JPH0555303A - 電子部品装置 - Google Patents
電子部品装置Info
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- JPH0555303A JPH0555303A JP21843791A JP21843791A JPH0555303A JP H0555303 A JPH0555303 A JP H0555303A JP 21843791 A JP21843791 A JP 21843791A JP 21843791 A JP21843791 A JP 21843791A JP H0555303 A JPH0555303 A JP H0555303A
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- resin
- substrate
- acoustic wave
- surface acoustic
- bonding pad
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 弾性表面波素子のように表面の活性層を樹脂
で覆うことのできない素子においても、高密度実装を可
能とする。 【構成】 表面にデバイス機能部およびボンディングパ
ッドが形成された素子と、表面に前記素子のボンディン
グパッドと対応する配線パターンを有する基板とを、前
記素子のボンディングパッドと前記基板の対応する配線
パターンとを一致させ、かつ前記デバイス機能部と前記
基板との間に空隙部を設けて、直接または他の導電性物
質を介して当接するとともに、前記素子と前記基板とを
硬化性樹脂により一体に包覆固定してなる電子部品装置
において、前記素子の前記デバイス機能部を囲んで前記
硬化性樹脂の流入を阻止するダムを設けた。
で覆うことのできない素子においても、高密度実装を可
能とする。 【構成】 表面にデバイス機能部およびボンディングパ
ッドが形成された素子と、表面に前記素子のボンディン
グパッドと対応する配線パターンを有する基板とを、前
記素子のボンディングパッドと前記基板の対応する配線
パターンとを一致させ、かつ前記デバイス機能部と前記
基板との間に空隙部を設けて、直接または他の導電性物
質を介して当接するとともに、前記素子と前記基板とを
硬化性樹脂により一体に包覆固定してなる電子部品装置
において、前記素子の前記デバイス機能部を囲んで前記
硬化性樹脂の流入を阻止するダムを設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波装置などの
電子部品装置に関する。
電子部品装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子部品装置の実装には、合金は
んだ付方式が使用されてきた。しかし、電子機器の軽薄
短小化、大容量化、低コスト化に伴い電子部品装置の高
密度実装化が要求されるようになってきた。
んだ付方式が使用されてきた。しかし、電子機器の軽薄
短小化、大容量化、低コスト化に伴い電子部品装置の高
密度実装化が要求されるようになってきた。
【０００３】これに対応するため電子部品装置において
は、セラミックやガラス基板上に直接素子を実装する方
法が開発されている。たとえば、基板の配線パターンと
素子とを導電性接着剤によって接続したもの、導電性メ
ッキ樹脂ボールによって接続したものまたは金属性バン
プによるダイレクト接続などが開発されている。
は、セラミックやガラス基板上に直接素子を実装する方
法が開発されている。たとえば、基板の配線パターンと
素子とを導電性接着剤によって接続したもの、導電性メ
ッキ樹脂ボールによって接続したものまたは金属性バン
プによるダイレクト接続などが開発されている。
【０００４】そのなかの一例として配線基板上に半導体
集積回路素子を金属性バンプによりダイレクト接続する
場合について図３を用いて説明する。
集積回路素子を金属性バンプによりダイレクト接続する
場合について図３を用いて説明する。
【０００５】図３において、絶縁性基板の両表面上に導
電性の配線パターン２を有する配線基板１上に半導体素
子４が形成され、この半導体素子４の一主面には集積回
路パターン４ａと、この集積回路パターンに信号および
電源を供給するためのボンディングパッド４ｂが形成さ
れている。また半導体素子４は、この半導体素子４の一
主面が配線基板１と向かい合うように設置されており、
ボンディングパッド４ｂと配線基板１上の配線パターン
２とは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）等で構成された導電性
のバンプ６により電気的に接続されている。半導体素子
４全体を覆い集積回路パターン４ａを保護し、また、パ
ンプ６による半導体素子４と配線基板１との接続部を保
護するため、エポキシ等の樹脂材料７が使用されてい
る。樹脂７が硬化するまでにこの樹脂７が流れることを
防ぐ目的で設けられたダム３はポリイミド樹脂等で形成
され、半導体素子４を取り囲む形で設けられている。
電性の配線パターン２を有する配線基板１上に半導体素
子４が形成され、この半導体素子４の一主面には集積回
路パターン４ａと、この集積回路パターンに信号および
電源を供給するためのボンディングパッド４ｂが形成さ
れている。また半導体素子４は、この半導体素子４の一
主面が配線基板１と向かい合うように設置されており、
ボンディングパッド４ｂと配線基板１上の配線パターン
２とは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）等で構成された導電性
のバンプ６により電気的に接続されている。半導体素子
４全体を覆い集積回路パターン４ａを保護し、また、パ
ンプ６による半導体素子４と配線基板１との接続部を保
護するため、エポキシ等の樹脂材料７が使用されてい
る。樹脂７が硬化するまでにこの樹脂７が流れることを
防ぐ目的で設けられたダム３はポリイミド樹脂等で形成
され、半導体素子４を取り囲む形で設けられている。
【０００６】この図３のような方法を用いることによ
り、半導体集積回路素子を直接配線基板上にマウント・
接続することができ、回路基板に電子部品を高密度に実
装し小型化することができる。
り、半導体集積回路素子を直接配線基板上にマウント・
接続することができ、回路基板に電子部品を高密度に実
装し小型化することができる。
【０００７】一方、弾性表面波素子は、たとえば圧電性
基板上に形成されたくし歯型電極部の入力インターデジ
タルトランスジューサに電気信号を印加し、これを弾性
表面波に変換して圧電性基板上を伝搬させ、さらにくし
歯型電極部の出力インターデジタルトランスジューサに
到達した弾性表面波を再度電気信号に変換して外部に取
り出すように構成されている。
基板上に形成されたくし歯型電極部の入力インターデジ
タルトランスジューサに電気信号を印加し、これを弾性
表面波に変換して圧電性基板上を伝搬させ、さらにくし
歯型電極部の出力インターデジタルトランスジューサに
到達した弾性表面波を再度電気信号に変換して外部に取
り出すように構成されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図３のような方法は、
半導体素子のように素子の表面部分を保護膜により覆う
ことのできる場合には有効であるが、基板表面の弾性的
性質を利用する弾性表面波素子の場合には、素子全体を
覆う樹脂７が弾性表面波素子の活性表面まで流れ込み、
弾性表面波素子の性能を損なうため適用することができ
ない。
半導体素子のように素子の表面部分を保護膜により覆う
ことのできる場合には有効であるが、基板表面の弾性的
性質を利用する弾性表面波素子の場合には、素子全体を
覆う樹脂７が弾性表面波素子の活性表面まで流れ込み、
弾性表面波素子の性能を損なうため適用することができ
ない。
【０００９】本発明は、弾性表面波素子のように表面の
活性層を樹脂で覆うことのできない素子を使用した場合
においても、高密度実装することのできる電子部品装置
を提供しようとするものである。
活性層を樹脂で覆うことのできない素子を使用した場合
においても、高密度実装することのできる電子部品装置
を提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の電子部品装置
は、表面にデバイス機能部およびボンディングパッドが
形成された素子と、表面に前記素子のボンディングパッ
ドと対応する配線パターンを有する基板とを、前記素子
のボンディングパッドと前記基板の対応する配線パター
ンとを一致させ、かつ前記デバイス機能部と前記基板と
の間に空隙部を設けて、直接または他の導電性物質を介
して当接するとともに、前記素子と前記基板とを硬化性
樹脂により一体に包覆固定してなる電子部品装置におい
て、前記素子の前記デバイス機能部を囲んで前記硬化性
樹脂の流入を阻止するダムを設けたことを特徴とする。
は、表面にデバイス機能部およびボンディングパッドが
形成された素子と、表面に前記素子のボンディングパッ
ドと対応する配線パターンを有する基板とを、前記素子
のボンディングパッドと前記基板の対応する配線パター
ンとを一致させ、かつ前記デバイス機能部と前記基板と
の間に空隙部を設けて、直接または他の導電性物質を介
して当接するとともに、前記素子と前記基板とを硬化性
樹脂により一体に包覆固定してなる電子部品装置におい
て、前記素子の前記デバイス機能部を囲んで前記硬化性
樹脂の流入を阻止するダムを設けたことを特徴とする。
【００１１】本発明の電子部品装置を構成する基板は、
実装方式の相違により、表面のみに、または表面と裏面
の両面にわたって配線パターンを形成することができ
る。
実装方式の相違により、表面のみに、または表面と裏面
の両面にわたって配線パターンを形成することができ
る。
【００１２】本発明において、デバイス機能部とは、集
積回路パターンやくし歯型電極パターン等の素子機能を
発揮する部分をいい、ボンディングパッドとは、この集
積回路パターンやくし歯型電極パターンに信号等を供給
する導体をいう。また、デバイス機能部とボンディング
パッドはひとつの面に形成されていることが好ましい。
特に、弾性表面波素子においては、空隙部を確保するた
めにひとつの面にくし歯型電極パターンとボンディング
パッドを形成することが必要となる。
積回路パターンやくし歯型電極パターン等の素子機能を
発揮する部分をいい、ボンディングパッドとは、この集
積回路パターンやくし歯型電極パターンに信号等を供給
する導体をいう。また、デバイス機能部とボンディング
パッドはひとつの面に形成されていることが好ましい。
特に、弾性表面波素子においては、空隙部を確保するた
めにひとつの面にくし歯型電極パターンとボンディング
パッドを形成することが必要となる。
【００１３】配線パターンとボンディングパッドとを当
接する際に使用される導電性物質には、導電性メッキ樹
脂ボールや、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）等からなる金属バ
ンプ等がある。これら導電性物質は、基板と素子とを所
定の圧力で当接することにより配線パターンとボンディ
ングパッドとを電気的に接続すると共に、デバイス機能
部と基板との間に空隙部を確保する役割をはたすことに
なる。一定の空隙部を確保するためには金や銀等からな
る金属バンプが導電性物質として特に好ましい。 な
お、配線パターンまたはボンディングパッドの厚みを厚
くした場合、直接、配線パターンとボンディングパッド
とを当接することもできる。
接する際に使用される導電性物質には、導電性メッキ樹
脂ボールや、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）等からなる金属バ
ンプ等がある。これら導電性物質は、基板と素子とを所
定の圧力で当接することにより配線パターンとボンディ
ングパッドとを電気的に接続すると共に、デバイス機能
部と基板との間に空隙部を確保する役割をはたすことに
なる。一定の空隙部を確保するためには金や銀等からな
る金属バンプが導電性物質として特に好ましい。 な
お、配線パターンまたはボンディングパッドの厚みを厚
くした場合、直接、配線パターンとボンディングパッド
とを当接することもできる。
【００１４】本発明においては、当接された基板と素子
とを硬化性樹脂により覆い固めることにより基板上に実
装するが、素子上に形成されているデバイス機能部の周
囲にダムを設けることにより、デバイス機能部表面に確
保された空隙部に硬化性樹脂が流れ込むことを防ぐこと
ができる。
とを硬化性樹脂により覆い固めることにより基板上に実
装するが、素子上に形成されているデバイス機能部の周
囲にダムを設けることにより、デバイス機能部表面に確
保された空隙部に硬化性樹脂が流れ込むことを防ぐこと
ができる。
【００１５】なお、硬化性樹脂にはエポキシ樹脂のよう
な熱硬化性樹脂を使用することができる。
な熱硬化性樹脂を使用することができる。
【００１６】デバイス機能部の周囲に設けるダムは、デ
バイス機能部の全体を取り囲むように基板上または素子
上に形成される。形成方法としては、たとえば、感光性
ポリイミド樹脂などを用いたフォトリソグラフィ法など
がある。
バイス機能部の全体を取り囲むように基板上または素子
上に形成される。形成方法としては、たとえば、感光性
ポリイミド樹脂などを用いたフォトリソグラフィ法など
がある。
【００１７】デバイス機能部の周囲に設けるダムの高さ
は、確保されるべき空隙部に硬化前のエポキシ樹脂など
が流れ込まない程度であればよい。特に、樹脂の表面張
力を利用して樹脂などが流れ込むのを防ぐことができる
高さが、基板と素子とを当接しやすくなるため好まし
い。
は、確保されるべき空隙部に硬化前のエポキシ樹脂など
が流れ込まない程度であればよい。特に、樹脂の表面張
力を利用して樹脂などが流れ込むのを防ぐことができる
高さが、基板と素子とを当接しやすくなるため好まし
い。
【００１８】
【作用】デバイス機能部の周囲にダムを設けたことによ
り、特に、弾性表面波素子の活性表面に樹脂が流れ込む
のを防ぐことができる。また樹脂自身の表面張力を利用
することにより、ダムの高さを空隙部より低くすること
ができ、基板と素子とを当接しやすくできる。
り、特に、弾性表面波素子の活性表面に樹脂が流れ込む
のを防ぐことができる。また樹脂自身の表面張力を利用
することにより、ダムの高さを空隙部より低くすること
ができ、基板と素子とを当接しやすくできる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明を弾性表面波装置に利用した一
実施例について図を参照して説明する。
実施例について図を参照して説明する。
【００２０】図１において、配線基板１は絶縁性基板の
両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。
両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。
【００２１】弾性表面波素子５の一主面にはくし歯型電
極パターン５ａと、このくし歯型電極パターンに信号を
供給するためのボンディングパッド５ｂが形成されてい
る。また、弾性表面波素子５のくし歯型電極パターン５
ａが形成された面と配線基板１とは向かい合うように設
置されている。
極パターン５ａと、このくし歯型電極パターンに信号を
供給するためのボンディングパッド５ｂが形成されてい
る。また、弾性表面波素子５のくし歯型電極パターン５
ａが形成された面と配線基板１とは向かい合うように設
置されている。
【００２２】ボンディングパッド５ｂと配線基板１上の
配線パターン２とは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）等で構成
された導電性のバンプ６により電気的に接続されてい
る。
配線パターン２とは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）等で構成
された導電性のバンプ６により電気的に接続されてい
る。
【００２３】バンプ６による弾性表面波素子５と配線基
板１との接続部および弾性表面波素子５はエポキシ等の
樹脂材料７で保護されている。
板１との接続部および弾性表面波素子５はエポキシ等の
樹脂材料７で保護されている。
【００２４】また、弾性表面波素子５を取り囲む形で樹
脂７が硬化するまでにこの樹脂が流れてしまうことを防
ぐ目的でポリイミド樹脂等で形成されたダム３が設けら
れている。
脂７が硬化するまでにこの樹脂が流れてしまうことを防
ぐ目的でポリイミド樹脂等で形成されたダム３が設けら
れている。
【００２５】さらに、弾性表面波素子５のくし歯型電極
が素子全体を覆う樹脂７で覆われることを防ぐために、
弾性表面波素子５のくし歯型電極パターン５ａと配線基
板１とが向かい合い、かつバンプ６により作られる空洞
部８内の周辺部分の配線基板１上にポリイミド樹脂によ
り形成されたダム９が設けられている。このダム９によ
り、樹脂７が硬化するまでに空洞部８内にこの樹脂が流
れ込むことを防ぐことができる。
が素子全体を覆う樹脂７で覆われることを防ぐために、
弾性表面波素子５のくし歯型電極パターン５ａと配線基
板１とが向かい合い、かつバンプ６により作られる空洞
部８内の周辺部分の配線基板１上にポリイミド樹脂によ
り形成されたダム９が設けられている。このダム９によ
り、樹脂７が硬化するまでに空洞部８内にこの樹脂が流
れ込むことを防ぐことができる。
【００２６】これにより、従来、半導体等の活性表面を
保護膜で覆うことのできる素子でしか適用できなかった
従来の高密度実装技術を、表面を保護膜で覆うことので
きない弾性表面波素子にも適用することができた。
保護膜で覆うことのできる素子でしか適用できなかった
従来の高密度実装技術を、表面を保護膜で覆うことので
きない弾性表面波素子にも適用することができた。
【００２７】つぎに、本発明の弾性表面波素子の他の実
施例を図２を用いて説明する。
施例を図２を用いて説明する。
【００２８】図２において、配線基板１は絶縁性基板の
両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。
両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。
【００２９】弾性表面波素子５の一主面にはくし歯型電
極パターン５ａと、このくし歯型電極パターンに信号を
供給するためのボンディングパッド５ｂが形成されてい
る。また、弾性表面波素子５のくし歯型電極パターン５
ａが形成された面と配線基板１とは向かい合うように設
置されている。
極パターン５ａと、このくし歯型電極パターンに信号を
供給するためのボンディングパッド５ｂが形成されてい
る。また、弾性表面波素子５のくし歯型電極パターン５
ａが形成された面と配線基板１とは向かい合うように設
置されている。
【００３０】ボンディングパッド５ｂと配線基板１上の
配線パターン２とは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）等で構成
された導電性のバンプ６により電気的に接続されてい
る。
配線パターン２とは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）等で構成
された導電性のバンプ６により電気的に接続されてい
る。
【００３１】バンプ６による弾性表面波素子５と配線基
板１との接続部および弾性表面波素子５はエポキシ等の
樹脂材料７で保護されている。
板１との接続部および弾性表面波素子５はエポキシ等の
樹脂材料７で保護されている。
【００３２】また、弾性表面波素子５を取り囲む形で樹
脂７が硬化するまでにこの樹脂が流れてしまうことを防
ぐ目的でポリイミド樹脂等で形成されたダム３が設けら
れている。
脂７が硬化するまでにこの樹脂が流れてしまうことを防
ぐ目的でポリイミド樹脂等で形成されたダム３が設けら
れている。
【００３３】さらに、弾性表面波素子５のくし歯型電極
が素子全体を覆う樹脂７で覆われることを防ぐために、
弾性表面波素子５のくし歯型電極パターン５１と配線基
板１とが向かい合い、かつバンプ６により作られる空洞
部８内の周辺部分の弾性表面波素子５のくし歯型電極パ
ターン５１の設けられた一主面上にくし歯型電極パター
ンを避ける形で設けられたポリイミド樹脂により形成さ
れたダム９が設けられている。このダム９により、樹脂
７が硬化するまでに空洞部８内にこの樹脂が流れ込むこ
とを防ぐことができる。
が素子全体を覆う樹脂７で覆われることを防ぐために、
弾性表面波素子５のくし歯型電極パターン５１と配線基
板１とが向かい合い、かつバンプ６により作られる空洞
部８内の周辺部分の弾性表面波素子５のくし歯型電極パ
ターン５１の設けられた一主面上にくし歯型電極パター
ンを避ける形で設けられたポリイミド樹脂により形成さ
れたダム９が設けられている。このダム９により、樹脂
７が硬化するまでに空洞部８内にこの樹脂が流れ込むこ
とを防ぐことができる。
【００３４】これにより図１の実施例と同様に弾性表面
波素子の高密度実装化を可能にできた。
波素子の高密度実装化を可能にできた。
【００３５】
【発明の効果】本発明の電子部品装置は、配線パターン
が形成されている基板上に表面にデバイス機能部および
ボンディングパッドが形成された素子を直接または他の
導電性物質を介して当接すると共に、デバイス機能部の
周囲にダムを設けることにより、デバイス機能部と基板
との間に空隙部を設けたので、弾性表面波素子のような
電子部品装置の高密度実装化を可能にすることができ
る。
が形成されている基板上に表面にデバイス機能部および
ボンディングパッドが形成された素子を直接または他の
導電性物質を介して当接すると共に、デバイス機能部の
周囲にダムを設けることにより、デバイス機能部と基板
との間に空隙部を設けたので、弾性表面波素子のような
電子部品装置の高密度実装化を可能にすることができ
る。
【図１】本発明の弾性表面波装置の断面図である。
【図２】本発明の他の実施例の断面図である。
【図３】従来技術を半導体を例に示した構造の断面図で
ある。
ある。
１………配線基板、２………配線パターン、３………樹
脂７が流れることを防ぐ目的で設けられたダム、４……
…半導体素子、４ａ………集積回路パターン、４ｂ……
…ボンディングパッド、５………弾性表面波素子、５ａ
………くし歯型電極パターン、５ｂ………ボンディング
パッド、６………導電性のバンプ、７………樹脂、８…
……空洞部、９………空洞部８内にこの樹脂が流れ込む
ことを防ぐ目的で設けられたダム。
脂７が流れることを防ぐ目的で設けられたダム、４……
…半導体素子、４ａ………集積回路パターン、４ｂ……
…ボンディングパッド、５………弾性表面波素子、５ａ
………くし歯型電極パターン、５ｂ………ボンディング
パッド、６………導電性のバンプ、７………樹脂、８…
……空洞部、９………空洞部８内にこの樹脂が流れ込む
ことを防ぐ目的で設けられたダム。
Claims (1)
- 【請求項１】 表面にデバイス機能部およびボンディン
グパッドが形成された素子と、表面に前記素子のボンデ
ィングパッドと対応する配線パターンを有する基板と
を、前記素子のボンディングパッドと前記基板の対応す
る配線パターンとを一致させ、かつ前記デバイス機能部
と前記基板との間に空隙部を設けて、直接または他の導
電性物質を介して当接するとともに、前記素子と前記基
板とを硬化性樹脂により一体に包覆固定してなる電子部
品装置において、前記素子の前記デバイス機能部を囲ん
で前記硬化性樹脂の流入を阻止するダムを設けたことを
特徴とする電子部品装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21843791A JP3207222B2 (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 電子部品装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21843791A JP3207222B2 (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 電子部品装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555303A true JPH0555303A (ja) | 1993-03-05 |
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