JPS6347769A - パタン欠陥修正方法 - Google Patents
パタン欠陥修正方法Info
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- JPS6347769A JPS6347769A JP61190648A JP19064886A JPS6347769A JP S6347769 A JPS6347769 A JP S6347769A JP 61190648 A JP61190648 A JP 61190648A JP 19064886 A JP19064886 A JP 19064886A JP S6347769 A JPS6347769 A JP S6347769A
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- defect
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- chromium
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体製造に用いられるマスクの余剰金属
膜の欠陥を修正するようにしたノ９タン欠陥修正号法に
関する、ものである。
膜の欠陥を修正するようにしたノ９タン欠陥修正号法に
関する、ものである。
（従来の技術）
従来から半導体装置製造に用いるホトマスクあるいはＸ
線マスクの余剰金属膜の欠陥（以下黒ピン欠陥と称す）
を修正するために、金属膜の除去スヘキ部分に選択的に
レーザビームやイオンビームを照射し、金属膜を蒸発あ
るいはス／々ツタエツチングし除去する方法が用いられ
ている。
線マスクの余剰金属膜の欠陥（以下黒ピン欠陥と称す）
を修正するために、金属膜の除去スヘキ部分に選択的に
レーザビームやイオンビームを照射し、金属膜を蒸発あ
るいはス／々ツタエツチングし除去する方法が用いられ
ている。
かかる方法は例えば、ジャーナルバキュームサイエンス
テクノロジー； Ｊ、 Ｖａｃ、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、
Ｂ３（１） Ｊａｎ／Ｆｅｂ１９８５ 、 Ｐ８７
〜９０によシ、Ｐ、 Ｊ、 Ｈｅａｒｄ 、 Ｊ、Ｒ，
Ａ。
テクノロジー； Ｊ、 Ｖａｃ、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、
Ｂ３（１） Ｊａｎ／Ｆｅｂ１９８５ 、 Ｐ８７
〜９０によシ、Ｐ、 Ｊ、 Ｈｅａｒｄ 、 Ｊ、Ｒ，
Ａ。
Ｃ１ｅａｖｅｒ及びＨ，Ａｈｍｅｄ等による’Ａｐｐｌ
ｉｃａｔｉｏｎ ｏｆａ ｆｏｃｕｓｅｄ ｆａｎ
ｂｅａｍ ｓｙｓｔｅｍ ｔｏ ｄｅｆｅｃｔ ｒｅｐ
ａｉｒ ｏｆＶＬＳ Ｉ ｍａｓｋｓ ’ と題し詳
細に示されている。
ｉｃａｔｉｏｎ ｏｆａ ｆｏｃｕｓｅｄ ｆａｎ
ｂｅａｍ ｓｙｓｔｅｍ ｔｏ ｄｅｆｅｃｔ ｒｅｐ
ａｉｒ ｏｆＶＬＳ Ｉ ｍａｓｋｓ ’ と題し詳
細に示されている。
第２図（ａ）ないし第２図（ｃ）は上記黒ピン欠陥除去
方法の工程を示す図である。まず、第２図（ａ）に示す
ように、ガラス基板１上に形成された余剰クロムパタン
によるクロム黒ピン欠陥３が存在するとする。
方法の工程を示す図である。まず、第２図（ａ）に示す
ように、ガラス基板１上に形成された余剰クロムパタン
によるクロム黒ピン欠陥３が存在するとする。
この試料に第２図（ｂ）に示すように、ガリウムイオン
ビーム４を照射してクロム黒ピン欠陥３をスパッタ除去
する。
ビーム４を照射してクロム黒ピン欠陥３をスパッタ除去
する。
（発明が解決しようとする問題点）
このとき、除去されたクロム黒ピン欠陥３は第２図（ｃ
）に示すよりに、近接するクロムツタタン２の側壁に再
付着し、新たなりロム欠陥５を発生させる問題があった
。
）に示すよりに、近接するクロムツタタン２の側壁に再
付着し、新たなりロム欠陥５を発生させる問題があった
。
この発明は、前記従来技術がもっている問題点のうち、
黒ピン欠陥除去に際し、新たなりロム欠陥を発生させる
という点について解決し九パタン欠陥修正方法を提供す
るものである。
黒ピン欠陥除去に際し、新たなりロム欠陥を発生させる
という点について解決し九パタン欠陥修正方法を提供す
るものである。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、パタン欠陥修正方法において、余剰Ａタン
欠陥をスパッタ除去する前に余剰パタン欠陥部およびそ
の周辺に保護膜を形成し、余剰・戸タン欠陥部の保護膜
を選択的に除去した後に余剰パタン欠陥部をエツチング
除去する工程を導入したものである。
欠陥をスパッタ除去する前に余剰パタン欠陥部およびそ
の周辺に保護膜を形成し、余剰・戸タン欠陥部の保護膜
を選択的に除去した後に余剰パタン欠陥部をエツチング
除去する工程を導入したものである。
（作用）
この発明によれば、パタン欠陥修正方法において、以上
のような工程を導入したので、余剰パタン欠陥部の周囲
を保護膜が被覆しているため、再付着した金属膜はこの
保護膜の表面に付着し、保護膜を除去すると再付着し念
金属膜もられせて除去され、余剰／ンタン欠陥除去後も
清浄な表面を維持するように作用し、したがって、前記
問題点を除去できる。
のような工程を導入したので、余剰パタン欠陥部の周囲
を保護膜が被覆しているため、再付着した金属膜はこの
保護膜の表面に付着し、保護膜を除去すると再付着し念
金属膜もられせて除去され、余剰／ンタン欠陥除去後も
清浄な表面を維持するように作用し、したがって、前記
問題点を除去できる。
（実施例）
以下、この発明の７１タン欠陥修正方法の実施例につい
て図面に基づき説明する。第１図（ａ）ないし第１図（
ｄ）はその一実施例の工程説明図でろる。この第１図（
ａ）〜第１図（ｄ）において、第２図（ａ）〜第２図（
ｃ）と同一部分には同一符号を付して述べる。
て図面に基づき説明する。第１図（ａ）ないし第１図（
ｄ）はその一実施例の工程説明図でろる。この第１図（
ａ）〜第１図（ｄ）において、第２図（ａ）〜第２図（
ｃ）と同一部分には同一符号を付して述べる。
まず、第１図（ａ）に示すように、ガラス基板ｌ上にク
ロムパタン２を形成する。このときクロムの黒ピン欠陥
３が余剰欠陥パタンとして存在する。
ロムパタン２を形成する。このときクロムの黒ピン欠陥
３が余剰欠陥パタンとして存在する。
このような試料を高真空チャンバ内に設置し、第１図（
ｂ）に示すようにカーボンを含むガス５を試料表面に噴
出しつつガリウムイオンビーム４を黒ピン欠陥部３およ
びその周囲に照射する。
ｂ）に示すようにカーボンを含むガス５を試料表面に噴
出しつつガリウムイオンビーム４を黒ピン欠陥部３およ
びその周囲に照射する。
このとき、ガスの分解によシカ−ボン有機膜６がイオン
ビーム照射部に堆積する。
ビーム照射部に堆積する。
次に、ガス導入を止め、ガリウムイオンビーム４を黒ピ
ン欠陥部３にのみ照射すると、第１図（ｃ）に示すよう
に、カーボン有機膜６．クロムの黒ピン欠陥３がスパッ
タエツチング除去される。第１図（ｃンの符号７はこの
黒ピン欠陥３が除去された欠陥除去部分を示す。
ン欠陥部３にのみ照射すると、第１図（ｃ）に示すよう
に、カーボン有機膜６．クロムの黒ピン欠陥３がスパッ
タエツチング除去される。第１図（ｃンの符号７はこの
黒ピン欠陥３が除去された欠陥除去部分を示す。
このときスパッタされたクロムはカーボン有機膜６の底
面に再付着クロム８として再付着するが、ガラス基板１
の表面あるいはクロムパタン２の面には付着しない。
面に再付着クロム８として再付着するが、ガラス基板１
の表面あるいはクロムパタン２の面には付着しない。
このよう′にして、）（タン欠陥修正後カーボン有機膜
６を薬品を用いて除去すると、第１図（ｄ）に示すよう
にクロムツタタン２の表面に再付着のない清浄なノ９タ
ンが形成される。
６を薬品を用いて除去すると、第１図（ｄ）に示すよう
にクロムツタタン２の表面に再付着のない清浄なノ９タ
ンが形成される。
次に、この発明の第２の実施例について述べる。
第１の実施例において隣接するクロムパタン２を被覆す
るカーメン有機膜６をガリウムイオンビーム４によるガ
ス分解を用いて選択的に形成し九が、予めホトマスク表
面上にレジスト膜を塗布し、その後ガリウムイオンビー
ム照射によりレジスト膜。
るカーメン有機膜６をガリウムイオンビーム４によるガ
ス分解を用いて選択的に形成し九が、予めホトマスク表
面上にレジスト膜を塗布し、その後ガリウムイオンビー
ム照射によりレジスト膜。
クロムの黒ピン欠陥３を選択的にエツチングすることが
できる。
できる。
また、第３の実施例としてはＸ線マスクにおけるタンタ
ル吸収体パタンの欠陥修正においても同様な工程によｐ
再付着のない清浄なパタン修正が可能である。
ル吸収体パタンの欠陥修正においても同様な工程によｐ
再付着のない清浄なパタン修正が可能である。
（発明の効果）
以上詳細に説明したようにこの発明によれば、余剰金属
欠陥部をスパッタエツチング除去する際に、予め隣接す
る・イタン表面を有機膜にて被覆保護するようにしたの
で、金属膜スパッタ時に再付着による新たな欠陥の発生
を防止することができる。
欠陥部をスパッタエツチング除去する際に、予め隣接す
る・イタン表面を有機膜にて被覆保護するようにしたの
で、金属膜スパッタ時に再付着による新たな欠陥の発生
を防止することができる。
また、有機保護膜の形成も金属膜スパッタに用いるイオ
ンビームを用いて形成することができるため、修正に必
要な工程数、装置が少なく簡便であるなどの利点もある
。
ンビームを用いて形成することができるため、修正に必
要な工程数、装置が少なく簡便であるなどの利点もある
。
第１図（ａ）ないし第１図（ｄ）はこの発明のノイタン
欠陥修正方法の一実施例の工程説明図、第２図（ａ）な
いし第２図（ｃ）は従来のノセタン欠陥修正号法の工程
説明図である。 １・・・ガラス基板、２・・・クロム／＃タン、３・・
・黒ピン欠陥、４・・・ガリウムイオン、５・・・カー
ボンを含むガス、６・・・カーボン有機膜、７・・・欠
陥除去部分、８・・・再付着クロム。
欠陥修正方法の一実施例の工程説明図、第２図（ａ）な
いし第２図（ｃ）は従来のノセタン欠陥修正号法の工程
説明図である。 １・・・ガラス基板、２・・・クロム／＃タン、３・・
・黒ピン欠陥、４・・・ガリウムイオン、５・・・カー
ボンを含むガス、６・・・カーボン有機膜、７・・・欠
陥除去部分、８・・・再付着クロム。
Claims (5)
- （１）（ａ）余剰パタン欠陥を有する基板上の少なくと
も欠陥パタンを含む領域に保護膜を形成する工程と、 （ｂ）エネルギビームを選択的に上記余剰パタン欠陥部
に照射して上記保護膜および余剰パタン欠陥部をエッチ
ング除去する工程と、 （ｃ）上記保護膜およびその表面に再付着した余剰欠陥
を除去する工程と、 よりなるパタン欠陥修正方法。 - （２）上記保護膜は、イオンビーム照射またはレーザビ
ーム照射による有機ガスの分解により生じた有機膜を用
いる特許請求の範囲第１項記載のパタン欠陥修正方法。 - （３）上記保護膜は、塗布したレジスト膜を用いる特許
請求の範囲第１項記載のパタン欠陥修正方法。 - （４）上記エネルギビームは、集束イオンビームを用い
る特許請求の範囲第１項記載のパタン欠陥修正方法。 - （５）上記エネルギビームは、レーザビームを用いる特
許請求の範囲第１項記載のパタン欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61190648A JPS6347769A (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | パタン欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61190648A JPS6347769A (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | パタン欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6347769A true JPS6347769A (ja) | 1988-02-29 |
Family
ID=16261574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61190648A Pending JPS6347769A (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | パタン欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6347769A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05142756A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクのパターン欠陥修正方法 |
| EP0961168A1 (en) * | 1998-05-18 | 1999-12-01 | International Business Machines Corporation | Method for repair of photomasks |
| US6165649A (en) * | 1997-01-21 | 2000-12-26 | International Business Machines Corporation | Methods for repair of photomasks |
| JP2002141266A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Seiko Instruments Inc | 垂直エッジのサブミクロン貫通孔を形成する方法とそのような貫通孔が形成された薄膜試料 |
-
1986
- 1986-08-15 JP JP61190648A patent/JPS6347769A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05142756A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクのパターン欠陥修正方法 |
| US5272116A (en) * | 1991-11-18 | 1993-12-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for pattern defect correction of a photomask |
| US6165649A (en) * | 1997-01-21 | 2000-12-26 | International Business Machines Corporation | Methods for repair of photomasks |
| EP0961168A1 (en) * | 1998-05-18 | 1999-12-01 | International Business Machines Corporation | Method for repair of photomasks |
| JP2002141266A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Seiko Instruments Inc | 垂直エッジのサブミクロン貫通孔を形成する方法とそのような貫通孔が形成された薄膜試料 |
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