JPH0574572A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPH0574572A JPH0574572A JP3233371A JP23337191A JPH0574572A JP H0574572 A JPH0574572 A JP H0574572A JP 3233371 A JP3233371 A JP 3233371A JP 23337191 A JP23337191 A JP 23337191A JP H0574572 A JPH0574572 A JP H0574572A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light
- thin film
- electrode layer
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】実用上発光輝度が大きい、直流で駆動可能な端
面発光型薄膜ＥＬ素子を提供する。 【構成】第１電極層と、第２電極層と、第１電極層と第
２電極層との間に配置された抵抗体層および発光体層と
を備える薄膜ＥＬ素子において、前記抵抗体層は前記発
光体層の発光する光に対して透明であることを特徴とす
る薄膜ＥＬ素子。
面発光型薄膜ＥＬ素子を提供する。 【構成】第１電極層と、第２電極層と、第１電極層と第
２電極層との間に配置された抵抗体層および発光体層と
を備える薄膜ＥＬ素子において、前記抵抗体層は前記発
光体層の発光する光に対して透明であることを特徴とす
る薄膜ＥＬ素子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜EL素子に関するも
のである。特に、電子写真用感光体、銀塩感光体、レジ
スト感光体等の感光体面上に、画像を形成するために用
いる光源用薄膜EL素子に関する。
のである。特に、電子写真用感光体、銀塩感光体、レジ
スト感光体等の感光体面上に、画像を形成するために用
いる光源用薄膜EL素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、感光体面上に、光を照射して画像
を形成する方式としては、レーザービームを走査するレ
ーザ方式、多数のLED を並べるLED方式が知られてい
る。レーザー方式は、ポリゴンミラーやシリンドリカル
レンズ等の光学部品が必要なために、装置が大型になる
という問題がある。また、LED 方式は、各々のLED の発
光輝度が不均一になるというという問題がある。
を形成する方式としては、レーザービームを走査するレ
ーザ方式、多数のLED を並べるLED方式が知られてい
る。レーザー方式は、ポリゴンミラーやシリンドリカル
レンズ等の光学部品が必要なために、装置が大型になる
という問題がある。また、LED 方式は、各々のLED の発
光輝度が不均一になるというという問題がある。
【０００３】これに対して、端面より光を放射する端面
薄膜ＥＬ素子が、提案されている(米国特許No.4535341)
。図３（ａ）は、端面発光型薄膜ＥＬ素子の構造の一
例を示す説明図、（ｂ）は、端面発光型薄膜ＥＬ素子ア
レイの一例を示す説明図である。図３（ａ）に示すよう
に、端面発光型薄膜ＥＬ素子は、電極層１０、誘電体層
９、発光体層４から構成されており、各層は、発光体層
４がコア、誘電体層９がクラッドの導波路構造になる、
屈折率を有している。したがって、電極層１０間に、交
流電圧を印加すると、その端面から光を放射する。ま
た、端面発光型薄膜ＥＬ素子の各層は、通常の真空蒸
着、スパッター法で作製が可能であるため、図３（ｂ）
に示すように、ガラス等のアモルファス基板上１に、各
層を作製した後、共通電極層１１を除いた各層を、分割
することにより、各画素の輝度が均一な、大型の端面発
光型薄膜ＥＬ素子アレイを得ることが期待できる。複数
の画素を画定する複数の個別電極１２と、共通電極１１
との間に交流電圧を印加すると、その端面から光を放射
する。
薄膜ＥＬ素子が、提案されている(米国特許No.4535341)
。図３（ａ）は、端面発光型薄膜ＥＬ素子の構造の一
例を示す説明図、（ｂ）は、端面発光型薄膜ＥＬ素子ア
レイの一例を示す説明図である。図３（ａ）に示すよう
に、端面発光型薄膜ＥＬ素子は、電極層１０、誘電体層
９、発光体層４から構成されており、各層は、発光体層
４がコア、誘電体層９がクラッドの導波路構造になる、
屈折率を有している。したがって、電極層１０間に、交
流電圧を印加すると、その端面から光を放射する。ま
た、端面発光型薄膜ＥＬ素子の各層は、通常の真空蒸
着、スパッター法で作製が可能であるため、図３（ｂ）
に示すように、ガラス等のアモルファス基板上１に、各
層を作製した後、共通電極層１１を除いた各層を、分割
することにより、各画素の輝度が均一な、大型の端面発
光型薄膜ＥＬ素子アレイを得ることが期待できる。複数
の画素を画定する複数の個別電極１２と、共通電極１１
との間に交流電圧を印加すると、その端面から光を放射
する。
【０００４】しかしながら、前記端面発光型薄膜ＥＬ素
子は、交流で駆動されるために、駆動回路には、吸い込
み用と、はき出し用との両方の高耐圧トランジスターが
必要である。この高耐圧トランジスターが、交流で駆動
される端面発光型薄膜ＥＬ素子のコストアップの大きな
要因となっている。
子は、交流で駆動されるために、駆動回路には、吸い込
み用と、はき出し用との両方の高耐圧トランジスターが
必要である。この高耐圧トランジスターが、交流で駆動
される端面発光型薄膜ＥＬ素子のコストアップの大きな
要因となっている。
【０００５】直流で駆動可能な薄膜ＥＬ素子は、吸い込
み用か、はき出し用かのどちらか一方のトランジスター
があれば駆動できるので、大幅なコストダウンが期待で
きる。直流で発光する面発光薄膜ＥＬ素子として、図４
に示すような、透明電極層６、抵抗体層７、発光体層
４、電極６を、ガラス基板１上に、順に積層した構造を
持った素子が知られている。この素子は、電極６間に直
流電圧を加えることによって、発光体層４が発光し、発
光した光は、透明電極層６の表面から射出する。
み用か、はき出し用かのどちらか一方のトランジスター
があれば駆動できるので、大幅なコストダウンが期待で
きる。直流で発光する面発光薄膜ＥＬ素子として、図４
に示すような、透明電極層６、抵抗体層７、発光体層
４、電極６を、ガラス基板１上に、順に積層した構造を
持った素子が知られている。この素子は、電極６間に直
流電圧を加えることによって、発光体層４が発光し、発
光した光は、透明電極層６の表面から射出する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た直流で駆動可能な薄膜ＥＬ素子は、面発光用として開
発されたものであり、端面発光用として用いたとして
も、素子端面から放射される光エネルギーが小さいとい
う問題があった。
た直流で駆動可能な薄膜ＥＬ素子は、面発光用として開
発されたものであり、端面発光用として用いたとして
も、素子端面から放射される光エネルギーが小さいとい
う問題があった。
【０００７】上記問題点を解決するために、本発明で
は、強い光の放射される直流で駆動可能な薄膜ＥＬ素子
を提供するものである。
は、強い光の放射される直流で駆動可能な薄膜ＥＬ素子
を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明では、発
光体層に隣接して配置される抵抗体層として発光体層の
発光する光に対して透明なものを用いることにより、放
出される光エネルギーが従来に比べ増加することを見い
だし、本発明を成すに至った。
光体層に隣接して配置される抵抗体層として発光体層の
発光する光に対して透明なものを用いることにより、放
出される光エネルギーが従来に比べ増加することを見い
だし、本発明を成すに至った。
【０００９】よって、本発明は、第１電極層と、第２電
極層と、第１電極層と第２電極層との間に配置された抵
抗体層および発光体層とを備える薄膜ＥＬ素子におい
て、前記抵抗体層は前記発光体層の発光する光に対して
透明であることを特徴とする薄膜ＥＬ素子が提供するも
のである。
極層と、第１電極層と第２電極層との間に配置された抵
抗体層および発光体層とを備える薄膜ＥＬ素子におい
て、前記抵抗体層は前記発光体層の発光する光に対して
透明であることを特徴とする薄膜ＥＬ素子が提供するも
のである。
【００１０】また、この抵抗体層は、好ましくは発光体
層の屈折率以上の屈折率を有する（請求項２）ものであ
り、例えば、下記ののうち少なくとも一つを添加した
から選ばれたもの、或いはZnSeである。（請求項３） Bi、Sb、Nb、V 、Ta、Y 、Sc、Sm、La、Ce、Pr、Nd、
Eu、Tb、Er、Tm BaTiO3、SrTiO3、TiO2、BaxSr1-xTiO3 さらに、第１、第２電極層が発光体層の発光する光をク
ラッディングし、光が発光体層および抵抗体層の端面か
ら放出される端面発光型の薄膜ＥＬ素子であれば、輝度
の十分な光が得られるので好ましい。（請求項４、５）
層の屈折率以上の屈折率を有する（請求項２）ものであ
り、例えば、下記ののうち少なくとも一つを添加した
から選ばれたもの、或いはZnSeである。（請求項３） Bi、Sb、Nb、V 、Ta、Y 、Sc、Sm、La、Ce、Pr、Nd、
Eu、Tb、Er、Tm BaTiO3、SrTiO3、TiO2、BaxSr1-xTiO3 さらに、第１、第２電極層が発光体層の発光する光をク
ラッディングし、光が発光体層および抵抗体層の端面か
ら放出される端面発光型の薄膜ＥＬ素子であれば、輝度
の十分な光が得られるので好ましい。（請求項４、５）
【００１１】
【作用】本発明で提供される薄膜ＥＬ素子は、第１電極
層と、第２電極層と、第１電極層と第２電極層との間に
配置された抵抗体層および発光体層とを有しており、第
１電極層と第２電極層との間に直流電圧を加えることに
よって発光体層が発光する。
層と、第２電極層と、第１電極層と第２電極層との間に
配置された抵抗体層および発光体層とを有しており、第
１電極層と第２電極層との間に直流電圧を加えることに
よって発光体層が発光する。
【００１２】なお、この素子において抵抗体層を用いる
ことにより、この層が安定な抵抗体層として働き、発光
体層に流れる過大電流を制限し、発光体層の絶縁破壊を
防止するので、素子は安定に発光する。
ことにより、この層が安定な抵抗体層として働き、発光
体層に流れる過大電流を制限し、発光体層の絶縁破壊を
防止するので、素子は安定に発光する。
【００１３】図４に示した面発光型の直流駆動可能なＥ
Ｌ素子では、抵抗体層として、光吸収性のNi−SiO2サー
メット層を用いていたため、仮に端面発光型として用い
たとしても、発光体層から放出される光エネルギーは抵
抗体層で吸収されてしまう。
Ｌ素子では、抵抗体層として、光吸収性のNi−SiO2サー
メット層を用いていたため、仮に端面発光型として用い
たとしても、発光体層から放出される光エネルギーは抵
抗体層で吸収されてしまう。
【００１４】これに対し、本発明の素子の抵抗体層は、
発光体層の発光する光に対して透明であるので、光エネ
ルギーが抵抗体層で吸収されることがない。また、抵抗
体層の屈折率を発光体層の屈折率以上とすることによ
り、抵抗体層および発光体層がコア、第１、第２電極層
がクラッドの役目を果たし、光導波路構造を形成する。
従って、発光した光は抵抗体層および発光体層に有効に
閉じ込められる。このような素子は端面発光型のＥＬ素
子として用いられる。
発光体層の発光する光に対して透明であるので、光エネ
ルギーが抵抗体層で吸収されることがない。また、抵抗
体層の屈折率を発光体層の屈折率以上とすることによ
り、抵抗体層および発光体層がコア、第１、第２電極層
がクラッドの役目を果たし、光導波路構造を形成する。
従って、発光した光は抵抗体層および発光体層に有効に
閉じ込められる。このような素子は端面発光型のＥＬ素
子として用いられる。
【００１５】抵抗体層は、Bi、Sb、Nb、V 、Ta、Y 、S
c、Sm、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Tb、Er、Tmのうち少なく
とも一つを添加したBaTiO3、SrTiO3、TiO2、およびBaxS
r1-xTiO3から選ばれたもの、或いはZnSeを用いることが
できる。抵抗体層の添加物量により抵抗値を調整できる
ので、抵抗体層の厚さも任意に調整できる。
c、Sm、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Tb、Er、Tmのうち少なく
とも一つを添加したBaTiO3、SrTiO3、TiO2、およびBaxS
r1-xTiO3から選ばれたもの、或いはZnSeを用いることが
できる。抵抗体層の添加物量により抵抗値を調整できる
ので、抵抗体層の厚さも任意に調整できる。
【００１６】
【実施例】本発明の実施例を、図面を用いて説明する。
【００１７】図１は、本発明の第１の実施例の、直流駆
動可能な端面発光型薄膜ＥＬ素子の構成を示す説明図で
ある。まず、ガラス基板１上に、第１電極層２としてＡ
ｇ層を、抵抗加熱蒸着法により約０．２μｍ形成し、続
いて抵抗体層３として０．１wt.％のＹを添加したＢａ
ＴｉＯ3セラミックスを下地温度５００℃で、ｒｆスパ
ッタリングで、約１５μｍ成膜した後、更に真空中で６
００℃で１時間の熱処理を行った。更に、続いて発光体
層４として０．５wt.％のＭｎを含むＺｎＳペレット
を、ＥＢ蒸着法により１μｍ形成し、最後に第２電極層
５として、Ａｌ層を抵抗加熱蒸着法により、約０．２μ
ｍ形成した。基板ガラス１には、ＨＯＹＡ社の無アルカ
リガラスＮＡ４０を用いた。
動可能な端面発光型薄膜ＥＬ素子の構成を示す説明図で
ある。まず、ガラス基板１上に、第１電極層２としてＡ
ｇ層を、抵抗加熱蒸着法により約０．２μｍ形成し、続
いて抵抗体層３として０．１wt.％のＹを添加したＢａ
ＴｉＯ3セラミックスを下地温度５００℃で、ｒｆスパ
ッタリングで、約１５μｍ成膜した後、更に真空中で６
００℃で１時間の熱処理を行った。更に、続いて発光体
層４として０．５wt.％のＭｎを含むＺｎＳペレット
を、ＥＢ蒸着法により１μｍ形成し、最後に第２電極層
５として、Ａｌ層を抵抗加熱蒸着法により、約０．２μ
ｍ形成した。基板ガラス１には、ＨＯＹＡ社の無アルカ
リガラスＮＡ４０を用いた。
【００１８】図２は、本発明の第２実施例の直流駆動可
能な端面発光型薄膜ＥＬ素子の構成を示す説明図であ
る。基板１上に、第１電極層２として、Ａｇ層２ａとＩ
ＴＯ層２ｂとを各ＥＢ蒸着法、抵抗加熱蒸着法により約
０．２μｍ、約０．１μｍ形成し、続いて抵抗層３とし
て、０．１wt.％のＹを添加したＢａＴｉＯ3セラミック
スを下地温度５００℃で、ｒｆスパッタリングにより、
約１５μｍ成膜した後、更に、真空中で６００℃で１時
間、熱処理をすることにより形成した。更に、続いて、
発光体層４として０．５wt.％のＭｎを含むＺｎＳペレ
ットを、ＥＢ蒸着法により、１μｍ形成し、最後に第２
電極層５として、ＩＴＯ層５ｂとＡｌ層５ａとを、各Ｅ
Ｂ蒸着法、抵抗加熱蒸着法により各約０．１μｍ、約
０．２μｍ形成した。基板ガラス１には、ＨＯＹＡ社の
無アルカリガラスＮＡ４０を用いた。
能な端面発光型薄膜ＥＬ素子の構成を示す説明図であ
る。基板１上に、第１電極層２として、Ａｇ層２ａとＩ
ＴＯ層２ｂとを各ＥＢ蒸着法、抵抗加熱蒸着法により約
０．２μｍ、約０．１μｍ形成し、続いて抵抗層３とし
て、０．１wt.％のＹを添加したＢａＴｉＯ3セラミック
スを下地温度５００℃で、ｒｆスパッタリングにより、
約１５μｍ成膜した後、更に、真空中で６００℃で１時
間、熱処理をすることにより形成した。更に、続いて、
発光体層４として０．５wt.％のＭｎを含むＺｎＳペレ
ットを、ＥＢ蒸着法により、１μｍ形成し、最後に第２
電極層５として、ＩＴＯ層５ｂとＡｌ層５ａとを、各Ｅ
Ｂ蒸着法、抵抗加熱蒸着法により各約０．１μｍ、約
０．２μｍ形成した。基板ガラス１には、ＨＯＹＡ社の
無アルカリガラスＮＡ４０を用いた。
【００１９】本実施例の抵抗体層３の０．１wt.％のＹ
を添加したＢａＴｉＯ3セラミックスは、吸収端４５０
ｎｍ以下であり、発光体層４の発光する波長５５０ｎｍ
以上の光を吸収しない。また、抵抗体層の屈折率は、約
２．４であり、発光体層の屈折率約２．３５と、同等か
同等以上であるので、本構成は発光体層４と抵抗体層３
とが一緒にコア層を成し、第１電極層と第２電極層と
が、クラッド層を成し、光導波路構造を形成する。した
がって、発光した光が、発光体層に有効に閉じ込めら
れ、側面から高輝度の光を放射することができる。
を添加したＢａＴｉＯ3セラミックスは、吸収端４５０
ｎｍ以下であり、発光体層４の発光する波長５５０ｎｍ
以上の光を吸収しない。また、抵抗体層の屈折率は、約
２．４であり、発光体層の屈折率約２．３５と、同等か
同等以上であるので、本構成は発光体層４と抵抗体層３
とが一緒にコア層を成し、第１電極層と第２電極層と
が、クラッド層を成し、光導波路構造を形成する。した
がって、発光した光が、発光体層に有効に閉じ込めら
れ、側面から高輝度の光を放射することができる。
【００２０】また、抵抗体層３は、Ｙを添加したＢａＴ
ｉＯ3に限らず、抵抗体層は、Bi、Sb、Nb、V 、Ta、Y
、Sc、Sm、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Tb、Er、Tmのうち少
なくとも一つを添加されたBaTiO3、SrTiO3、TiO2および
BaxSr1-xTiO3（０＜ｘ＜１）、ならびに、ZnSeうちから
選ばれたものを用いることが可能である。これらは、添
加物の濃度を、１０から１０4ｐｐｍの間で、変化させ
ることにより、体積抵抗率を１０４〜１０７Ω・cmの範
囲で調節することができる。従って、抵抗体層の抵抗値
を、発光効率と安定性とから、決定される最適値にする
ことができる。
ｉＯ3に限らず、抵抗体層は、Bi、Sb、Nb、V 、Ta、Y
、Sc、Sm、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Tb、Er、Tmのうち少
なくとも一つを添加されたBaTiO3、SrTiO3、TiO2および
BaxSr1-xTiO3（０＜ｘ＜１）、ならびに、ZnSeうちから
選ばれたものを用いることが可能である。これらは、添
加物の濃度を、１０から１０4ｐｐｍの間で、変化させ
ることにより、体積抵抗率を１０４〜１０７Ω・cmの範
囲で調節することができる。従って、抵抗体層の抵抗値
を、発光効率と安定性とから、決定される最適値にする
ことができる。
【００２１】本実施例では、発光体層４としては、０．
５wt.％のＭｎを含むＺｎＳペレットを用いたが、これ
に限定されるものではなく、一般的に知られている蛍光
体層を用いることができる。
５wt.％のＭｎを含むＺｎＳペレットを用いたが、これ
に限定されるものではなく、一般的に知られている蛍光
体層を用いることができる。
【００２２】また、上述の各種抵抗体層は、添加物の濃
度が、１０から１０4ｐｐｍの間である場合、屈折率が
約２．３〜２．５であり、発光体層の屈折率約２．３５
と、同等か同等以上であるので、本構成は発光体層３と
抵抗体層４とが一緒にコアー層を成し、第１電極層と第
２電極層とが、クラッド層を成す光導波路構造を形成し
ているので、発光した光が発光体層に有効に閉じ込めら
れ、側面から高輝度の光を放射することができる。
度が、１０から１０4ｐｐｍの間である場合、屈折率が
約２．３〜２．５であり、発光体層の屈折率約２．３５
と、同等か同等以上であるので、本構成は発光体層３と
抵抗体層４とが一緒にコアー層を成し、第１電極層と第
２電極層とが、クラッド層を成す光導波路構造を形成し
ているので、発光した光が発光体層に有効に閉じ込めら
れ、側面から高輝度の光を放射することができる。
【００２３】従って、従来の、直流で駆動可能な端面発
光型薄膜ＥＬ素子は、発光端面の厚みが、発光体層の厚
さで決まり、通常１〜１．５μmであるのに対し、本発
明では、発光端面の厚み、即ちコア層の厚みを、抵抗体
層３を厚膜にすることによって、容易に大きくすること
ができる。電極層２および５、抵抗体層３、発光体４を
成膜後、通常のイオンビームエッチング法により、第１
電極層２を除いて、部分的にエッチングすることによ
り、必要な分解能から決まる発光端面の形状に応じて、
複数の画素に区分することができる。抵抗体層３は、１
５μｍ以上の厚膜に、ｒｆスパッタのほか蒸着、ＣＶ
Ｄ、ゾルゲル法、スクリーン印刷等に容易に形成するこ
とができるので、発光端面の縦横比を１に近くすること
ができる。
光型薄膜ＥＬ素子は、発光端面の厚みが、発光体層の厚
さで決まり、通常１〜１．５μmであるのに対し、本発
明では、発光端面の厚み、即ちコア層の厚みを、抵抗体
層３を厚膜にすることによって、容易に大きくすること
ができる。電極層２および５、抵抗体層３、発光体４を
成膜後、通常のイオンビームエッチング法により、第１
電極層２を除いて、部分的にエッチングすることによ
り、必要な分解能から決まる発光端面の形状に応じて、
複数の画素に区分することができる。抵抗体層３は、１
５μｍ以上の厚膜に、ｒｆスパッタのほか蒸着、ＣＶ
Ｄ、ゾルゲル法、スクリーン印刷等に容易に形成するこ
とができるので、発光端面の縦横比を１に近くすること
ができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明では、発光体層に隣接させる抵抗
体層として、発光体層が発光する光に対して透明な抵抗
体層を用いたので、発光体層から放射される光エネルギ
ーが、抵抗体層によって、吸収されることなく、素子の
側面から放射される。
体層として、発光体層が発光する光に対して透明な抵抗
体層を用いたので、発光体層から放射される光エネルギ
ーが、抵抗体層によって、吸収されることなく、素子の
側面から放射される。
【００２５】したがって、実用上発光輝度が大きい、直
流で駆動可能な端面発光型薄膜ＥＬ素子が提供される。
流で駆動可能な端面発光型薄膜ＥＬ素子が提供される。
【００２６】また、抵抗体層の屈折率を、発光体層の屈
折率と、同等か同等以上にすることにより、発光体層と
半導性セラミックス層とが一緒にコア層を成し、発光端
面の厚みとなる。したがって、発光端面を厚くすること
が可能であり、発光端面の縦横比を１に近くすることが
可能な、直流で駆動可能な端面発光型薄膜ＥＬ素子が提
供される。
折率と、同等か同等以上にすることにより、発光体層と
半導性セラミックス層とが一緒にコア層を成し、発光端
面の厚みとなる。したがって、発光端面を厚くすること
が可能であり、発光端面の縦横比を１に近くすることが
可能な、直流で駆動可能な端面発光型薄膜ＥＬ素子が提
供される。
【図１】本発明の第１の実施例の、薄膜ＥＬ素子の構造
の断面を示す説明図。
の断面を示す説明図。
【図２】本発明の第２の実施例の、薄膜ＥＬ素子の構造
の断面を示す説明図。
の断面を示す説明図。
【図３】従来の端面発光型薄膜ＥＬ素子の構造の説明
図。
図。
【図４】従来の直流駆動の薄膜ＥＬ素子の構造の断面を
示す説明図。
示す説明図。
１…ガラス基板、２…第１電極層（Ａｇ層）、３…抵抗
体層、４…発光体層、５…第２電極層（Ａｌ層）、６…
ＩＴＯ層、７…Ni-SiO2サーメット層、８…Ａｌ層、９
…誘電体層、１０…電極層、１１…共通電極層、１２…
個別電極層
体層、４…発光体層、５…第２電極層（Ａｌ層）、６…
ＩＴＯ層、７…Ni-SiO2サーメット層、８…Ａｌ層、９
…誘電体層、１０…電極層、１１…共通電極層、１２…
個別電極層
Claims (6)
- 【請求項１】第１電極層と、第２電極層と、第１電極層
と第２電極層との間に配置された抵抗体層および発光体
層とを備える薄膜ＥＬ素子において、前記抵抗体層は前
記発光体層の発光する光に対して透明であることを特徴
とする薄膜ＥＬ素子。 - 【請求項２】請求項１おいて、前記抵抗体層は、前記発
光体層の屈折率以上の屈折率を有するものであることを
特徴とする薄膜ＥＬ素子。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記抵抗体層
は、のうち少なくとも一つを添加したから選ばれた
もの、或いはZnSeであることを特徴とする薄膜ＥＬ素
子。 Bi、Sb、Nb、V 、Ta、Y 、Sc、Sm、La、Ce、Pr、Nd、
Eu、Tb、Er、Tm BaTiO3、SrTiO3、TiO2、BaxSr1-xTiO3（０＜ｘ＜１） - 【請求項４】請求項１、２または３において、前記第１
電極層および第２の電極層は、前記発光体層の発光した
光をクラッディングするものである薄膜ＥＬ素子。 - 【請求項５】請求項１、２、３または４において、前記
発光体層から発光した光は、前記発光体層と抵抗体層の
端面から射出することを特徴とする薄膜ＥＬ素子。 - 【請求項６】請求項１、２、３、４または５において、
第１電極層と第２電極層の少なくとも一方は、透明導電
性層、もしくは、金属層、もしくは、金属層と透明導電
性層との多層であることを特徴とする光源用薄膜EL素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3233371A JPH0574572A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3233371A JPH0574572A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574572A true JPH0574572A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16954076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3233371A Pending JPH0574572A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574572A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6139774A (en) * | 1996-10-03 | 2000-10-31 | Hitachi Maxell, Ltd. | Fluorescent substance |
| US7862738B2 (en) | 2005-10-11 | 2011-01-04 | Kuraray Co., Ltd. | Luminous body |
| WO2011158368A1 (ja) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | 光文堂印刷有限会社 | 直流駆動の無機エレクトロルミネッセンス素子と発光方法 |
| US8258690B2 (en) | 2005-10-11 | 2012-09-04 | Kuraray Co., Ltd. | High brightness inorganic electroluminescence device driven by direct current |
| TWI386106B (zh) * | 2007-08-06 | 2013-02-11 | Ind Tech Res Inst | 電激發光元件 |
-
1991
- 1991-09-12 JP JP3233371A patent/JPH0574572A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6139774A (en) * | 1996-10-03 | 2000-10-31 | Hitachi Maxell, Ltd. | Fluorescent substance |
| US7862738B2 (en) | 2005-10-11 | 2011-01-04 | Kuraray Co., Ltd. | Luminous body |
| US8258690B2 (en) | 2005-10-11 | 2012-09-04 | Kuraray Co., Ltd. | High brightness inorganic electroluminescence device driven by direct current |
| TWI386106B (zh) * | 2007-08-06 | 2013-02-11 | Ind Tech Res Inst | 電激發光元件 |
| WO2011158368A1 (ja) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | 光文堂印刷有限会社 | 直流駆動の無機エレクトロルミネッセンス素子と発光方法 |
| US8810123B2 (en) | 2010-06-18 | 2014-08-19 | Kohundo Printing Company Ltd. | DC-driven electroluminescence device and light emission method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2553696B2 (ja) | 多色発光薄膜エレクトロルミネセンス装置 | |
| US5131065A (en) | High luminance and contrast flat display panel | |
| JP2001071558A (ja) | Ｅｌプリンタ及びｅｌ素子 | |
| JPH0574572A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS6391998A (ja) | Ｅｌ発光アレイ | |
| US20050140271A1 (en) | Electroluminescent cell and electroluminescent particle | |
| KR101057349B1 (ko) | 휘도가 강화된 백색광원 | |
| JP2689661B2 (ja) | 光干渉フィルタを含む薄膜エレクトロルミネセンス装置 | |
| JP4515274B2 (ja) | 無機発光ディスプレイ | |
| JP2008159338A (ja) | 無機電界発光装置 | |
| JPH06151061A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2011154809A (ja) | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 | |
| KR100342650B1 (ko) | 전계 발광 표시장치 | |
| JPH0513168A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH0428197A (ja) | 端面発光型電界発光素子およびその駆動方法 | |
| KR100326464B1 (ko) | 전계 발광 표시장치 | |
| JP2000208257A (ja) | 発光素子及び画像表示装置 | |
| JP2814784B2 (ja) | 端面発光型薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH0733433Y2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH0513167A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH07193280A (ja) | Ｌｅｄ素子 | |
| KR100495899B1 (ko) | 교류 분말형 모서리 발광 ｅｌ 소자 및 그 제조방법 | |
| JP2502560B2 (ja) | 誘電体膜の形成方法 | |
| KR100198798B1 (ko) | 전기장 발광 소자 | |
| JP2000188182A (ja) | 紫外発光エレクトロルミネッセンス素子及び画像表示装置 |