JPH0563242A - 発光ダイオード用リードフレーム及び発光ダイオードランプ - Google Patents
発光ダイオード用リードフレーム及び発光ダイオードランプInfo
- Publication number
- JPH0563242A JPH0563242A JP24466291A JP24466291A JPH0563242A JP H0563242 A JPH0563242 A JP H0563242A JP 24466291 A JP24466291 A JP 24466291A JP 24466291 A JP24466291 A JP 24466291A JP H0563242 A JPH0563242 A JP H0563242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting diode
- light emitting
- lead frame
- diode chip
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 29
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008961 swelling Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 26
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光ダイオードランプの作製において、発光
ダイオードチップをリードフレームに装着する際に、は
み出した導電性接着剤の盛り上がりによる電流のリーク
を防止する。 【構成】 発光ダイオードランプの作製に使用するリー
ドフレームの凹部１１ｄに発光ダイオードチップ１の装
着面の面積と同等か或いはそれより小さい面積の上面を
もつ凸状断面を有する装着部２を設け、この装着部２の
上面に導電性接着剤４を滴下して発光ダイオードチップ
１を装着する。発光ダイオードチップ１の下面からはみ
出した導電性接着剤４は凸状の装着部２の周囲に流れる
から、発光ダイオードチップ１の側面に盛り上がること
がなく、電流のリークを防止できる。
ダイオードチップをリードフレームに装着する際に、は
み出した導電性接着剤の盛り上がりによる電流のリーク
を防止する。 【構成】 発光ダイオードランプの作製に使用するリー
ドフレームの凹部１１ｄに発光ダイオードチップ１の装
着面の面積と同等か或いはそれより小さい面積の上面を
もつ凸状断面を有する装着部２を設け、この装着部２の
上面に導電性接着剤４を滴下して発光ダイオードチップ
１を装着する。発光ダイオードチップ１の下面からはみ
出した導電性接着剤４は凸状の装着部２の周囲に流れる
から、発光ダイオードチップ１の側面に盛り上がること
がなく、電流のリークを防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオードランプ
用のリードフレームおよび発光ダイオードランプに関す
るものである。
用のリードフレームおよび発光ダイオードランプに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオードランプは、表示用の可視
光発光ダイオードランプ、通信用の赤外光発光ダイオー
ドランプなどが広く用いられている。
光発光ダイオードランプ、通信用の赤外光発光ダイオー
ドランプなどが広く用いられている。
【０００３】可視光発光ダイオードランプの基本的な構
成を図４および図５に示す。図４は発光ダイオードラン
プを上方から見た平面図であり、図５は横から見た正面
図である。１２は発光ダイオードチップであり、発光ダ
イオードランプの発光する部分に相当するチップであ
る。発光ダイオードチップ１２は同図に示すように、通
常は上部から見ると正方形の形状をしている。１１はリ
ードフレームであり、リードフレーム１１ａおよび１１
ｂにより構成されている。一方のリードフレーム１１ａ
は、発光ダイオードチップ１２の下面から電流を導入す
る端子を兼ねている。リードフレーム１１ａには、発光
ダイオードチップ１２を装着するための凹部１１ｄが形
成されている。凹部１１ｄは図４に示すように上面が円
形に形成され、周囲には傾斜面１１ｃが形成されてい
る。発光ダイオードチップ１２は、この円形の凹部１１
ｄと中心が一致するように導電性接着剤１５を用いて装
着されている。
成を図４および図５に示す。図４は発光ダイオードラン
プを上方から見た平面図であり、図５は横から見た正面
図である。１２は発光ダイオードチップであり、発光ダ
イオードランプの発光する部分に相当するチップであ
る。発光ダイオードチップ１２は同図に示すように、通
常は上部から見ると正方形の形状をしている。１１はリ
ードフレームであり、リードフレーム１１ａおよび１１
ｂにより構成されている。一方のリードフレーム１１ａ
は、発光ダイオードチップ１２の下面から電流を導入す
る端子を兼ねている。リードフレーム１１ａには、発光
ダイオードチップ１２を装着するための凹部１１ｄが形
成されている。凹部１１ｄは図４に示すように上面が円
形に形成され、周囲には傾斜面１１ｃが形成されてい
る。発光ダイオードチップ１２は、この円形の凹部１１
ｄと中心が一致するように導電性接着剤１５を用いて装
着されている。
【０００４】後述するように発光ダイオードチップ１２
の端面から出た光は、この凹部側面の傾斜面１１ｃによ
り反射され、ランプ上部（図４における紙面手前方向、
図５における上方向）に放出される。
の端面から出た光は、この凹部側面の傾斜面１１ｃによ
り反射され、ランプ上部（図４における紙面手前方向、
図５における上方向）に放出される。
【０００５】他方のリードフレーム１１ｂは、発光ダイ
オードチップ１２の上面の電極２４に、ボンディングワ
イヤ１３を通して電流を導入する端子となっている。１
４は発光ダイオードチップ１２の周囲を覆うための丸型
に固化されたエポキシ樹脂であり、リードフレーム１１
ａの凹部底面１１ｄ上に装着される発光ダイオードチッ
プ１２がその中心に位置するようにモールドされてい
る。
オードチップ１２の上面の電極２４に、ボンディングワ
イヤ１３を通して電流を導入する端子となっている。１
４は発光ダイオードチップ１２の周囲を覆うための丸型
に固化されたエポキシ樹脂であり、リードフレーム１１
ａの凹部底面１１ｄ上に装着される発光ダイオードチッ
プ１２がその中心に位置するようにモールドされてい
る。
【０００６】動作時には、リードフレーム１１ａおよび
１１ｂを電極として、リードフレーム１１ａからリード
フレーム１１ｂへ、あるいはリードフレーム１１ｂから
リードフレーム１１ａへ所定の大きさの電流を通電させ
ることにより、発光ダイオードチップ１２から発光させ
る。
１１ｂを電極として、リードフレーム１１ａからリード
フレーム１１ｂへ、あるいはリードフレーム１１ｂから
リードフレーム１１ａへ所定の大きさの電流を通電させ
ることにより、発光ダイオードチップ１２から発光させ
る。
【０００７】図６および図７には、発光ダイオードチッ
プ１２の構造が示されている。これらの図に示すよう
に、基本的には、基板上に１０μｍオーダあるいはそれ
以下の薄い膜を成長させた積層構造となっている。
プ１２の構造が示されている。これらの図に示すよう
に、基本的には、基板上に１０μｍオーダあるいはそれ
以下の薄い膜を成長させた積層構造となっている。
【０００８】図６においては、基板２１の下側に成長膜
２２および成長膜２３が順次積層され、基板２１の上面
には電極２４が接続され、成長膜２３の下面には電極２
５が接続されている。基板２１、成長膜２２、成長膜２
３の組合せとしては、ｎ型基板、ｎ型成長膜、ｐ型成長
膜という組合せ、あるいはｐ型基板、ｐ型成長膜、ｎ型
成長膜という組合せが可能である。
２２および成長膜２３が順次積層され、基板２１の上面
には電極２４が接続され、成長膜２３の下面には電極２
５が接続されている。基板２１、成長膜２２、成長膜２
３の組合せとしては、ｎ型基板、ｎ型成長膜、ｐ型成長
膜という組合せ、あるいはｐ型基板、ｐ型成長膜、ｎ型
成長膜という組合せが可能である。
【０００９】図７においては、基板２６の上側に成長膜
２７および成長膜２８が順次積層され、基板２６の下面
に電極２５が接続され、成長膜２８の上面には電極２４
が接続されている。この場合にも、基板２６、成長膜２
７、成長膜２８の組合せとしては、ｎ型基板、ｎ型成長
膜、ｐ型成長膜という組合せ、あるいはｐ型基板、ｐ型
成長膜、ｎ型成長膜という組合せが可能である。
２７および成長膜２８が順次積層され、基板２６の下面
に電極２５が接続され、成長膜２８の上面には電極２４
が接続されている。この場合にも、基板２６、成長膜２
７、成長膜２８の組合せとしては、ｎ型基板、ｎ型成長
膜、ｐ型成長膜という組合せ、あるいはｐ型基板、ｐ型
成長膜、ｎ型成長膜という組合せが可能である。
【００１０】成長膜２２および成長膜２３の接合部、あ
るいは成長膜２７および成長膜２８の接合部は、いわゆ
るｐｎ接合（ｐｎジャンクション）と呼ばれる電流の注
入に必要な構造となっており、その電流注入時に、ｎ型
成長膜、ｐ型成長膜、あるいは接合部において電子と正
孔が再結合して発光し、その光が外部に取り出される。
るいは成長膜２７および成長膜２８の接合部は、いわゆ
るｐｎ接合（ｐｎジャンクション）と呼ばれる電流の注
入に必要な構造となっており、その電流注入時に、ｎ型
成長膜、ｐ型成長膜、あるいは接合部において電子と正
孔が再結合して発光し、その光が外部に取り出される。
【００１１】図６に示すものは、成長膜２２、２３のｐ
ｎ接合側を下向きにして、図４および図５のリードフレ
ームの凹部底面１１ｄに装着されるタイプであり、ジャ
ンクションダウン型と呼ばれている。図７に示すもの
は、ｐｎ接合側を上向きにして装着されるタイプでジャ
ンクションアップ型と呼ばれている。
ｎ接合側を下向きにして、図４および図５のリードフレ
ームの凹部底面１１ｄに装着されるタイプであり、ジャ
ンクションダウン型と呼ばれている。図７に示すもの
は、ｐｎ接合側を上向きにして装着されるタイプでジャ
ンクションアップ型と呼ばれている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】図８および図９に示す
ように、これらの発光ダイオードチップ１２をリードフ
レーム１１の凹部底面１１ｄに導電性接着剤１５を用い
て装着する場合に、導電性接着剤１５を適量滴下するこ
とは極めて難しいため、これらの図に示すように過剰な
導電性接着剤１５が発光ダイオードチップ１２の下面か
らはみ出してしまう。図８に示すようなジャンクション
ダウン型の場合には、はみ出した導電性接着剤１５が盛
り上がって、成長膜２３、２２、さらには基板２１にま
で接触してしまうと、電流のリークを起こし、不良品と
なってしまう問題があった。図９に示すようなジャンク
ションアップ型の場合においても、基板２６の厚みが小
さく、導電性接着剤１５の盛り上がりが大きい場合に
は、導電性接着剤１５が成長膜２７、２８に接触するこ
とにより、同様の不良品の原因となる。
ように、これらの発光ダイオードチップ１２をリードフ
レーム１１の凹部底面１１ｄに導電性接着剤１５を用い
て装着する場合に、導電性接着剤１５を適量滴下するこ
とは極めて難しいため、これらの図に示すように過剰な
導電性接着剤１５が発光ダイオードチップ１２の下面か
らはみ出してしまう。図８に示すようなジャンクション
ダウン型の場合には、はみ出した導電性接着剤１５が盛
り上がって、成長膜２３、２２、さらには基板２１にま
で接触してしまうと、電流のリークを起こし、不良品と
なってしまう問題があった。図９に示すようなジャンク
ションアップ型の場合においても、基板２６の厚みが小
さく、導電性接着剤１５の盛り上がりが大きい場合に
は、導電性接着剤１５が成長膜２７、２８に接触するこ
とにより、同様の不良品の原因となる。
【００１３】従って、発光ダイオードチップ１２をリー
ドフレーム１１の凹部底面１１ｄに装着する場合には、
はみ出した導電性接着剤１５による問題を解消すること
が必要となるが、これまでのところ、これに関する適切
な報告は見い出せない。
ドフレーム１１の凹部底面１１ｄに装着する場合には、
はみ出した導電性接着剤１５による問題を解消すること
が必要となるが、これまでのところ、これに関する適切
な報告は見い出せない。
【００１４】本発明は、発光ダイオードチップをリード
フレームの凹部底面に装着する際に、はみ出した導電性
接着剤の盛り上がりによる電流のリークを防止し、製品
の歩留まりを向上させ、生産性を上げることを可能にす
る発光ダイオード用リードフレームおよび発光ダイオー
ドランプを提供することを目的とするものである。
フレームの凹部底面に装着する際に、はみ出した導電性
接着剤の盛り上がりによる電流のリークを防止し、製品
の歩留まりを向上させ、生産性を上げることを可能にす
る発光ダイオード用リードフレームおよび発光ダイオー
ドランプを提供することを目的とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、発光ダイオー
ドランプに使用されるリードフレームであって、発光ダ
イオードチップが装着されるリードフレームにおいて、
凸状断面のチップ装着部を有し、その凸状断面のチップ
装着部の上面に発光ダイオードチップが装着されるよう
にしたものである。
ドランプに使用されるリードフレームであって、発光ダ
イオードチップが装着されるリードフレームにおいて、
凸状断面のチップ装着部を有し、その凸状断面のチップ
装着部の上面に発光ダイオードチップが装着されるよう
にしたものである。
【００１６】また、本発明は、このようなリードフレー
ムを用いた発光ダイオードランプである。
ムを用いた発光ダイオードランプである。
【００１７】
【作用】本発明によれば、リードフレームに設けられた
凸状断面のチップ装着部の上面に発光ダイオードチップ
が導電性接着剤により装着されるから、導電性接着剤が
発光ダイオードチップの下面からはみ出した場合にも、
はみ出した導電性接着剤は凸状断面のチップ装着部の周
囲に流れ、凸状断面のチップ装着部の上面に装着された
発光ダイオードチップの接合面には接触しない。したが
って、はみ出した導電性接着剤の盛り上がりによる電流
のリークを防止し、製品の歩留まりを向上させ、生産性
を上げることができる。
凸状断面のチップ装着部の上面に発光ダイオードチップ
が導電性接着剤により装着されるから、導電性接着剤が
発光ダイオードチップの下面からはみ出した場合にも、
はみ出した導電性接着剤は凸状断面のチップ装着部の周
囲に流れ、凸状断面のチップ装着部の上面に装着された
発光ダイオードチップの接合面には接触しない。したが
って、はみ出した導電性接着剤の盛り上がりによる電流
のリークを防止し、製品の歩留まりを向上させ、生産性
を上げることができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。
説明する。
【００１９】図１〜図３には、本発明による発光ダイオ
ード用リードフレームおよび発光ダイオードランプの実
施例が示されている。図２には発光ダイオードランプの
全体図が示され、図１および図３には本発明の特徴に係
わる発光ダイオードチップの装着部およびその近傍が拡
大して示されている。
ード用リードフレームおよび発光ダイオードランプの実
施例が示されている。図２には発光ダイオードランプの
全体図が示され、図１および図３には本発明の特徴に係
わる発光ダイオードチップの装着部およびその近傍が拡
大して示されている。
【００２０】図１に示す実施例においては、図２に示す
リードフレーム１１の傾斜面１１ｃ、１１ｃに囲まれた
発光ダイオードチップ１の装着部の凹部底面１１ｄの周
囲に、さらに円環状の溝５を設けて、発光ダイオードチ
ップ１の装着部２が相対的に凸状部となるように（凸状
断面を有するように）したものである。
リードフレーム１１の傾斜面１１ｃ、１１ｃに囲まれた
発光ダイオードチップ１の装着部の凹部底面１１ｄの周
囲に、さらに円環状の溝５を設けて、発光ダイオードチ
ップ１の装着部２が相対的に凸状部となるように（凸状
断面を有するように）したものである。
【００２１】また、図３に示す実施例においては、図２
に示すリードフレーム１１の発光ダイオードチップ１の
装着部の凹部底面１１ｄに新たに一体的に或いはリード
フレーム１１とは別部材からなる台座６を設けて、発光
ダイオードチップ１の装着部２が凸状部となるように
（凸状断面を有するように）したものである。
に示すリードフレーム１１の発光ダイオードチップ１の
装着部の凹部底面１１ｄに新たに一体的に或いはリード
フレーム１１とは別部材からなる台座６を設けて、発光
ダイオードチップ１の装着部２が凸状部となるように
（凸状断面を有するように）したものである。
【００２２】図１および図３のいずれの場合にも、発光
ダイオードチップ１を装着する際には、まずこれらの装
着部２上に導電性接着剤４を滴下し、次に発光ダイオー
ドチップ１を滴下された導電性接着剤４の上に載置して
圧着させる。この圧着の際、過剰な導電性接着剤４が発
光ダイオードチップ１と発光ダイオードチップ装着部２
との間から押し出されるが、装着部２を凸状部としてい
るから、はみ出した導電性接着剤４は、装着部２の周囲
の低い部分に流れ、装着部２上に盛り上がったり、発光
ダイオードチップ１の端面に接触したりするのを防止す
ることができる。
ダイオードチップ１を装着する際には、まずこれらの装
着部２上に導電性接着剤４を滴下し、次に発光ダイオー
ドチップ１を滴下された導電性接着剤４の上に載置して
圧着させる。この圧着の際、過剰な導電性接着剤４が発
光ダイオードチップ１と発光ダイオードチップ装着部２
との間から押し出されるが、装着部２を凸状部としてい
るから、はみ出した導電性接着剤４は、装着部２の周囲
の低い部分に流れ、装着部２上に盛り上がったり、発光
ダイオードチップ１の端面に接触したりするのを防止す
ることができる。
【００２３】この効果をより高めるため、装着部２の平
面積（上面の面積）を、発光ダイオードチップ１の平面
積（装着面の面積）よりも小さくすることが望ましい。
但し、ここで平面積とは、上部から見た面積を意味す
る。しかし、装着部２の平面積をあまり小さくしすぎる
と、発光ダイオードチップ１の装着状態が不安定になっ
たり、注入電流が一部分に集中しすぎるなどの問題が生
じるため、この凸状部つまり発光ダイオードチップ装着
部２の平面積は、発光ダイオードチップの平面積（装着
面の面積）の７５〜９５％とすることが望ましい。
面積（上面の面積）を、発光ダイオードチップ１の平面
積（装着面の面積）よりも小さくすることが望ましい。
但し、ここで平面積とは、上部から見た面積を意味す
る。しかし、装着部２の平面積をあまり小さくしすぎる
と、発光ダイオードチップ１の装着状態が不安定になっ
たり、注入電流が一部分に集中しすぎるなどの問題が生
じるため、この凸状部つまり発光ダイオードチップ装着
部２の平面積は、発光ダイオードチップの平面積（装着
面の面積）の７５〜９５％とすることが望ましい。
【００２４】また、前記のように、発光ダイオードチッ
プ１の端面から出た光は、リードフレームの凹部の傾斜
面１１ｃで反射されて前面に取り出されるので、リード
フレームの凹部の傾斜面１１ｃと発光ダイオードチップ
１の位置関係を従来型の発光ダイオードランプと同様に
したい場合には、図１の実施例とすることが望ましい。
プ１の端面から出た光は、リードフレームの凹部の傾斜
面１１ｃで反射されて前面に取り出されるので、リード
フレームの凹部の傾斜面１１ｃと発光ダイオードチップ
１の位置関係を従来型の発光ダイオードランプと同様に
したい場合には、図１の実施例とすることが望ましい。
【００２５】一方、発光ダイオードチップ１の装着位置
を、従来型のものより高くしたい場合には、図１または
図３のいずれの実施例によっても可能である。
を、従来型のものより高くしたい場合には、図１または
図３のいずれの実施例によっても可能である。
【００２６】図１〜図３に示す可視光発光ダイオードラ
ンプの基本的な構成は図４および図５に示すものと同様
である。すなわち図４および図５に示す例と同様に、発
光ダイオードチップ１は上面が正方形の形状をしてい
る。リードフレーム１１は発光ダイオードチップ１の両
面に接続される２つの部分１１ａ、１１ｂにより構成さ
れている。一方のリードフレーム１１ａは、発光ダイオ
ードチップ１の下面から電流を導入する端子を兼ねてい
る。このリードフレーム１１ａには、発光ダイオードチ
ップ１を装着するための凹部１１ｄが形成されている。
凹部１１ｄは図４に示すものと同様に上面が円形に形成
され、周囲には角度θをなす傾斜面１１ｃが形成されて
いる。凹部１１ｄの底面には発光ダイオードチップ１の
装着部２が凸状部に形成され、発光ダイオードチップ１
は、この円形の凹部１１ｄ内に形成された装着部２と中
心が一致するように導電性接着剤４を用いて装着され
る。
ンプの基本的な構成は図４および図５に示すものと同様
である。すなわち図４および図５に示す例と同様に、発
光ダイオードチップ１は上面が正方形の形状をしてい
る。リードフレーム１１は発光ダイオードチップ１の両
面に接続される２つの部分１１ａ、１１ｂにより構成さ
れている。一方のリードフレーム１１ａは、発光ダイオ
ードチップ１の下面から電流を導入する端子を兼ねてい
る。このリードフレーム１１ａには、発光ダイオードチ
ップ１を装着するための凹部１１ｄが形成されている。
凹部１１ｄは図４に示すものと同様に上面が円形に形成
され、周囲には角度θをなす傾斜面１１ｃが形成されて
いる。凹部１１ｄの底面には発光ダイオードチップ１の
装着部２が凸状部に形成され、発光ダイオードチップ１
は、この円形の凹部１１ｄ内に形成された装着部２と中
心が一致するように導電性接着剤４を用いて装着され
る。
【００２７】発光ダイオードチップ１の端面から出た光
は、凹部の傾斜面１１ｃにより反射され、ランプ上部
（図１〜図３における上方向）に放出される。
は、凹部の傾斜面１１ｃにより反射され、ランプ上部
（図１〜図３における上方向）に放出される。
【００２８】他方のリードフレーム１１ｂは、発光ダイ
オードチップ１の上面の電極に、ボンディングワイヤ１
３を通して電流を導入する端子となっている。１４は発
光ダイオードチップ１の周囲を覆うための丸型に固化さ
れたエポキシ樹脂であり、リードフレームの凹部底面１
１ｄ上に装着される発光ダイオードチップ１がその中心
に位置するようにモールドされている。
オードチップ１の上面の電極に、ボンディングワイヤ１
３を通して電流を導入する端子となっている。１４は発
光ダイオードチップ１の周囲を覆うための丸型に固化さ
れたエポキシ樹脂であり、リードフレームの凹部底面１
１ｄ上に装着される発光ダイオードチップ１がその中心
に位置するようにモールドされている。
【００２９】動作時には、リードフレームを電極とし
て、一方のリードフレームから他方のリードフレームへ
所定の大きさの電流を通電させることにより、発光ダイ
オードチップ１から発光させる。
て、一方のリードフレームから他方のリードフレームへ
所定の大きさの電流を通電させることにより、発光ダイ
オードチップ１から発光させる。
【００３０】図６および図７には、図１〜３に示す発光
ダイオードチップ１の構造が示されている。これらの図
に示すように、発光ダイオードチップ１は基本的には、
基板上に１０μｍオーダあるいはそれ以下の薄い膜を成
長させた積層構造となっている。
ダイオードチップ１の構造が示されている。これらの図
に示すように、発光ダイオードチップ１は基本的には、
基板上に１０μｍオーダあるいはそれ以下の薄い膜を成
長させた積層構造となっている。
【００３１】図６においては、基板２１の下側に成長膜
２２および成長膜２３が順次積層され、基板２１の上面
には電極２４が接続され、成長膜２３の下面には電極２
５が接続されている。基板２１、成長膜２２、成長膜２
３の組合せとしては、ｎ型基板、ｎ型成長膜、ｐ型成長
膜という組合せ、あるいはｐ型基板、ｐ型成長膜、ｎ型
成長膜という組合せが可能である。
２２および成長膜２３が順次積層され、基板２１の上面
には電極２４が接続され、成長膜２３の下面には電極２
５が接続されている。基板２１、成長膜２２、成長膜２
３の組合せとしては、ｎ型基板、ｎ型成長膜、ｐ型成長
膜という組合せ、あるいはｐ型基板、ｐ型成長膜、ｎ型
成長膜という組合せが可能である。
【００３２】図７においては、基板２６の上側に成長膜
２７および成長膜２８が順次積層され、基板２６の下面
に電極２５が接続され、成長膜２８の上面には電極２４
が接続されている。この場合にも、基板２６、成長膜２
７、成長膜２８の組合せとしては、ｎ型基板、ｎ型成長
膜、ｐ型成長膜という組合せ、あるいはｐ型基板、ｐ型
成長膜、ｎ型成長膜という組合せが可能である。
２７および成長膜２８が順次積層され、基板２６の下面
に電極２５が接続され、成長膜２８の上面には電極２４
が接続されている。この場合にも、基板２６、成長膜２
７、成長膜２８の組合せとしては、ｎ型基板、ｎ型成長
膜、ｐ型成長膜という組合せ、あるいはｐ型基板、ｐ型
成長膜、ｎ型成長膜という組合せが可能である。
【００３３】成長膜２２および成長膜２３の接合部、あ
るいは成長膜２７および成長膜２８の接合部は、いわゆ
るｐｎ接合（ｐｎジャンクション）と呼ばれる電流の注
入に必要な構造となっており、その電流注入時に、ｎ型
成長膜、ｐ型成長膜、あるいは接合部において電子と正
孔が再結合して発光し、その光が外部に取り出される。
るいは成長膜２７および成長膜２８の接合部は、いわゆ
るｐｎ接合（ｐｎジャンクション）と呼ばれる電流の注
入に必要な構造となっており、その電流注入時に、ｎ型
成長膜、ｐ型成長膜、あるいは接合部において電子と正
孔が再結合して発光し、その光が外部に取り出される。
【００３４】図６に示すものは、成長膜２２、２３のｐ
ｎ接合側を下向きにして、図１〜３のリードフレーム１
１ａの装着部２に装着されるタイプであり、ジャンクシ
ョンダウン型と呼ばれている。図７に示すものは、ｐｎ
接合側を上向きにして装着されるタイプでジャンクショ
ンアップ型と呼ばれている。
ｎ接合側を下向きにして、図１〜３のリードフレーム１
１ａの装着部２に装着されるタイプであり、ジャンクシ
ョンダウン型と呼ばれている。図７に示すものは、ｐｎ
接合側を上向きにして装着されるタイプでジャンクショ
ンアップ型と呼ばれている。
【００３５】次に本発明による発光ダイオード用リード
フレームの製作の具体例を示す。 （具体例１）図２に示すようなリードフレームを製造す
る際に従来用いていた「型」の、発光ダイオードチップ
装着部たる凹部底面１１ｄに相当する部分を改造して、
凹部底面１１ｄに新たに溝５を形成するための構造を設
けた新しい「型」を製作し、これを用いて図１に示すよ
うなリードフレーム１１を製造した。
フレームの製作の具体例を示す。 （具体例１）図２に示すようなリードフレームを製造す
る際に従来用いていた「型」の、発光ダイオードチップ
装着部たる凹部底面１１ｄに相当する部分を改造して、
凹部底面１１ｄに新たに溝５を形成するための構造を設
けた新しい「型」を製作し、これを用いて図１に示すよ
うなリードフレーム１１を製造した。
【００３６】リードフレーム１１ａの凹部底面１１ｄ
（直径０．６２ｍｍ）の中心に、発光ダイオードチップ
装着部２として、０．２９ｍｍ×０．２９ｍｍの正方形
状で、高さ０．１ｍｍの凸状部を設けた。リードフレー
ムの凹部傾斜面１１ｃとの位置関係は前記の改造前後で
変更されていない。新たに形成された溝５は、前記０．
２９ｍｍ×０．２９ｍｍ×０．１ｍｍの発光ダイオード
チップ装着部２を除くリードフレーム凹部底面１１ｄ全
域に円環状に設けられ、深さ、すなわち発光ダイオード
チップ装着部２の高さは０．１ｍｍである。凹部傾斜面
１１ｃの高さは０．２８ｍｍ、凹部底面１１ｄと傾斜面
１１ｃのなす角θは２２５度（凹部内側）とした。
（直径０．６２ｍｍ）の中心に、発光ダイオードチップ
装着部２として、０．２９ｍｍ×０．２９ｍｍの正方形
状で、高さ０．１ｍｍの凸状部を設けた。リードフレー
ムの凹部傾斜面１１ｃとの位置関係は前記の改造前後で
変更されていない。新たに形成された溝５は、前記０．
２９ｍｍ×０．２９ｍｍ×０．１ｍｍの発光ダイオード
チップ装着部２を除くリードフレーム凹部底面１１ｄ全
域に円環状に設けられ、深さ、すなわち発光ダイオード
チップ装着部２の高さは０．１ｍｍである。凹部傾斜面
１１ｃの高さは０．２８ｍｍ、凹部底面１１ｄと傾斜面
１１ｃのなす角θは２２５度（凹部内側）とした。
【００３７】このリードフレーム１１ａの発光ダイオー
ドチップ装着部２に導電性接着剤４を滴下した後、０．
３ｍｍ×０．３ｍｍの、炭化珪素製の、ジャンクション
ダウン型青色発光ダイオードチップ１を装着したとこ
ろ、導電性接着剤４のはみ出しは認められたものの、そ
の大半が溝５内に流れ込み、導電性接着剤４による盛り
上がり等は発生せず、電流のリークを防ぐことができ
た。また、不良品の発生がなく、全体として製品の歩留
りが向上した。
ドチップ装着部２に導電性接着剤４を滴下した後、０．
３ｍｍ×０．３ｍｍの、炭化珪素製の、ジャンクション
ダウン型青色発光ダイオードチップ１を装着したとこ
ろ、導電性接着剤４のはみ出しは認められたものの、そ
の大半が溝５内に流れ込み、導電性接着剤４による盛り
上がり等は発生せず、電流のリークを防ぐことができ
た。また、不良品の発生がなく、全体として製品の歩留
りが向上した。
【００３８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、リ
ードフレームに設けられた凸状断面のチップ装着部の上
面に発光ダイオードチップが装着される構成であるの
で、チップ装着の際に使用される導電性接着剤がチップ
下面からはみだした場合でも、はみ出した導電性接着剤
の盛り上がりによる電流のリークを防ぐことができる。
ードフレームに設けられた凸状断面のチップ装着部の上
面に発光ダイオードチップが装着される構成であるの
で、チップ装着の際に使用される導電性接着剤がチップ
下面からはみだした場合でも、はみ出した導電性接着剤
の盛り上がりによる電流のリークを防ぐことができる。
【００３９】特に、リードフレームの凹部に溝を設ける
ことにより上記凸状断面のチップ装着部を形成するよう
にした場合においては、従来型のリードフレームにおけ
る発光ダイオードチップと凹部傾斜面との位置関係を維
持できるので、発光ダイオードランプの前面に光を取り
出す効率を維持することができる。
ことにより上記凸状断面のチップ装着部を形成するよう
にした場合においては、従来型のリードフレームにおけ
る発光ダイオードチップと凹部傾斜面との位置関係を維
持できるので、発光ダイオードランプの前面に光を取り
出す効率を維持することができる。
【図１】本発明によるリードフレームの要部を示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明による発光ダイオードランプの一実施例
を示す図である。
を示す図である。
【図３】本発明によるリードフレームの要部を示す図で
ある。
ある。
【図４】従来の発光ダイオードランプの例を示す平面図
である。
である。
【図５】従来の発光ダイオードランプの例を示す正面図
である。
である。
【図６】発光ダイオードチップの積層構造を示す図であ
る。
る。
【図７】発光ダイオードチップの積層構造を示す図であ
る。
る。
【図８】従来のリードフレームによる発光ダイオードチ
ップの装着状態を示す図である。
ップの装着状態を示す図である。
【図９】従来のリードフレームによる発光ダイオードチ
ップの装着状態を示す図である。
ップの装着状態を示す図である。
１ 発光ダイオードチップ ２ 発光ダイオードチップ装着部 ４ 導電性接着剤 ５ 溝 ６ 台座 １１ リードフレーム １１ａ リードフレーム １１ｂ リードフレーム １１ｃ 凹部傾斜面 １１ｄ 凹部底面 １２ 発光ダイオードチップ １３ ボンディングワイヤ １４ エポキシ樹脂 １５ 導電性接着剤 ２１ 基板 ２２ 成長膜 ２３ 成長膜 ２４ 電極 ２５ 電極 ２６ 基板 ２７ 成長膜 ２８ 成長膜
Claims (3)
- 【請求項１】 発光ダイオードランプに使用されるリー
ドフレームであって、発光ダイオードチップが装着され
るリードフレームにおいて、 凸状断面のチップ装着部を有し、 その凸状断面のチップ装着部の上面に前記発光ダイオー
ドチップが装着されることを特徴とする発光ダイオード
用リードフレーム。 - 【請求項２】 前記凸状断面のチップ装着部は、その上
面の面積が前記発光ダイオードチップの装着面の面積と
同等か或いはそれよりも小さく構成されていることを特
徴とする請求項１に記載の発光ダイオード用リードフレ
ーム。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載のリードフレーム
を用いたことを特徴とする発光ダイオードランプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24466291A JPH0563242A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 発光ダイオード用リードフレーム及び発光ダイオードランプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24466291A JPH0563242A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 発光ダイオード用リードフレーム及び発光ダイオードランプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563242A true JPH0563242A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=17122089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24466291A Withdrawn JPH0563242A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 発光ダイオード用リードフレーム及び発光ダイオードランプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0563242A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1231650A2 (de) * | 2001-02-07 | 2002-08-14 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Reflektorbehaftetes Halbleiterbauelement |
| WO2003073520A1 (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Rohm Co.,Ltd. | Light emitting diode lamp |
| JP2005310912A (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置 |
| JP2006080141A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置、その発光装置に使用するリードフレーム、及びリードフレームの製造方法 |
| US7795053B2 (en) | 2004-03-24 | 2010-09-14 | Hitachi Cable Precision Co., Ltd | Light-emitting device manufacturing method and light-emitting device |
| JP2012080085A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-04-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 支持体及びそれを用いた発光装置 |
| JP2015500562A (ja) * | 2011-11-18 | 2015-01-05 | ルクスビュー テクノロジー コーポレイション | マイクロ発光ダイオード |
| JP2015038963A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| US9463613B2 (en) | 2011-11-18 | 2016-10-11 | Apple Inc. | Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device |
| US9620478B2 (en) | 2011-11-18 | 2017-04-11 | Apple Inc. | Method of fabricating a micro device transfer head |
| JP2017103487A (ja) * | 2010-09-10 | 2017-06-08 | 日亜化学工業株式会社 | 支持体及びそれを用いた発光装置 |
| US9831383B2 (en) | 2011-11-18 | 2017-11-28 | Apple Inc. | LED array |
-
1991
- 1991-08-29 JP JP24466291A patent/JPH0563242A/ja not_active Withdrawn
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1231650A2 (de) * | 2001-02-07 | 2002-08-14 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Reflektorbehaftetes Halbleiterbauelement |
| EP1231650A3 (de) * | 2001-02-07 | 2006-05-24 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Reflektorbehaftetes Halbleiterbauelement |
| WO2003073520A1 (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Rohm Co.,Ltd. | Light emitting diode lamp |
| US7128444B2 (en) | 2002-02-28 | 2006-10-31 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting diode lamp |
| CN100346488C (zh) * | 2002-02-28 | 2007-10-31 | 罗姆股份有限公司 | 发光二极管灯 |
| US7795053B2 (en) | 2004-03-24 | 2010-09-14 | Hitachi Cable Precision Co., Ltd | Light-emitting device manufacturing method and light-emitting device |
| JP2005310912A (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置 |
| JP4659386B2 (ja) * | 2004-04-19 | 2011-03-30 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置 |
| JP2006080141A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置、その発光装置に使用するリードフレーム、及びリードフレームの製造方法 |
| JP4486451B2 (ja) * | 2004-09-07 | 2010-06-23 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置、その発光装置に使用するリードフレーム、及びリードフレームの製造方法 |
| JP2012080085A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-04-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 支持体及びそれを用いた発光装置 |
| US9525116B2 (en) | 2010-09-10 | 2016-12-20 | Nichia Corporation | Supporting member and light emitting device using the supporting member |
| JP2017103487A (ja) * | 2010-09-10 | 2017-06-08 | 日亜化学工業株式会社 | 支持体及びそれを用いた発光装置 |
| JP2015500562A (ja) * | 2011-11-18 | 2015-01-05 | ルクスビュー テクノロジー コーポレイション | マイクロ発光ダイオード |
| US9463613B2 (en) | 2011-11-18 | 2016-10-11 | Apple Inc. | Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device |
| US9620478B2 (en) | 2011-11-18 | 2017-04-11 | Apple Inc. | Method of fabricating a micro device transfer head |
| US9831383B2 (en) | 2011-11-18 | 2017-11-28 | Apple Inc. | LED array |
| US10121864B2 (en) | 2011-11-18 | 2018-11-06 | Apple Inc. | Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device |
| US10297712B2 (en) | 2011-11-18 | 2019-05-21 | Apple Inc. | Micro LED display |
| US10607961B2 (en) | 2011-11-18 | 2020-03-31 | Apple Inc. | Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device |
| US11552046B2 (en) | 2011-11-18 | 2023-01-10 | Apple Inc. | Micro device transfer head assembly |
| JP2015038963A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5538233B2 (ja) | スリム型ｌｅｄパッケージ | |
| US10454003B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| KR200373718Y1 (ko) | 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도발광다이오드 | |
| TWI476962B (zh) | 發光裝置 | |
| KR100961493B1 (ko) | 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광 다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광 다이오드 패키지 | |
| US7871850B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| US8969143B2 (en) | Semiconductor package and method of manufacturing the same | |
| JP5274479B2 (ja) | 多段構造の熱伝達スラグ及びこれを採用した発光ダイオードパッケージ | |
| KR100986211B1 (ko) | 금속기판과 금속기판의 제조방법 및 그 기판을 이용한표면실장형 엘이디 패키지 | |
| US8900895B2 (en) | Method for manufacturing LED package | |
| JPH0563242A (ja) | 発光ダイオード用リードフレーム及び発光ダイオードランプ | |
| KR101374898B1 (ko) | 계면 분리를 줄인 ｌｅｄ 패키지 | |
| US20160293802A1 (en) | Led packages and manufacturing method thereof | |
| US8492180B2 (en) | LED and method for manufacturing the same | |
| JP2001024228A (ja) | 発光装置 | |
| JP2000101148A (ja) | 発光ダイオ−ド | |
| KR20130098461A (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 | |
| KR20050035638A (ko) | 고출력 엘이디패키지 제작방법 및 이를 이용한 고출력엘이디패키지 | |
| KR100610270B1 (ko) | 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도발광다이오드 | |
| JP2718339B2 (ja) | 発光ダイオードチップおよび発光ダイオード | |
| KR20040021951A (ko) | 백색 발광다이오드 | |
| KR101511691B1 (ko) | 발광다이오드 패키지 | |
| KR20110126096A (ko) | 다중 몰딩부재를 갖는 발광 다이오드 패키지 | |
| TW201324869A (zh) | 發光二極體的製造方法 | |
| KR100628884B1 (ko) | 백색 발광다이오드 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981112 |