JPH0570229A - 立方晶炭化タングステン膜の製造方法及び装置 - Google Patents
立方晶炭化タングステン膜の製造方法及び装置Info
- Publication number
- JPH0570229A JPH0570229A JP3257043A JP25704391A JPH0570229A JP H0570229 A JPH0570229 A JP H0570229A JP 3257043 A JP3257043 A JP 3257043A JP 25704391 A JP25704391 A JP 25704391A JP H0570229 A JPH0570229 A JP H0570229A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- substrate
- film
- raw material
- tungsten carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】プラズマ気相合成法を用いて、任意の基板上に
任意の厚さの立方晶炭化タングステン膜を製造する方法
および装置の提供。 【構成】W、WC、WO3 、W(CO)6 のうちの一つ
と炭化水素ガスとをプラズマ中で気相反応させ生成する
立方晶炭化タングステンを超急冷により凍結して基板上
に析出させる方法。少なくとも一つの熱プラズマ発生手
段を備えた化学反応装置において、熱プラズマの尾炎部
に冷却した基板を置き、気相反応生成物を超急冷して基
板上に析出させる(前記方法を実施する)装置。 【効果】従来の六方晶の膜よりも更に優れた工具用膜と
して利用することができる立方晶炭化タングステンを主
成分とする膜の合成が可能となった。又、工具用膜のみ
ならず触媒膜及びガス分離膜としてもその利用が可能と
なった。
任意の厚さの立方晶炭化タングステン膜を製造する方法
および装置の提供。 【構成】W、WC、WO3 、W(CO)6 のうちの一つ
と炭化水素ガスとをプラズマ中で気相反応させ生成する
立方晶炭化タングステンを超急冷により凍結して基板上
に析出させる方法。少なくとも一つの熱プラズマ発生手
段を備えた化学反応装置において、熱プラズマの尾炎部
に冷却した基板を置き、気相反応生成物を超急冷して基
板上に析出させる(前記方法を実施する)装置。 【効果】従来の六方晶の膜よりも更に優れた工具用膜と
して利用することができる立方晶炭化タングステンを主
成分とする膜の合成が可能となった。又、工具用膜のみ
ならず触媒膜及びガス分離膜としてもその利用が可能と
なった。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、緻密質あるいは多孔質
からなる任意の基板上に任意の膜厚を有する立方晶炭化
タングステン(以下C−WCで示す)膜をプラズマ気相
反応法により製造する方法および装置に関するものであ
る。
からなる任意の基板上に任意の膜厚を有する立方晶炭化
タングステン(以下C−WCで示す)膜をプラズマ気相
反応法により製造する方法および装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】一般によく知られている六方晶の炭化タ
ングステン(以下h−WCで示す)膜は、バイトやドリ
ル、カッターなどの切削工具用さらにはロールやダイス
などの耐摩耗工具用として広く利用されている。一方、
C−WCはh−WCにくらべて硬く、現在使われている
h−WC膜よりも更にすぐれた工具用の膜として利用す
ることができる。
ングステン(以下h−WCで示す)膜は、バイトやドリ
ル、カッターなどの切削工具用さらにはロールやダイス
などの耐摩耗工具用として広く利用されている。一方、
C−WCはh−WCにくらべて硬く、現在使われている
h−WC膜よりも更にすぐれた工具用の膜として利用す
ることができる。
【0003】また、炭化タングステンは白金に類似した
電子状態を持ち、触媒としても白金に似た挙動を示すこ
とから、水素−酸素燃料電池の電極触媒、あるいは自動
車等の排ガスの浄化処理用の燃焼触媒である白金の代替
物として、さらには種々の水素化反応に用いられる貴金
属触媒の代替物としての可能性も期待されている。
電子状態を持ち、触媒としても白金に似た挙動を示すこ
とから、水素−酸素燃料電池の電極触媒、あるいは自動
車等の排ガスの浄化処理用の燃焼触媒である白金の代替
物として、さらには種々の水素化反応に用いられる貴金
属触媒の代替物としての可能性も期待されている。
【0004】C−WCは、タングステン−カーボンの相
図(『Transition Metal Carbidesand Nitrides』ed. b
y L.E.Toth, Academic Press, New York, 1971, pp86
)に見られるように、2530〜2747℃の温度領
域でしか安定に存在しない相であり、通常の合成方法で
は、冷却速度が極めて遅いため、この温度領域でできた
C−WCはh−WCやW2 Cに分解してしまい、C−W
Cを主成分とする膜の合成は不可能であった。即ち、C
−WCを主成分とする膜の製造技術は従来存在しなかっ
た。
図(『Transition Metal Carbidesand Nitrides』ed. b
y L.E.Toth, Academic Press, New York, 1971, pp86
)に見られるように、2530〜2747℃の温度領
域でしか安定に存在しない相であり、通常の合成方法で
は、冷却速度が極めて遅いため、この温度領域でできた
C−WCはh−WCやW2 Cに分解してしまい、C−W
Cを主成分とする膜の合成は不可能であった。即ち、C
−WCを主成分とする膜の製造技術は従来存在しなかっ
た。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】C−WCを主成分とす
る膜を作製するためには、膜作製過程で生成したC−W
Cの結晶核、それのクラスターあるいは超微粒子が他の
化合物相に分解したり、h−WCに相転移したりしない
ように、非常に速い速度でC−WCを凍結し、基板上に
C−WCの膜として析出させ、C−WC相の安定化をは
かることが必要である。
る膜を作製するためには、膜作製過程で生成したC−W
Cの結晶核、それのクラスターあるいは超微粒子が他の
化合物相に分解したり、h−WCに相転移したりしない
ように、非常に速い速度でC−WCを凍結し、基板上に
C−WCの膜として析出させ、C−WC相の安定化をは
かることが必要である。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、本発明に
よれば、タングステンまたはタングステン化合物のうち
のいずれか一つの原料粉体と、炭化水素ガスとを高周波
プラズマまたは直流プラズマ中に導入し、気相反応を行
わせて通常の冷却速度である103 〜104 K/Sより
も速い、106 〜107 K/Sの速度で、反応過程で生
成したC−WCの結晶核、それらのクラスターあるいは
超微粒子を他の相に分解させたり、h−WC相に転移さ
せる速さよりも速く超急冷させ、基板上にC−WCの膜
として析出させることを特徴とするC−WC膜の製造方
法によって達成される。
よれば、タングステンまたはタングステン化合物のうち
のいずれか一つの原料粉体と、炭化水素ガスとを高周波
プラズマまたは直流プラズマ中に導入し、気相反応を行
わせて通常の冷却速度である103 〜104 K/Sより
も速い、106 〜107 K/Sの速度で、反応過程で生
成したC−WCの結晶核、それらのクラスターあるいは
超微粒子を他の相に分解させたり、h−WC相に転移さ
せる速さよりも速く超急冷させ、基板上にC−WCの膜
として析出させることを特徴とするC−WC膜の製造方
法によって達成される。
【0007】また、前記本発明の方法は、原料供給口、
プラズマガス導入口、少なくとも一つのプラズマ発生手
段、膜を形成する基板および該基板を冷却する冷却ステ
ージ(または手段)を備えた化学反応装置であって、前
記反応物質をプラズマ中で気相反応を行わせるととも
に、該プラズマの尾炎部に冷却された基板を置き、反応
で生成するC−WCを超急冷して該基板上に析出させる
ようにした製造装置を用いて実施することができる。
プラズマガス導入口、少なくとも一つのプラズマ発生手
段、膜を形成する基板および該基板を冷却する冷却ステ
ージ(または手段)を備えた化学反応装置であって、前
記反応物質をプラズマ中で気相反応を行わせるととも
に、該プラズマの尾炎部に冷却された基板を置き、反応
で生成するC−WCを超急冷して該基板上に析出させる
ようにした製造装置を用いて実施することができる。
【0008】本発明において用いられる原料粉体は、タ
ングステン(W)またはタングステン化合物である。タ
ングステン化合物としてはたとえば炭化タングステン
(WC)、酸化タングステン(WO3 )、タングステン
カルボニル〔W(CO)6 〕等が挙げられる。本発明の
方法はW、WC、WO3 、W(CO)6 のうちいずれか
一つを原料粉体として用いることが好ましい。
ングステン(W)またはタングステン化合物である。タ
ングステン化合物としてはたとえば炭化タングステン
(WC)、酸化タングステン(WO3 )、タングステン
カルボニル〔W(CO)6 〕等が挙げられる。本発明の
方法はW、WC、WO3 、W(CO)6 のうちいずれか
一つを原料粉体として用いることが好ましい。
【0009】C−WCを主成分とする膜を作製するため
には、粉体原料の反応性や融点の違い、また、原料炭化
水素ガスの反応性の違いに応じた反応手法の採用が不可
欠である。具体的には高周波や直流で発生させた熱プラ
ズマを利用してC−WC膜を作製するが、原料の反応性
に応じて任意の反応温度領域に原料の供給が可能な二段
型高周波熱プラズマ法や、より大きな冷却速度が実現で
きる直流−高周波を組み合わせたハイブリッド型熱プラ
ズマ法の利用が有効である。また、基板の位置や基板の
温度を制御することにより、主成分のC−WCの量や基
板との付着強度を制御することができる。
には、粉体原料の反応性や融点の違い、また、原料炭化
水素ガスの反応性の違いに応じた反応手法の採用が不可
欠である。具体的には高周波や直流で発生させた熱プラ
ズマを利用してC−WC膜を作製するが、原料の反応性
に応じて任意の反応温度領域に原料の供給が可能な二段
型高周波熱プラズマ法や、より大きな冷却速度が実現で
きる直流−高周波を組み合わせたハイブリッド型熱プラ
ズマ法の利用が有効である。また、基板の位置や基板の
温度を制御することにより、主成分のC−WCの量や基
板との付着強度を制御することができる。
【0010】更に、基板に多孔体を用い、細孔壁上にC
−WCを析出させることにより、すぐれたガス分離能あ
るいは触媒能を有する多孔性膜も得られる。
−WCを析出させることにより、すぐれたガス分離能あ
るいは触媒能を有する多孔性膜も得られる。
【0011】基板は金属、炭化物や窒化物、あるいは酸
化物いずれでもよく、緻密質のものから多孔質のものま
で、広範囲の素材を選択することができる。
化物いずれでもよく、緻密質のものから多孔質のものま
で、広範囲の素材を選択することができる。
【0012】
【実施例】本発明に係るC−WC膜の製造方法及び製造
装置の例を縦断面図で夫々図1乃至図3に示した。
装置の例を縦断面図で夫々図1乃至図3に示した。
【0013】図1は一段型高周波熱プラズマを使用する
例である。図1において、反応装置1の上部に原料供給
口2とプラズマガス導入口3が設けられ、プラズマガス
導入口3からプラズマ用ガスを導入して、高周波電源7
に接続するワークコイル6により熱プラズマ4が形成さ
れる。C−WCの膜が形成される基板8は水冷ステージ
9で冷却され、プラズマ尾炎部5の適当な位置になるよ
うに高さを調節することができる。
例である。図1において、反応装置1の上部に原料供給
口2とプラズマガス導入口3が設けられ、プラズマガス
導入口3からプラズマ用ガスを導入して、高周波電源7
に接続するワークコイル6により熱プラズマ4が形成さ
れる。C−WCの膜が形成される基板8は水冷ステージ
9で冷却され、プラズマ尾炎部5の適当な位置になるよ
うに高さを調節することができる。
【0014】図2は二段型高周波熱プラズマを使用する
製膜装置の一例である。61は第一段のワークコイル、
62は第二段のワークコイルであり、夫々高周波電源7
1および72に接続され、任意の周波数および電力が別
々に印加される。またこの場合は原料を21および22
から別に供給することができる。
製膜装置の一例である。61は第一段のワークコイル、
62は第二段のワークコイルであり、夫々高周波電源7
1および72に接続され、任意の周波数および電力が別
々に印加される。またこの場合は原料を21および22
から別に供給することができる。
【0015】図3は直流熱プラズマ製膜装置の一例であ
る。図3において10は直流熱プラズマ発生装置、11
は排気系接続口、他の符号は図1と同じである。
る。図3において10は直流熱プラズマ発生装置、11
は排気系接続口、他の符号は図1と同じである。
【0016】〔実施例1〕図1に示す高周波熱プラズマ
製膜装置を用いて、周波数4MHz、高周波出力10.
8kWで、プラズマ用ガスとしてAr(50リットル/
分)にH2 (1.7リットル/分)を添加したものを用
いて発生させた、中心温度が7,000℃の熱プラズマ
内に、上部の原料供給口2よりWO3 の粉末(粒径40
μm)とCH4 をモル比でCH4 /WO3 =1.0の割
合(WO3 の供給速度0.2g/分)で供給し、基板に
緻密質のMoを用い、プラズマの尾炎部にこれを設置し
てC−WC膜(膜厚5μm)をC−WC:W2 C:h−
WC:W=65:25:2:8の割合(重量%)でMo
基板上に作製できた。
製膜装置を用いて、周波数4MHz、高周波出力10.
8kWで、プラズマ用ガスとしてAr(50リットル/
分)にH2 (1.7リットル/分)を添加したものを用
いて発生させた、中心温度が7,000℃の熱プラズマ
内に、上部の原料供給口2よりWO3 の粉末(粒径40
μm)とCH4 をモル比でCH4 /WO3 =1.0の割
合(WO3 の供給速度0.2g/分)で供給し、基板に
緻密質のMoを用い、プラズマの尾炎部にこれを設置し
てC−WC膜(膜厚5μm)をC−WC:W2 C:h−
WC:W=65:25:2:8の割合(重量%)でMo
基板上に作製できた。
【0017】〔実施例2〕実施例1と同様の条件で、C
H4 /WO3 の比を10にした時、C−WC:W2 C:
h−WC:Wの割合が88:10:2:1からなるC−
WCが主成分の膜(膜厚8μm)が作製できた。
H4 /WO3 の比を10にした時、C−WC:W2 C:
h−WC:Wの割合が88:10:2:1からなるC−
WCが主成分の膜(膜厚8μm)が作製できた。
【0018】〔実施例3〕図1の装置を用いて周波数4
MHz、出力15.8kW、プラズマ用ガスとしてAr
(50リットル/分)にH2 (1.7リットル/分)を
添加したものを用いて発生させた中心温度が9,000
℃の熱プラズマ内に、上部の原料供給口よりWC粉末
(粒径8μm)とC2 H2 をモル比、C2 H2 /WC=
5の割合(WCの供給速度0.3g/分)で供給し、基
板8に緻密質のMoを用い、これをプラズマ尾炎部5の
下に置いて、その基板上にC−WC膜(膜厚1μm)を
析出させた。膜の組成はC−WC:W2 C:h−WC:
W=80:13:2:5であった。
MHz、出力15.8kW、プラズマ用ガスとしてAr
(50リットル/分)にH2 (1.7リットル/分)を
添加したものを用いて発生させた中心温度が9,000
℃の熱プラズマ内に、上部の原料供給口よりWC粉末
(粒径8μm)とC2 H2 をモル比、C2 H2 /WC=
5の割合(WCの供給速度0.3g/分)で供給し、基
板8に緻密質のMoを用い、これをプラズマ尾炎部5の
下に置いて、その基板上にC−WC膜(膜厚1μm)を
析出させた。膜の組成はC−WC:W2 C:h−WC:
W=80:13:2:5であった。
【0019】〔実施例4〕実施例2と同じ条件で、但
し、基板には多孔質のβ−SiCの焼結体(細孔径5μ
m、気孔率30%)を用い、この上にC−WC:W
2 C:h−WC:W=84:13:2:1の重量比から
なる、C−WCを主成分とする膜を作製した。β−Si
Cの細孔径はC−WC膜(膜厚2μm)の析出により、
その細孔径は0.05μmまで低下した。
し、基板には多孔質のβ−SiCの焼結体(細孔径5μ
m、気孔率30%)を用い、この上にC−WC:W
2 C:h−WC:W=84:13:2:1の重量比から
なる、C−WCを主成分とする膜を作製した。β−Si
Cの細孔径はC−WC膜(膜厚2μm)の析出により、
その細孔径は0.05μmまで低下した。
【0020】〔実施例5〕原料にW金属(粒径3μm)
を用いた以外は実施例3と同じ条件で膜を作製した。そ
の時の組成はC−WC:W2 C:h−WC:W=26:
42:14:18であり、膜厚は10μmであった。
を用いた以外は実施例3と同じ条件で膜を作製した。そ
の時の組成はC−WC:W2 C:h−WC:W=26:
42:14:18であり、膜厚は10μmであった。
【0021】〔実施例6〕図2に示す二段型高周波熱プ
ラズマ製膜装置を利用し、ワークコイル61には周波数
10MHz、10kWの高周波を印加し、プラズマ用ガ
スにはAr(40リットル/分)を用いて中心温度が1
1,000℃の熱プラズマ41を発生させ、ワークコイ
ル62には周波数3MHz、20kWの高周波を印加
し、プラズマ用ガスにAr(20リットル/分)を用い
て、中心温度が7,000℃の熱プラズマ42を発生さ
せ、二段からなる熱プラズマを形成させた。原料供給口
21からW金属(粒径3μm)を導入し、原料供給口2
2からはC2 H2 を、C2 H2 /W=5の割合(Wの供
給速度0.3g/分)で供給し、プラズマ尾炎部5に置
いた緻密質のMo基板上にC−WC:W2 C:h−W
C:W=82:13:3:2の割合からなる膜(膜厚4
μm)を得た。図2に示す二段型高周波熱プラズマ製膜
装置において、ワークコイル61に印加する高周波電力
の周波数は10MHzであることから、ワークコイル6
1によって作られる熱プラズマのエネルギー密度は、ワ
ークコイル62によって作られる熱プラズマよりも大き
く、したがって、プラズマ密度もワークコイル61領域
では最高11,000℃であり、ワークコイル62領域
の最高温度7,000℃よりも高い温度が得られる。ワ
ークコイル61領域のプラズマ中では、高融点金属であ
るタングステン(沸点5,555℃、融点3,380
℃)をも気化せしめることが可能となる。ワークコイル
61領域で形成されたタングステン蒸気と原料導入口2
2より供給された炭化水素ガスはワークコイル62領域
のプラズマ中で気相反応を生起し、以下実施例1〜5と
同様の過程を経てC−WC膜を形成することが実証され
た。
ラズマ製膜装置を利用し、ワークコイル61には周波数
10MHz、10kWの高周波を印加し、プラズマ用ガ
スにはAr(40リットル/分)を用いて中心温度が1
1,000℃の熱プラズマ41を発生させ、ワークコイ
ル62には周波数3MHz、20kWの高周波を印加
し、プラズマ用ガスにAr(20リットル/分)を用い
て、中心温度が7,000℃の熱プラズマ42を発生さ
せ、二段からなる熱プラズマを形成させた。原料供給口
21からW金属(粒径3μm)を導入し、原料供給口2
2からはC2 H2 を、C2 H2 /W=5の割合(Wの供
給速度0.3g/分)で供給し、プラズマ尾炎部5に置
いた緻密質のMo基板上にC−WC:W2 C:h−W
C:W=82:13:3:2の割合からなる膜(膜厚4
μm)を得た。図2に示す二段型高周波熱プラズマ製膜
装置において、ワークコイル61に印加する高周波電力
の周波数は10MHzであることから、ワークコイル6
1によって作られる熱プラズマのエネルギー密度は、ワ
ークコイル62によって作られる熱プラズマよりも大き
く、したがって、プラズマ密度もワークコイル61領域
では最高11,000℃であり、ワークコイル62領域
の最高温度7,000℃よりも高い温度が得られる。ワ
ークコイル61領域のプラズマ中では、高融点金属であ
るタングステン(沸点5,555℃、融点3,380
℃)をも気化せしめることが可能となる。ワークコイル
61領域で形成されたタングステン蒸気と原料導入口2
2より供給された炭化水素ガスはワークコイル62領域
のプラズマ中で気相反応を生起し、以下実施例1〜5と
同様の過程を経てC−WC膜を形成することが実証され
た。
【0022】〔実施例7〕図3に示す直流熱プラズマ製
膜装置を用いて、C−WC膜を作製した。直流電圧40
V,電流300Aで、プラズマ用ガスにAr(50リッ
トル/分)を用いて、中心温度が10,000℃からな
る熱プラズマを発生させ、WO3 粉末とCH4 をCH4
/WO3 =10の割合(WO3 の供給速度0.2g/
分)で混合した原料を原料供給口2からプラズマ4中に
導入し、プラズマの尾炎部5に置いた緻密質のSi基板
上にC−WC:W2 C:h−WC:W=85:12:
2:1の組成からなる膜(膜厚15μm)を得ることが
できた。
膜装置を用いて、C−WC膜を作製した。直流電圧40
V,電流300Aで、プラズマ用ガスにAr(50リッ
トル/分)を用いて、中心温度が10,000℃からな
る熱プラズマを発生させ、WO3 粉末とCH4 をCH4
/WO3 =10の割合(WO3 の供給速度0.2g/
分)で混合した原料を原料供給口2からプラズマ4中に
導入し、プラズマの尾炎部5に置いた緻密質のSi基板
上にC−WC:W2 C:h−WC:W=85:12:
2:1の組成からなる膜(膜厚15μm)を得ることが
できた。
【0023】
【発明の効果】本発明の方法により、C−WCを主成分
とする膜を緻密質あるいは多孔質からなる任意の基板上
に任意の膜厚で得ることができる。また、原料の反応性
に応じてプラズマ発生方法ならびに原料の導入方法を選
ぶことにより、あらゆる原料から立方晶炭化タングステ
ンを主成分とする膜を作製することができる。又、工具
用の膜ばかりではなく触媒膜及びガス分離膜としてもそ
の利用が可能となった。
とする膜を緻密質あるいは多孔質からなる任意の基板上
に任意の膜厚で得ることができる。また、原料の反応性
に応じてプラズマ発生方法ならびに原料の導入方法を選
ぶことにより、あらゆる原料から立方晶炭化タングステ
ンを主成分とする膜を作製することができる。又、工具
用の膜ばかりではなく触媒膜及びガス分離膜としてもそ
の利用が可能となった。
【0024】
【図1】本発明に係る立方晶炭化タングステン膜製造装
置(一段型高周波熱プラズマ使用)の縦断面図。
置(一段型高周波熱プラズマ使用)の縦断面図。
【図2】同上(二段型高周波熱プラズマ使用)。
【図3】同上(直流熱プラズマ使用)。
1 反応装置 2、21、22 原料供給口 3 プラズマガス導入口 4、41、42 熱プラズマ 5 プラズマ尾炎部 6、61、62 ワークコイル 7、71、72 高周波電源 8 基板 9 冷却ステージ 10 直流熱プラズマ発生装置 11 排気系接続口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 亀山 哲也 茨城県つくば市東1丁目1番地 工業技術 院化学技術研究所内 (72)発明者 本江 秋弘 茨城県つくば市観音台1丁目5の1番地
Claims (3)
- 【請求項1】 タングステンまたはタングステン化合物
のうちのいずれか一つの原料粉体と、炭化水素ガスと
を、高周波プラズマまたは直流プラズマ中に導入し、プ
ラズマ中で気相反応を行わせるとともに、反応生成物を
超急冷させて基板上に膜として析出させることを特徴と
する立方晶炭化タングステン膜の製造方法。 - 【請求項2】 原料粉体がタングステン(W)、炭化タ
ングステン(WC)、酸化タングステン(WO3 )、ま
たはタングステンカルボニル〔W(CO)6 〕のうちの
いずれか一つである請求項1記載の立方晶炭化タングス
テン膜の製造方法。 - 【請求項3】 反応原料を供給するための原料供給口、
プラズマガス導入口、少なくとも1つのプラズマ発生手
段、立方晶炭化タングステン膜を形成させるための基
板、該基板を冷却するための冷却ステージを備え、反応
原料をプラズマ中に導入して気相反応を行わせるととも
に冷却ステージによって冷却された該基板上に反応生成
物を超急冷して膜として析出させるように該原料供給
口、該プラズマガス導入口、プラズマ発生手段、該基
板、該冷却ステージを配置したことを特徴とする立方晶
炭化タングステン膜の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3257043A JPH0753907B2 (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 立方晶炭化タングステン膜の製造方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3257043A JPH0753907B2 (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 立方晶炭化タングステン膜の製造方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0570229A true JPH0570229A (ja) | 1993-03-23 |
JPH0753907B2 JPH0753907B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=17300948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3257043A Expired - Lifetime JPH0753907B2 (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 立方晶炭化タングステン膜の製造方法及び装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0753907B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06262405A (ja) * | 1993-03-05 | 1994-09-20 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | 工具用被覆部品 |
JP2006107987A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Hitachi Maxell Ltd | 燃料電池用触媒、該触媒を用いた燃料電池及び膜電極接合体 |
-
1991
- 1991-09-09 JP JP3257043A patent/JPH0753907B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06262405A (ja) * | 1993-03-05 | 1994-09-20 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | 工具用被覆部品 |
JP2006107987A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Hitachi Maxell Ltd | 燃料電池用触媒、該触媒を用いた燃料電池及び膜電極接合体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0753907B2 (ja) | 1995-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4769064A (en) | Method for synthesizing ultrafine powder materials | |
US5486675A (en) | Plasma production of ultra-fine ceramic carbides | |
KR960002416B1 (ko) | 나노상 복합 분말의 제조를 위한 분무변환 방법 | |
Sytschev et al. | Self-propagating high-temperature synthesis of nanomaterials | |
US5851507A (en) | Integrated thermal process for the continuous synthesis of nanoscale powders | |
US4556416A (en) | Process and apparatus for manufacturing fine powder | |
JP4356313B2 (ja) | 金属化合物微粉末の製造方法 | |
EP2040867A1 (en) | Method for producing metal nanopowders by decomposition of metal carbonyl using an induction plasma torch | |
Leconte et al. | Application of the laser pyrolysis to the synthesis of SiC, TiC and ZrC pre-ceramics nanopowders | |
JP2584805B2 (ja) | ダイヤモンド粒子の合成方法 | |
JP2751136B2 (ja) | 自己傾斜型複合粒子の製造方法 | |
JPH03275596A (ja) | 水素プラズマジェットを用いた六方晶ダイヤモンドの合成法 | |
Gitzhofer | Induction plasma synthesis of ultrafine SiC | |
Oh et al. | Synthesis of cobalt boride nanoparticles and h-BN nanocage encapsulation by thermal plasma | |
CN113493191B (zh) | 制备高纯度α-氮化硅粉的方法及高纯度α-氮化硅粉 | |
JPH0570229A (ja) | 立方晶炭化タングステン膜の製造方法及び装置 | |
Jiang et al. | Reactive deposition of tungsten and titanium carbides by induction plasma | |
JPH06321511A (ja) | 窒化アルミニウム超微粒子及びその製造方法と超微粒子焼結体 | |
RU2738818C1 (ru) | Сухой синтез графена из жидких реагентов | |
JP2794173B2 (ja) | 複合炭素被膜の形成方法 | |
Bouyer et al. | Thermal plasma processing of nanostructured Si-based ceramic materials | |
JPH01115810A (ja) | 高純度立方晶炭化タングステン超微粉末の製造法 | |
Shaw | Processing of nanostructured carbides, nitrides, and their composites | |
WO1998009753A9 (en) | Integrated thermal process and apparatus for the continuous synthesis of nanoscale powders | |
WO1998009753A1 (en) | Integrated thermal process and apparatus for the continuous synthesis of nanoscale powders |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960109 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |