JPH0574824A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法及び半導体装置

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JPH0574824A
JPH0574824A JP3213718A JP21371891A JPH0574824A JP H0574824 A JPH0574824 A JP H0574824A JP 3213718 A JP3213718 A JP 3213718A JP 21371891 A JP21371891 A JP 21371891A JP H0574824 A JPH0574824 A JP H0574824A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明は、液相拡散接合によりクラッド状
半田箔を用いてダイスをダイパッドに接合する際、ロー
材の拡散層の厚さを薄くすることができ、ダイス取り付
け処理時間を短縮することができる半導体装置の製造方
法及びこの方法により製造された半導体装置を得ること
を目的とする。 【構成】 まず、被拡散層４を蒸着、メッキ等によりダ
イス１の裏面に設ける。次に、ダイス１裏面に設けた被
拡散層４の他方の面に拡散層５を形成する。次いで、こ
の拡散層５をダイパッド３の表面に接触させ加熱処理す
ることによって、ダイス１とダイパッド３とを接合す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造方
法及び半導体装置、特に、半導体装置の組み立て工程で
あるダイボンド工程において、液相拡散接合によりクラ
ッド状半田箔を用いてダイスをダイパッドに接合する半
導体装置の製造方法及びこの方法により製造された半導
体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の半導体装置のダイス取り
付け前の状態を示す概略側面断面図である。図におい
て、半導体素子のダイス１は、ロー材２によって、ダイ
パッド３に接合されている。このロー材２は、融点の高
い中間層である被拡散層４と、融点の低い最外層である
拡散層５とが積層された箔状の接合材である。
【０００３】従来の半導体装置は上述したように構成さ
れ、ダイス１をダイパッド３に接合する際、ロー材２の
拡散層５は、ダイス１の裏面とダイパッド３の表面との
熱処理による初期接合の役割を果たす。すなわち、熱処
理により融点の低い拡散層５が最初に溶融し、ダイス１
とダイパッド３とを接着する。さらに、所定の温度に保
持すると、拡散層５の金属が被拡散層４内に拡散し、ロ
ー材２は均一な組成となって所望の特性を得、ダイス１
とダイパッド３とを接合することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したような半導体
装置では、初期接合の際に十分な接合を行うため、並び
に被拡散層４は拡散層５で被覆されているため、ダイス
１の裏面及びダイパッド３の表面と拡散層５とを同時に
接合する必要があった。また、この接合を十分なものと
し、ダイス１及びダイパッド３双方の形状の影響を補う
ために、ロー材２は所定以上の膜厚を必要としていた。
さらに、初期接合後の熱処理によって、拡散層５の金属
の被拡散層４への拡散が進むにつれ、拡散層５の一部が
被拡散層４の中央部で重なると、双方の組成の濃度勾配
が緩やかになるため、拡散速度そのものが低下する傾向
にあり、これらに起因して、ロー材２が均一な組成に至
るまでの加熱処理に多大な時間を要するという問題点が
あった。この発明は、このような問題点を解決するため
になされたもので、ロー材の拡散層の厚さを薄くするこ
とができ、ダイス取り付け処理時間を短縮することがで
きる半導体装置の製造方法及び半導体装置を得ることを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項第１項
に係る半導体装置の製造方法は、ダイス裏面及びダイパ
ッド表面の少なくとも一方に、予めロー材の被拡散層を
設け、いずれか一方の被拡散層上に拡散層を形成し、こ
の拡散層を介してダイスとダイパッドとを接触させ加熱
処理することによって、ダイスとダイパッドとを接合す
るものである。また、この発明の請求項第２項に係る半
導体装置は、上記のような製造方法により製造され、ダ
イスがロー材によりダイパッドに接合されたものであ
る。
【０００６】
【作用】この発明においては、ロー材の初期接合面が１
カ所のみとなるため、初期接合層である拡散層の厚さを
より薄くしても十分な接合を行うことができ、拡散層の
拡散に要する時間を短縮できるので、ダイス取り付け処
理時間を短縮することができる。
【０００７】
【実施例】図１は、この発明の一実施例による半導体装
置のダイス取り付け前の状態を示す概略側面断面図であ
る。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示し
ている。図において、ロー材２Ａは、被拡散層４及び拡
散層５から構成されており、被拡散層４は、予めダイス
１の裏面に設けられている。この被拡散層４の他方の面
には、拡散層５が形成されている。
【０００８】上述したように構成された半導体装置にお
いては、まず、被拡散層４を蒸着、メッキ等によりダイ
ス１の裏面に設ける。次に、ダイス１裏面に設けた被拡
散層４の他方の面に拡散層５を形成する。次いで、この
拡散層５をダイパッド３の表面に接触させ加熱処理する
ことによって、ダイス１とダイパッド３とを接合する。
この場合、拡散層５を被拡散層４上に形成するので、被
拡散層４の表面を平滑にしておけば、拡散層５の厚さを
薄くすることができる。また、拡散層５を被拡散層４の
一方の側のみに形成しているので、拡散層５が被拡散層
４に拡散する途中での濃度勾配を一定に保つことができ
る。従って、より短時間での拡散が可能となり、結果と
して、ダイ付け処理時間を短縮することが可能となる。
【０００９】なお、上述した実施例では、被拡散層４を
ダイス１の裏面に設けた場合を示したが、図２に示すよ
うに、被拡散層４をダイパッド３の表面に設けてもよ
く、上述と同様な効果を奏する。さらに、図３に示すよ
うに、被拡散層４を２つに分けて被拡散層４Ａ及び４Ｂ
とし、これらをそれぞれダイス１の裏面及びダイパッド
３の表面に設け、被拡散層４Ａ及び４Ｂのいずれか一方
に拡散層５を形成してもよく、上述と同様な効果を奏す
る。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明の請求項
第１項に係る発明は、ダイスをロー材によりダイパッド
に接合する半導体装置の製造方法であって、ダイスの裏
面及びダイパッドの表面の少なくとも一方にロー材の被
拡散層を設け、この被拡散層のいずれか一方の表面にロ
ー材の拡散層を形成し、次いで、この拡散層を介して上
記ダイスと上記ダイパッドとを接触させ加熱処理するこ
とにより、上記ダイスと上記ダイパッドとを接合するの
で、ロー材の拡散層の厚さを薄くすることができ、ダイ
ス取り付け処理時間を短縮することができるという効果
を奏する。また、この発明の請求項第２項に係る発明
は、ダイスと、このダイスを搭載するダイパッドと、上
記ダイスと上記ダイパッドとを接合し、被拡散層及び拡
散層から成るロー材とを備えた半導体装置であって、上
記ダイスの裏面及びダイパッドの表面の少なくとも一方
に上記ロー材の被拡散層が設けられ、この被拡散層のい
ずれか一方の表面に拡散層が形成され、この拡散層を介
して上記ダイスと上記ダイパッドとが接触、加熱処理さ
れることにより、上記ダイスと上記ダイパッドとが接合
されるので、ダイス取り付け時間の短い半導体装置が得
られるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例による半導体装置のダイス
取り付け前の状態を示す概略側面断面図である。
【図２】この発明の他の実施例による半導体装置のダイ
ス取り付け前の状態を示す概略側面断面図である。
【図３】この発明のさらに他の実施例による半導体装置
のダイス取り付け前の状態を示す概略側面断面図であ
る。
【図４】従来の半導体装置のダイス取り付け前の状態を
示す概略側面断面図である。
【符号の説明】
１ ダイス ２Ａ ロー材 ３ ダイパッド ４ 被拡散層 ４Ａ 被拡散層 ４Ｂ 被拡散層 ５ 拡散層

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ダイスをロー材によりダイパッドに接合
    する半導体装置の製造方法であって、 ダイスの裏面及びダイパッドの表面の少なくとも一方に
    ロー材の被拡散層を設け、 この被拡散層のいずれか一方の表面にロー材の拡散層を
    形成し、次いで、 この拡散層を介して上記ダイスと上記ダイパッドとを接
    触させ加熱処理することにより、上記ダイスと上記ダイ
    パッドとを接合することを特徴とする半導体装置の製造
    方法。
  2. 【請求項２】 ダイスと、 このダイスを搭載するダイパッドと、 上記ダイスと上記ダイパッドとを接合し、被拡散層及び
    拡散層から成るロー材とを備えた半導体装置であって、 上記ダイスの裏面及びダイパッドの表面の少なくとも一
    方に上記ロー材の被拡散層が設けられ、この被拡散層の
    いずれか一方の表面に拡散層が形成され、この拡散層を
    介して上記ダイスと上記ダイパッドとが接触、加熱処理
    されることにより、上記ダイスと上記ダイパッドとが接
    合されることを特徴とする半導体装置。
JP3213718A 1991-08-26 1991-08-26 半導体装置の製造方法及び半導体装置 Pending JPH0574824A (ja)

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