JPH065404A - 薄膜サーミスタ - Google Patents

薄膜サーミスタ

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Publication number
JPH065404A
JPH065404A JP4160741A JP16074192A JPH065404A JP H065404 A JPH065404 A JP H065404A JP 4160741 A JP4160741 A JP 4160741A JP 16074192 A JP16074192 A JP 16074192A JP H065404 A JPH065404 A JP H065404A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
film thermistor
insulating support
brazed
thermistor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4160741A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Nagai
彪 長井
Katsumi Sasada
勝視 佐々田
Sadao Nakagawa
貞雄 中川
Shuji Ito
修治 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP4160741A priority Critical patent/JPH065404A/ja
Publication of JPH065404A publication Critical patent/JPH065404A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は薄膜サーミスタに関するもので、サ
ーミスタ素子の実装の容易な構成を提供することを目的
とする。 【構成】 ステンレス板15と絶縁性支持体11の中間
の熱膨張係数を有する中間金属板13を介してステンレ
ス板15と絶縁性支持体11と前記絶縁性支持体11の
反ろう付側の表面に両端の開口した凹部12を形成し、
この絶縁性支持体11の前記凹部12に薄膜サーミスタ
素子を収納し、前記薄膜サーミスタ素子10を被覆して
前記絶縁性支持体上に焼成硝子被覆層16を形成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜サーミスタに関する
もので、特に実装の容易な薄膜サーミスタに関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の薄膜サーミスタは、図2
に示すように、平板状アルミナ基板1の一方の表面に一
対の電極膜2a、2bと炭化ケイ素(SiC)などの感
温抵抗体膜3とから成る薄膜サーミスタ素子の一対の電
極膜2a、2bにPt細線(直径0.1mm程度)などの
一対のリード線4a、4bを接続し、更に焼成硝子被覆
層5を形成して構成される。[例えば、長井彪、他 ナ
ショナルテクニカルレポート(National Technical R
eport)Vol.29,(1983)]
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前記従来例に示されて
いるように、一対の電極膜2a、2bにPt線などの一
対のリード線4a、4bを接続している。SiC薄膜サ
ーミスタは耐熱性に優れ、また広い温度領域を検出する
のに適した抵抗温度特性を有するので、0〜500℃の
温度範囲で使用される温度センサとしてオーブンなどに
実用されている。従って、一対のリード線4a、4bと
して、耐熱性に優れるPt線、Ni線が用いられ、ま
た、この一対のリード線4a、4bは、通常、溶接法で
一対の電極膜2a、2bにそれぞれ接続される。溶接接
続は耐熱性に優れるからである。しかし、この溶接強度
は10g以下と弱く、また、素子は小さい(1.8mmx
6.5mmx0.5mm程度)ので、溶接作業およびそれ以
降の取り扱いに細心の注意を要する。このため多くの作
業時間を必要とし、価格が高くなるという問題があっ
た。
【0004】また、焼成硝子被覆層5は一対の電極膜2
a、2bおよび感温抵抗体膜3を保護すると共に一対の
リード線4a、4bの溶接部も保護する。しかし、この
焼成硝子被覆層5は、平板状アルミナ基板1の端部まで
完全に覆わない場合がある。この場合、例えば、結露水
が素子表面や周囲の構成物に付着すると、一対の電極膜
2a、2bとアース間の絶縁性が劣化して、誤動作し易
いという問題があった。
【0005】本発明はかかる従来の問題点を解消するも
ので、取り扱い易く、かつ焼成硝子被覆層が完全に平板
状アルミナ基板の表面を覆うサーミスタ構成を提供する
ことを目的にしている。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の薄膜サーミスタは、ステンレス板と絶縁性
支持体の中間の熱膨張係数を有する中間金属板を介して
前記ステンレス板と絶縁性支持体とをろう付けし、前記
絶縁性支持体の反ろう付面側の表面に凹部を形成し前記
凹部に薄膜サーミスタ素子を収納し、前記薄膜サーミス
タ素子を被覆して前記絶縁性支持体上に焼成硝子被覆層
を形成したものである。
【0007】
【作用】本発明は上記した構成によって、薄膜サーミス
タ素子はステンレス板にろう付けされた絶縁性支持体の
凹部に収納されているので、一対のリード線を一対の電
極膜に接続した後、サーミスタ素子に比べ大きな面積の
絶縁性支持体またはステンレス板を取り扱うことがで
き、作業が容易になる。また、焼成硝子被覆層はサーミ
スタ素子を覆って、さらに絶縁性支持体の表面にまで広
がるので、焼成硝子被覆層はサーミスタ素子を完全に覆
うことができる。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面にもとづい
て説明する。図1は、本発明の薄膜サーミスタの一実施
例を示す断面図である。サーミスタ素子10は絶縁性支
持体11の凹部12に収納される。このとき凹部12は
絶縁性支持体11の端部にまで伸びており、その両端は
開いている。サーミスタ素子10を凹部12に収納した
後、一対のリード線がサーミスタ素子10に接続され
る。なお図1では、平板状アルミナ基板、一対の電極膜
や感温抵抗体膜および一対のリード線は省略されている
が、これらは図2に示した構成と同じように構成される
ことは勿論である。
【0009】絶縁性支持体11は、アルミナなどのセラ
ミックで構成され、その形状は直径8〜10mm程度で、
円板状でも矩形状でもよい。また、凹部12の深さはサ
ーミスタ素子10の厚さの2〜3倍程度が好ましい。こ
の絶縁性支持体11は中間金属板13を介してろう材層
14によりステンレス板15にろう付けされる。このと
き中間金属板13の熱膨張係数は、ステンレス板15と
アルミナなどの絶縁性支持体11の間の値に選ばれる。
このようにして、ろう付けされた絶縁性支持体11には
クラックが発生しないが、中間金属板13を省略して、
絶縁性支持体11を直接ステンレス板15にろう付けし
た場合、絶縁性支持体11にクラックが発生し易い。ア
ルミナなどのセラミックで構成される絶縁性支持体11
の熱膨張係数は(40〜100)x10-7であり、他
方、ステンレス板10の熱膨張係数は(100〜80)
x10-7であるので、中間金属板13としてチタン金属
やコバール合金が好ましい。
【0010】このように構成したとき、絶縁性支持体1
1は、サーミスタ素子10の面積に比べ、4〜6倍の大
きな面積を有するので、リード線を接続した後の取り扱
いが容易になることは明かである。また、この取り扱い
のときに、直接サーミスタ素子10を取り扱わない。例
えば、ピンセットでサーミスタ素子10をつかむなどの
作業がなくなるので、作業ミスによりサーミスタ素子1
0の表面を傷つけることも防止できる。また、焼成硝子
被覆層16は、図1に示すように、サーミスタ素子10
を被覆して、絶縁性支持体11の表面にまで伸びるの
で、サーミスタ素子10が完全に焼成硝子被覆層16で
被覆されることは明かであろう。
【0011】なお、中間金属板13や絶縁性支持体11
のろう付けされる部分のステンレス板15に凹部17を
設けることが好ましい。凹部17が中間金属板13や絶
縁性支持体11の位置決めとして作用するからである。
【0012】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明によれば
次に示す効果が得られる。 (1)サーミスタ素子は絶縁性支持体の凹部に収納され
るので、それ以降の取り扱いが容易になる。 (2)焼成硝子被覆層はサーミスタ素子を覆って、絶縁
性支持体の表面にまで伸びるので、サーミスタ素子は焼
成硝子被覆層で完全に被覆される。 (3)絶縁性支持体とステンレス板の間に中間金属板を
介して両者をろう付け接続しているので、絶縁性支持体
にクラックが発生しない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例における薄膜サーミスタの断
面図
【図2】従来の薄膜サーミスタを示す断面図
【符号の説明】
10 薄膜サーミスタ素子 11 絶縁性支持体 12 凹部 13 中間金属板 14 ろう材層 15 ステンレス板 16 焼成硝子被覆層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 修治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ステンレス板と絶縁性支持体の中間の熱膨
    張係数を有する中間金属板を介して前記ステンレス板と
    絶縁性支持体とをろう付けし、前記絶縁性支持体の反ろ
    う付面側の表面に凹部を形成し、前記凹部に薄膜サーミ
    スタ素子を収納し、前記薄膜サーミスタ素子を被覆して
    前記絶縁性支持体上に焼成硝子被覆層を形成した薄膜サ
    ーミスタ。
  2. 【請求項2】絶縁性支持体がアルミナ、中間金属板がコ
    バール合金もしくはチタン金属である請求項1記載の薄
    膜サーミスタ。
  3. 【請求項3】中間金属板がろう付けされる部分のステン
    レス板に凹部を設けた請求項1記載の薄膜サーミスタ。
JP4160741A 1992-06-19 1992-06-19 薄膜サーミスタ Pending JPH065404A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4160741A JPH065404A (ja) 1992-06-19 1992-06-19 薄膜サーミスタ

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JP4160741A JPH065404A (ja) 1992-06-19 1992-06-19 薄膜サーミスタ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH065404A true JPH065404A (ja) 1994-01-14

Family

ID=15721457

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JP4160741A Pending JPH065404A (ja) 1992-06-19 1992-06-19 薄膜サーミスタ

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JP (1) JPH065404A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8118485B2 (en) * 2008-09-04 2012-02-21 AGlobal Tech, LLC Very high speed thin film RTD sandwich

Cited By (1)

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