JPH0563930B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0563930B2 JPH0563930B2 JP14369890A JP14369890A JPH0563930B2 JP H0563930 B2 JPH0563930 B2 JP H0563930B2 JP 14369890 A JP14369890 A JP 14369890A JP 14369890 A JP14369890 A JP 14369890A JP H0563930 B2 JPH0563930 B2 JP H0563930B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- charged particle
- ion beam
- organic gas
- beam irradiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 36
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 10
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 24
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 13
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- LOCGAKKLRVLQAM-UHFFFAOYSA-N 4-methylphenanthrene Chemical compound C1=CC=CC2=C3C(C)=CC=CC3=CC=C21 LOCGAKKLRVLQAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- DOWJXOHBNXRUOD-UHFFFAOYSA-N methylphenanthrene Natural products C1=CC2=CC=CC=C2C2=C1C(C)=CC=C2 DOWJXOHBNXRUOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、有機ガス雰囲気中で試料に荷電粒子
ビームを照射し有機ガスを吹き付けることにより
試料表面に形成されているパターン膜を修正する
イオンビーム加工装置に関するものである。
ビームを照射し有機ガスを吹き付けることにより
試料表面に形成されているパターン膜を修正する
イオンビーム加工装置に関するものである。
半導体製造工程において用いられるマスクおよ
びレチクルは、パターンを露光し、エツチングす
ることにより製造されるが、この際パターンの欠
陥には２種類あり、１つは削られるべき所が残つ
てしまつたもので、もう１つは残るべき所が削ら
れてしまつたものである。従来からあるレーザー
マスクリペア装置は、パターン形成膜の残してし
まつた部分にレーザー光を照射して蒸発させるも
のであるため、前者の欠陥の修復は可能であるが
後者の欠陥に対しては無力であつた。そして後者
の欠陥を修復する際には、もう１度マスクの全面
にレジスト膜をつけてベークした後、埋めようと
する部分だけを露光し、現像してから金属又は金
属酸膜物の膜付けを行い、さらにリフトオフする
ことによつて１サイクルをなしていた。この方法
ではマスク修復のためにマスク製造工程のかなり
の部分を繰り返さねばならなく、時間がかかつて
いた。しかも修復の際の再エツチングで新しい欠
陥が生じる可能性があるため、修復後に再検査を
行い、場合によつては再び修復を行う必要があつ
て多大な時間と手間を要していた。
びレチクルは、パターンを露光し、エツチングす
ることにより製造されるが、この際パターンの欠
陥には２種類あり、１つは削られるべき所が残つ
てしまつたもので、もう１つは残るべき所が削ら
れてしまつたものである。従来からあるレーザー
マスクリペア装置は、パターン形成膜の残してし
まつた部分にレーザー光を照射して蒸発させるも
のであるため、前者の欠陥の修復は可能であるが
後者の欠陥に対しては無力であつた。そして後者
の欠陥を修復する際には、もう１度マスクの全面
にレジスト膜をつけてベークした後、埋めようと
する部分だけを露光し、現像してから金属又は金
属酸膜物の膜付けを行い、さらにリフトオフする
ことによつて１サイクルをなしていた。この方法
ではマスク修復のためにマスク製造工程のかなり
の部分を繰り返さねばならなく、時間がかかつて
いた。しかも修復の際の再エツチングで新しい欠
陥が生じる可能性があるため、修復後に再検査を
行い、場合によつては再び修復を行う必要があつ
て多大な時間と手間を要していた。
本発明は、上記のような従来の修復方法の欠点
を除去するためになされたものであり、マスクま
たはレチクル上の欠落欠陥を短時間のうちに確実
に修復することを目的としている。
を除去するためになされたものであり、マスクま
たはレチクル上の欠落欠陥を短時間のうちに確実
に修復することを目的としている。
以下、荷電粒子ビーム（イオンビーム）を用い
た加工装置の実施例パターンを図面に基づいて詳
細に説明する。第１図において、１は内部を
10-6Torr以下に保つための真空チヤンバー、２
は真空チヤンバー１からガスを排出するための排
気系、３は真空チヤンバー１内に設けられた荷電
粒子発生源、４は荷電粒子発生源３から発生する
荷電粒子Ａを絞り且つ走査するための荷電粒子光
学系、５は荷電粒子光学系４からの荷電粒子ビー
ムＢが照射されるガラスおよび金属パターン等か
らなる試料、６は試料５を載置するための試料
台、７は試料台６を移動し位置決めするための試
料台駆動系、８は試料５に対しレーザー光Ｌを照
射するためのレーザー光源、９は試料５を透過し
たレーザー光Ｌを反射するためのミラー、１０は
ミラー９からのレーザー光Ｌを検出するためのレ
ーザー光検出系であり、これらレーザー光源８、
ミラー９およびレーザー光検出系は試料５の観察
手段を構成している。１１は真空チヤンバー１内
を分割するための仕切りであり、仕切り１１によ
つて荷電粒子光学系室１２と試料室１３とが形成
される。１１ａは荷電粒子ビームＢが通過するた
めの内径１mmあるいはそれ以下の小孔である。１
４は有機ガス供給源であり、バリアブルリークバ
ルブ１５および有機ガス吹きつけ用ノズル１６を
介して、試料５の荷電粒子ビーム照射位置に集中
的に有機ガスＧを吹きつけるようになつている。
１７は試料室１３を真空に保つための排気系であ
る。
た加工装置の実施例パターンを図面に基づいて詳
細に説明する。第１図において、１は内部を
10-6Torr以下に保つための真空チヤンバー、２
は真空チヤンバー１からガスを排出するための排
気系、３は真空チヤンバー１内に設けられた荷電
粒子発生源、４は荷電粒子発生源３から発生する
荷電粒子Ａを絞り且つ走査するための荷電粒子光
学系、５は荷電粒子光学系４からの荷電粒子ビー
ムＢが照射されるガラスおよび金属パターン等か
らなる試料、６は試料５を載置するための試料
台、７は試料台６を移動し位置決めするための試
料台駆動系、８は試料５に対しレーザー光Ｌを照
射するためのレーザー光源、９は試料５を透過し
たレーザー光Ｌを反射するためのミラー、１０は
ミラー９からのレーザー光Ｌを検出するためのレ
ーザー光検出系であり、これらレーザー光源８、
ミラー９およびレーザー光検出系は試料５の観察
手段を構成している。１１は真空チヤンバー１内
を分割するための仕切りであり、仕切り１１によ
つて荷電粒子光学系室１２と試料室１３とが形成
される。１１ａは荷電粒子ビームＢが通過するた
めの内径１mmあるいはそれ以下の小孔である。１
４は有機ガス供給源であり、バリアブルリークバ
ルブ１５および有機ガス吹きつけ用ノズル１６を
介して、試料５の荷電粒子ビーム照射位置に集中
的に有機ガスＧを吹きつけるようになつている。
１７は試料室１３を真空に保つための排気系であ
る。
次に第２図の詳細断面図も参照して本発明装置
の作用について説明する。試料台駆動系７によつ
て位置移動のできる試料台６上にセツトされた試
料としてのマスクまたはレチクル５は、レーザー
光Ｌで照射され、その透過光をレーザー光検出系
１０で検出することによつて試料上のパターン５
２が観察される。レーザー光Ｌで測定されたパタ
ーン５２をあらかじめ記憶されているパターンと
比較することによつてパターン５２の欠陥を検出
する。パターン５２の欠陥のうち余計な部分が残
つたものに対しては、試料台駆動系７で粗調整し
た後、さらに荷電粒子ビームＢの照射を照射する
点の微細な位置決めを荷電粒子光学系４によつて
行つてから、パターンのスパツタ率が極大となる
エネルギーを得る加速電圧で行う。このイオンビ
ーム照射によつて余計な残存物をスパツタして取
り除く。また、第２図に示したガラス基板５１上
のパターン５２のうちの残るべき部分が削られて
しまつてできた欠陥５３に対しては、荷電粒子ビ
ームＢによる照射を、前述と同様に荷電粒子光学
系４によつて照射位置の微細な位置決めを行つて
から、試料室１３を有機ガス供給手段１４，１５
および１６によつて有機ガス雰囲気にする。この
ときの荷電粒子ビームＢの加速エネルギーは、有
機ガスＧを構成する有機ガス分子ｇが有効に分解
される。1Kevから200KeVの間に設定する。有
機ガス分子ｇは荷電粒子ビームＢと衝突して分解
物質g'となり、試料上のパターン欠陥位置５３に
積もるように付着し、一部は炭化する。以上のよ
うな追加修正をすみやかに行うには修正位置の圧
力を10-2TorrからTorr程度の有機ガス雰囲気に
して有機物分子を充分量供給する必要がある。一
方、荷電粒子発生源３を保護すること及び荷電粒
子ビームＢの散乱を最小限にするためには、荷電
粒子発生源３と荷電粒子光学系４の圧力を
10-6Torr以下にする必要がある。このような要
求から荷電粒子光学系４と試料５との間に荷電粒
子ビームＢの通過する内径１mmあるいはそれ以下
の小孔１１ａを有する仕切り１１を設けて荷電粒
子光学系室１２と試料室１３を分離し、それぞれ
排気系２及び排気系１７で差動排気する必要があ
る。追加修正をさらにすみやかに行うには、上記
のような差動排気手段に加えて有機ガス吹きつけ
用ノズル１６を荷電粒子ビーム照射位置近傍に設
けて有機ガス分子を集中的に欠陥位置に供給す
る。なお、有機ガス吹きつけ用ノズル１６と荷電
粒子照射位置との間の距離は試料室内での有機ガ
ス分子の平均自由行程以下で、試料室１３が
10-3Torrのときには５mm以下に相当する。以上
のような条件が満足されないと、試料室内のガス
分子による散乱のために、有機ガス分子の供給が
有効に行われなくなる。
の作用について説明する。試料台駆動系７によつ
て位置移動のできる試料台６上にセツトされた試
料としてのマスクまたはレチクル５は、レーザー
光Ｌで照射され、その透過光をレーザー光検出系
１０で検出することによつて試料上のパターン５
２が観察される。レーザー光Ｌで測定されたパタ
ーン５２をあらかじめ記憶されているパターンと
比較することによつてパターン５２の欠陥を検出
する。パターン５２の欠陥のうち余計な部分が残
つたものに対しては、試料台駆動系７で粗調整し
た後、さらに荷電粒子ビームＢの照射を照射する
点の微細な位置決めを荷電粒子光学系４によつて
行つてから、パターンのスパツタ率が極大となる
エネルギーを得る加速電圧で行う。このイオンビ
ーム照射によつて余計な残存物をスパツタして取
り除く。また、第２図に示したガラス基板５１上
のパターン５２のうちの残るべき部分が削られて
しまつてできた欠陥５３に対しては、荷電粒子ビ
ームＢによる照射を、前述と同様に荷電粒子光学
系４によつて照射位置の微細な位置決めを行つて
から、試料室１３を有機ガス供給手段１４，１５
および１６によつて有機ガス雰囲気にする。この
ときの荷電粒子ビームＢの加速エネルギーは、有
機ガスＧを構成する有機ガス分子ｇが有効に分解
される。1Kevから200KeVの間に設定する。有
機ガス分子ｇは荷電粒子ビームＢと衝突して分解
物質g'となり、試料上のパターン欠陥位置５３に
積もるように付着し、一部は炭化する。以上のよ
うな追加修正をすみやかに行うには修正位置の圧
力を10-2TorrからTorr程度の有機ガス雰囲気に
して有機物分子を充分量供給する必要がある。一
方、荷電粒子発生源３を保護すること及び荷電粒
子ビームＢの散乱を最小限にするためには、荷電
粒子発生源３と荷電粒子光学系４の圧力を
10-6Torr以下にする必要がある。このような要
求から荷電粒子光学系４と試料５との間に荷電粒
子ビームＢの通過する内径１mmあるいはそれ以下
の小孔１１ａを有する仕切り１１を設けて荷電粒
子光学系室１２と試料室１３を分離し、それぞれ
排気系２及び排気系１７で差動排気する必要があ
る。追加修正をさらにすみやかに行うには、上記
のような差動排気手段に加えて有機ガス吹きつけ
用ノズル１６を荷電粒子ビーム照射位置近傍に設
けて有機ガス分子を集中的に欠陥位置に供給す
る。なお、有機ガス吹きつけ用ノズル１６と荷電
粒子照射位置との間の距離は試料室内での有機ガ
ス分子の平均自由行程以下で、試料室１３が
10-3Torrのときには５mm以下に相当する。以上
のような条件が満足されないと、試料室内のガス
分子による散乱のために、有機ガス分子の供給が
有効に行われなくなる。
以上述べてきたように、荷電粒子ビームを用い
た加工方法は、マスクまたはレチクルのパターン
の欠陥の観察と除去修正及び追加修正を同一の装
置で行うものであり、１枚のマスクの修正をきわ
めて短時間で完結させることができる。このこと
は追加修正に対して１サイクルで約半日かかつて
行つた従来の検査、洗浄、ベーク、露光、現像、
膜付けおよびリフトオフを行うことと比較すると
飛躍的な進歩である。本発明を採用することによ
りマスクの製造工程の簡素化及びできあがつたマ
スクの良品化が見込まれる。
た加工方法は、マスクまたはレチクルのパターン
の欠陥の観察と除去修正及び追加修正を同一の装
置で行うものであり、１枚のマスクの修正をきわ
めて短時間で完結させることができる。このこと
は追加修正に対して１サイクルで約半日かかつて
行つた従来の検査、洗浄、ベーク、露光、現像、
膜付けおよびリフトオフを行うことと比較すると
飛躍的な進歩である。本発明を採用することによ
りマスクの製造工程の簡素化及びできあがつたマ
スクの良品化が見込まれる。
尚、本実施例における有機ガスとしては、フエ
ナントレン、ピレン、メチルフエルナントレン、
フルオランテン、アントロン、トリフエニルメタ
ンのうちの１種又は多種を用いた場合に有効であ
る。
ナントレン、ピレン、メチルフエルナントレン、
フルオランテン、アントロン、トリフエニルメタ
ンのうちの１種又は多種を用いた場合に有効であ
る。
第１図は荷電粒子ビームを用いた加工装置の側
断面図、第２図は第１図の要部の現像を説明する
ための詳細断面図である。 １……真空チヤンバー、２……排気系、３……
荷電粒子発生源、４……荷電粒子光学系、５……
試料、６……試料台、７……試料台駆動系、８…
…レーザー光源、９……ミラー、１０……レーザ
ー光検出系、１１……仕切り、１１ａ……小孔、
１２……荷電粒子光学系室、１３……試料室、１
４……有機ガス供給源、１５……バリアブルリー
クバルブ、１６……有機ガス吹きつけ用ノズル、
１７……排気系、Ａ……荷電粒子、Ｂ……荷電粒
子ビーム、Ｌ……レーザー光、Ｇ……有機ガス、
ｇ……有機ガス分子、g′……有機ガス分解物質、
５１……ガラス基板、５２……金属パターン、５
３……金属膜の欠陥位置。
断面図、第２図は第１図の要部の現像を説明する
ための詳細断面図である。 １……真空チヤンバー、２……排気系、３……
荷電粒子発生源、４……荷電粒子光学系、５……
試料、６……試料台、７……試料台駆動系、８…
…レーザー光源、９……ミラー、１０……レーザ
ー光検出系、１１……仕切り、１１ａ……小孔、
１２……荷電粒子光学系室、１３……試料室、１
４……有機ガス供給源、１５……バリアブルリー
クバルブ、１６……有機ガス吹きつけ用ノズル、
１７……排気系、Ａ……荷電粒子、Ｂ……荷電粒
子ビーム、Ｌ……レーザー光、Ｇ……有機ガス、
ｇ……有機ガス分子、g′……有機ガス分解物質、
５１……ガラス基板、５２……金属パターン、５
３……金属膜の欠陥位置。
Claims (1)
- １ 装置内を真空に保つための真空チヤンバー
と、前記真空チヤンバー内に設けたイオンを発生
するための荷電粒子発生源と、前記発生したイオ
ンを細く絞つてイオンビームにし該イオンビーム
を走査させながら試料表面の所定領域に照射する
ための荷電粒子光学系と、前記試料を載置するた
めの試料台と、前記試料の位置をきめるための試
料台駆動系と、前記試料と前記荷電粒子発生源の
間に設けられた仕切りと、前記仕切りに設けられ
た前記イオンビームを通過させるための小孔と、
前記試料の表面のイオンビーム照射位置から５mm
以内に設けられ、前記イオンビーム照射により膜
を形成する有機ガスを前記イオンビーム照射位置
に集中的に吹き付けるためのノズルと、前記ノズ
ルからの有機ガス吹き付けを制御するバルブより
なることを特徴とするイオンビーム加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2143698A JPH0316112A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | イオンビーム加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2143698A JPH0316112A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | イオンビーム加工装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58201764A Division JPS6094728A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 荷電粒子ビームを用いた加工方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0316112A JPH0316112A (ja) | 1991-01-24 |
| JPH0563930B2 true JPH0563930B2 (ja) | 1993-09-13 |
Family
ID=15344887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2143698A Granted JPH0316112A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | イオンビーム加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0316112A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10229285A (ja) * | 1997-02-13 | 1998-08-25 | Uniden Corp | 電子部品ホルダー |
| JP2022109566A (ja) * | 2021-01-15 | 2022-07-28 | 株式会社ブイ・テクノロジー | フォトマスク修正装置およびフォトマスクの修正方法 |
-
1990
- 1990-06-01 JP JP2143698A patent/JPH0316112A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0316112A (ja) | 1991-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7504182B2 (en) | Photolithography mask repair | |
| US4778693A (en) | Photolithographic mask repair system | |
| JP5586611B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ装置及び光学素子を処理する方法 | |
| US5976328A (en) | Pattern forming method using charged particle beam process and charged particle beam processing system | |
| JP5352144B2 (ja) | 荷電粒子ビーム検査方法及び装置 | |
| US20020053353A1 (en) | Methods and apparatus for cleaning an object using an electron beam, and device-fabrication apparatus comprising same | |
| EP0237220B1 (en) | Method and apparatus for forming a film | |
| JP2004177682A (ja) | 複合荷電粒子ビームによるフォトマスク修正方法及びその装置 | |
| JPH0132494B2 (ja) | ||
| JPH0563930B2 (ja) | ||
| US6030731A (en) | Method for removing the carbon halo caused by FIB clear defect repair of a photomask | |
| JPH0458015B2 (ja) | ||
| JP2664025B2 (ja) | 電子ビーム装置のクリーニング方法 | |
| JPS61123841A (ja) | イオンビ−ムマスクリペア−装置 | |
| JPS6347769A (ja) | パタン欠陥修正方法 | |
| TW201426166A (zh) | 修復微影光罩的方法及裝置 | |
| JPS627691B2 (ja) | ||
| JP2699196B2 (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JPH0573052B2 (ja) | ||
| JP2006155983A (ja) | 電子ビーム欠陥修正装置の除電方法およびその装置 | |
| US7060397B2 (en) | EPL mask processing method and device thereof | |
| JP2799861B2 (ja) | パターン膜修正方法 | |
| JPS61183470A (ja) | 電子ビ−ムデポジシヨン装置 | |
| JPH04448A (ja) | フォトマスクの修正方法 | |
| JPS61117546A (ja) | 集束荷電粒子ビ−ムを用いたマスク修正装置 |