JP5274479B2 - 多段構造の熱伝達スラグ及びこれを採用した発光ダイオードパッケージ - Google Patents
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Description
Claims (22)
- 発光ダイオード(LED)パッケージに装着され、発光チップから発生した熱を外部に放出させる多段構造の熱伝達スラグにおいて、
第1のスラグと、
前記第1のスラグ上に配置された第2のスラグと、
前記第2のスラグ上に配置された第3のスラグとを有し、
前記第2のスラグ及び第3のスラグは、それぞれ角を有する形状となっており、前記第2のスラグ及び第3のスラグの中心からみて、前記第2のスラグの角の方向と前記第3のスラグの角の方向とがずれている
ことを特徴とする多段構造の熱伝達スラグ。 - 前記第2のスラグ及び第3のスラグは、それぞれ矩形リムを有し、
前記第3のスラグの矩形リムは、前記第2のスラグの矩形リム内に位置し、前記第2のスラグ及び第3のスラグの中心からみて、前記第2のスラグの矩形リムの角の方向と前記第3のスラグの矩形リムの角の方向とが45°ずれている
ことを特徴とする請求項1に記載の多段構造の熱伝達スラグ。 - 前記第3のスラグには、前記発光チップを実装する凹部が形成された
ことを特徴とする請求項2に記載の多段構造の熱伝達スラグ。 - 前記第3のスラグは、前記発光チップから放射した光が反射されるように、前記凹部に反射面を有する
ことを特徴とする請求項3に記載の多段構造の熱伝達スラグ。 - 前記第1、第2及び第3のスラグは、一体で形成された
ことを特徴とする請求項1に記載の多段構造の熱伝達スラグ。 - 前記第3のスラグは、発光チップを実装する凹部を有し、前記凹部は、前記第2のスラグに延在され、前記凹部の底面が前記第2のスラグ内に位置する
ことを特徴とする請求項5に記載の多段構造の熱伝達スラグ。 - 前記第1のスラグは、リード端子が結合されるリード受容段を有する
ことを特徴とする請求項5に記載の多段構造の熱伝達スラグ。 - 前記リード受容段は、前記第1のスラグの外周に沿って連続的に形成された
ことを特徴とする請求項7に記載の多段構造の熱伝達スラグ。 - LEDパッケージにおいて、
ハウジングと、
前記ハウジング内に実装された多段構造の熱伝達スラグと、
前記熱伝達スラグに実装された発光チップと、
前記発光チップに電源を供給するためのリード端子と、を備え、
前記熱伝達スラグは、第1のスラグと、前記第1のスラグ上に形成された第2のスラグと、前記第2のスラグ上に形成された第3のスラグとを有し、
前記第2のスラグ及び前記第3のスラグは、それぞれ角を有する形状となっており、前記第2のスラグ及び第3のスラグの中心からみて、前記第2のスラグの角の方向と前記第3のスラグの角の方向とがずれている
ことを特徴とするLEDパッケージ。 - 前記第2のスラグ及び第3のスラグは、それぞれ矩形リムを有し、
前記第3のスラグの矩形リムは、前記第2のスラグの矩形リム内に位置し、前記第2のスラグ及び第3のスラグの中心からみて、前記第2のスラグの矩形リムの角の方向と前記第3のスラグの矩形リムの角の方向とが45°ずれている
ことを特徴とする請求項9に記載のLEDパッケージ。 - 前記第3のスラグには、前記発光チップを実装する凹部が形成された
ことを特徴とする請求項10に記載のLEDパッケージ。 - 前記第1、第2及び第3のスラグは、一体で形成された
ことを特徴とする請求項9に記載のLEDパッケージ。 - 前記第3のスラグは、発光チップが実装される凹部を有し、前記凹部は、前記第2のスラグに延在され、前記凹部の底面が前記第2のスラグ内に位置する
ことを特徴とする請求項12に記載のLEDパッケージ。 - 支持リードをさらに有し、前記支持リードは、前記熱伝達スラグに結合された
ことを特徴とする請求項12に記載のLEDパッケージ。 - 前記第1のスラグは、リード受容段を有し、前記支持リードは、前記リード受容段に結合された
ことを特徴とする請求項14に記載のLEDパッケージ。 - 前記リード端子の少なくとも一つは、前記熱伝達スラグに結合されて電気的に接続され、前記リード端子の少なくとも他の一つは、前記熱伝達スラグから離隔された
ことを特徴とする請求項14に記載のLEDパッケージ。 - 前記リード端子の少なくとも一つは、前記第1スラグの前記リード受容段に結合された
ことを特徴とする請求項16に記載のLEDパッケージ。 - 前記リード端子の少なくとも一つと前記支持リードの端部は、互いに連結されて半円状のリングを形成する
ことを特徴とする請求項16に記載のLEDパッケージ。 - 前記支持リードは、前記第1のスラグの周縁に沿って、前記第1のスラグに結合された半円形の支持リングを形成するように互いに延在して、前記半円形の支持リングは、前記リード端子の少なくとも一つに対向して配置された
ことを特徴とする請求項16に記載のLEDパッケージ。 - 前記ハウジングの上部に、少なくとも一つの溝が形成され、成形部の形成時に流出した液状樹脂が前記溝に充填された
ことを特徴とする請求項9に記載のLEDパッケージ。 - LEDパッケージにおいて、
ハウジングと、
前記ハウジング内に実装された熱伝達スラグと、
前記熱伝達スラグに実装された発光チップと、
前記発光チップに電源を供給するための少なくとも2つのリード端子と、
前記ハウジングに結合された支持リードと、を備え、
前記リード端子の少なくとも一つは、前記熱伝達スラグに結合されて電気的に接続され、前記リード端子の少なくとも他の一つは、前記熱伝達スラグから離隔し、
前記支持リードは、互いに延在され、前記スラグに結合された半円形の支持リングを形成し、
前記スラグは、前記半円形の支持リングと前記スラグに結合されたリード端子との間に配置され、第1のスラグと、前記第1のスラグ上に配置された第2のスラグと、前記第2のスラグ上に配置された第3のスラグとを有し、前記第2のスラグ及び第3のスラグは、それぞれ角を有する形状となっており、前記第2のスラグ及び第3のスラグの中心からみて、前記第2のスラグの角の方向と前記第3のスラグの角の方向とがずれている
ことを特徴とするLEDパッケージ。 - 前記半円形の支持リングと前記熱伝達スラグに結合されたリード端子は、互いに連結されて円形リングを形成する
ことを特徴とする請求項21に記載のLEDパッケージ。
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TWI708408B (zh) * | 2017-09-29 | 2020-10-21 | 友達光電股份有限公司 | 光源裝置 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5693981A (en) * | 1993-12-14 | 1997-12-02 | Lsi Logic Corporation | Electronic system with heat dissipating apparatus and method of dissipating heat in an electronic system |
US5650663A (en) | 1995-07-03 | 1997-07-22 | Olin Corporation | Electronic package with improved thermal properties |
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US6190945B1 (en) * | 1998-05-21 | 2001-02-20 | Micron Technology, Inc. | Integrated heat sink |
US6274924B1 (en) * | 1998-11-05 | 2001-08-14 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Surface mountable LED package |
US6166435A (en) * | 1998-12-10 | 2000-12-26 | Industrial Technology Research Institute | Flip-chip ball grid array package with a heat slug |
US6188130B1 (en) * | 1999-06-14 | 2001-02-13 | Advanced Technology Interconnect Incorporated | Exposed heat spreader with seal ring |
KR100419611B1 (ko) | 2001-05-24 | 2004-02-25 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법 |
CN2529387Y (zh) * | 2002-02-27 | 2003-01-01 | 东贝光电科技股份有限公司 | 发光二极管的改良 |
US20030230977A1 (en) * | 2002-06-12 | 2003-12-18 | Epstein Howard C. | Semiconductor light emitting device with fluoropolymer lens |
JP2004128433A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-04-22 | Eru Kogen:Kk | ヒートシンク内蔵ネジ式led電球 |
JP4288931B2 (ja) | 2002-11-11 | 2009-07-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US7170151B2 (en) * | 2003-01-16 | 2007-01-30 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Accurate alignment of an LED assembly |
CN100414722C (zh) * | 2003-12-09 | 2008-08-27 | 中国科学院半导体研究所 | 利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法 |
US7321161B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-01-22 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | LED package assembly with datum reference feature |
JP2005338251A (ja) | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Seiko Epson Corp | 光源装置及びプロジェクタ |
KR100558082B1 (ko) | 2004-07-01 | 2006-03-07 | 서울반도체 주식회사 | 방열효율이 향상된 다색 고출력 발광다이오드 패키지 |
KR100635779B1 (ko) | 2005-01-03 | 2006-10-17 | 서울반도체 주식회사 | 히트싱크 지지링을 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지 |
US20060086945A1 (en) | 2004-10-27 | 2006-04-27 | Harvatek Corporation | Package structure for optical-electrical semiconductor |
KR100621743B1 (ko) | 2004-11-08 | 2006-09-13 | 서울반도체 주식회사 | 방열 본체를 채택하는 발광 다이오드 패키지 |
JP3109109U (ja) * | 2004-11-30 | 2005-05-12 | 東貝光電科技股▲ふん▼有限公司 | 固体半導体発光素子 |
WO2006065007A1 (en) | 2004-12-16 | 2006-06-22 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diodepackage using the same and light emitting diodepackage fabbricated by the method |
CN2802730Y (zh) * | 2005-05-20 | 2006-08-02 | 李坤锥 | 一种具有复数光源组合的发光装置 |
KR100593945B1 (ko) * | 2005-05-30 | 2006-06-30 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 |
KR100616684B1 (ko) * | 2005-06-03 | 2006-08-28 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 |
US7582951B2 (en) * | 2005-10-20 | 2009-09-01 | Broadcom Corporation | Methods and apparatus for improved thermal performance and electromagnetic interference (EMI) shielding in leadframe integrated circuit (IC) packages |
JP2007227738A (ja) | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Kyocera Corp | 発光素子用配線基板ならびに発光装置 |
US7960819B2 (en) | 2006-07-13 | 2011-06-14 | Cree, Inc. | Leadframe-based packages for solid state emitting devices |
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