JPH0567501A - チツプ抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 チップ抵抗器の抵抗体層を保護する保護層の
熱膨張による微小クラックの発生を減少させ、微小クラ
ックが発生して内部が酸化、腐食されても抵抗値の変化
が少ないチップ抵抗器を得る。 【構成】 この発明のチップ抵抗器は抵抗体層４の上に
高抵抗材質の合金保護層６を形成した構造とし、合金保
護層６をガラスとほぼ等しい熱膨張係数を有する合金で
形成し、保護層５をガラス基材の保護層としたものであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、高密度配線回路に用
いられるチップ型固定抵抗器、特に10オーム以下の低抵
抗値の抵抗器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図３は例えば特開平2-222103号公報に示
された従来のチップ抵抗器の断面図である。図におい
て、１はセラミック基材等からなる絶縁基板、２および
３は端子電極、４は絶縁基板１上の端子電極２、３間に
形成された銅銀系金属合金からなる抵抗体層であり、10
オーム以下の低抵抗値を形成する。５は保護層であり、
ガラス基材からなり抵抗体層４を覆い抵抗体層４を保護
している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のチ
ップ抵抗器においていは、端子電極２、３を通して抵抗
体層４に流れる電流により抵抗体層４自体が発熱し、保
護層５は加熱される。これにより抵抗体層４および保護
層５は熱膨張をする。電流が止まれば冷えて収縮する。
この膨張、収縮の繰り返しは抵抗体層４と保護層５の熱
膨張係数の差に起因する保護層５へ微小クラック７を生
じさせ、端子電極２、３と保護層５の接合境界部を遊離
させ、微小間隙８を作る。微小クラック７および微小間
隙８から大気中の酸素、配線回路製造時にチップ抵抗器
表面に付着された各種イオンが侵入して抵抗体層４を酸
化、腐食させ、抵抗体層４の抵抗値が徐々に増加し初期
の値から大きく狂ってくる。このためチップ抵抗器を組
み込んだ配線回路が初期の機能をしなくなるといった課
題があった。

【０００４】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、保護層５への微小クラック７およ
び端子電極２、３と保護層５の接合境界部への微小間隙
８の発生がしにくく、微小クラック７および微小間隙８
が生じても抵抗値の変化が小さいチップ抵抗器を得るこ
とを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
のチップ抵抗器は、絶縁基板上の抵抗体層上に形成され
た高抵抗材質からなる合金保護層と、抵抗体層および合
金保護層上に形成された絶縁物からなる保護層とを備え
たものである。

【０００６】この発明に係る請求項２のチップ抵抗器
は、絶縁基板上の抵抗体層の上に形成されたガラスと同
等の熱膨張係数を有しかつ高抵抗材質からなる合金保護
層と、抵抗体層および合金保護層上に形成されたガラス
質からなる保護層とを備えたものである。

【０００７】この発明に係る請求項３のチップ抵抗器
は、絶縁基板上の抵抗体層上に金属メッキ層、この金属
メッキ層上に窒化チタン層を形成したものである。

【０００８】

【作用】この発明に係る請求項１のチップ抵抗器は、保
護層へ微小クラックおよび微小間隙が発生して高抵抗の
合金保護層が酸化、腐食されても抵抗体層と合金保護層
が並列接続で抵抗値を構成しているのでチップ抵抗器と
しての抵抗値の変化は少ない。

【０００９】この発明に係る請求項２のチップ抵抗器
は、ガラス質からなる保護層と同等の熱膨張係数の合金
保護装が発熱、冷却による膨張、収縮による保護層の微
小クラックおよび端子電極と保護層の接合境界部の微小
間隙の発生を減少させる。

【００１０】この発明に係る請求項３のチップ抵抗器
は、窒化チタン（ＴｉＮ）層が大気中の酸素、各種イオ
ンが侵入を防ぎ、金属メッキ層が抵抗体層とＴｉＮ層間
の熱膨張、収縮差を緩和する。

【００１１】

【実施例】

実施例１．図１はこの発明の実施例１を示すチップ抵抗
器の断面図である。図において、１〜５、７、８は上記
従来例において説明のものと同様である。６は抵抗体層
４上に設けられた合金保護層でありこの上からガラス基
材からる保護層５が施されている。この合金保護層６は
高抵抗材質の合金をスパッタリング等の方法により形成
する。これによりチップ抵抗器としての抵抗値は端子電
極２、３間では抵抗体層４と合金保護層６との並列接続
に構成される。抵抗体層４の抵抗値Ｒ１と合金保護層６
の抵抗値Ｒ２の間にはＲ１＜＜Ｒ２の関係に構成され
る。

【００１２】従って、保護層５へ微小クラック７を生じ
たり、端子電極２、３と保護層５の接合境界部に微小間
隙８ができて、大気中の酸素、チップ抵抗器表面に付着
した各種イオンが侵入しても抵抗体層４は合金保護層６
で覆われているので酸化、腐食されず、合金保護層６が
酸化、腐食を受ける。ここでＲ１＜＜Ｒ２の関係にある
ので合金保護層６部分の抵抗値が酸化、腐食により変化
してもチップ抵抗器としての抵抗値の変化は少なく、チ
ップ抵抗器を組み込んだ配線回路が所期の機能を阻害す
ることはなくなる。

【００１３】実施例２．上記実施例１における合金保護
層６をガラスとほぼ等しい熱膨張係数を有する合金であ
る例えばコバール（Ｎｉ：29％，Ｃｏ：17％，Ｍｎ：0.
5 ％，Ｆｅ：53.5％）にしてスパッタリング等の方法に
より形成する。これにより抵抗体層４の発熱による合金
保護層６とガラス質の保護層５間の熱膨張、収縮による
微小クラック７の発生および端子電極２、３と保護層５
の接合境界部の微小間隙８の発生を非常に少なくするこ
とができる。

【００１４】実施例３．図２はこの発明の実施例３を示
すチップ抵抗器の断面図である。図において、１〜４は
上記従来例において説明のものと同様である。９は端子
電極２、３および抵抗体層４上に施された金属メッキ層
である。10はニッケルメッキ層９上からスパッタリング
等の方法により形成された窒化チタン（ＴｉＮ）層であ
る。このＴｉＮ層10は大気中の酸素、配線回路製造時に
チップ抵抗器表面に付着される各種イオンの侵害に強
く、実施例１，２で実施されているガラス基材の保護層
５に代えることが可能である。上記金属メッキ層９は銅
銀系金属合金からなる抵抗体層４とＴｉＮ層10になじみ
性のよい例えばニッケルメッキ等が適切である。ニッケ
ルメッキ層９は抵抗体層４とＴｉＮ層10との熱膨張係数
差を吸収し、両層間の微小間隙の発生、剥離を抑制す
る。ここで抵抗体層４の抵抗値Ｒ１とＴｉＮ層10の抵抗
値Ｒ３はＲ１＜＜Ｒ３の関係にある。

【００１５】

【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１、請
求項２における抵抗器は、抵抗体層上にガラスと同等の
熱膨張係数を有しかつ高抵抗材質からなる合金保護層を
形成することにより、熱膨張、収縮による保護層の微小
クラックおよび端子電極と保護層の接合境界部の微小間
隙の発生を減少させ、微小クラックおよび微小間隙が発
生して高抵抗の合金保護層が酸化、腐食されても抵抗体
層とが並列接続で抵抗値を構成しているので抵抗値の変
化が少ないチップ抵抗器を得ることができる。

【００１６】また、この発明の請求項３における抵抗器
は、抵抗体層上に金属メッキ層およびＴｉＮ層を形成す
ることで、大気中の酸素、各種イオンの侵入をＴｉＮ層
が阻止し、ガラス質の保護層を省略できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例１、実施例２を示すチップ抵
抗器の断面図である。

【図２】この発明の実施例３を示すチップ抵抗器の断面
図である。

【図３】従来のチップ抵抗器の断面図である。

【符号の説明】

１ 絶縁基板 ２、３ 端子電極 ４ 抵抗体層 ５ 保護層 ６ 合金保護層 ７ 微小クラック ８ 微小間隙 ９ 金属メッキ層 10 窒化チタン層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板上に形成された抵抗体層、この
   抵抗体層の上に形成された高抵抗材質からなる合金保護
   層、上記抵抗体層および上記合金保護層上に形成された
   絶縁物からなる保護層を備えたことを特徴とするチップ
   抵抗器。
2. 【請求項２】 絶縁基板上に形成された抵抗体層、この
   抵抗体層の上に形成されたガラスと同等の熱膨張係数を
   有しかつ高抵抗材質からなる合金保護層、上記抵抗体層
   および上記合金保護層上に形成されたガラス質からなる
   保護層を備えたことを特徴とするチップ抵抗器。
3. 【請求項３】 絶縁基板上に形成された抵抗体層、この
   抵抗体層の上に形成された金属メッキ層、この金属メッ
   キ層上に形成された窒化チタン層を備えたことを特徴と
   するチップ抵抗器。