスと最適電源インピーダンスとのシミュレー
ションによるスミスチャート図である。
【図４】従来の低雑音増幅器の等価回路を示す等価回路
図である。
図である。
１ 入力端子 ２ ショートスタブを構成するマイクロストリップ
線路 ３ バイパスコンデンサ ４ ゲートバイアス端子 ５ 主線路を構成するマイクロストリップ線路 ６ マイクロストリップ線路 ７ 可変容量 ８ 入力側の可変周波数帯域整合回路 ９ ＦＥＴ １０ マイクロストリップ線路 １１ ドレインバイアス端子 １２ 出力端子 １３ 出力側の可変周波数帯域整合回路 １４ 可変容量ダイオード １５ ＲＦチョークコイル １６ バイアス端子 １７ ＦＥＴ １８ バイアス端子 １９ 可変周波数帯域整合回路 １９ａ 可変周波数帯域整合回路
線路 ３ バイパスコンデンサ ４ ゲートバイアス端子 ５ 主線路を構成するマイクロストリップ線路 ６ マイクロストリップ線路 ７ 可変容量 ８ 入力側の可変周波数帯域整合回路 ９ ＦＥＴ １０ マイクロストリップ線路 １１ ドレインバイアス端子 １２ 出力端子 １３ 出力側の可変周波数帯域整合回路 １４ 可変容量ダイオード １５ ＲＦチョークコイル １６ バイアス端子 １７ ＦＥＴ １８ バイアス端子 １９ 可変周波数帯域整合回路 １９ａ 可変周波数帯域整合回路
Claims (3)
- 【請求項１】 入力側に設けられた第１の可変周波数帯
域整合手段と，入力マイクロ波信号を増幅する電界効果
トランジスタと，出力側に設けられた第２の可変周波数
帯域整合手段とを備えた低雑音増幅器において、 上記電界効果トランジスタのソース電極と接地との間に
直列に接続したマイクロストリップ線路及び可変容量
と、それらと並列に接続したＲＦチョークコイルとを有
する第３の可変周波数帯域整合手段を備えたことを特徴
とする低雑音増幅器。 - 【請求項２】 上記可変容量はダイオードを用いたこと
を特徴とする請求項１記載の低雑音増幅器。 - 【請求項３】 上記可変容量は電界効果トランジスタを
用いたことを特徴とする請求項１記載の低雑音増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26115391A JPH0575357A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 低雑音増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26115391A JPH0575357A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 低雑音増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575357A true JPH0575357A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17357848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26115391A Pending JPH0575357A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 低雑音増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0575357A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10107554A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-04-24 | Nokia Mobile Phones Ltd | 増幅システム |
| KR100457785B1 (ko) * | 2002-06-05 | 2004-11-18 | 주식회사 웨이브아이씨스 | 전기적 튜닝이 가능한 전치왜곡기 |
| KR100471386B1 (ko) * | 2002-06-05 | 2005-02-21 | 주식회사 웨이브아이씨스 | 전기적 튜닝이 가능한 전치왜곡기 |
| JP2007522769A (ja) * | 2004-02-10 | 2007-08-09 | ビットウェーブ・セミコンダクター | プログラム可能なトランシーバ |
| JP2008228149A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | New Japan Radio Co Ltd | 低雑音増幅器 |
| US8633527B2 (en) | 2010-03-09 | 2014-01-21 | Panasonic Corporation | Semiconductor device having first and second resistance for suppressing loop oscillation |
| JP2017073769A (ja) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | メイコム テクノロジー ソリューションズ ホールディングス インコーポレイテッド | 同調半導体増幅器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6141212A (ja) * | 1984-08-03 | 1986-02-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | モノリシツク増幅回路 |
| JPH02170602A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マイクロ波集積回路 |
-
1991
- 1991-09-10 JP JP26115391A patent/JPH0575357A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100471386B1 (ko) * | 2002-06-05 | 2005-02-21 | 주식회사 웨이브아이씨스 | 전기적 튜닝이 가능한 전치왜곡기 |
| JP2007522769A (ja) * | 2004-02-10 | 2007-08-09 | ビットウェーブ・セミコンダクター | プログラム可能なトランシーバ |
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| JP2017073769A (ja) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | メイコム テクノロジー ソリューションズ ホールディングス インコーポレイテッド | 同調半導体増幅器 |
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