JPH05109947A - 熱伝導材料とその製造方法 - Google Patents

熱伝導材料とその製造方法

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JPH05109947A
JPH05109947A JP29249591A JP29249591A JPH05109947A JP H05109947 A JPH05109947 A JP H05109947A JP 29249591 A JP29249591 A JP 29249591A JP 29249591 A JP29249591 A JP 29249591A JP H05109947 A JPH05109947 A JP H05109947A
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JP
Japan
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thermal expansion
expansion metal
metal plate
plate
low
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Application number
JP29249591A
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English (en)
Inventor
Yasuyuki Nakamura
恭之 中村
Makoto Kawakami
川上  誠
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Hitachi Metals Ltd
Original Assignee
Sumitomo Special Metals Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 受熱の均一化、熱拡散効果の向上を図り、表
面微細孔がなくめっきやろう材など薄膜の被着性にすぐ
れ、チップや封止樹脂等の接着相手材の熱膨張係数との
整合性にすぐれかつ熱伝導性が良好で、用途や目的に応
じて熱膨張係数と熱伝導率を任意に選定できる熱伝導材
料の提供。 【構成】 小さな孔を多数個穿孔したコバール板1の下
面に再結晶温度以上に加熱した銅板3を圧接機12で圧
接し、さらに上面に別の銅板6を圧接機13で圧接する
ことにより、小さな圧下率で高い接合強度を得て、予め
選定したコバール板1表面上の銅露出面4(貫通孔)と
の表面積比を変動させることなく、所定の熱膨張係数及
び熱伝導率を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体チップ搭載用
放熱基板やリードフレーム用材料の如く、半導体チップ
による発熱を効率良く外部に放熱するため、金属、セラ
ミックス、Si等の半導体、プラスチックス等の被着相
手材との熱膨張係数の整合性と良好な熱伝導性を両立で
きるように、熱膨張係数及び熱伝導率を任意に変化さ
せ、かつ相手材との接合性並びに表面性状のすぐれた熱
伝導複合材料に係り、厚み方向に多数の貫通孔を設けた
低熱膨張金属板の片面に常温または再結晶温度以上に加
熱した高熱膨張金属板を圧接した2層材、あるいはさら
に低熱膨張金属板の他面に高熱膨張金属板を圧接した3
層材を直接あるいは適宜高熱膨張金属板を介在させて圧
接することにより、接合強度が高く、選定したこれら金
属板の厚さ比や貫通孔面積比を変化させることなく熱膨
張係数、熱伝導率を可変となし、受熱の均一化、熱拡散
効果の向上をはかり、表面微細孔がなくメッキやろう材
など薄膜の被着性にすぐれた熱伝導材料とその製造方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体パッケージの集積回路チップ(以
下チップ)、とりわけ大型コンピューター用のLSI
やULSIは、高集積度化、演算速度の高速化の方向に
進んでおり、作動中における消費電力の増加に伴う発熱
量が非常に大きくなっている。該チップは大容量化して
発熱量が大きくなっており、基板材料の熱膨張係数がチ
ップ材料であるシリコンやガリウムヒ素等と大きな差が
あると、チップが剥離あるいは割れを生ずる問題があ
る。
【0003】これに伴ない半導体パッケージの設計も、
熱放散性を考慮したものとなり、チップを搭載する基板
にも放熱性が要求されるようになり、基板材料の熱伝導
率が大きいことが求められている。従って、基板にはチ
ップと熱膨張係数が近く、かつ熱伝導率が大きいことが
要求されている。
【0004】従来の半導体パッケージとしては種々の構
成が提案されており、例えば基板に放熱フィンを付設し
た構成があり、放熱性を確保するためにクラッド板やC
u−MoあるいはCu−W合金等の放熱基板用複合材料
(特開昭59−141247号公報、特開昭62−29
4147号公報)が提案されている。前記複合体は熱膨
張係数、熱伝導度とも実用上満足すべき条件にかなって
いるが、Mo、W等が高密度であるため重くかつ脆いた
め、所定の寸法を得るには研削等の非塑性加工により成
形加工しなければならず、加工費が高く、歩留りが悪く
なっていた。
【0005】樹脂封止の半導体パッケージにおいては、
リードフレームがチップの外部への電気的接続の経路と
なるだけでなく、チップで発生する熱の放散経路として
重要な役割を果しているため、銅合金からなるリードフ
レームが多用されている。
【0006】ところが、高信頼性を要求される用途に
は、銅合金は、機械的強度が低く、チップとの熱膨張係
数の整合性が悪く、チップとアイランドとの接着界面の
剥離等が懸念されるため、チップとの熱膨張係数の整合
性から42%Ni−Fe合金等の低熱膨張係数を有する
Ni−Fe系合金を採用した半導体パッケージも提案さ
れている。しかし、Ni−Fe系合金は熱伝導率が悪い
ため、現在の要求を満すだけの熱の放散性が得られてい
ない。また、チップと封止樹脂との熱膨張差は非常に大
きく、リードフレームとチップとの熱膨張係数の整合性
がよい場合でも、リードフレームと樹脂との間の整合性
が悪く、封止樹脂に発生するクラックを完全に防止する
ことは困難であった。
【0007】さらに、セラミックス半導体パッケージで
は、Alワイヤーボンディング及びガラス封着するため
に、リードフレームにはボンディングエリア及び封着位
置にAlを設けたNi−Fe系合金が多用されている。
しかし、Ni−Fe系合金は上述の如く、熱放散性が悪
く、セラミックスとの熱膨張係数の整合性に問題があっ
た。
【0008】そこで、出願人は半導体パッケージにおけ
る上述の熱膨張係数および / または熱伝導率の整合
性の問題を解決するため、高熱膨張金属板に厚み方向に
所要の貫通孔を有する低熱膨張金属板を一体化し、前記
貫通孔から高熱膨張金属を低熱膨張金属板表面に露出さ
せた芯材の両面に高熱膨張金属箔を圧接し、これら金属
板の厚さ比や貫通孔面積比を適宜選定することにより、
熱膨張係数、熱伝導率を可変となし、受熱の均一化、熱
拡散効果の向上をはかり、表面微細孔がなくめっきやろ
う材など薄膜の被着性にすぐれた特徴を有する熱伝導複
合材料を提案(特願平2−40550号)した。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記の熱伝導複合材料
を得るには、まずプレスによる打ち抜き加工を行い小さ
な孔を多数個穿孔して網目状となし、焼鈍後に巻き取っ
たコバール板等の低熱膨張金属板コイルを、銅板などの
高熱膨張金属板コイルを巻き戻し時にその上方及び下方
より巻き戻して、冷間または温間で大径ロールにより圧
延接合し拡散焼鈍して芯材を得た後、さらにこの芯材の
上方及び下方より巻き戻したCu、Al等の高熱膨張金
属箔を重ねて、冷間または温間で圧延ロールにより圧接
接合し拡散焼鈍して製造する。
【0010】この熱伝導複合材料の製造に際して、上記
の芯材にCu、Al等の高熱膨張金属箔を重ねて冷間圧
接するが、接合強度を高めるために圧下力を大きくする
と、芯材表面のCu、Al等の高熱膨張金属の露出面の
形状が円形あるいは楕円から長い楕円形状となり、選定
した高熱膨張金属と低熱膨張金属との表面積比が変わっ
て熱膨張係数および / または熱伝導率が変動し、ま
た熱膨張係数に異方性が生じる問題がある。
【0011】そこで、芯材表面にCu、Al等の高熱膨
張金属箔を被覆するのに、上記の圧接法に代えてめっき
法にて行うことが考えられるが、めっき浴に浸漬した際
に芯材表面の高熱膨張金属と低熱膨張金属との境界にめ
っき液が残存し、これが後の拡散焼鈍時に気化してめっ
き膨れや剥がれを発生させる恐れがあり、まためっき工
程は概して煩雑で多大の製造時間を要する問題がある。
【0012】この発明は、受熱の均一化、熱拡散効果の
向上を図り、表面微細孔がなくめっきやろう材など薄膜
の被着性にすぐれ、チップや封止樹脂等の接着相手材の
熱膨張係数との整合性にすぐれかつ熱伝導性が良好で、
用途や目的に応じて熱膨張係数と熱伝導率を任意に選定
できる熱伝導材料の提供を目的とし、さらに、この熱伝
導材料の圧接による製造に際し、低熱膨張金属板に設け
た貫通孔形状を大きく変化させることなく、選定した熱
膨張係数および / または熱伝導率が得られ、また積
層される各高熱膨張金属と低熱膨張金属との接合強度を
向上させることが可能な熱伝導材料の製造方法の提供を
目的としている。
【0013】
【課題を解決するための手段】この発明は、厚み方向に
多数の貫通孔を設けた低熱膨張金属板の片面に常温また
は再結晶温度以上に加熱した高熱膨張金属板が圧接され
た後、他面にも高熱膨張金属板が圧接されたことを特徴
とする熱伝導材料である。
【0014】また、この発明は、厚み方向に多数の貫通
孔を設けた低熱膨張金属板の片面に常温または再結晶温
度以上に加熱した高熱膨張金属板を圧接して前記貫通孔
から高熱膨張金属を低熱膨張金属板表面に露出させて一
体化した後、低熱膨張金属板の他面に高熱膨張金属板を
圧接したことを特徴とする熱伝導材料の製造方法であ
る。
【0015】また、この発明は、厚み方向に多数の貫通
孔を設けた低熱膨張金属板の片面に常温または再結晶温
度以上に加熱した高熱膨張金属板を圧接して前記貫通孔
から高熱膨張金属を低熱膨張金属板表面に露出させて一
体化した2層材を、常温または再結晶温度以上に加熱し
た高熱膨張金属板の両面に低熱膨張金属板側を当接させ
て圧接したことを特徴とする熱伝導材料並びにその製造
方法である。
【0016】また、この発明は、厚み方向に多数の貫通
孔を設けた低熱膨張金属板の片面に常温または再結晶温
度以上に加熱した高熱膨張金属板を圧接して前記貫通孔
から高熱膨張金属を低熱膨張金属板表面に露出させて一
体化した後、低熱膨張金属板の他面に高熱膨張金属板を
圧接した3層材同士を、冷間または高熱膨張金属板の再
結晶温度以上に加熱して、直接あるいは常温または再結
晶温度以上に加熱した高熱膨張金属板を介在させて圧接
したことを特徴とする熱伝導材料並びにその製造方法で
ある。
【0017】さらにこの発明は、前記構成の熱伝導材料
において、高熱膨張金属板が、Cu、Cu合金、Al、
Al合金のうちいずれか、低熱膨張金属板が、Mo、3
0〜50wt%Niを含有するNi−Fe系合金、25
〜35wt%Niと4〜20wt%Coを含有するNi
−Co−Fe系合金、Wのうちいずれか、高熱膨張金属
箔がCu、Cu合金、Al、Al合金のうちいずれかか
らなり、実質的に5層材を構成する熱伝導材料のうち、
高熱膨張金属板の厚みt1、低熱膨張金属板の厚みt
2 、及び高熱膨張金属箔層の厚みt3 が、 t1 =1t2 〜5t2 、t3 ≦1/10 t21+t2=0.1〜30mm、t3=2〜100μm を満足することが好ましい。
【0018】また、この発明は、前記構成の熱伝導材料
において、熱伝導材料の少なくとも一主面の所要位置
に、Cu、Al、Ni、Snのうちいずれかからなる金
属メッキを被着したことを特徴とする熱伝導材料であ
る。例えば、Cu、Al等の高熱膨張金属板の両主面
に、厚み方向に多数の貫通孔を設けて片面または両面に
高熱膨張金属箔を圧接したNi−Fe系合金、Ni−C
o−Fe系合金等の低熱膨張金属板を一体化して、さら
に最外層の高熱膨張金属箔の所要位置に上記の金属メッ
キやろう材の被着等の加工を施してプレス成形、積層な
どの加工を施すことにより、セラミックスパッケージ、
メタルパッケージなどのチップ搭載用放熱基板、リード
フレーム等、種々用途の熱伝導材料が得られる。
【0019】
【作用】この発明による熱伝導材料は、厚み方向に多数
の貫通孔を設けた低熱膨張金属板の片面に常温または再
結晶温度以上に加熱した高熱膨張金属板を圧接した2層
材同士を高熱膨張金属板を介在させて圧接するか、ある
いは前記2層材の低熱膨張金属板面に高熱膨張金属板を
圧接した3層材をそのまま用いるか、さらに3層材同士
を直接あるいは適宜高熱膨張金属板を介在させて圧接し
た5層材構成であることを特徴とし、主に高熱膨張金属
板の厚さ比の選定により熱膨張係数を任意に変化させる
ことができ、芯材となる高熱膨張金属に高熱伝導性金属
を用い、貫通孔内に嵌入した高熱膨張金属と低熱膨張金
属板との同一平面上での露出面積比を適宜選定すること
により熱伝導率を任意に変化させ得るもので、高熱膨張
金属板と低熱膨張金属板の材質選定、組合せ、並びに前
記厚さ比と露出面積比の選定により、種々の用途、目的
に応じた熱膨張係数及び熱伝導率を設定でき、多種の熱
伝導材料を提供できる。
【0020】また、この発明は製造法的には厚み方向に
多数の貫通孔を設けた低熱膨張金属板の片面に高熱膨張
金属板を圧接して2層材を出発素材として、高熱膨張金
属板や前記3層材を組み合せて圧接積層するため、得ら
れた熱伝導材料の外表面層の高熱膨張金属表面が均質で
すぐれた性状を有し、かつ低熱膨張金属との密着強度に
すぐれている。さらにこの発明による熱伝導材料は、基
本的に3層で構成されるため、欠陥発生率が少なく、ま
た製造工程が簡単で生産性よく安価に提供できる。
【0021】この発明による熱伝導材料は、厚み方向に
多数の貫通孔を設けた低熱膨張金属板の一方面に、高熱
膨張金属板を圧接する際に、特に高熱膨張金属板を再結
晶温度以上に加熱することにより、またさらに前記2層
材、3層材同士の圧接に際して低熱膨張金属板に圧接し
た高熱膨張金属材料同士あるいは貫通孔から露出した高
熱膨張金属と介在させる高熱膨張金属板とで圧接される
ため、小さな圧下力でも高い圧接強度が得られ、低熱膨
張金属板に設けた貫通孔形状の変形が少なく、予め選定
した貫通孔内に嵌入した高熱膨張金属と低熱膨張金属板
との同一平面上での露出面積比(貫通孔面積比)を変動
させることなく、所定の熱膨張係数及び熱伝導率が得ら
れる。詳述すると、貫通孔を設けた低熱膨張金属板との
圧接に際して高熱膨張金属板を再結晶温度以上に加熱す
ることにより、小さな圧下力で高熱膨張金属が低熱膨張
金属板の貫通孔内に嵌入して低熱膨張金属他方表面に露
出して貫通孔内に空気溜まりなどの隙間を発生させるこ
となく、後に低熱膨張金属板の他面に圧接する高熱膨張
金属板と上記の加熱高熱膨張金属板の同材質の圧接効果
とあいまって、より小さな圧下力で高い圧接強度が得ら
れて圧延率を小さくでき、上記の露出面積比の変動が少
なくなる。また、厚み方向に多数の貫通孔を設けた低熱
膨張金属板に加熱高熱膨張金属板を圧接した2層材同士
の圧接、または2層材の低熱膨張金属板に高熱膨張金属
板を圧接する際、さらに得られた3層材同士の直接また
は高熱膨張金属板を介在させての圧接の際、高熱膨張金
属板を再結晶温度以上に加熱することにより、高熱膨張
金属同士の拡散一体化が可能で圧接強度が極めてすぐれ
ている。さらに、高熱膨張金属の流動性がよく貫通孔へ
の回り込みが良好となり、後に圧接する最外層の高熱膨
張金属板厚みを高熱膨張金属材料をめっきした場合と同
程度まで薄くすることができる。
【0022】この発明による熱伝導材料は、低熱膨張金
属板の全面あるいは部分的に厚み方向の貫通孔を所要間
隔、パターンで配置し、例えば貫通孔の孔寸法、形状、
配置パターン等を種々変えたり、圧延時の変形を考慮し
て厚み方向に貫通あるいは貫通しない切り目を設けるな
ど、芯材の金属板の厚さ比および / または低熱膨張
金属板表面に露出した高熱膨張金属と低熱膨張金属との
表面積比を選定するなどの手段を選定組み合せることに
より、材料の全体あるいは部分的に、用途、目的に応じ
た熱膨張係数及び熱伝導率を設定でき、例えば、所要の
金属、セラミックス、Si等の半導体、プラスチックス
等の相手材の熱膨張係数との整合性を図り、かつ所要の
熱伝導性を有する材料が得られる。
【0023】好ましい実施態様 この発明において、高熱膨張金属板は圧接にて低熱膨張
金属板の貫通孔内に圧入充填されることから、Cu、C
u合金、Al、Al合金等の展延伸性に富み、かつ高い
熱伝導性を有する材料を用いることが好ましい。また、
低熱膨張金属板には、展延性のあるMo、30〜50w
t% Niを含有するNi−Fe系合金、25〜35w
t% Ni、4〜20wt% Coを含有するNi−C
o−Fe系合金、Wなどを用いることができる。最外層
の高熱膨張金属板には、Cu、Cu合金、Al、Al合
金などの材料が選定でき、用途やさらに被着する薄膜層
材質を考慮して、芯材の高熱膨張金属板と同材質あるい
は異材質を適宜選定するとよい。
【0024】さらに用途などに応じて、ろう付け性や耐
食性を向上させるため、あるいはAu、Agメッキの被
着性を向上させるため、Cu、Al、Ni、Snなどを
メッキ、蒸着、イオンプレーティング、CVD(che
mical vapor deposition)等の
公知のコーティング技術によって被着する他、はんだ、
Agろう材、セラミックス、ガラス層などを被覆、ある
いは所要位置に被着することができる。
【0025】また、低熱膨張金属板の板厚み方向の貫通
孔は、プレス打ち抜き等の機械加工のほか、エッチング
等の化学的加工も採用でき、貫通孔間隔が狭いほうが製
品のばらつきを低減する上で有利であり、通常3mm以
下、好ましくは1mm以下、さらに好ましくは0.5m
m以下であり、貫通孔形状も横断面が円、多角形状等、
縦断面がストレート、テーパー等種々形状が採用でき、
テーパー状の場合、貫通孔内への圧入を容易にしかつ接
合強度を高めることができる。さらに、当該低熱膨張金
属板の板厚み方向の貫通孔は、圧接、圧延後に高熱膨張
金属板が充填される所要の貫通孔になればよく、例え
ば、圧延前の低熱膨張金属板に、板厚みの所要方向に貫
通するかあるいは貫通直前の切り目を入れたり、該金属
板の両面から切り目方向や種々の切り目の形状を変えて
入れたりして、上述の貫通孔配置となるよう種々選定で
き、切り目の形状も、− + < など種々の形状が採
用でき、また、板厚みの所要方向に例えば、三角錐の如
き楔状の切り目を入れることもできる。またこの発明に
おいて、圧延率は全て冷間の場合は60%程度必要であ
り、高熱膨張金属板を加熱する場合は高熱膨張金属同士
の結合が結晶学的にも極めて好ましい状態となり20%
程度まで少なくできるが、30〜50%の圧延率が好ま
しい。
【0026】図面に基づく発明の開示 以下に図面に基づいてこの発明による熱伝導材料とその
製造方法を詳述する。図1に示すこの発明の熱伝導材料
は、高熱膨張金属板として銅板を、低熱膨張金属板とし
てコバール(Fe−Co−Ni合金)板を用いた3層材
の例であり、厚み方向に多数の貫通孔2を有するコバー
ル板1の両面に銅板3が圧接された構成からなる。
【0027】低熱膨張金属のコバール板1には板厚み方
向に同一寸法の貫通孔2が形成されて、コバール板1の
一方面に圧接した高熱膨張金属の銅板3の銅材が貫通孔
2を嵌入してコバール板1の他面に銅露出面4を形成
し、同面に圧接した銅板6と拡散一体化している。ま
た、ここでは板厚み方向に同一寸法の貫通孔2が形成さ
れているが、孔寸法が表裏で異なるようにテーパー状と
しかつ隣接孔が孔寸法の大小の組合せとなるように配置
することもできる。
【0028】この3層材において、コバール板1の両面
に圧接される銅板3,6の各々の厚み及び銅露出面4の
比率や分散状態等を選定することにより、各主面の熱的
特性を要求される特性に近似させることができる。さら
に、この3層材をそのまま利用する場合に銅板3の最外
層に、用途やさらに被着する薄膜層材質を考慮してC
u、Cu合金、Al、Al合金などを選定でき、受熱の
均一化、熱拡散効果、相手材との接合性、薄膜の被着性
の向上効果が得られる。
【0029】上述の銅板とコバール板の3層材熱伝導材
料を製造するには、図2に示すように、まず所要寸法、
厚みのコバール板1をコイルから巻き戻して、プレス機
10による打ち抜き加工を行い、例えば小さな孔を多数
個穿孔して網目状となしたのち、ルーパー装置にて所要
長さがストックされ、さらにコバール板1の下面にコイ
ルから巻き戻されて再結晶温度以上に加熱炉11にて加
熱した銅板3を圧接機12で圧接して2層材5を得る。
さらに、2層材5のコバール板1の上面にコイルから巻
き戻された別の銅板6を圧接機13で圧接することによ
り、コバール板1の両面に銅板3,6を圧接した3層材
7を得る。なお、コバール板1は先にプレス機10によ
る打ち抜き加工を行い、例えば、小さな孔を多数個穿孔
して網目状となした後焼鈍し、さらに表面処理を施して
コイルに巻き取っておくことができる。また、2層材5
への別の銅板6の圧接に際して、銅板6を再結晶温度以
上に加熱しておくことにより、銅材の拡散一体化が得ら
れる。
【0030】銅板とコバール板の3層材熱伝導材料は、
貫通孔を有するコバール板1への銅板3の圧接に際し
て、銅板3を再結晶温度以上に加熱すれば、小さな圧下
力で銅板3がコバール板1の貫通孔2内に嵌入してコバ
ール板1の他表面に露出し、高い圧接強度が得られ、コ
バール板1に設けた貫通孔形状の変形が少なく、予め選
定したコバール板1表面における銅露出面4とコバール
板1との露出面積比を変動させることなく、熱膨張に異
方性を生じることなく、所定の熱膨張係数及び熱伝導率
が得られる。
【0031】また、この3層材7は、上述の如く製造工
程が簡単で、欠陥発生率が極めて少なく、このまま基板
やリードフレームなどに利用するほか、図3のBに示す
如く、3層材7同士をそのままあるいは銅板3,6を再
結晶温度以上に加熱して圧接することにより、銅板とコ
バール板の5層材熱伝導材料を得ることができる。ま
た、3層材7同士の間に銅板などの常温または再結晶温
度以上に加熱した高熱膨張金属板を介在させて圧接する
ことにより5層材熱伝導材料を得ることができる。
【0032】さらに、コバール板1の一方面に銅板3を
圧接して、他面に銅露出面4を有する図1の工程で最初
に得た2層材5を用いて、図3のAに示す如く、コバー
ル板1の銅露出面4同士を常温または再結晶温度以上に
加熱した高熱膨張金属板8を介在させて圧接することに
より、銅板とコバール板の5層材熱伝導材料を得ること
ができる。なお、上記の2層材5を得るのに、圧接時に
銅板3を再結晶温度以上に加熱したが、常温で圧接して
得た後に低温焼鈍を施し、さらに常温または再結晶温度
以上に加熱した高熱膨張金属板8を介在させて圧接する
こともできる。
【0033】前述の3層材7と同様のように、得られた
多層材熱伝導材料は、2層材5または3層材7のコバー
ル板1、銅板3,6、介在させる高熱膨張金属板8の各
々の厚み及び銅露出面4の比率や分散状態等を選定する
ことにより、各主面の熱的特性を要求される特性に近似
させることできる。
【0034】上述の圧接に際して、高熱膨張金属材の加
熱雰囲気並びに圧接雰囲気は、非酸化性雰囲気が好まし
く、N2中、Ar中、H2中あるいはこれらの混合ガス雰
囲気やアンモニア分解ガス、プロパン燃焼ガス(DX)
ガス等を用いることができる。また、加熱装置は使用す
る高熱膨張金属材材質に応じて適宜選定するが、管状
炉、光ビーム加熱装置、レーザー加熱装置、高周波加熱
装置、プラズマ加熱装置等を採用することができる。高
熱膨張金属材の加熱温度は、選定した材料の再結晶温度
以上で融点未満の温度範囲から適宜選定するが、融点よ
り100℃程度低い温度から融点未満が好ましく、銅、
銅合金材の場合は、950〜1050℃、Al、Al合
金材の場合は、550〜650℃、Ag、Ag合金材の
場合は、800〜900℃である。
【0035】
【実施例】板厚0.25 mm、板幅50mmのコバー
ル板(29Ni−16Co−Fe合金)に、孔径1.0
mm、圧延方向孔間隔2.0mm、幅方向孔間隔2.0
mmで多数の穿孔を施し、 900℃で焼鈍してワイヤ
ーブラッシングした後コイルに巻き取った。なお、コバ
ール板の30〜200°Cにおける平均熱膨張係数は
5.2×10-6/°Cであった。
【0036】ワイヤーブラッシングした後、N2雰囲気
で950℃に加熱した板厚0.5mm、板幅50mmの
Cu板を、前記コイルから巻き戻したコバール板に重ね
て、N2雰囲気中の圧接機により圧接して、コバール板
の貫通孔中に銅が侵入し、銅箔表面の所要位置に銅板が
部分的に露出して一体化した板厚0.3mm の2層材
を得た。得られた熱伝導材の主面におけるCu露出面は
圧延方向に略円形となり、孔間隔は圧延方向に2.0m
mであり、コバール板に対するCu露出面の比率は35
%であった。
【0037】さらに、Cu露出面側に板厚0.05m
m、板幅50mmのCu箔を圧接して、表層に20μm
のCu層を有し、板厚み0.3mmの3層材を得た。圧
延率は15%であった。Cu板の30〜200°Cにお
ける平均熱膨張係数は17.2×10-6/°Cであっ
た。得られた材料の厚み方向の熱伝導率は230w/m
・K、及び各主面における熱膨張係数は8×10-6/℃
であった。
【0038】得られた3層の熱伝導材料を1000℃、
5分間、水素雰囲気焼鈍後、公知の方法にてリードフレ
ームに加工し、半導体パッケージを作製したところ、チ
ップとアイランドとの接着界面の剥離や封止樹脂のクラ
ック等が発生することなく、また、従来の銅合金を用い
たリードフレームに近似する良好な熱放散性が得られ
た。
【0039】前記3層の熱伝導材料の2枚の間にN2
囲気で950℃に加熱した板厚0.25 mm、板幅5
0mmのCu板を介在させて、同雰囲気中で圧接積層し
て全体厚み0.8mmの放熱基板となした。上記放熱基
板を用いて、セラミックスパッケージを作製したとこ
ろ、良好な熱放散性が得られ、熱的整合性も優れている
ことを確認できた。
【0040】
【発明の効果】この発明による熱伝導材料は、厚み方向
に多数の貫通孔を設けた低熱膨張金属板の片面に常温ま
たは再結晶温度以上に加熱した高熱膨張金属板を圧接し
た2層材同士を高熱膨張金属板を介在させて圧接する
か、あるいは前記2層材の低熱膨張金属板面に高熱膨張
金属板を圧接した3層材をそのまま用いるか、さらに3
層材同士を直接あるいは適宜高熱膨張金属板を介在させ
て圧接することにより、接合強度を高くでき、選定した
これら金属板の厚さ比や貫通孔面積比を変化させること
なく、熱膨張係数、熱伝導率を任意に変化させることが
でき、金属、セラミックス、Si等の半導体、プラスチ
ックス等の被着相手材との熱膨張係数の整合性と良好な
熱伝導性を両立でき、さらに受熱の均一化、熱拡散効果
の向上をはかり、表面微細孔がなくめっきやろう材など
薄膜の被着性にすぐれており、半導体チップ搭載用放熱
基板やリードフレーム用材料に最適な熱伝導材料であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明による熱伝導材料の一部破断斜視説明
図である。
【図2】この発明による熱伝導材料素材を製造するため
の設備例を示す斜視説明図である。
【図3】A,Bともにこの発明による多層熱伝導材料の
構成と工程を示す縦断説明図である。
【符号の説明】
1 コバール板 2 貫通孔 3,6 銅板 4 銅露出面 5 2層材 7 3層材 8 高熱膨張金属板 10 プレス 機 11 加熱装置 12,13 圧接ロール

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 厚み方向に多数の貫通孔を設けた低熱膨
    張金属板の片面に常温または再結晶温度以上に加熱した
    高熱膨張金属板が圧接された後、他面にも高熱膨張金属
    板が圧接されたことを特徴とする熱伝導材料。
  2. 【請求項2】 厚み方向に多数の貫通孔を設けた低熱膨
    張金属板の片面に常温または再結晶温度以上に加熱した
    高熱膨張金属板を圧接した2層材同士の低熱膨張金属板
    側が、常温または再結晶温度以上に加熱した高熱膨張金
    属板を介在させて圧接一体化されたことを特徴とする熱
    伝導材料。
  3. 【請求項3】 厚み方向に多数の貫通孔を設けた低熱膨
    張金属板の片面に常温または再結晶温度以上に加熱した
    高熱膨張金属板を圧接し他面に高熱膨張金属板を圧接し
    た3層材同士が、直接あるいは常温または再結晶温度以
    上に加熱した高熱膨張金属板を介在させて圧接一体化さ
    れたことを特徴とする熱伝導材料。
  4. 【請求項4】 厚み方向に多数の貫通孔を設けた低熱膨
    張金属板の片面に常温または再結晶温度以上に加熱した
    高熱膨張金属板を圧接して前記貫通孔から高熱膨張金属
    を低熱膨張金属板表面に露出させて一体化した後、低熱
    膨張金属板の他面に高熱膨張金属板を圧接したことを特
    徴とする熱伝導材料の製造方法。
  5. 【請求項5】 厚み方向に多数の貫通孔を設けた低熱膨
    張金属板の片面に常温または再結晶温度以上に加熱した
    高熱膨張金属板を圧接して前記貫通孔から高熱膨張金属
    を低熱膨張金属板表面に露出させて一体化した2層材
    を、常温または再結晶温度以上に加熱した高熱膨張金属
    板の両面に低熱膨張金属板側を当接させて圧接したこと
    を特徴とする熱伝導材料の製造方法。
  6. 【請求項6】 厚み方向に多数の貫通孔を設けた低熱膨
    張金属板の片面に常温または再結晶温度以上に加熱した
    高熱膨張金属板を圧接して前記貫通孔から高熱膨張金属
    を低熱膨張金属板表面に露出させて一体化した後、低熱
    膨張金属板の他面に高熱膨張金属板を圧接した3層材同
    士を、冷間または高熱膨張金属板の再結晶温度以上に加
    熱して、直接あるいは常温または再結晶温度以上に加熱
    した高熱膨張金属板を介在させて圧接したことを特徴と
    する熱伝導材料の製造方法。
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