JPS61183470A - 電子ビ−ムデポジシヨン装置 - Google Patents
電子ビ−ムデポジシヨン装置Info
- Publication number
- JPS61183470A JPS61183470A JP2363585A JP2363585A JPS61183470A JP S61183470 A JPS61183470 A JP S61183470A JP 2363585 A JP2363585 A JP 2363585A JP 2363585 A JP2363585 A JP 2363585A JP S61183470 A JPS61183470 A JP S61183470A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- thin film
- substrate
- deposition
- irradiating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C26/00—Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板上に薄膜パターンを形成するためのデポ
ジション装置に関する。
ジション装置に関する。
本発明の目的は、レジスト等のマスクを必要とせず、電
子ビームを用いて選択デポジションを行い、高純度、高
精度の微細な薄膜パターンを簡単に形成することができ
、かつ電子ビームを、薄膜形成中およびまたは薄膜形成
後の分析用として使用することのできる電子ビームデポ
ジション装置を提供することにある。
子ビームを用いて選択デポジションを行い、高純度、高
精度の微細な薄膜パターンを簡単に形成することができ
、かつ電子ビームを、薄膜形成中およびまたは薄膜形成
後の分析用として使用することのできる電子ビームデポ
ジション装置を提供することにある。
本発明の電子ビームデポジション装置は、少なくとも堆
積させるべき材料を構成元素として含んだガスを試料室
内に置かれた基板上に流す手段と、前記基板の所望部分
に前記材料の薄膜を堆積させるために前記基板の表面に
電子ビームを照射し得る手段と、この電子ビーム照射手
段により発生される電子ビームの照射により前記薄膜の
構成元素に生ずる種々の物理現象を前記薄膜の形成中お
よびまたは形成後に観察して前記薄膜の評価を行う手段
とを備えることを特徴としている。
積させるべき材料を構成元素として含んだガスを試料室
内に置かれた基板上に流す手段と、前記基板の所望部分
に前記材料の薄膜を堆積させるために前記基板の表面に
電子ビームを照射し得る手段と、この電子ビーム照射手
段により発生される電子ビームの照射により前記薄膜の
構成元素に生ずる種々の物理現象を前記薄膜の形成中お
よびまたは形成後に観察して前記薄膜の評価を行う手段
とを備えることを特徴としている。
次に、本発明の原理について第２図を用いて説明する。
デポジションさせるべき材料を含んだガ大分子２１の雰
囲気中に被デポジション基板２２を設置すると、ガス分
子２１が被デポジション基板２２の表面上に吸着する。
囲気中に被デポジション基板２２を設置すると、ガス分
子２１が被デポジション基板２２の表面上に吸着する。
２３がその吸着分子を示している。電子ビーム２４を基
板２２上に照射すると、照射された部分の雰囲気ガスの
吸着分子２３が電子ビーム２４のエネルギーにより雰囲
気ガス吸着分子２３に含まれるデポジション材料元素２
５と揮発性材料分子２６に分解し、デポジション材料元
素２５は基板表面に析出する。一方、揮発性材料分子２
６は排出される。以上の様な原理により被デポジション
基板２２表面上に電子ビーム照射により、直接、雰囲気
ガス中に含まれるデポジション材料を析出させバターニ
ングすることができる。
板２２上に照射すると、照射された部分の雰囲気ガスの
吸着分子２３が電子ビーム２４のエネルギーにより雰囲
気ガス吸着分子２３に含まれるデポジション材料元素２
５と揮発性材料分子２６に分解し、デポジション材料元
素２５は基板表面に析出する。一方、揮発性材料分子２
６は排出される。以上の様な原理により被デポジション
基板２２表面上に電子ビーム照射により、直接、雰囲気
ガス中に含まれるデポジション材料を析出させバターニ
ングすることができる。
析出されたデポジション材料元素に電子ビームが照射さ
れると、デポジション材料元素と電子ビームとの相互作
用により、特性Ｘ線、オージェ電子、２次電子、散乱電
子などが放射される。例えば、特性Ｘ線の波長と強度を
測定すれば基板表面に析出したデポジション材料元素を
同定、定量することができ、またオージェ電子のエネル
ギーを測定すれば析出した薄膜の表面状態に関する情報
を得ることができる。これらは、薄膜形成中に“その場
（ｉｎ ５ｉｔｕ ）観察”で行うことができ、あるい
は薄膜形成後において行うこともできる。さらに、薄膜
パターン形成後に電子ビームを照射し、これにより生ず
る２次電子を検出すれば、薄膜パターンの形状に関する
情報を得ることができる。
れると、デポジション材料元素と電子ビームとの相互作
用により、特性Ｘ線、オージェ電子、２次電子、散乱電
子などが放射される。例えば、特性Ｘ線の波長と強度を
測定すれば基板表面に析出したデポジション材料元素を
同定、定量することができ、またオージェ電子のエネル
ギーを測定すれば析出した薄膜の表面状態に関する情報
を得ることができる。これらは、薄膜形成中に“その場
（ｉｎ ５ｉｔｕ ）観察”で行うことができ、あるい
は薄膜形成後において行うこともできる。さらに、薄膜
パターン形成後に電子ビームを照射し、これにより生ず
る２次電子を検出すれば、薄膜パターンの形状に関する
情報を得ることができる。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は、本発明の一実施例である電子ビームデポジシ
ョン装置の構成図である。この電子ビームデポジション
装置は、電子ビーム照射系１０１と試料室１０２と雰囲
気ガス材料供給系１０３とから構成されている。
ョン装置の構成図である。この電子ビームデポジション
装置は、電子ビーム照射系１０１と試料室１０２と雰囲
気ガス材料供給系１０３とから構成されている。
電子ビーム照射系１０１は、電子ビーム１０４を発生す
る電子ビームガン１０５と、電子ビーム収束系１０６と
を備えている。
る電子ビームガン１０５と、電子ビーム収束系１０６と
を備えている。
試料室１０２は、移動２ステージ（図示せず）上にセン
トされている試料台１０７と、２次電子検出器１０８と
、Ｘ線マイクロアナライザー検出器１０９と、オージェ
エレクトロンスペクトロスコピー検出器１１０とを備え
ている。試料台１０７は、その上に置かれる試料１１１
を加熱できる様になっており、これによりデポジション
膜の膜質を改善することができる。そして、その試料温
度は、サーモカップルにより測定される。
トされている試料台１０７と、２次電子検出器１０８と
、Ｘ線マイクロアナライザー検出器１０９と、オージェ
エレクトロンスペクトロスコピー検出器１１０とを備え
ている。試料台１０７は、その上に置かれる試料１１１
を加熱できる様になっており、これによりデポジション
膜の膜質を改善することができる。そして、その試料温
度は、サーモカップルにより測定される。
雰囲気ガス材料供給系１０３は、雰囲気ガス材料１１２
が収納される雰囲気ガス材料収納室１１３と、マスフロ
ーコントローラ１１４，１１５と、試料室１０２内に設
けられた吹きつけノズル１１６とを備えている。雰囲気
ガス材料収納室１１３は、加熱できる様になっており、
雰囲気ガス材料１１２のノズル１１６からの放出量を温
度により制御することができる。
が収納される雰囲気ガス材料収納室１１３と、マスフロ
ーコントローラ１１４，１１５と、試料室１０２内に設
けられた吹きつけノズル１１６とを備えている。雰囲気
ガス材料収納室１１３は、加熱できる様になっており、
雰囲気ガス材料１１２のノズル１１６からの放出量を温
度により制御することができる。
次に本実施例の電子ビームデポジション装置の動作を説
明する。試料台１０７上に試料１１１をセットし、電子
ビーム照射系１０１および試料室１０２を別々に排気し
て超高真空にした後、キャリアガス１１７をマスフロー
コントローラ１１４を経て雰囲気ガス材料収納室１１３
内に導入する。
明する。試料台１０７上に試料１１１をセットし、電子
ビーム照射系１０１および試料室１０２を別々に排気し
て超高真空にした後、キャリアガス１１７をマスフロー
コントローラ１１４を経て雰囲気ガス材料収納室１１３
内に導入する。
雰囲気ガス材料１１２はキャリアガス１１７によってキ
ャリアされ、マスフローコントローラ１１５を通って、
吹きつけノズル１１６から試料室１０２内の試料１１１
に吹きつけられ、雰囲気ガス分子が試料表面上に吸着さ
れる。一方、電子ビーム照射系１０１においては、電子
ビームガン１０５により発生した電子ビーム１０４を電
子ビーム収束系１０６によって試料１１１上の所望の場
所に照射する。照射された部分の雰囲気ガスの吸着分子
は、電子ビームのエネルギーによりデポジション材料元
素と揮発性材料分子に分解され、試料表面にデポジショ
ン材料元素が析出し、デポジション膜が形成される。電
子ビーム照射系１０１および試料室１０２は超高真空に
されているので、残留ガス成分である酸素やカーボンな
どのデポジション膜への混入は防止される。デポジショ
ンパターンは、電子ビームリソグラフィー装置と同様、
計算機制御によりパターニングできる。また、試料台１
０７も電子ビームリソグラフィー装置と同様、レーザイ
ンターフェロ−メーターにより高精度に位置制御される
。このように本実施例の電子ビームデポジション装置に
よれば、レジスト等のマスクを必要とすることなく、電
子ビームを用いて選択デポジションを行い微細な薄膜パ
ターンを簡単に形成することができる。
ャリアされ、マスフローコントローラ１１５を通って、
吹きつけノズル１１６から試料室１０２内の試料１１１
に吹きつけられ、雰囲気ガス分子が試料表面上に吸着さ
れる。一方、電子ビーム照射系１０１においては、電子
ビームガン１０５により発生した電子ビーム１０４を電
子ビーム収束系１０６によって試料１１１上の所望の場
所に照射する。照射された部分の雰囲気ガスの吸着分子
は、電子ビームのエネルギーによりデポジション材料元
素と揮発性材料分子に分解され、試料表面にデポジショ
ン材料元素が析出し、デポジション膜が形成される。電
子ビーム照射系１０１および試料室１０２は超高真空に
されているので、残留ガス成分である酸素やカーボンな
どのデポジション膜への混入は防止される。デポジショ
ンパターンは、電子ビームリソグラフィー装置と同様、
計算機制御によりパターニングできる。また、試料台１
０７も電子ビームリソグラフィー装置と同様、レーザイ
ンターフェロ−メーターにより高精度に位置制御される
。このように本実施例の電子ビームデポジション装置に
よれば、レジスト等のマスクを必要とすることなく、電
子ビームを用いて選択デポジションを行い微細な薄膜パ
ターンを簡単に形成することができる。
以上のような薄膜パターンの形成中には、デポジション
された材料元素に電子ビームがあたるので材料元素より
特性Ｘ線およびオージェ電子が放出される。本実施例の
装置は、前述したように試料室１０２にＸ線マイクロア
ナライザー検出器１０９およびオージェエレクトロンス
ペクトロスコピー検出器１１０が組込まれており、この
Ｘ線マイクロアナライザー検出器１０９により特性Ｘ線
の波長と強度を測定することによって、電子ビームデポ
ジションで形成されるデポジション膜の構成元素をｉｎ
５ｉｔｕに分析できる。また、オージェエレクトロン
スペクトロスコピー検出器１１０によりオージェ電子の
エネルギーを測定することによってデポジション膜の表
面状態をｉｎ ５ｉｔｕに分析することができる。また
、薄膜形成後のパターン形状は、電子ビーム照射系１０
１により電子ビームを試料表面に走査して入射し、これ
により生ずる２次電子を２次電子検出器１０８により検
出することにより調べることができる。
された材料元素に電子ビームがあたるので材料元素より
特性Ｘ線およびオージェ電子が放出される。本実施例の
装置は、前述したように試料室１０２にＸ線マイクロア
ナライザー検出器１０９およびオージェエレクトロンス
ペクトロスコピー検出器１１０が組込まれており、この
Ｘ線マイクロアナライザー検出器１０９により特性Ｘ線
の波長と強度を測定することによって、電子ビームデポ
ジションで形成されるデポジション膜の構成元素をｉｎ
５ｉｔｕに分析できる。また、オージェエレクトロン
スペクトロスコピー検出器１１０によりオージェ電子の
エネルギーを測定することによってデポジション膜の表
面状態をｉｎ ５ｉｔｕに分析することができる。また
、薄膜形成後のパターン形状は、電子ビーム照射系１０
１により電子ビームを試料表面に走査して入射し、これ
により生ずる２次電子を２次電子検出器１０８により検
出することにより調べることができる。
以上のように本実施例によれば、電子ビームを用いて、
薄膜形成中にｉｎ ５ｉｔｕにデポジション膜の構成元
素および表面状態を分析することができ、また薄膜形成
後に薄膜パターンの形状を検出することができるので高
純度、高精度の薄膜を形成することができる。
薄膜形成中にｉｎ ５ｉｔｕにデポジション膜の構成元
素および表面状態を分析することができ、また薄膜形成
後に薄膜パターンの形状を検出することができるので高
純度、高精度の薄膜を形成することができる。
以上本発明の一実施例を説明したが、本発明はこの実施
例に限定されるものではなく本発明の範囲内で種々の変
形、変更が可能なことは勿論である。例えば、特性Ｘ線
、オージェ電子、２次電子に限らず、電子ビームの照射
により薄膜の構成元素に生ずる種々の物理現象であれば
、いかなる物理現象を観察するものであってもよい。ま
た、薄膜構成元素の分析等は薄膜形成後において行うよ
うにしてもよい。
例に限定されるものではなく本発明の範囲内で種々の変
形、変更が可能なことは勿論である。例えば、特性Ｘ線
、オージェ電子、２次電子に限らず、電子ビームの照射
により薄膜の構成元素に生ずる種々の物理現象であれば
、いかなる物理現象を観察するものであってもよい。ま
た、薄膜構成元素の分析等は薄膜形成後において行うよ
うにしてもよい。
本発明によれば以上説明した様に、デポジション材料を
含む雰囲気ガス中において基板表面に電子ビームを照射
することによりデポジション材料を析出させることがで
き、また析出中に（ｉｎ ５ｉｔＵに）およびまたは析
出後にデポジション膜の構成元素分析２表面分析等を行
うことができるので、高純度、高精度の微細な薄膜パタ
ーンを簡単に形成することが可能となる。
含む雰囲気ガス中において基板表面に電子ビームを照射
することによりデポジション材料を析出させることがで
き、また析出中に（ｉｎ ５ｉｔＵに）およびまたは析
出後にデポジション膜の構成元素分析２表面分析等を行
うことができるので、高純度、高精度の微細な薄膜パタ
ーンを簡単に形成することが可能となる。
第１図は本発明の電子ビームデポジション装置の一実施
例の構成を示す図、 第２図は、本発明の詳細な説明するための図である。 １０１・・電子ビーム照射系 １０２・・試料室 １０３・・雰囲気ガス材料供給系 １０４・・電子ビーム １０７・・試料台 １０８・・２次電子検出器 １０９・・Ｘ線マイクロアナライザー検出器１１０・・
オージェエレクトロンスペクトロスコピー検出器 １１１・・試料 １１２・・雰囲気ガス材料 １１３・・雰囲気ガス材料収納室 １１６・・吹きつけノズル
例の構成を示す図、 第２図は、本発明の詳細な説明するための図である。 １０１・・電子ビーム照射系 １０２・・試料室 １０３・・雰囲気ガス材料供給系 １０４・・電子ビーム １０７・・試料台 １０８・・２次電子検出器 １０９・・Ｘ線マイクロアナライザー検出器１１０・・
オージェエレクトロンスペクトロスコピー検出器 １１１・・試料 １１２・・雰囲気ガス材料 １１３・・雰囲気ガス材料収納室 １１６・・吹きつけノズル
Claims (1)
- （１）少なくとも堆積させるべき材料を構成元素として
含んだガスを試料室内に置かれた基板上に流す手段と、
前記基板の所望部分に前記材料の薄膜を堆積させるため
に前記基板の表面に電子ビームを照射し得る手段と、こ
の電子ビーム照射手段により発生される電子ビームの照
射により前記薄膜の構成元素に生ずる種々の物理現象を
前記薄膜の形成中およびまたは形成後に観察して前記薄
膜の評価を行う手段とを備えることを特徴とする電子ビ
ームデポジション装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2363585A JPS61183470A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 電子ビ−ムデポジシヨン装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2363585A JPS61183470A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 電子ビ−ムデポジシヨン装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61183470A true JPS61183470A (ja) | 1986-08-16 |
| JPH0547636B2 JPH0547636B2 (ja) | 1993-07-19 |
Family
ID=12116035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2363585A Granted JPS61183470A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 電子ビ−ムデポジシヨン装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61183470A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5413663A (en) * | 1992-06-11 | 1995-05-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US7515133B2 (en) | 2003-07-14 | 2009-04-07 | Denso Corporation | Onboard display device |
-
1985
- 1985-02-12 JP JP2363585A patent/JPS61183470A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5413663A (en) * | 1992-06-11 | 1995-05-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US7515133B2 (en) | 2003-07-14 | 2009-04-07 | Denso Corporation | Onboard display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0547636B2 (ja) | 1993-07-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4876112A (en) | Process for forming metallic patterned film | |
| JPS6114640A (ja) | フオトマスクの欠陥修正方法及び装置 | |
| US20020053353A1 (en) | Methods and apparatus for cleaning an object using an electron beam, and device-fabrication apparatus comprising same | |
| KR20010006492A (ko) | 가스 지원 포커싱된 입자 빔 시스템을 사용하는 패턴닝된 필름 교정 | |
| US4357364A (en) | High rate resist polymerization method | |
| JPS61183470A (ja) | 電子ビ−ムデポジシヨン装置 | |
| TW201831993A (zh) | 用於識別污染的設備及方法 | |
| JPH0132494B2 (ja) | ||
| JPS586133A (ja) | 微細パタ−ン形成装置 | |
| US20020030801A1 (en) | Electron beam aligner, outgassing collection method and gas analysis method | |
| JP3218024B2 (ja) | 金属パターン膜の形成方法及びその装置 | |
| JPS62174765A (ja) | マスクリペア装置 | |
| JP3684106B2 (ja) | 成膜装置 | |
| US7078709B2 (en) | Apparatus and method for proof of outgassing products | |
| JPH10163201A (ja) | パターン形成方法及びその装置 | |
| Pinchuk et al. | Gas temperature spatial distribution in air corona discharge with plane comb of metal rod electrodes derived from schlieren images | |
| JPH11354062A (ja) | イオンビーム加工装置 | |
| JPH0315068A (ja) | パターン修正方法 | |
| JP2779525B2 (ja) | 真空成膜中の膜表面の元素組成分析方法、及び真空成膜方法 | |
| JPH0316112A (ja) | イオンビーム加工装置 | |
| RU2530784C1 (ru) | Способ оценки стойкости тонких защитных покрытий материалов при высокоэнергетическом воздействии на них | |
| JPH0553259B2 (ja) | ||
| JPH07110309A (ja) | 電子線マイクロアナライザ | |
| JPH07333828A (ja) | パターン膜修正方法とその装置 | |
| JPH0550647U (ja) | 走査電子顕微鏡用マーキング装置 |