JPH0561681B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気ヘツドに係り、特に磁気ギヤツプ
と対向する方の側面が磁気ギヤツプ面に対して傾
斜してなるコア基体部と、このコア基体部の磁気
ギヤツプと対向する方の側面に被着された高飽和
磁束密度を有する磁性材料よりなる磁性薄膜とを
備えるコア半体を有する磁気ヘツドに関する。

〔発明の背景〕

磁気記録の高密度化にともない、磁気記録媒体
の保磁力が高められ、この磁気録媒体に記録可能
な磁気ヘツドとして、少なくとも磁気ギヤツプと
対向する部分を高飽和磁束密度を有する磁性材料
で構成した磁気ヘツドの開発が進められている。

本発明者らもこの種の磁気ヘツドについて種々
検討した結果、先に、磁気ギヤツプと対向する方
の側面が磁気ギヤツプ面に対して傾斜しているコ
ア基体部と、そのコア基体部の磁気ギヤツプと対
向する方の側面に被着された高飽和磁束密度を有
する磁性材料よりなる磁性薄膜とを備えたコア半
体を用いた磁気ヘツドを提案した（特開昭58−
155513号参照）。

第１３図および第１４図はこの提案された磁気
ヘツドの一部平面図および一部断面図であり、第
１５図ないし第２１図はこの磁気ヘツドの製造工
程を示す説明図である。

この磁気ヘツドは、第１コア半体１と、第２コ
ア半体２と、第１コア半体１に巻装された励磁コ
イル３とから主に構成されている。第１コア半体
１ならびに第２コア半体２は、フエライトなどか
らなり磁気ギヤツプと対向する側面のほぼ中央に
山形の突出部４を有するコア基体５と、そのコア
基体５の前記側面に被着された高飽和磁束密度を
有する磁性薄膜６とから構成されている。第７図
に示すように第１コア半体１側の突出部４と磁性
薄膜６ならびに第２コア半体２側の突出部４と磁
性薄膜６とは、接合部近傍の形状が磁気ギヤツプ
を介してほぼ左右対称になつている。

次にこの磁気ヘツドの製造工程の概略について
説明する。第１５図に示すようにコア基体５を構
成するフエライトブロツク７の片面に、接近して
一対の溝８，８を平行に設け、この溝８の間に尖
つた先端部（頂部）を有する突条９が形成され
る。次にこの溝８や突条９を形成した側の表面に
蒸着やスパツタリングなどの薄膜製造技術によつ
て、第１６図に示すように、高飽和磁束密度で透
磁率の高い磁性材料よりなる磁性薄膜６を一様に
形成する。

次に、第１７図に示すような磁性薄膜６の上に
ガラスなどの非磁性体からなる補強層８を比較的
厚めに設け、しかる後、同図に一実鎖線で示す位
置まで研摩する。第１８図および第１９図は、こ
の状態を示しており、突条９の先端部上にある磁
性薄膜６の一部が平坦に研摩され平坦部１１が形
成される。

このように形成されたブロツクのうち一部は、
第２０図に示すように突条９と直交する方向にコ
イル溝１２が所定の深さ切削によつて形成され
る。次に、このコイル溝１２を形成したブロツク
とコイル溝１２を形成していないブロツク（第１
９図に示すブロツク）とを、第２１図に示す如く
補強層１０が互いに対向するようにしてガラスボ
ンデイングによつて一体に接合する。そして同図
に記した一点鎖線に沿つて切断することにより、
磁気ヘツドを組立てる。

この従来提案された磁気ヘツドは、トラツク幅
が20〜30μm程度のVTR用の磁気ヘツドとして設
計されたものである。このように大きいトラツク
幅を有する磁気ヘツドを作製するため、第１６図
に示すごとく、磁性薄膜６は溝８や突条９の長手
方向に対して一様に形成する。従つて、第１８図
および第１９図に示すごとく、突条９の尖端部上
にある磁性薄膜６を平坦に研摩した平坦部１１
は、トラツク幅twに相当する幅で長手方向に一
定となつている。このように形成された一つのブ
ロツクは、第２１図に示すごとく磁性膜のトラツ
ク幅twが互いに対向するようにして一体に接合
される。このようなトラツク幅部の位置決めは記
録媒体と対向する側で行なわれる。

ところが、この磁気ヘツドのトラツク幅が
10μm以下の狭トラツク磁気ヘツドに適用する場
合には、次のような問題点がある。

第２２図から第２４図はその一例を示す図であ
る。これらの図に示すヘツドコアは、第２１図に
示すブロツクからスライスされた磁気ヘツドコア
である。第２２図は記録媒体に対向する側から見
た平面図、第２３図はその反対側から見た平面
図、第２４図は第２２図および第２３図のＡ−Ａ
線上の断面図である。第２４図に示すブロツク
は、第１９図および第２０図に示した２つのブロ
ツクを磁性薄膜６の一部がトラツク幅twに等し
くなるように研摩された平坦部１１を互いに突き
合せて一体に接合されたものである。その時の位
置決めは、第２２図に示す記録媒体対向面側で行
なわれる。従つて、記録媒体対向面側では精度よ
く位置決めすることができる。しかし、その反対
側では、ブロツク加工の時の寸法ずれや、突き合
せ作業の時の位置ずれが起つた時に、第２４図に
示すように磁性薄膜６の平坦部１１を全面で突き
合さすことができないことがある。その場合に
は、反対側で位置ずれを起すために反対側での接
合面積が斜線部で示すように少なくなつてしま
う。その結果、コアの反対側から見た接合部は、
第２３図に示すように、磁性薄膜６の平坦部１１
が互いにずれた形状になる。このような問題が起
ると、磁気ヘツドを構成する磁路の磁気抵抗が大
きくなるため、記録特性および再生特性を著しく
劣化させる原因となる。また、たとえ記録再生特
性が得られても、特性のばらつきが大きくなり、
複数のヘツドと組合せて用いる場合にも組合せ作
業が困難となる。この問題は、従来のトラツク幅
が広い磁気ヘツドにおいては若干のずれがあつて
もあまりヘツド特性に影響が現われなかつたが、
狭トラツク化された20〜30μm以下の磁気ヘツド
では特性劣化が起つてしまう。このような現象が
起ると、磁気ヘツドコアのインダクタンスのばら
つきが大きくなる。特にインダクタンスの小さい
磁気ヘツドを分解すると後部での磁性薄膜の接合
面積が狭くなつていることがわかつた。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述した従来技術の欠点を解
消し、優れた磁気特性を有する狭トツク磁気ヘツ
ドを提供することにある。

〔発明の概要〕

この目的を達成するため、本発明は、磁気ギヤ
ツプを介して２つのコア半体を接合してなる磁気
ヘツドで、そのコア半体が、磁気ギヤツプと対向
する方の側面が磁気ギヤツプ面に対して傾斜した
両側面をもつ突出部を形成したコア基体と、その
コア基体の磁気ギヤツプと対向する方の側面に被
着された高飽和磁束密度を有する磁性材料よりな
る磁性薄膜とを備えるものにおいて、少なくとも
一方のコア半体に被着された磁性薄膜が磁気ギヤ
ツプ対向面側よりも後部接合面側を厚くし、前記
コア基体に設けられた突出部の磁性薄膜に平坦部
を形成した時に、平坦部の幅が前記磁気ギヤツプ
対向面側よりも後部接合面側の方を広くしてなる
ことを特徴とするものである。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面にもとづいて説
明する。

第１図は本発明の第１実施例に係る磁気ヘツド
の平面図である。第２図および第３図は第１図Ｂ
−Ｂ線上（磁気ギヤツプ突き合せ面）のそれぞれ
の断面図である。

第１図において、磁気ヘツド３０は、主とし
て、第１コア半体３１と、それと対向する第２コ
ア半体３２と、第１コア半体３１に設けたコイル
溝を通して巻装される励磁コイル４０とから構成
されている。３７はガラスなどの非磁性体からな
る補強層で、第１コア半体３１と第２コア半体３
２の接合部近傍に設けられている。第１コア半体
３１は、磁気ギヤツプ４１と対向する側面のほぼ
中央に山形の突出部３８を有する第１コア基体３
３と、前記側面に被着された第１磁性薄膜３５と
から構成されている。

前記第１コア基体３３には、例えばマンガン−
亜鉛フエライトやニツケル−亜鉛フエライトのよ
うな高透磁率を有するフエライトが用いられる。
場合によつては非磁性材料でもよい。この場合に
は前記磁性薄膜３５と３６で磁気回路が構成され
るようにする。なお、コア基体を高透磁率を有す
るフエライトにした場合には磁性薄膜で磁路が構
成されていてもよく、磁性薄膜と高透磁率フエラ
イトで構成されてもよい。

一方、前記第１磁性薄膜３５には、高飽和磁束
密度ならびに高透磁率を有する結晶質合金や非晶
質合金が用いられる。この結晶質合金としては鉄
−アルミニウム−ケイ素合金、鉄−ケイ素系合金
ならびに鉄−ニツケル合金などがある。また非晶
質合金としては、鉄，ニツケル，コバルトのグル
ープから選択された１種以上の元素と、リン，炭
素，ホウ素，ケイ素のグループから選択された１
種以上の元素とからなる合金、またはこれを主成
分として、アルミニウム，ゲルマニウム，ベリリ
ウム，錫，モブデン，インジユウム，タングステ
ン，チタン，マンガン，クロム，ジルコニウム，
ハフニウム，ニオブなどの元素を添加した合金、
あるいはコバルト，ジルコニウムを主成分とし
て、前記の添加物元素を含んだ合金などがある。
さらに、磁歪の調整、結晶化温度の調整等に少量
の金，銀，白金，ルテニウム等の貴金属元素を添
加する場合がある。

第２コア半体３２も、第１コア半体３１と同様
に、磁気ギヤツプ４１と対向する側面のほぼ中央
に山形の突出部３９を有する高透磁率のフエライ
トからなる第２コア基体３４と、それの前記側面
に被着された高飽和磁束密度と高透磁率を有する
金属磁性材料よりなる第２磁性薄膜３６とから構
成されている。第１図に示すように第１コア半体
３１側の突出部３８ならびに第１磁性薄膜３５と
第２コア半体３２側の突出部３９ならびに第２磁
性薄膜３６とは、接合部近傍の形状が磁気ギヤツ
プ４１を介してほぼ対称になつている。この磁気
ギヤツプ部４１は、約５〜30μm程度のトラツク
幅に相当する長さを有している。なお、磁気ギヤ
ツプは0.1〜0.3μm程度となつている。

なお、第１図に示すコア基体の突出部、すなわ
ち、頂角θは特に規制するものではないが、30〜
90度の範囲が好適である。この頂角θが30度以下
になると突出部の機械的強度が弱くなり、加工中
に突出部の欠落が多くなつて生産歩留りが悪くな
る。また、頂角θが90度を超えると磁性薄膜３
５，３６を被着した後、磁性薄膜の尖端部を研摩
してトラツク幅に等しい平坦部を形成するとき
に、研摩代が多少ばらついても幅寸法のばらつき
が大きくなり、トラツク幅制御が難かしい、等の
欠点がある。以下に本発明の詳細説明をする。な
お、本発明における同一部品は同一番号および記
号で記す。

第２図および第３図は本発明の主要部を説明す
る図であり、第１図の磁気ヘツド３０におけるＢ
−Ｂ線上で切断した断面図である。第２図は第１
コア半体３１における磁気ギヤツプ対向面、第３
図は第２コア半体３２における磁気ギヤツプ対向
面である。

第２図に示すように磁性薄膜３５，３５′で構
成される平坦部において、磁気ギヤツプを形成す
る平坦部３５（図の上部）の幅twよりも、後部
平坦部３５′（図の下部）の幅twを広くしてお
く。

この場合、磁性薄膜の平坦部３５の幅twはト
ラツク幅に相当する。本実施例では幅twを10μm
とし、後部平坦部３５′の幅Twは15〜20μm（tw
の1.5〜２倍）とした。

これに対して、第３図に示す第２のコア半体３
２の磁性薄膜で構成される平坦部３６の幅tw′は
twと同等とし、後部まで一定とした。

第４図は第２図の第１コア半体３１の上に第３
図の第２コア半体３２を突き合せた時の磁性薄膜
３５，３５′と３６の位置関係を示す図である。
すなわち、第４図の点線部が第３図の磁性薄膜３
６を示し、第２図の磁性薄膜３５，３５′に位置
ずれを起して突き合された状態を示す。第４図か
ら明らかなように、第２図の第１コアにおいて上
部磁性薄膜３５の幅twよりも下部磁性薄膜３
５′の幅Twを広くしておくことによつて、第３
図の第２コア半体の磁性薄膜部３６が位置ずれを
起して突き合されても、その接合面積（斜線部）
は変つていない。このようにすれば、第１コア半
体３１と第２コア半体３２を突き合せた時に常に
磁性薄膜部の対向面積が一定となる。その結果、
磁気コアのインダクタンスを一定に保つことがで
き、磁気ヘツドの記録再生特性のばらつきを少な
くすることができる。

なお、第１コア半体３１の上部磁性薄膜３５の
幅twに対して下部磁性薄膜３５′の幅Twは1.5〜
２倍程度にしておくことが好ましい。Twが1.5倍
以下であると互いにコア半体ブロツクの加工精
度、ならびに位置合せ精度がきびしくなり生産歩
留りが悪くなる。また、Twがtwの２倍以上とす
ると、磁性薄膜の被着時間が２倍以上になり生産
性が悪い。

次に、本発明の第２の実施例を第５図および第
６図によつて説明する。第５図は第１コア半体３
１を、第６図は第２コア半体３２を示し、それぞ
れ、第１図磁気コアのＢ−Ｂ線上の断面図を示
す。

第５図において、磁性薄膜３５，３５′の幅は
twとし一定とした。これに対し、第６図の磁性
薄膜３６の幅tw′は少なくともギヤツプ深さとな
るG_dまで一定とし、それ以外の部分をtw′の1.5〜
２倍の幅Twとした。このようにすれば、前記第
１実施例で説明した方法と同じ効果を得ることが
できる。

なお、第１コア半体のtwと第２コア半体tw′は
同一幅としてもよく、所要のトラツク幅をtwと
すれば、tw′を若干広くしておくと位置合せが容
易である。その許容幅は装置仕様によつて異なる
が、記録された隣接の信号もしくは隣々接信号が
再生時に悪影響をおよぼさない程度にすればよ
い。例えば、tw′はtwの両端に出る幅を２〜3μm
以内にすることが好ましい。

次に、本発明の磁気ヘツドの製造方法の一実施
例を第７図〜第１２図により説明する。第７図に
示すように第１コア半体３１を構成するフエライ
トブロツクの片面に、接近して一対の溝４４，４
４を平行に設け、この溝４４の間に尖つた先端部
（頂部）を有する突条３８が形成される。次にこ
の溝４４や突条３８を形成した側の表面に蒸着や
スパツタリングなどの薄膜製造技術をもつて高飽
和磁束密度で透磁率の高い磁性材料よりなる磁性
薄膜３５を一様に被着する。なお、突条部側面に
おける磁性薄膜３５の厚みは約10μmとした。

また、第２コア半体３２（図示せず）も同様の
工程によつて行なわれる。

ついで第８図に示すようにコイル巻線溝４２を
有する第１コア半体３１と別の第１コア半体３
１′とを近接して並べ、先端磁気ギヤツプ形成側
の面をマスク４３でおおい、後部突き合せ面に再
び磁性薄膜３５′を約10μm被着する。従つて、磁
性薄膜の厚みは先端磁気ギヤツプ形成側よりも後
部突き合せ面の方が約２倍厚くなつている。

次に、第９図にに示すように、磁性薄膜３５，
３５′の上にガラスなどの非磁性体からなる補強
層３７を比較的厚めに設け、しかる後、同図に一
実鎖線で示す位置まで研摩する。研摩は第１０図
に示すように突条３８の尖端部にある磁性薄膜３
５の一部が先端磁気ギヤツプ形成側で幅tw（トラ
ツク幅に相当）となる平坦部を形成するまで行な
われる。本実施例ではtwを10μmとした。この
時、後部突き合せ面の磁性薄膜の幅はあらかじめ
２倍の厚みに被着されているので約２倍のtwと
なる（第２図参照）。この状態を示すのが第１１
図および第１２図である。第１１図は第１コア半
体ブロツク、第１２図は第２コア半体ブロツクの
斜視図である。このような第１コア半体ブロツク
と第２コア半体ブロツクの表面に所定の磁気ギヤ
ツプを得るために非磁の薄膜を被着した後それぞ
れの磁性薄膜部tw，tw′が互いに対向するように
して一体に接合する。これを切断することによつ
て第１図に示すような磁気ヘツドを複数個得るこ
とができる。

上記に述べた実施例は１例であり、本発明は磁
性薄膜を磁気回路とする他の変形型磁気ヘツドに
ついても適用できることは説明するまでもないこ
とである。

〔発明の効果〕

以上に説明したごとく、本発明は前述のような
構成になつており、20〜30μm以下の狭トラツク
幅の磁気ヘツドにおいても磁気ヘツドの加工、組
立が容易で記録再生特性のばらつきが少ない磁気
ヘツドを得ることができる。さらに、高飽和磁束
密度を有する磁性薄膜の特性が十分発揮でき、優
れた磁気特性を有する磁気ヘツドが得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第一の実施例に係る磁気ヘツ
ドの平面図、第２図、第３図および第４図はそれ
ぞれ本発明の第一の実施例を説明するためのコア
半体断面図、第５図、第６図は本発明の第２実施
例を説明するための第１図Ｂ−Ｂ線上のコア半体
断面図、第７図、第８図、第９図、第１０図、第
１１図、および第１２図は本発明による磁気ヘツ
ド製造工程図、第１３図、第１４図はそれぞれ従
来提案された磁気ヘツドの構成を説明するための
一部平面図および一部断面図、第１５図、第１６
図、第１７図、第１８図、第１９図、第２０図お
よび第２１図は従来の磁気ヘツドの製造工程を示
す説明図、第２２図、第２３図、第２４図は従来
法による磁気ヘツドの一部平面図および一部断面
図である。 ３０…磁気ヘツド、３１…第１コア半体、３２
…第２コア半体、３８，３９…突出部、３３…第
１コア基体、３４…第２コア基体、３５，３５′，
３６…磁性薄膜、４１…磁気ギヤツプ、４２…コ
イル巻線用溝。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 磁気ギヤツプを介して２つのコア半体が接合
   され、そのコア半体が、磁気ギヤツプと対向する
   方の側面が磁気ギヤツプ面に対して傾斜した両側
   面をもつ突出部を形成したコア基体と、そのコア
   基体の磁気ギヤツプと対向する方の側面に被着さ
   れた高飽和磁束密度を有する磁性材料よりなる磁
   性薄膜とを備えるものにおいて、少なくとも一方
   のコア半体に被着された磁性薄膜が磁気ギヤツプ
   対向面側よりも後部接合面側を厚くし、前記コア
   基体に設けられた突出部の磁性薄膜に平坦部を形
   成した時に、平坦部の幅が前記磁気ギヤツプ対向
   面側よりも後部接合面側が広く形成してなること
   を特徴とする磁気ヘツド。