JPH0555179A - 多層レジストのパターニング方法 - Google Patents
多層レジストのパターニング方法Info
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- JPH0555179A JPH0555179A JP21524891A JP21524891A JPH0555179A JP H0555179 A JPH0555179 A JP H0555179A JP 21524891 A JP21524891 A JP 21524891A JP 21524891 A JP21524891 A JP 21524891A JP H0555179 A JPH0555179 A JP H0555179A
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- Japan
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- aluminum alloy
- etching
- etched
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多層レジスト法を用いてアルミニウム合金を
エッチングする工程で、コロージョンを発生させること
なく、垂直形状の寸法シフトを生じないマスクを形成し
て寸法制御性のよいパターニングを行うことを目的とす
る。 【構成】 多層レジスト法を用いてアルミニウム合金膜
をパターニングするに際して、前記多層レジストの下層
レジストと前記アルミニウム合金膜との間に酸素原子を
含むガスと塩素原子または臭素原子を含むガスでエッチ
ングされない膜を介在させ、前記下層レジストを少なく
とも酸素原子を含むガスと塩素原子または臭素原子を含
むガスでエッチングする。
エッチングする工程で、コロージョンを発生させること
なく、垂直形状の寸法シフトを生じないマスクを形成し
て寸法制御性のよいパターニングを行うことを目的とす
る。 【構成】 多層レジスト法を用いてアルミニウム合金膜
をパターニングするに際して、前記多層レジストの下層
レジストと前記アルミニウム合金膜との間に酸素原子を
含むガスと塩素原子または臭素原子を含むガスでエッチ
ングされない膜を介在させ、前記下層レジストを少なく
とも酸素原子を含むガスと塩素原子または臭素原子を含
むガスでエッチングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層レジストのパター
ニング方法に関する。特に、本発明は、半導体集積回路
の製造におけるアルミニウム合金のドライエッチング技
術に適用される、寸法制御性に優れた多層レジストのパ
ターニング方法に関する。
ニング方法に関する。特に、本発明は、半導体集積回路
の製造におけるアルミニウム合金のドライエッチング技
術に適用される、寸法制御性に優れた多層レジストのパ
ターニング方法に関する。
【０００２】近年、半導体集積回路の高集積化が進むに
つれて、より高精度な微細パターンを作成するための技
術が求められている。そのため、エッチング工程におい
ても、より寸法制御性の良いマスク材が要求されてい
る。このため、単層レジストを用い、波長の短い光また
は電子線による露光が提案されてきているが、現像後の
形状が完全な垂直形状とならないので、多層レジスト法
により垂直形状の寸法シフトのないマスクを形成する必
要がある。
つれて、より高精度な微細パターンを作成するための技
術が求められている。そのため、エッチング工程におい
ても、より寸法制御性の良いマスク材が要求されてい
る。このため、単層レジストを用い、波長の短い光また
は電子線による露光が提案されてきているが、現像後の
形状が完全な垂直形状とならないので、多層レジスト法
により垂直形状の寸法シフトのないマスクを形成する必
要がある。
【０００３】
【従来の技術】図４は、３層レジストを用いてパターニ
ングを行う従来の方法を示す工程図である。図４におい
て、13c は多層レジストを用いてエッチングされる被エ
ッチング膜、14c は下層レジスト、15c は中間層、そし
て16c は上層レジストである。最初に、下層レジスト14
cと、下層レジスト14c のエッチングに対してエッチン
グ耐性がある中間層15c とを塗布し、さらに微細パター
ンが形成できる上層レジスト16c を塗布し（図４(a))、
上層レジストを露光後現像し（図４(b))、上層レジスト
16c をマスクとして、ドライエッチング装置を用い、中
間層15c をエッチングし（図４(c))、上層レジスト16c
と中間層15c をマスクとして、下層レジスト14c のエッ
チングを行う（図４(d))。図４(d) において、上層レジ
スト16c は、下層レジスト14c のエッチング時にエッチ
ング耐性がないので、エッチングされ、最終的に図４
(d) に示すパターンが形成される。
ングを行う従来の方法を示す工程図である。図４におい
て、13c は多層レジストを用いてエッチングされる被エ
ッチング膜、14c は下層レジスト、15c は中間層、そし
て16c は上層レジストである。最初に、下層レジスト14
cと、下層レジスト14c のエッチングに対してエッチン
グ耐性がある中間層15c とを塗布し、さらに微細パター
ンが形成できる上層レジスト16c を塗布し（図４(a))、
上層レジストを露光後現像し（図４(b))、上層レジスト
16c をマスクとして、ドライエッチング装置を用い、中
間層15c をエッチングし（図４(c))、上層レジスト16c
と中間層15c をマスクとして、下層レジスト14c のエッ
チングを行う（図４(d))。図４(d) において、上層レジ
スト16c は、下層レジスト14c のエッチング時にエッチ
ング耐性がないので、エッチングされ、最終的に図４
(d) に示すパターンが形成される。
【０００４】図５は、２層レジストを用いてパターニン
グする従来の方法を示す工程図である。図５において、
13d は多層レジストを用いてエッチングされる被エッチ
ング膜、14d は下層レジスト、そして15d は上層レジス
トである。最初に、下層レジスト14d と、下層レジスト
14d のエッチングに対してエッチング耐性があり、微細
パターンが形成できる上層レジスト15d とを塗布し（図
５(a))、上層レジストを露光後現像し（図５(b))、上層
レジスト15d をマスクとして、下層レジスト14d のエッ
チングを行い、最終的に図５(c) に示すパターンが形成
される。
グする従来の方法を示す工程図である。図５において、
13d は多層レジストを用いてエッチングされる被エッチ
ング膜、14d は下層レジスト、そして15d は上層レジス
トである。最初に、下層レジスト14d と、下層レジスト
14d のエッチングに対してエッチング耐性があり、微細
パターンが形成できる上層レジスト15d とを塗布し（図
５(a))、上層レジストを露光後現像し（図５(b))、上層
レジスト15d をマスクとして、下層レジスト14d のエッ
チングを行い、最終的に図５(c) に示すパターンが形成
される。
【０００５】図４および図５に示す如き従来の多層レジ
スト法を用いてパターニングする工程において、下層レ
ジストをエッチングする工程においては、実用上のエッ
チング速度が得られ、しかも寸法制御性の優れたエッチ
ング方法として、酸素に塩素および臭化水素などのハロ
ゲン系ガスを添加する方法が行われていた。しかし、多
層レジストの下地がアルミニウム合金の場合には、下層
レジストを酸素に塩素および臭化水素などのハロゲン系
ガスを添加し、エッチングを行うと、下層レジストのエ
ッチング後に、コロージョンが発生するという欠点があ
った。
スト法を用いてパターニングする工程において、下層レ
ジストをエッチングする工程においては、実用上のエッ
チング速度が得られ、しかも寸法制御性の優れたエッチ
ング方法として、酸素に塩素および臭化水素などのハロ
ゲン系ガスを添加する方法が行われていた。しかし、多
層レジストの下地がアルミニウム合金の場合には、下層
レジストを酸素に塩素および臭化水素などのハロゲン系
ガスを添加し、エッチングを行うと、下層レジストのエ
ッチング後に、コロージョンが発生するという欠点があ
った。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の多層レ
ジスト法を用い、アルミニウム合金をパターニングする
方法で、下層レジストを酸素に塩素および臭化水素など
のハロゲン系ガスを添加してエッチングを行うと、コロ
ージョンが発生し、アルミニウム合金をパターニングす
る際に、かなりのオーバーエッチングをしなければなら
なかったり、コロージョン部分がマスクとなり、寸法通
りのエッチングができないといった問題があった。
ジスト法を用い、アルミニウム合金をパターニングする
方法で、下層レジストを酸素に塩素および臭化水素など
のハロゲン系ガスを添加してエッチングを行うと、コロ
ージョンが発生し、アルミニウム合金をパターニングす
る際に、かなりのオーバーエッチングをしなければなら
なかったり、コロージョン部分がマスクとなり、寸法通
りのエッチングができないといった問題があった。
【０００７】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たものであって、多層レジスト法を用い、アルミニウム
合金をエッチングする工程で、コロージョンを発生させ
ることなく、垂直形状の寸法シフトを生じないマスクを
形成して寸法制御性のよいパターニングを行うことので
きる方法を提供することを目的とする。
たものであって、多層レジスト法を用い、アルミニウム
合金をエッチングする工程で、コロージョンを発生させ
ることなく、垂直形状の寸法シフトを生じないマスクを
形成して寸法制御性のよいパターニングを行うことので
きる方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記課
題を解決するため、多層レジスト法を用いてアルミニウ
ム合金膜をパターニングするに際して、前記多層レジス
トの下層レジストと前記アルミニウム合金膜との間に酸
素原子を含むガスと塩素原子または臭素原子を含むガス
でエッチングされない膜を介在させ、前記下層レジスト
を少なくとも酸素原子を含むガスと塩素原子または臭素
原子を含むガスでエッチングすることを特徴とする多層
レジストのパターニング方法が提供される。具体的に
は、酸素に塩素原子を含むガス、例えば塩素、三塩化ホ
ウ素または四塩化ケイ素、または臭素原子を含むガス、
例えば臭素、臭化水素または三臭化ホウ素、で下層レジ
ストをエッチングする。また、好ましくは、酸素原子を
含むガスと塩素原子を含むガスまたは臭素原子を含むガ
スでエッチングされない膜として、Ti、TiN 、Siまたは
Ｗからなる膜が用いられる。
題を解決するため、多層レジスト法を用いてアルミニウ
ム合金膜をパターニングするに際して、前記多層レジス
トの下層レジストと前記アルミニウム合金膜との間に酸
素原子を含むガスと塩素原子または臭素原子を含むガス
でエッチングされない膜を介在させ、前記下層レジスト
を少なくとも酸素原子を含むガスと塩素原子または臭素
原子を含むガスでエッチングすることを特徴とする多層
レジストのパターニング方法が提供される。具体的に
は、酸素に塩素原子を含むガス、例えば塩素、三塩化ホ
ウ素または四塩化ケイ素、または臭素原子を含むガス、
例えば臭素、臭化水素または三臭化ホウ素、で下層レジ
ストをエッチングする。また、好ましくは、酸素原子を
含むガスと塩素原子を含むガスまたは臭素原子を含むガ
スでエッチングされない膜として、Ti、TiN 、Siまたは
Ｗからなる膜が用いられる。
【０００９】
【作用】本発明によれば、多層レジスト法を用いてパタ
ーニングするに際して、下層レジストをエッチングする
工程で、酸素ガスに少なくとも塩素原子を含むガスまた
は臭素原子を含むガスを使用し、これをプラズマ化す
る。
ーニングするに際して、下層レジストをエッチングする
工程で、酸素ガスに少なくとも塩素原子を含むガスまた
は臭素原子を含むガスを使用し、これをプラズマ化す
る。
【００１０】この場合、下層レジストの下地がアルミニ
ウム合金である場合には、下層レジストのエッチング後
にオーバーエッチングすると、塩素原子または臭素原子
がアルミニウムに曝され、コロージョンの発生を引き起
こす。しかし、下層レジストとアルミニウム合金膜との
間に下層レジストをエッチングする工程で使用されるガ
スでエッチングされない膜を介在させることで、アルミ
ニウム合金が塩素原子または臭素原子に曝されることが
なくなり、コロージョンの発生が抑制される。また、こ
れにより、垂直形状の寸法シフトを生じない多層レジス
トのマスクを作成することができるので、アルミニウム
合金の寸法精度に優れたパターンを提供することができ
る。
ウム合金である場合には、下層レジストのエッチング後
にオーバーエッチングすると、塩素原子または臭素原子
がアルミニウムに曝され、コロージョンの発生を引き起
こす。しかし、下層レジストとアルミニウム合金膜との
間に下層レジストをエッチングする工程で使用されるガ
スでエッチングされない膜を介在させることで、アルミ
ニウム合金が塩素原子または臭素原子に曝されることが
なくなり、コロージョンの発生が抑制される。また、こ
れにより、垂直形状の寸法シフトを生じない多層レジス
トのマスクを作成することができるので、アルミニウム
合金の寸法精度に優れたパターンを提供することができ
る。
【００１１】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説
明する。
明する。
【００１２】図１は、本発明の実施に有用な装置の概略
断面図であって、図中４はエッチングガスを導入する反
応室で、この反応室４のガス導入口２に対向する位置に
は、高周波電源12を接続した陰極電極７が設けられ、ま
たこの陰極電極７には静電チャック３が取付けられてお
り、基板５を静電チャック３によって陰極電極７に静電
吸着するように構成されている。
断面図であって、図中４はエッチングガスを導入する反
応室で、この反応室４のガス導入口２に対向する位置に
は、高周波電源12を接続した陰極電極７が設けられ、ま
たこの陰極電極７には静電チャック３が取付けられてお
り、基板５を静電チャック３によって陰極電極７に静電
吸着するように構成されている。
【００１３】なお、図１中、９は陰極電極７および静電
チャック３を貫通して取付けられたHeガス供給口、10は
陰極電極７に接触して取り付けられる蛍光式光ファイバ
ー温度計、６は絶縁物、１は陰極電極７に対向する陽極
電極、11は静電チャックに電圧を与えるためのDC電源、
８は陰極電極７を冷却するための低温用チラーを示して
いる。図１の装置を用い、３層レジスト用いるパターニ
ングの工程で、下層レジストのエッチングを酸素ガスに
塩素原子を含むガスまたは臭素原子を含むガスを添加し
て行った結果を以下に説明する。
チャック３を貫通して取付けられたHeガス供給口、10は
陰極電極７に接触して取り付けられる蛍光式光ファイバ
ー温度計、６は絶縁物、１は陰極電極７に対向する陽極
電極、11は静電チャックに電圧を与えるためのDC電源、
８は陰極電極７を冷却するための低温用チラーを示して
いる。図１の装置を用い、３層レジスト用いるパターニ
ングの工程で、下層レジストのエッチングを酸素ガスに
塩素原子を含むガスまたは臭素原子を含むガスを添加し
て行った結果を以下に説明する。
【００１４】図２に示す３層レジスト工程において、パ
ターニングすべきアルミニウム合金17a 上に下層レジス
トをエッチングする工程で使用されるガスでエッチング
されない膜13a を成膜し、その上に下層レジストとして
ＢＣＲ（日本ゼオン製）14aを２μｍ塗布後、中間層と
してＯＣＤ（東京応化製）15a を2500Å塗布し、上層レ
ジストとしてＮＰＲ（長瀬産業製）16a を１μｍ塗布す
る（図２(a))。次に、ＮＰＲ16a を露光し、現像後（図
２(b))、ＯＣＤ15a を反応性イオンエッチング装置を用
い、CF4 100sccm 、CHF3 100sccm、0.1 torr、 400Ｗの
条件でエッチング後（図２(c))、下層レジストにあたる
ＢＣＲ14a のエッチングを酸素ガスに、塩素原子を含む
ガスまたは臭素原子を含むガスを添加して行う（図２
(d))。また、図１の装置を用い、図３に示す２層レジス
トでも同様の結果が得られる。すなわち、図３に示す２
層レジスト工程において、パターニングすべきアルミニ
ウム合金17b 上に下層レジストをエッチングする工程で
使用されるガスでエッチングされない膜13b を成膜し、
その上に下層レジストとしてＢＣＲ14b を２μｍ塗布
後、上層レジストとしてシリコン含有レジストＳＮＲ
（東ソー製）15b を5000Å塗布する（図３(a))。
ターニングすべきアルミニウム合金17a 上に下層レジス
トをエッチングする工程で使用されるガスでエッチング
されない膜13a を成膜し、その上に下層レジストとして
ＢＣＲ（日本ゼオン製）14aを２μｍ塗布後、中間層と
してＯＣＤ（東京応化製）15a を2500Å塗布し、上層レ
ジストとしてＮＰＲ（長瀬産業製）16a を１μｍ塗布す
る（図２(a))。次に、ＮＰＲ16a を露光し、現像後（図
２(b))、ＯＣＤ15a を反応性イオンエッチング装置を用
い、CF4 100sccm 、CHF3 100sccm、0.1 torr、 400Ｗの
条件でエッチング後（図２(c))、下層レジストにあたる
ＢＣＲ14a のエッチングを酸素ガスに、塩素原子を含む
ガスまたは臭素原子を含むガスを添加して行う（図２
(d))。また、図１の装置を用い、図３に示す２層レジス
トでも同様の結果が得られる。すなわち、図３に示す２
層レジスト工程において、パターニングすべきアルミニ
ウム合金17b 上に下層レジストをエッチングする工程で
使用されるガスでエッチングされない膜13b を成膜し、
その上に下層レジストとしてＢＣＲ14b を２μｍ塗布
後、上層レジストとしてシリコン含有レジストＳＮＲ
（東ソー製）15b を5000Å塗布する（図３(a))。
【００１５】次に、ＳＮＲ15b を電子線で露光し、現像
後（図３(b))、下層レジストにあたるＢＣＲ14b のエッ
チングを酸素ガスに塩素原子を含むガスまたは臭素原子
を含むガスを添加して行う（図３(c))。
後（図３(b))、下層レジストにあたるＢＣＲ14b のエッ
チングを酸素ガスに塩素原子を含むガスまたは臭素原子
を含むガスを添加して行う（図３(c))。
【００１６】以下に、具体的な実施例をを挙げて、本発
明をさらに説明する。
明をさらに説明する。
【００１７】実施例１（酸素と臭化水素を用いた場合）
【００１８】上記条件において３層レジストをエッチン
グした結果、ＢＣＲ14a のエッチング速度1200Å／min
が得られた。さらに、寸法シフト量を調査した結果、測
定限界以下であった。また、上記条件において高周波電
力を 500Ｗに上げると、3000Å／min のエッチング速度
が得られ、寸法シフト量を調査した結果は測定限界以下
であった。下層レジストのエッチング後に、コロージョ
ンは観察されず、アルミニウム合金までエッチングは進
んでいなかった。さらに、Tiとアルミニウム合金を塩素
と四塩化珪素ガスでエッチングしたところ、寸法精度の
良いアルミニウム合金のパターンが得られた。
グした結果、ＢＣＲ14a のエッチング速度1200Å／min
が得られた。さらに、寸法シフト量を調査した結果、測
定限界以下であった。また、上記条件において高周波電
力を 500Ｗに上げると、3000Å／min のエッチング速度
が得られ、寸法シフト量を調査した結果は測定限界以下
であった。下層レジストのエッチング後に、コロージョ
ンは観察されず、アルミニウム合金までエッチングは進
んでいなかった。さらに、Tiとアルミニウム合金を塩素
と四塩化珪素ガスでエッチングしたところ、寸法精度の
良いアルミニウム合金のパターンが得られた。
【００１９】また、上記条件において、下層レジストの
下地としてTiN、SiおよびＷのいずれかを用い、 300Å
の膜厚でアルミニウム合金上にスパッタリングにより成
膜したが、いずれも上記と同様に、下層レジストのエッ
チング後に、コロージョンは観察されず、アルミニウム
合金までエッチングは進んでいなかった。さらに、TiN
、SiまたはＷとアルミニウム合金を塩素と四塩化珪素
ガスでエッチングしたところ、寸法精度の良いアルミニ
ウムのパターンが得られた。
下地としてTiN、SiおよびＷのいずれかを用い、 300Å
の膜厚でアルミニウム合金上にスパッタリングにより成
膜したが、いずれも上記と同様に、下層レジストのエッ
チング後に、コロージョンは観察されず、アルミニウム
合金までエッチングは進んでいなかった。さらに、TiN
、SiまたはＷとアルミニウム合金を塩素と四塩化珪素
ガスでエッチングしたところ、寸法精度の良いアルミニ
ウムのパターンが得られた。
【００２０】さらに、上記条件において、２層レジスト
をエッチングした。下層レジストの下地としてTi、TiN
、SiおよびＷのいずれかを用い、 300Åの膜厚でアル
ミニウム上にスパッタリングにより成膜したが、下層レ
ジストエッチング後に、コロージョンは観察されず、ア
ルミニウム合金までエッチングは進んでいなかった。さ
らに、下層レジストの下地（Ti、TiN 、SiまたはＷ）と
アルミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスでエッチング
したところ、寸法精度の良いアルミニウム合金のパター
ンが得られた。
をエッチングした。下層レジストの下地としてTi、TiN
、SiおよびＷのいずれかを用い、 300Åの膜厚でアル
ミニウム上にスパッタリングにより成膜したが、下層レ
ジストエッチング後に、コロージョンは観察されず、ア
ルミニウム合金までエッチングは進んでいなかった。さ
らに、下層レジストの下地（Ti、TiN 、SiまたはＷ）と
アルミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスでエッチング
したところ、寸法精度の良いアルミニウム合金のパター
ンが得られた。
【００２１】実施例２（酸素と臭素を用いた場合）
【００２２】上記条件において３層レジストをエッチン
グした結果、ＢＣＲ14a のエッチング速度1000Å／min
が得られた。さらに、寸法シフト量を調査した結果、測
定限界以下であった。また、上記条件において高周波電
力を 500Ｗに上げると、2800Å／min のエッチング速度
が得られ、寸法シフト量を調査した結果測定限界以下で
あった。下層レジストのエッチング後に、コロージョン
は観察されず、アルミニウム合金までエッチングは進ん
でいなかった。さらに、Tiとアルミニウム合金を塩素と
四塩化珪素ガスでエッチングしたところ、寸法精度の良
いアルミニウム合金のパターンが得られた。
グした結果、ＢＣＲ14a のエッチング速度1000Å／min
が得られた。さらに、寸法シフト量を調査した結果、測
定限界以下であった。また、上記条件において高周波電
力を 500Ｗに上げると、2800Å／min のエッチング速度
が得られ、寸法シフト量を調査した結果測定限界以下で
あった。下層レジストのエッチング後に、コロージョン
は観察されず、アルミニウム合金までエッチングは進ん
でいなかった。さらに、Tiとアルミニウム合金を塩素と
四塩化珪素ガスでエッチングしたところ、寸法精度の良
いアルミニウム合金のパターンが得られた。
【００２３】また、上記条件において、下層レジストの
下地としてTiN、SiおよびＷのいずれかを用い、 300Å
の膜厚でアルミニウム上にスパッタリングにより成膜し
たが、いずれも上記と同様に、下層レジストのエッチン
グ後に、コロージョンは観察されず、アルミニウム合金
までエッチングは進んでいなかった。さらに、TiN 、Si
またはＷとアルミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスで
エッチングしたところ、寸法精度の良いアルミニウム合
金のパターンが得られた。
下地としてTiN、SiおよびＷのいずれかを用い、 300Å
の膜厚でアルミニウム上にスパッタリングにより成膜し
たが、いずれも上記と同様に、下層レジストのエッチン
グ後に、コロージョンは観察されず、アルミニウム合金
までエッチングは進んでいなかった。さらに、TiN 、Si
またはＷとアルミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスで
エッチングしたところ、寸法精度の良いアルミニウム合
金のパターンが得られた。
【００２４】さらに、上記条件において２層レジストを
エッチングした。下層レジストの下地としてTi、TiN 、
SiおよびＷのいずれかを用い、 300Åの膜厚でアルミニ
ウム上にスパッタリングにより成膜したが、下層レジス
トのエッチング後に、コロージョンは観察されず、アル
ミニウム合金までエッチングは進んでいなかった。さら
に、下層レジストの下地（Ti、TiN 、SiまたはＷ）とア
ルミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスでエッチングし
たところ、寸法精度の良いアルミニウム合金のパターン
が得られた。
エッチングした。下層レジストの下地としてTi、TiN 、
SiおよびＷのいずれかを用い、 300Åの膜厚でアルミニ
ウム上にスパッタリングにより成膜したが、下層レジス
トのエッチング後に、コロージョンは観察されず、アル
ミニウム合金までエッチングは進んでいなかった。さら
に、下層レジストの下地（Ti、TiN 、SiまたはＷ）とア
ルミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスでエッチングし
たところ、寸法精度の良いアルミニウム合金のパターン
が得られた。
【００２５】実施例３（酸素と三臭化ホウ素を用いた場
合）
合）
【００２６】上記条件において３層レジストをエッチン
グした結果、ＢＣＲ14a のエッチング速度 900Å／min
が得られた。さらに、寸法シフト量を調査した結果、測
定限界以下であった。また、上記条件において高周波電
力を 500Ｗに上げると、2600Å／min のエッチング速度
が得られ、寸法シフト量を調査した結果測定限界以下で
あった。下層レジストのエッチング後に、コロージョン
は観察されず、アルミニウム合金までエッチングは進ん
でいなかった。さらに、Tiとアルミニウム合金を塩素と
四塩化珪素ガスでエッチングしたところ、寸法精度の良
いアルミニウム合金のパターンが得られた。
グした結果、ＢＣＲ14a のエッチング速度 900Å／min
が得られた。さらに、寸法シフト量を調査した結果、測
定限界以下であった。また、上記条件において高周波電
力を 500Ｗに上げると、2600Å／min のエッチング速度
が得られ、寸法シフト量を調査した結果測定限界以下で
あった。下層レジストのエッチング後に、コロージョン
は観察されず、アルミニウム合金までエッチングは進ん
でいなかった。さらに、Tiとアルミニウム合金を塩素と
四塩化珪素ガスでエッチングしたところ、寸法精度の良
いアルミニウム合金のパターンが得られた。
【００２７】また、上記条件において、下層レジストの
下地としてTiN、SiおよびＷのいずれかを用い、 300Å
の膜厚でアルミニウム上にスパッタリングにより成膜し
たが、いずれも上記と同様に、下層レジストのエッチン
グ後に、コロージョンは観察されず、アルミニウム合金
までエッチングは進んでいなかった。さらに、TiN 、Si
またはＷとアルミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスで
エッチングしたところ、寸法精度の良いアルミニウム合
金のパターンが得られた。
下地としてTiN、SiおよびＷのいずれかを用い、 300Å
の膜厚でアルミニウム上にスパッタリングにより成膜し
たが、いずれも上記と同様に、下層レジストのエッチン
グ後に、コロージョンは観察されず、アルミニウム合金
までエッチングは進んでいなかった。さらに、TiN 、Si
またはＷとアルミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスで
エッチングしたところ、寸法精度の良いアルミニウム合
金のパターンが得られた。
【００２８】さらに、上記条件において２層レジストを
エッチングした。下層レジストの下地としてTi、TiN 、
SiおよびＷのいずれかを用い、 300Åの膜厚でアルミニ
ウム上にスパッタリングにより成膜したが、下層レジス
トのエッチング後に、コロージョンは観察されず、アル
ミニウム合金までエッチングは進んでいなかった。さら
に、下層レジストの下地（Ti、TiN 、SiまたはＷ）とア
ルミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスでエッチングし
たところ、寸法精度の良いアルミニウム合金のパターン
が得られた。
エッチングした。下層レジストの下地としてTi、TiN 、
SiおよびＷのいずれかを用い、 300Åの膜厚でアルミニ
ウム上にスパッタリングにより成膜したが、下層レジス
トのエッチング後に、コロージョンは観察されず、アル
ミニウム合金までエッチングは進んでいなかった。さら
に、下層レジストの下地（Ti、TiN 、SiまたはＷ）とア
ルミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスでエッチングし
たところ、寸法精度の良いアルミニウム合金のパターン
が得られた。
【００２９】実施例４（酸素と塩素を用いた場合）
【００３０】上記条件において３層レジストをエッチン
グした結果、ＢＣＲ14a のエッチング速度1200Å／min
が得られた。さらに、寸法シフト量を調査した結果、測
定限界以下であった。また、上記条件において高周波電
力を 500Ｗに上げると、3000Å／min のエッチング速度
が得られ、寸法シフト量を調査した結果測定限界以下で
あった。下層レジストのエッチング後に、コロージョン
は観察されず、アルミニウム合金までエッチングは進ん
でいなかった。さらに、Tiとアルミニウム合金を塩素と
四塩化珪素ガスでエッチングしたところ、寸法精度の良
いアルミニウム合金のパターンが得られた。
グした結果、ＢＣＲ14a のエッチング速度1200Å／min
が得られた。さらに、寸法シフト量を調査した結果、測
定限界以下であった。また、上記条件において高周波電
力を 500Ｗに上げると、3000Å／min のエッチング速度
が得られ、寸法シフト量を調査した結果測定限界以下で
あった。下層レジストのエッチング後に、コロージョン
は観察されず、アルミニウム合金までエッチングは進ん
でいなかった。さらに、Tiとアルミニウム合金を塩素と
四塩化珪素ガスでエッチングしたところ、寸法精度の良
いアルミニウム合金のパターンが得られた。
【００３１】また、上記条件において、下層レジストの
下地としてTiN、SiおよびＷのいずれかを用い、 300Å
の膜厚でアルミニウム上にスパッタリングにより成膜し
たが、いずれも上記と同様に、下層レジストのエッチン
グ後に、コロージョンは観察されず、アルミニウム合金
までエッチングは進んでいなかった。さらに、TiN 、Si
またはＷとアルミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスで
エッチングしたところ、寸法精度の良いアルミニウム合
金のパターンが得られた。
下地としてTiN、SiおよびＷのいずれかを用い、 300Å
の膜厚でアルミニウム上にスパッタリングにより成膜し
たが、いずれも上記と同様に、下層レジストのエッチン
グ後に、コロージョンは観察されず、アルミニウム合金
までエッチングは進んでいなかった。さらに、TiN 、Si
またはＷとアルミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスで
エッチングしたところ、寸法精度の良いアルミニウム合
金のパターンが得られた。
【００３２】さらに、上記条件において２層レジストを
エッチングした。下層レジストの下地としてTi、TiN 、
SiおよびＷのいずれかを用い、 300Åの膜厚でアルミニ
ウム上にスパッタリングにより成膜したが、下層レジス
トのエッチング後に、コロージョンは観察されず、アル
ミニウム合金までエッチングは進んでいなかった。さら
に、下層レジストの下地（Ti、TiN 、SiまたはＷ）とア
ルミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスでエッチングし
たところ、寸法精度の良いアルミニウム合金のパターン
が得られた。
エッチングした。下層レジストの下地としてTi、TiN 、
SiおよびＷのいずれかを用い、 300Åの膜厚でアルミニ
ウム上にスパッタリングにより成膜したが、下層レジス
トのエッチング後に、コロージョンは観察されず、アル
ミニウム合金までエッチングは進んでいなかった。さら
に、下層レジストの下地（Ti、TiN 、SiまたはＷ）とア
ルミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスでエッチングし
たところ、寸法精度の良いアルミニウム合金のパターン
が得られた。
【００３３】実施例５（酸素と三塩化ホウ素を用いた場
合）
合）
【００３４】上記条件において３層レジストをエッチン
グした結果、ＢＣＲ14a のエッチング速度1000Å／min
が得られた。さらに、寸法シフト量を調査した結果、測
定限界以下であった。また、上記条件において高周波電
力を 500Ｗに上げると、2800Å／min のエッチング速度
が得られ、寸法シフト量を調査した結果測定限界以下で
あった。下層レジストのエッチング後に、コロージョン
は観察されず、アルミニウム合金までエッチングは進ん
でいなかった。さらに、Tiとアルミニウム合金を塩素と
四塩化珪素ガスでエッチングしたところ、寸法精度の良
いアルミニウム合金のパターンが得られた。
グした結果、ＢＣＲ14a のエッチング速度1000Å／min
が得られた。さらに、寸法シフト量を調査した結果、測
定限界以下であった。また、上記条件において高周波電
力を 500Ｗに上げると、2800Å／min のエッチング速度
が得られ、寸法シフト量を調査した結果測定限界以下で
あった。下層レジストのエッチング後に、コロージョン
は観察されず、アルミニウム合金までエッチングは進ん
でいなかった。さらに、Tiとアルミニウム合金を塩素と
四塩化珪素ガスでエッチングしたところ、寸法精度の良
いアルミニウム合金のパターンが得られた。
【００３５】また、上記条件において、下層レジストの
下地としてTiN、SiおよびＷのいずれかを用い、 300Å
の膜厚でアルミニウム上にスパッタリングにより成膜し
たが、いずれも上記と同様に、下層レジストのエッチン
グ後に、コロージョンは観察されず、アルミニウム合金
までエッチングは進んでいなかった。さらに、Tiとアル
ミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスでエッチングした
ところ、寸法精度の良いアルミニウム合金のパターンが
得られた。
下地としてTiN、SiおよびＷのいずれかを用い、 300Å
の膜厚でアルミニウム上にスパッタリングにより成膜し
たが、いずれも上記と同様に、下層レジストのエッチン
グ後に、コロージョンは観察されず、アルミニウム合金
までエッチングは進んでいなかった。さらに、Tiとアル
ミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスでエッチングした
ところ、寸法精度の良いアルミニウム合金のパターンが
得られた。
【００３６】さらに、上記条件において２層レジストを
エッチングした。下層レジストの下地としてTi、TiN 、
SiおよびＷのいずれかを用い、 300Åの膜厚でアルミニ
ウム上にスパッタリングにより成膜したが、下層レジス
トのエッチング後に、コロージョンは観察されず、アル
ミニウム合金までエッチングは進んでいなかった。さら
に、下層レジストの下地（Ti、TiN 、SiまたはＷ）とア
ルミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスでエッチングし
たところ、寸法精度の良いアルミニウム合金のパターン
が得られた。
エッチングした。下層レジストの下地としてTi、TiN 、
SiおよびＷのいずれかを用い、 300Åの膜厚でアルミニ
ウム上にスパッタリングにより成膜したが、下層レジス
トのエッチング後に、コロージョンは観察されず、アル
ミニウム合金までエッチングは進んでいなかった。さら
に、下層レジストの下地（Ti、TiN 、SiまたはＷ）とア
ルミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスでエッチングし
たところ、寸法精度の良いアルミニウム合金のパターン
が得られた。
【００３７】実施例６（酸素と四塩化珪素を用いた場
合）
合）
【００３８】上記条件において３層レジストをエッチン
グした結果、ＢＣＲ14a のエッチング速度 800Å／min
が得られた。さらに、寸法シフト量を調査した結果、測
定限界以下であった。また、上記条件において高周波電
力を 500Ｗに上げると、2500Å／min のエッチング速度
が得られ、寸法シフト量を調査した結果測定限界以下で
あった。下層レジストのエッチング後に、コロージョン
は観察されず、アルミニウム合金までエッチングは進ん
でいなかった。さらに、Tiとアルミニウム合金を塩素と
四塩化珪素ガスでエッチングしたところ、寸法精度の良
いアルミニウム合金のパターンが得られた。
グした結果、ＢＣＲ14a のエッチング速度 800Å／min
が得られた。さらに、寸法シフト量を調査した結果、測
定限界以下であった。また、上記条件において高周波電
力を 500Ｗに上げると、2500Å／min のエッチング速度
が得られ、寸法シフト量を調査した結果測定限界以下で
あった。下層レジストのエッチング後に、コロージョン
は観察されず、アルミニウム合金までエッチングは進ん
でいなかった。さらに、Tiとアルミニウム合金を塩素と
四塩化珪素ガスでエッチングしたところ、寸法精度の良
いアルミニウム合金のパターンが得られた。
【００３９】また、上記条件において、下層レジストの
下地としてTiN、SiおよびＷのいずれかを用い、 300Å
の膜厚でアルミニウム上にスパッタリングにより成膜し
たが、いずれも上記と同様に、下層レジストのエッチン
グ後に、コロージョンは観察されず、アルミニウム合金
までエッチングは進んでいなかった。さらに、TiN 、Si
またはＷとアルミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスで
エッチングしたところ、寸法精度の良いアルミニウム合
金のパターンが得られた。
下地としてTiN、SiおよびＷのいずれかを用い、 300Å
の膜厚でアルミニウム上にスパッタリングにより成膜し
たが、いずれも上記と同様に、下層レジストのエッチン
グ後に、コロージョンは観察されず、アルミニウム合金
までエッチングは進んでいなかった。さらに、TiN 、Si
またはＷとアルミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスで
エッチングしたところ、寸法精度の良いアルミニウム合
金のパターンが得られた。
【００４０】さらに、上記条件において２層レジストを
エッチングした。下層レジストの下地としてTi、TiN 、
SiおよびＷのいずれかを用い、 300Åの膜厚でアルミニ
ウム上にスパッタリングにより成膜したが、下層レジス
トのエッチング後に、コロージョンは観察されず、アル
ミニウム合金までエッチングは進んでいなかった。さら
に、下層レジストの下地（Ti、TiN 、SiまたはＷ）とア
ルミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスでエッチングし
たところ、寸法精度の良いアルミニウム合金のパターン
が得られた。
エッチングした。下層レジストの下地としてTi、TiN 、
SiおよびＷのいずれかを用い、 300Åの膜厚でアルミニ
ウム上にスパッタリングにより成膜したが、下層レジス
トのエッチング後に、コロージョンは観察されず、アル
ミニウム合金までエッチングは進んでいなかった。さら
に、下層レジストの下地（Ti、TiN 、SiまたはＷ）とア
ルミニウム合金を塩素と四塩化珪素ガスでエッチングし
たところ、寸法精度の良いアルミニウム合金のパターン
が得られた。
【００４１】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、多層レジスト法を用いてアルミニウム合金をパター
ニングする工程で、コロージョンを発生させることな
く、垂直形状の寸法シフトを生じない多層レジストのマ
スクを作成することができ、寸法精度の良いアルミニウ
ム合金のパターンを得ることができる。
ば、多層レジスト法を用いてアルミニウム合金をパター
ニングする工程で、コロージョンを発生させることな
く、垂直形状の寸法シフトを生じない多層レジストのマ
スクを作成することができ、寸法精度の良いアルミニウ
ム合金のパターンを得ることができる。
【図１】図１は、本発明の実施に有用な装置の断面概略
図である。
図である。
【図２】図２は、本発明に係る３層レジストによるパタ
ーニングの工程図である。
ーニングの工程図である。
【図３】図３は、本発明に係る２層レジストによるパタ
ーニングの工程図である。
ーニングの工程図である。
【図４】図４は、従来の３層レジストによるパターニン
グの工程図である。
グの工程図である。
【図５】図５は、従来の２層レジストによるパターニン
グの工程図である。
グの工程図である。
【符号の説明】 １…陽極電極 ２…ガス導入口 ３…静電チャック ４…反応室 ５…基板 ６…絶縁物 ７…陰極電極 ８…低温用チラー ９…Ｈｅガス導入口 10…蛍光式ファイバー温度計 11…ＤＣ電源 12…高周波電源 13a 、13b …下層レジストの下地の膜 13c 、13d …多層レジストを用いてエッチングされる被
エッチング膜 14a 、14b …ＢＣＲ 14c 、14d …下層レジスト 15a …ＯＣＤ 15b …ＳＮＲ 15c …中間層 15d …上層レジスト 16a 、16b …ＮＰＲ 16c …上層レジスト 17a 、17b …アルミニウム合金
エッチング膜 14a 、14b …ＢＣＲ 14c 、14d …下層レジスト 15a …ＯＣＤ 15b …ＳＮＲ 15c …中間層 15d …上層レジスト 16a 、16b …ＮＰＲ 16c …上層レジスト 17a 、17b …アルミニウム合金
Claims (5)
- 【請求項１】 多層レジスト法を用いてアルミニウム合
金膜をパターニングするに際して、前記多層レジストの
下層レジストと前記アルミニウム合金膜との間に酸素原
子を含むガスと塩素原子または臭素原子を含むガスでエ
ッチングされない膜を介在させ、前記下層レジストを少
なくとも酸素原子を含むガスと塩素原子または臭素原子
を含むガスでエッチングすることを特徴とする多層レジ
ストのパターニング方法。 - 【請求項２】 前記塩素原子を含むガスが塩素、三塩化
ホウ素または四塩化ケイ素である、請求項１記載の方
法。 - 【請求項３】 前記臭素原子を含むガスは臭素、臭化水
素または三臭化ホウ素である、請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 前記酸素原子を含むガスと塩素原子また
は臭素原子を含むガスでエッチングされない膜が、前記
アルミニウム合金膜をエッチングする工程でエッチング
される、請求項１記載の方法。 - 【請求項５】 前記酸素原子を含むガスと塩素原子また
は臭素原子を含むガスでエッチングされない膜が、Ti、
TiN 、SiまたはＷからなる膜である、請求項１記載の方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21524891A JPH0555179A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 多層レジストのパターニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21524891A JPH0555179A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 多層レジストのパターニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555179A true JPH0555179A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16669172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21524891A Withdrawn JPH0555179A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 多層レジストのパターニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555179A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008505497A (ja) * | 2004-06-30 | 2008-02-21 | ラム リサーチ コーポレーション | 二層レジストプラズマエッチングの方法 |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP21524891A patent/JPH0555179A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008505497A (ja) * | 2004-06-30 | 2008-02-21 | ラム リサーチ コーポレーション | 二層レジストプラズマエッチングの方法 |
| KR101111924B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2012-02-17 | 램 리써치 코포레이션 | 이중층 레지스트 플라즈마 에칭 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981112 |