JPH054529U - チツプ型発光ダイオードの構造 - Google Patents
チツプ型発光ダイオードの構造Info
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- JPH054529U JPH054529U JP4937391U JP4937391U JPH054529U JP H054529 U JPH054529 U JP H054529U JP 4937391 U JP4937391 U JP 4937391U JP 4937391 U JP4937391 U JP 4937391U JP H054529 U JPH054529 U JP H054529U
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板11の上面に、発光チップ14をパッケ
ージする透明又は半透明合成樹脂製のモールド部16を
形成したチップ型発光ダイオードにおいて、前記モール
ド部16の上面から発射される光度をアップする。 【構成】 基板11の上面に、前記モールド部16の周
囲を囲う非透明体製の枠体17を装着して、この枠体1
7内に、前記モールド部16を設ける。
ージする透明又は半透明合成樹脂製のモールド部16を
形成したチップ型発光ダイオードにおいて、前記モール
ド部16の上面から発射される光度をアップする。 【構成】 基板11の上面に、前記モールド部16の周
囲を囲う非透明体製の枠体17を装着して、この枠体1
7内に、前記モールド部16を設ける。
Description
【0001】
本考案は、チップ型に形成した発光ダイオード装置の構造に関するものである
。
【0002】
従来、この種のチップ型発光ダイオードは、図8〜図10に示すように、先づ
長さがLで幅がWの矩形状に形成した基板1の上面に、当該基板1の左右両側面
1a,1bにおける端子電極2,3の各々に導通する左右一対の電極2a,3a
を形成し、この両電極2a,3aのうち一方の電極2aに、発光チップ4をダイ
ボンディングし、次いで、この発光チップ4と前記他方の電極3aとの間を、細
い金属線5にてワイヤーボンディングしたのち、前記発光チップ4及び金属線5
の部分を、透明又は半透明合成樹脂製のモールド部6で部分的にパッケージして
、このモールド部6の上面6aから光を発射するように構成している。
【0003】
しかし、この従来におけるチップ型発光ダイオードは、発光チップ4及び金属
線5の部分をパッケージする透明合成樹脂製のモールド部6が、基板1の上面か
ら部分的に突出する形態に構成したものであって、このモールド部6内の発光チ
ップ4で発光した光は、前記モールド部6の上面6aから透過することに加えて
、モールド部6の各側面6b,6c,6d,6eからも透過することになるから
、前記発光チップ4で発光した光のうちモールド部6の上面6aから透過する光
は、前記発光チップ4で発光した光の一部がモールド部6における各側面8b,
6c,6d,6eから透過する分だけ減少すると言う問題がある。
【0004】
ところで、この種のチップ型発光ダイオードを、自動マウント装置によって、
電気機器におけるプリント基板等に搭載するに際しては、図11に示すように、
テーブルAの上面において、左右一対のL型位置決め体B1 ,B2 にて、対角の
方向から挟み付けることにより、位置決めしたのち、吸着コレットCにて真空吸
着することによって、ピックアップして、プリント基板における所定の個所に移
送供給するものである。
【0005】
この自動マウントに際して、チップ型発光ダイオードが前記従来のように、基
板1の上面からモールド部6が部分的に突出した形態であると、基板1とモール
ド部6との間に段差が存在するから、前記両位置決め体B1 ,B2 にて、対角の
方向から挟み付けたときに、前記の段差のために、チップ型発光ダイオードが転
倒する事態、つまりピックアップミスが多発すると言う問題もあった。
【0006】
本考案は、モールド部の上面から透過する光が減少するのを防止することを第
1の目的とするものであり、また、第2の目的は、前記第1の目的に加えて、自
動マウントに際してのピックアップミスの発生を防止することにある。
【0007】
本考案は、前記第1の目的を達成するために、矩形に形成した基板の上面に左
右一対の電極を形成し、その一方の電極に発光チップを接合し、この発光チップ
と他方の電極との間を細い金属線にて接続し、更に、前記基板の上面に、透明又
は半透明合成樹脂製のモールド部を、前記発光チップ及び細い金属線をパッケー
ジするように設けて成るチップ型発光ダイオードにおいて、前記基板の上面に、
前記モールド部の周囲を囲う非透明体製の枠体を装着して、この枠体内に、前記
モールド部を設ける構成にした。
【0008】
また、本考案は、前記第2の目的を達成するために、矩形に形成した基板の上
面に左右一対の電極を形成し、その一方の電極に発光チップを接合し、この発光
チップと他方の電極との間を細い金属線にて接続し、更に、前記基板の上面に、
透明又は半透明合成樹脂製のモールド部を、前記発光チップ及び細い金属線をパ
ッケージするように設けて成るチップ型発光ダイオードにおいて、前記基板の上
面に、前記モールド部の周囲を囲う非透明体製枠体を装着して、この枠体内に、
前記モールド部を設け、更に、前記枠体における各外側面を、前記基板における
各外側面と略同一平面状に形成する構成にした。
【0009】
このように、基板の上面に、モールド部の周囲を囲う非透明体製枠体を装着し
て、この枠体内に、前記モールド部を設けるように構成すると、モールド部にて
パッケージされた発光チップで発光した光は、モールド部の周囲における側面か
ら透過することなく、全てモールド部の上面から透過することになる。
【0010】
また、前記枠体における各外側面を、基板における各外側面と略同一平面状に
形成したことにより、チップ型発光ダイオードの各外側面における段差をなくす
ることができるから、図11に示すように、左右一対のL型位置決め体B1 ,B 2
にて、対角の方向から挟み付けて位置決めるするときにおいて、チップ型発光
ダイオードが転倒することを確実に防止できるのである。
【0011】
従って、本考案によると、モールド部の上面から発射される光の光度を大幅に
アップすることができる一方、自動マウントに際してピックアップが発生するこ
とを確実に低減できる効果を有する。
【0012】
以下、本考案の実施例を、図1〜図4の図面について説明する。
この図において符号11は、セラミック又はガラスエポキシ樹脂等にて長さが
L0 で幅がW0 の矩形状に形成した基板を示し、該基板11の上面には、当該基
板11の左右両側面11a,11bにおける凹み部に形成した端子電極12,1
3の各々に導通する左右一対の電極12a,13aを形成し、この両電極12a
,13aのうち一方の電極12aに、発光チップ14をダイボンディングし、こ
の発光チップ14と前記他方の電極13aとの間を、細い金属線15にてワイヤ
ーボンディングする。
【0013】
なお、前記他方の端子電極13と他方の電極13aとを導通する部分13bを
、比較的細幅で、且つ、長さを長くすることによって、前記発光チップ14に対
する抵抗体を構成するようにする。
符号17は、セラミック又はガラスエポキシ樹脂等の非透明体にて四つの側面
のみを囲うように枡型に形成した枠体を示し、この枠体17を、前記基板11の
上面に装着して、この枠体17内に、エポキシ樹脂等の透明又は半透明合成樹脂
を液体の状態で注入して硬化することにより、モールド部16を形成する。
【0014】
また、前記枠体17における長さL1 及び幅W1 を、前記基板11における長
さL0 及び幅W0 と各々略等しい寸法にすることにより、当該枠体17における
各外側面17a,17b,17c,17dを、前記基板11における各外側面1
1a,11b,11c,11dと、略同一平面状に形成する。
このように、基板11の上面に非透明体製の枠体17を装着し、この枠体17
の内部に透明又は半透明合成樹脂製のモールド部16を形成するように構成する
と、前記モールド部16は、その全周囲が、非透明体製の枠体17にて囲われた
状態になるから、このモールド部16内の発光チップ14で発光した光が、前記
モールド部16の周囲における各側面から透過することを確実に防止でき、その
結果、モールド部16の上面から発射される光の光度を大幅にアップすることが
できるのである。
【0015】
また、前記枠体17における各外側面17a,17b,17c,17dを、基
板11における各外側面11a,11b,11c,11dと略同一平面状に形成
したことにより、チップ型発光ダイオードの各外側面における段差をなくするこ
とができるから、図11に示すように、左右一対のL型位置決め体B1 ,B2 に
て、対角の方向から挟み付けて位置決めるするときにおいて、チップ型発光ダイ
オードが転倒することを確実に防止できるのである。
【0016】
なお、本考案におけるチップ型発光ダイオードの製造に際しては、次の方法を
採用することができる。
すなわち、図5に示すように形成したセラミック製の基板11に対して、図6
に示すように、両端子電極12,13及び両電極12a,13aを、真空蒸着等
によって形成したのち、この基板11の上面に、セラミックの素材粘土で形成し
た枠体17を載置し、この枠体17を押圧することによって、図7に示すように
、基板11に対して固着したのち、高い温度で焼成することによって、前記枠体
17をセラミックにする。
【0017】
次いで、一方の電極12aに対する発光チップ14のダイボンディング、及び
この発光チップ14と他方の電極13aとの間のワイヤーボンディングを各々施
したのち、前記枠体17内に、透明又は半透明合成樹脂を液体の状態で注入して
硬化するのである。
また、前記基板11及び枠体17を、ガラスエポキシ樹脂製にするときには、
基板11に対して両端子電極12,13及び両電極12a,13aを形成し、次
いで、この基板11の上面に、枠体17を接着剤にて接着したのち、枠体17内
に、透明又は半透明合成樹脂を液体の状態で注入して硬化すれば良いのである。
【図1】本考案によるチップ型発光ダイオードの斜視図
である。
である。
【図2】図1のII−II視平断面図である。
【図3】図1のIII −III 視断面図である。
【図4】図1のIV−IV視断面図である。
【図5】基板の斜視図である。
【図6】分解した状態の斜視図である。
【図7】基板に対して枠体を搭載したときの斜視図であ
る。
る。
【図8】従来におけるチップ型発光ダイオードの斜視図
である。
である。
【図9】図8のIX−IX視断面図である。
【図10】図8のX−X視断面図である。
【図11】チップ型発光ダイオードの位置決めを行って
いる状態を示す斜視図である。
いる状態を示す斜視図である。
11 基板
11a,11b,11c,11d 基板の外側面
12,13 端子電極
12a,13a 電極
14 発光チップ
15 細い金属線
16 モールド部
17 枠体
17a,17b,17c,17d 枠体の外側面
Claims (2)
- 【請求項1】矩形に形成した基板の上面に左右一対の電
極を形成し、その一方の電極に発光チップを接合し、こ
の発光チップと他方の電極との間を細い金属線にて接続
し、更に、前記基板の上面に、透明又は半透明合成樹脂
製のモールド部を、前記発光チップ及び細い金属線をパ
ッケージするように設けて成るチップ型発光ダイオード
において、前記基板の上面に、前記モールド部の周囲を
囲う非透明体製の枠体を装着して、この枠体内に、前記
モールド部を設けたことを特徴とするチップ型発光ダイ
オードの構造。 - 【請求項2】矩形に形成した基板の上面に左右一対の電
極を形成し、その一方の電極に発光チップを接合し、こ
の発光チップと他方の電極との間を細い金属線にて接続
し、更に、前記基板の上面に、透明又は半透明合成樹脂
製のモールド部を、前記発光チップ及び細い金属線をパ
ッケージするように設けて成るチップ型発光ダイオード
において、前記基板の上面に、前記モールド部の周囲を
囲う非透明体製の枠体を装着して、この枠体内に、前記
モールド部を設け、更に、前記枠体における各外側面
を、前記基板における各外側面と略同一平面状に形成し
たことを特徴とするチップ型発光ダイオードの構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4937391U JPH054529U (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | チツプ型発光ダイオードの構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4937391U JPH054529U (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | チツプ型発光ダイオードの構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH054529U true JPH054529U (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=12829231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4937391U Pending JPH054529U (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | チツプ型発光ダイオードの構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH054529U (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08298345A (ja) * | 1995-04-26 | 1996-11-12 | Shichizun Denshi:Kk | チップ型発光ダイオード |
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-
1991
- 1991-06-27 JP JP4937391U patent/JPH054529U/ja active Pending
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